特許7701611IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

非古典光源装置の製造方法、非古典光源装置、単一光子源装置、および乱数発生器

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

簡易な構成で非古典光を出射する非古典光源装置およびその製造方法が求められている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の非古典光源装置の製造方法は、一実施形態において、ｐ型およびｎ型の一方である第１導電型の第１不純物を有する第１半導体領域と、ｐ型およびｎ型の他方である第２導電型の第２不純物を有する第２半導体領域とを有する半導体構造体を用意する工程と、－４０℃より大きく１５℃未満の冷却基板に前記半導体構造体を熱的に接触させた状態で、前記半導体構造体に順方向電流を流しながら光で前記半導体構造体を照射して前・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の実施形態によれば、簡易な構成で非古典光を出射する非古典光源装置およびその製造方法を実現することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、例示的な実施形態による非古典光源装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図2】 図２は、図１に示す第２半導体領域を破線に沿って切断した断面図である。
【図3】 図３は、本実施形態における半導体構造体の電流電圧特性を模式的に示す図である。
【図4A】 図４Ａは、本実施形態による非古典光源装置の製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図4B】 図４Ｂは、本実施形態による非古典光源装置の製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図4C】 図４Ｃは、本実施形態による非古典光源装置の製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図4D】 図４Ｄは、本実施形態による非古典光源装置の製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図4E】 図４Ｅは、本実施形態による非古典光源装置の製造方法における工程の例を説明するための図である。
【図4F】 図４Ｆは、本実施形態による非古典光源装置の製造方法における工程の変形例を説明するための図である。
【図5A】 図５Ａは、例示的な実施形態による単一光子源装置の構成を模式的に示す図である。
【図5B】 図５Ｂは、例示的な実施形態による量子暗号通信装置の構成を模式的に示す図である。
【図5C】 図５Ｃは、例示的な実施形態による光干渉断層計の構成を模式的に示す図である。
【図5D】 図５Ｄは、例示的な実施形態による乱数発生器の構成を模式的に示す図である。
【図5E】 図５Ｅは、例示的な実施形態による乱数発生器の他の構成を模式的に示す図である。
【図6】 図６は、実施例による非古典光源装置の上面の写真である。
【図7A】 図７Ａは、実施例による非古典光源装置の発光の様子を示す写真である。
【図7B】 図７Ｂは、比較例による光源装置の発光の様子を示す写真である。
【図8A】 図８Ａは、実施例による非古典光源装置から出射される光の強度と時間との関係を示すグラフである。
【図8B】 図８Ｂは、実施例による非古典光源装置から周期１．１ｎｓ（パルス周波数９００ＭＨｚ）で出射される光の強度と時間との関係を示すグラフである。
【図8C】 図８Ｃは、比較例による光源装置から出射される光の強度と時間との関係を示すグラフである。
【図9】 図９は、実施例における半導体構造体の電流電圧特性を示すグラフである。
【図10】 図１０は、強度相関を測定するためのHanbury Brown-Twissの実験系を模式的に示す図である。
【図11A】 図１１Ａは、連続波における強度相関関数を模式的に示す図である。
【図11B】 図１１Ｂは、周期的なパルス光における強度相関関数を模式的に示す図である。
【図12】 図１２は、実施例による非古典光源装置から周期１．１ナノ秒（パルス周波数９００ＭＨｚ）で出射される光の強度相関関数のグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

１０、１０ａ、１０Ａ 半導体構造体 １２、１２ａ、１２Ａ 第１半導体領域 １４、１４ａ、１４Ａ 第２半導体領域 １６ ｐｎ接合 ２０ａ、２０Ａ 下部電極 ２０ｂ、２０Ｂ 上部電極 ３０ａ 発光領域 ３０ｂ 非発光領域 ４０ 冷却基板 ４２ ペルチェ素子 ４４ ヒートシンク ５０ 電源 ５２ａ、５２ｂ ワイヤ ６０ 光源 ６２ 光 ７２ａ、７２ｂ レンズ ７４ａ、７４ｂ 光ファイバ ７６ 超電導単一光子検出器 ７８ 時間相関測定器 １００ 非古典光源装置 ２００ 単一光子源装置 ２１０ 減光部材 ３００ 量子暗号通信装置 ３１０ 暗号鍵生成器 ３２０ 変調器 ３３０ 観測装置 ３４０ 光ファイバ ４００ 光干渉断層計 ４１０、ＢＳ１ ビームスプリッタ ４２０ 参照ミラー ４３０ センサ ５００、６００ 乱数発生器 Ｄ１、Ｄ２ 検出器

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