7703426 マスク検査装置及びマスク検査方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-06-27

(45)【発行日】2025-07-07

(54)【発明の名称】マスク検査装置及びマスク検査方法

(51)【国際特許分類】

   G01N 21/956 20060101AFI20250630BHJP

【ＦＩ】

G01N21/956 A

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2021186688

(22)【出願日】2021-11-16

(65)【公開番号】P2023073914

(43)【公開日】2023-05-26

【審査請求日】2024-10-02

(73)【特許権者】

【識別番号】504162958

【氏名又は名称】株式会社ニューフレアテクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100119035

【弁理士】

【氏名又は名称】池上 徹真

(74)【代理人】

【識別番号】100141036

【弁理士】

【氏名又は名称】須藤 章

(74)【代理人】

【識別番号】100178984

【弁理士】

【氏名又は名称】高下 雅弘

(72)【発明者】

【氏名】大瀧 寿明

【審査官】小澤 瞬

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－７２３９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１６３０７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２１／０２６２９４４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００１－２６４２６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－５８３８２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｎ ２１／８４ － Ｇ０１Ｎ ２１／９５８

Ｈ０１Ｌ ２１／６４ － Ｈ０１Ｌ ２１／６６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

検査光を分岐するビームスプリッタと、
前記検査光のうち分岐された第１の光をパターンが形成されたマスク基板に照射して得られる前記マスク基板の像を撮像し、画像データを出力する時間遅延積分（ＴＤＩ）センサと、
前記検査光のうち分岐された第２の光を受光して、前記ＴＤＩセンサの蓄積方向と直交する方向の光量分布の時間的変化を測定するラインセンサと、
時間的変化する前記光量分布の値を用いて、前記ＴＤＩセンサから出力される画像データを前記光量分布の位置に応じて補正する補正部と、
補正された画像データを用いた被検査画像を所定の画像と比較する比較部と、
を備えたことを特徴とするマスク検査装置。

【請求項2】

前記補正部は、前記画像データの対象位置にマスク面換算で対応する前記光量分布の位置の値を用いて、当該対象位置の画像データを補正することを特徴とする請求項１記載のマスク検査装置。

【請求項3】

前記補正部は、前記ＴＤＩセンサによって前記マスク基板の対象画素の像を撮像した時間帯に測定された前記光量分布の値を用いて、当該対象画素の画像データを補正することを特徴とする請求項１又は２記載のマスク検査装置。

【請求項4】

前記検査光は、ケーラー照明を用いて照明されることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のマスク検査装置。

【請求項5】

前記補正部は、前記ＴＤＩセンサによって前記マスク基板の対象画素の像を撮像した時間帯に測定された前記光量分布の各値の移動平均値を用いて、当該対象画素の画像データを補正することを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載のマスク検査装置。

【請求項6】

検査光を分岐する工程と、
時間遅延積分（ＴＤＩ）センサを用いて、前記検査光のうち分岐された第１の光をパターンが形成されたマスク基板に照射して得られる前記マスク基板の像を撮像し、画像データを出力する工程と、
ラインセンサを用いて、前記検査光のうち分岐された第２の光を受光して、前記ＴＤＩセンサの蓄積方向と直交する方向の光量分布の時間的変化を測定する工程と、
時間的変化する前記光量分布の値を用いて、前記ＴＤＩセンサから出力される画像データを前記光量分布の位置に応じて補正する工程と、
補正された画像データを用いた被検査画像を所定の画像と比較し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とするマスク検査方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、マスク検査装置及びマスク検査方法に関する。例えば、マスク基板のパターンの欠陥を検査する検査装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する）を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。

【0003】

そして、多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターンの形状欠陥、及び／或いは寸法欠陥等のパターン欠陥があげられる。近年、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。そのため、ＬＳＩ製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査するパターン検査装置の高精度化が必要とされている。

【0004】

検査手法としては、例えば、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを撮像した光学画像データ同士を比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄｉｅ（ダイ－ダイ）検査」や、パターン設計されたＣＡＤデータをマスクにパターンを描画する時に描画装置が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データ（設計データ）を検査装置に入力して、これをベースに参照画像を生成して、それとパターンを撮像した測定データとなる光学画像とを比較する「ｄｉｅ ｔｏ ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ－データベース）検査」がある。

【0005】

ここで、マスク上のパターンを撮像するための検査光となるレーザ光は光量が時間的に変化する。従来、時間的な光量の変化は、照明系で検査光の一部を分岐して、レンズで集光し、全光束をまとめてセンサで光束全体の光量を測定していた。そして、測定された光束全体の光量の変化を用いて画像の画素値を補正するといった手法が検討されていた（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、光量は、照野全体で一意ではなく分布が生じる。かかる照明の分布ムラの変化が、撮像された画像の誤差要因になってしまう。この測定手法では、マスク共役位置での照野の分布ムラの変化を監視することが困難であった。そのため、全光束による光量を測定しても、光量分布の位置に応じた変化はわからないといった問題があった。光量補正の手法として、撮像センサの一部の領域で光量を測定するといった手法も検討されるものの、照明光の分布ムラの変化に追従することが困難であり、別の手法が求められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２００６－２５０９４４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

そこで、本発明の実施形態は、照明光の分布ムラの変化を測定可能な検査装置及び方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一態様のマスク検査装置は、
検査光を分岐するビームスプリッタと、
検査光のうち分岐された第１の光をパターンが形成されたマスク基板に照射して得られるマスク基板の像を撮像し、画像データを出力する時間遅延積分（ＴＤＩ）センサと、
検査光のうち分岐された第２の光を受光して、ＴＤＩセンサの蓄積方向と直交する方向の光量分布の時間的変化を測定するラインセンサと、
時間的変化する光量分布の値を用いて、ＴＤＩセンサから出力される画像データを光量分布の位置に応じて補正する補正部と、
補正された画像データを用いた被検査画像を所定の画像と比較する比較部と、
を備えたことを特徴とする。

【0009】

また、補正部は、画像データの対象位置にマスク面換算で対応する光量分布の位置の値を用いて、当該対象位置の画像データを補正すると好適である。

【0010】

また、補正部は、ＴＤＩセンサによってマスク基板の対象画素の像を撮像した時間帯に測定された光量分布の値を用いて、当該対象画素の画像データを補正すると好適である。

【0011】

また、検査光は、ケーラー照明を用いて照明されると好適である。

【0012】

また、補正部は、ＴＤＩセンサによってマスク基板の対象画素の像を撮像した時間帯に測定された光量分布の各値の移動平均値を用いて、当該対象画素の画像データを補正すると好適である。

【0013】

本発明の一態様のマスク検査方法は、
検査光を分岐する工程と、
時間遅延積分（ＴＤＩ）センサを用いて、検査光のうち分岐された第１の光をパターンが形成されたマスク基板に照射して得られるマスク基板の像を撮像し、画像データを出力する工程と、
ラインセンサを用いて、検査光のうち分岐された第２の光を受光して、ＴＤＩセンサの蓄積方向と直交する方向の光量分布の時間的変化を測定する工程と、
時間的変化する光量分布の値を用いて、ＴＤＩセンサから出力される画像データを光量分布の位置に応じて補正する工程と、
補正された画像データを用いた被検査画像を所定の画像と比較し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。

【発明の効果】

【0014】

本発明の実施形態によれば、照明光の分布ムラの変化を測定できる。よって、分布ムラの位置に応じた変化を補正ができる。その結果、装置の再現性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】実施の形態１におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。

【図2】実施の形態１における検査領域を説明するための概念図である。

【図3】実施の形態１における光量分布の時間的変化を説明するための図である。

【図4】実施の形態１における照明の分布ムラを測定する手法を説明するための図である。

【図5】実施の形態１の比較例における光量測定を説明するための図である。

【図6】実施の形態１における光量測定を説明するための図である。

【図7】実施の形態１における検査方法の要部工程を示すフローチャート図である。

【図8】実施の形態１における補正の仕方を説明するための図である。

【図9】実施の形態１における各位置での倍率と像サイズとの関係を説明するための図である。

【図10】実施の形態１における光量分布の各位置とＴＤＩセンサの像の位置との関係を説明するための図である。

【図11】実施の形態１におけるフィルタ処理を説明するための図である。

【図12】実施の形態１における比較回路の内部構成の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

実施の形態１．
図１は、実施の形態１におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。図１において、基板１０１（検査対象基板の一例）に形成されたパターン欠陥を検査する検査装置１００は、光学画像取得機構１５０、及び制御系回路１６０（制御部）を備えている。

【0017】

光学画像取得機構１５０は、レーザ光を発生する光源１０３、ケーラー照明光学系３００、リレーレンズ３１、ビームスプリッタ３２、透過照明光学系１７０、反射照明光学系２７０、ＸＹθテーブル１０２、対物レンズ１０４、ビームスプリッタ１７６、ミラー１７７、結像光学系１７８、結像光学系２７８、撮像センサ１０５、センサ回路１０６、補正回路１１７、ストライプパターンメモリ１２３、撮像センサ２０５、センサ回路２０６、補正回路２１７、ストライプパターンメモリ２２３、ビームスプリッタ１９０、シリンダレンズ１９２、ラインセンサ１９４、メモリ１９６、ビームスプリッタ２９０、シリンダレンズ２９２、ラインセンサ２９４、及びメモリ２９６を有する。

【0018】

透過照明光学系１７０は、１つ若しくは複数のレンズ、及び/或いは１つ若しくは複数のミラーによって構成される。図１の例では、透過照明光学系１７０は、ミラー１３４、ミラー１３８、及びレンズ１７１を有する。

【0019】

反射照明光学系２７０は、１つ若しくは複数のレンズ、及び/或いは１つ若しくは複数のミラーによって構成される。図１の例では、反射照明光学系２７０は、レンズ２７１を有する。

【0020】

ＸＹθテーブル１０２上には、図示しないオートローダから搬送された基板１０１が配置されている。基板１０１として、例えば、ウェハ等の半導体基板にパターンを転写する露光用のフォトマスクが含まれる。また、このフォトマスクには、検査対象となる複数の図形パターンが形成されている。基板１０１は、例えば、パターン形成面を下側に向けてＸＹθテーブル１０２に配置される。

【0021】

撮像センサ１０５，２０５として、例えば、ＴＤＩ（時間遅延積分）センサを用いると好適である。ＴＤＩセンサは、２次元状に配列される複数のフォトセンサ素子を有する。各フォトセンサ素子は画像を撮像する際に、所定の画像蓄積時間（或いはスキャン時間という場合がある。以下において、同様である。）が設定される。ＴＤＩセンサでは、スキャン方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子の出力が積分されて出力される。スキャン方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子は、ＸＹθテーブル１０２の移動に応じて時間をずらしながら同じ画素を撮像することになる。

【0022】

ビームスプリッタ１９０は、透過照明光学系１７０内に配置される。ラインセンサ１９４は、基板１０１のパターン形成面と共役位置に配置される。ビームスプリッタ２９０は、反射照明光学系２７０内に配置される。ラインセンサ２９４は、基板１０１のパターン形成面と共役位置に配置される。

【0023】

ラインセンサ１９４，２９４は、スキャン方向と直交する方向（例えばＹ方向）に並ぶ複数のフォトセンサ素子を有する。ラインセンサ１９４，２９４のフォトセンサ素子の数は、撮像センサ１０５，２０５のスキャン方向と直交する方向（例えばＹ方向）に並ぶ複数のフォトセンサ素子の数と同じであっても良いし、異なっても構わない。

【0024】

ケーラー照明光学系３００は、例えば、ビームエキスパンダ３０２、回転位相板３０６、分割レンズ３０４、コリメータレンズ３０８、及び照明スリット３１０を有する。

【0025】

制御系回路１６０では、検査装置１００全体を制御する制御計算機１１０が、バス１２０を介して、磁気ディスク装置１０９、メモリ１１１、位置回路１０７、比較回路１０８、参照画像作成回路１１２、及びテーブル制御回路１１４に接続されている。

【0026】

補正回路１１７は、ストライプパターンメモリ１２３に接続され、補正回路２１７は、ストライプパターンメモリ２２３に接続される。ストライプパターンメモリ１２３，２２３は、比較回路１０８に接続されている。補正回路１１７は、センサ回路１０６内にその機能が搭載されても好適である。同様に、補正回路２１７は、センサ回路２０６内にその機能が搭載されても好適である。

【0027】

ラインセンサ１９４の出力は、メモリ１９６に接続され、ラインセンサ２９４の出力は、メモリ２９６に接続される。メモリ１９６は補正回路１１７に接続される。メモリ２９６は補正回路２１７に接続される。

【0028】

また、ＸＹθテーブル１０２は、駆動機構１１５により駆動される。駆動機構１１５は、例えば、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、及びθ軸モータを有し、ＸＹθテーブル１０２は、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、θ軸モータにより駆動される。ＸＹθテーブル１０２は、ステージの一例となる。また、参照画像作成回路１１２は、比較回路１０８に接続される。

【0029】

これらの、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、及びθ軸モータは、例えばリニアモータを用いることができる。ＸＹθテーブル１０２は、ＸＹθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能である。そして、ＸＹθテーブル１０２は、制御計算機１１０の制御の下に基板１０１のパターン形成面と撮像センサ１０５，２０５との焦点位置（光軸方向：Ｚ軸方向）に調整される。ＸＹθテーブル１０２上に配置された基板１０１の移動位置は、図示しないレーザ測長システムにより測定され、位置回路１０７に供給される。

【0030】

なお、位置回路１０７、比較回路１０８、参照画像作成回路１１２、及びテーブル制御回路１１４といった一連の「～回路」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。或いは、異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。例えば、比較回路１０８、参照画像作成回路１１２、及びテーブル制御回路１１４といった一連の「～回路」は、制御計算機１１０によって構成され、実行されても良い。比較回路１０８、参照画像作成回路１１２、及びテーブル制御回路１１４に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度各回路内の図示しないメモリ若しくはメモリ１１１に記憶される。制御計算機１１０に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度制御計算機１１０内の図示しないメモリ若しくはメモリ１１１に記憶される。コンピュータ、或いはプロセッサ等を実行させるプログラムは、磁気ディスク装置１０９等の記録媒体に記録されればよい。

【0031】

検査装置１００では、光源１０３、ケーラー照明光学系３００、リレーレンズ３１、ビームスプリッタ３２、透過照明光学系１７０、対物レンズ１０４、ビームスプリッタ１７６、ミラー１７７、結像光学系１７８、撮像センサ１０５、センサ回路１０６、及び補正回路１１７により高い倍率Ｍ１の透過検査光学系が構成されている。倍率Ｍ１として、例えば、２００～３００倍の倍率の検査光学系が構成されている。

【0032】

同様に、検査装置１００では、光源１０３、ケーラー照明光学系３００、リレーレンズ３１、ビームスプリッタ３２、反射照明光学系２７０、ビームスプリッタ１７６、対物レンズ１０４、結像光学系２７８、撮像センサ２０５、センサ回路２０６、及び補正回路２１７により高い倍率Ｍ１の反射検査光学系が構成されている。倍率Ｍ１として、例えば、２００～３００倍の倍率の検査光学系が構成されている。

【0033】

被検査基板１０１のパターン形成の基となる描画データ（設計データ）が検査装置１００の外部から入力され、磁気ディスク装置１０９に格納される。描画データには、複数の図形パターンが定義され、各図形パターンは、通常、複数の要素図形の組合せにより構成される。なお、１つの図形で構成される図形パターンがあっても構わない。被検査基板１０１上には、かかる描画データに定義された各図形パターンに基づいて、それぞれ対応するパターンが形成されている。

【0034】

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。

【0035】

光源１０３からは、検査照明光として、例えば、１９０～２００ｎｍ程度の波長のレーザ光（例えば、ＤＵＶ光）（紫外光の一例）が発生する。光源１０３から発せられたレーザ光３０１をケーラー照明光学系３００に入射することで、理想的には面を均一に照明可能な検査光を生成する。具体的には、以下のように動作する。光源１０３から発せられたレーザ光３０１をビームエキスパンダ３０２で拡大し、回転位相板３０６を通すことによって空間コヒーレンシーが低減される。回転位相板３０６を通過した光は分割レンズ３０４で面光源を生成する。その後、コリメータレンズ３０８によって面光源のフーリエ面を生成し、このフーリエ面の位置に照明スリット３１０が配置される。

【0036】

照明スリット３１０を通過した検査光は、リレーレンズ３１によってビームスプリッタ３２に投影される。ビームスプリッタ３２は、透過照明用の光と反射照明用の光とに検査光を分岐する。反射検査を行わない場合には、反射照明光学系２７０へと分岐する光を遮蔽すればよい。逆に透過検査を行わない場合には、透過照明光学系１７０へと分岐する光を遮蔽すればよい。図１において、ビームスプリッタ３２で分離された透過検査用の検査光及び像は点線で示している。図１において、ビームスプリッタ３２で分離された反射検査用の検査光及び像は実線で示している。

【0037】

透過検査において、ビームスプリッタ３２で分離された透過検査用の検査光は、ミラー１３４で反射され、ビームスプリッタ１９０に入射する。そして、透過検査用の検査光は、ビームスプリッタ１９０によって、２つ光路に分岐される。例えば、透過検査用の検査光の０．１～１０％（例えば、１％）がシリンダレンズ１９２側へと補正用の光として分離される。検査光の残部が透過照明光となる。検査光のうちビームスプリッタ１９０で分岐された透過照明光（第１の光）は、ミラー１３８で反射され、レンズ１７１によって基板１０１を照明する。基板１０１を透過した透過光は対物レンズ１０４を介して、ビームスプリッタ１７６を通過する。そして、ミラー１７７で反射され、結像光学系１７８により光学像（透過像）として撮像センサ１０５に結像させられ、入射する。このようにして撮像センサ１０５は透過像を撮像する。

【0038】

撮像センサ１０５上に結像されたパターンの像は、撮像センサ１０５の各フォトセンサ素子によって光電変換され、スキャン方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子の積分後の値がセンサ回路１０６に出力される。そして、センサ回路１０６によってＡ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換される。

【0039】

或いは／及び反射検査において、ビームスプリッタ３２で分離された反射検査用の検査光は、ビームスプリッタ２９０に入射する。そして、反射検査用の検査光は、ビームスプリッタ２９０によって、２つ光路に分岐される。例えば、反射検査用の検査光の０．１～１０％（例えば、１％）がシリンダレンズ２９２側へと補正用の光として分離される。検査光の残部が反射照明光となる。検査光のうちビームスプリッタ２９０で分岐された反射照明光（第２の光）は、ビームスプリッタ１７６で反射して、対物レンズ１０４により基板１０１に照射される。言い換えれば、反射照明光学系１７０、ビームスプリッタ１７６、及び対物レンズ１０４で構成される照明光学系は、パターンが形成された被検査基板１０１を照明する。基板１０１から反射した反射光は対物レンズ１０４及びビームスプリッタ１７４を通過して、結像光学系２７８により光学像（反射像）として撮像センサ２０５に結像させられ、入射する。このようにして撮像センサ２０５は反射像を撮像する。

【0040】

撮像センサ２０５上に結像されたパターンの像は、撮像センサ２０５の各フォトセンサ素子によって光電変換され、スキャン方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子の積分後の値がセンサ回路２０６に出力される。そして、センサ回路２０６によってＡ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換される。

【0041】

図２は、実施の形態１における検査領域を説明するための概念図である。基板１０１の検査領域１０（検査領域全体）は、図２に示すように、例えばＹ方向に向かって、ＴＤＩセンサ１０５のスキャン幅Ｗの短冊状の複数の検査ストライプ２０に仮想的に分割される。そして、検査装置１００では、検査ストライプ２０毎に画像（ストライプ領域画像）を取得していく。検査ストライプ２０の各々に対して、レーザ光（検査光）を用いて、当該ストライプ領域の長手方向（Ｘ方向）に向かって当該検査ストライプ２０内に配置される図形パターンの画像を撮像する。なお、画像の取りこぼしを防ぐために、複数の検査ストライプ２０は、隣接する検査ストライプ２０同士間が所定のマージン幅でオーバーラップするように設定されると好適である。

【0042】

ＸＹθテーブル１０２の移動によってＴＤＩセンサ１０５が相対的にＸ方向に連続移動しながら光学画像が取得される。ＴＤＩセンサ１０５では、図２に示されるようなスキャン幅Ｗの光学画像を連続的に撮像する。言い換えれば、ＴＤＩセンサ１０５は、ＴＤＩセンサ１０５の積分方向に相対的に移動しながら複数の図形パターンが形成された基板１０１面上の光学画像を撮像する。実施の形態１では、１つの検査ストライプ２０における光学画像を撮像した後、Ｙ方向に次の検査ストライプ２０の位置まで移動して今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Ｗの光学画像を連続的に撮像する。すなわち、往路と復路で逆方向に向かうフォワード（ＦＷＤ）－バックフォワード（ＢＷＤ）の方向で撮像を繰り返す。

【0043】

また、実際の検査にあたって、各検査ストライプ２０のストライプ領域画像は、図２に示すように、矩形の複数のフレーム領域３０の画像に分割される。そして、フレーム領域３０の画像毎に検査を行っていく。例えば、１０２４×１０２４画素のサイズに分割される。よって、フレーム領域３０のフレーム画像３１と比較される参照画像も同様にフレーム領域３０毎に作成されることになる。

【0044】

ここで、撮像の方向は、フォワード（ＦＷＤ）－バックフォワード（ＢＷＤ）の繰り返しに限るものではない。一方の方向から撮像してもよい。例えば、ＦＷＤ－ＦＷＤの繰り返しでもよい。或いは、ＢＷＤ－ＢＷＤの繰り返しでもよい。

【0045】

図３は、実施の形態１における光量分布の時間的変化を説明するための図である。図３の例では、撮像センサ１０５（２０５）がＹ＝Ｙ０～Ｙ１に位置する検査ストライプ２０を撮像する場合を示している。図３に示すように、スキャン方向に並ぶ領域Ａのスキャン方向と直交する方向（Ｙ方向）には、検査光の光量分布が存在する。スキャンを進めていき、領域Ｂのスキャンを行う際、領域Ｂのスキャン方向と直交する方向（Ｙ方向）の検査光の光量分布は、領域Ａのスキャン方向と直交する方向（Ｙ方向）の検査光の光量分布とは異なってくる。言い換えれば、検査光の光量分布は、時間的変化を生じる。このように、光量は、照野全体で一意ではなく分布が生じる。かかる照明の分布ムラの変化が、撮像された画像の誤差要因になってしまう。全光束による光量を測定する従来の測定手法では、マスク共役位置での照野の分布ムラの変化を監視することが困難であった。そのため、全光束による光量を測定しても、光量分布の位置に応じた変化はわからないといった問題があった。光量補正の手法として、撮像センサの一部の領域で光量を測定するといった手法も検討されるものの、照明光の分布ムラの変化に追従することが困難であり、別の手法が求められている。そこで、実施の形態１では、図１において説明したように、マスク共役位置に配置されるラインセンサ１９４（２９４）によって、照明の分布ムラの変化を測定する。

【0046】

図４は、実施の形態１における照明の分布ムラを測定する手法を説明するための図である。図４の例では、ケーラー照明光学系３００以降の照明光学系の図示を省略している。ケーラー照明光学系３００によって、検査光は、理想的には面内均一な光量に制御されるものの基板１０１面上では、図４に示すように光量分布が生じる。さらに、光源１０３から射出されるレーザ光の、例えば、ビーム径や光軸の変化によって、光量分布が時間的に変化する。そこで、実施の形態１では、撮像センサ１０５のスキャン方向と直交する方向の光量分布をラインセンサ１９４で測定する。

【0047】

図５は、実施の形態１の比較例における光量測定を説明するための図である。図５の比較例では、照明光１１を集光する集光レンズに球面レンズを用いる場合を示している。そのため照明光１１の全光束が１点に集光され、集光された光は、例えば１つのフォトセンサ３００によって測定される。かかる場合、得られたデータから光量分布を取得することは困難となる。

【0048】

図６は、実施の形態１における光量測定を説明するための図である。図６に示すように、実施の形態１では、検査光のうちビームスプリッタ１９０（２９０）で分岐された照明光１１（第２の光：補正用の光）を集光する集光レンズに円柱状或いは半円柱状のシリンダレンズ１９２（２９２）を用いる。シリンダレンズ１９２（２９２）の母線方向（延びる方向）が撮像センサ１０５（２０５）のスキャン方向と直交する方向に対応する方向になるように配置される。そして、ラインセンサ１９４（２９４）の長手方向も同様に、スキャン方向と直交する方向に対応する方向になるように配置される。これにより、分岐された照明光１１は、シリンダレンズ１９２（２９２）によって集光される際、照明光１１の進行方向に直交する面内においてシリンダレンズ１９２（２９２）の延びる方向に広がった光は集光せず、シリンダレンズ１９２（２９２）の延びる方向と直交する方向に広がった光を１点に集光する。シリンダレンズ１９２（２９２）を通過した光は、ラインセンサ１９４（２９４）の長手方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子によって測定される。よって、ラインセンサ１９４（２９４）の短手方向にだけ集光された、ラインセンサ１９４（２９４）の長手方向の光量分布を測定できる。ラインセンサ１９４（２９４）の長手方向は、撮像センサ１０５（２０５）のスキャン方向と直交する方向に対応する方向である。よって、撮像センサ１０５（２０５）のスキャン方向に集光された、撮像センサ１０５（２０５）のスキャン方向と直交する方向の光量分布を測定できる。かかる方向の光量分布をモニタすることにより、光量分布の時間的変化を測定できる。

【0049】

図７は、実施の形態１における検査方法の要部工程を示すフローチャート図である。図７において、実施の形態１における検査方法は、キャリブレーション工程（Ｓ１０２）と、補正用基準値設定工程（Ｓ１０４）と、スキャン工程（Ｓ１１０）と、光量分布測定工程（Ｓ１１２）と、補正工程（Ｓ１２０）と、参照画像作成工程（Ｓ１３０）と、比較工程（Ｓ１４０）と、いう一連の工程を実施する。

【0050】

キャリブレーション工程（Ｓ１０２）として、撮像センサ１０５（２０５）のキャリブレーションを行う。例えば、２５６階調のセンサであれば、白パターンを撮像した際の階調レベルが例えば２００階調程度になるように感度を調整すると良い。その際の照明光の光量分布をラインセンサ１９４（２９４）で測定しておく。測定された光量分布のデータはメモリ１９６（２９６）に格納されると共に補正回路１１７（２０７）に出力される。ここで得られた光量分布が、それぞれの位置での基準値となる。

【0051】

補正用基準値設定工程（Ｓ１０４）として、補正回路１１７（２０７）は、キャリブレーション工程（Ｓ１０２）において校正された際にラインセンサ１９４（２９４）で測定された光量分布のデータを入力し、補正用基準値Ｓ０として設定する。

【0052】

スキャン工程（Ｓ１１０）として、光学画像取得機構１５０は、キャリブレーションが実施された撮像センサ１０５（２０５）を用いて、透過検査光のうち検査照明光用にビームスプリッタ１９０で分岐された光（第１の光）をパターンが形成された基板１０１に照射して得られる基板１０１の像を撮像し、撮像された光学画像データを出力する。そのために、まず、光学画像取得機構１５０は、検査ストライプ２０上をレーザ光（検査光）でスキャンして、検査ストライプ２０毎に、撮像センサ１０５（２０５）によりストライプ領域画像を撮像する。具体的には、以下のように動作する。対象となる検査ストライプ２０が撮像可能な位置にＸＹθテーブル１０２を移動させる。透過検査では、基板１０１の透過光が撮像センサ１０５に光学像として結像させられ、入射する。或いは／及び反射検査では、基板１０１からの反射光が撮像センサ２０５に光学像として結像させられ、入射する。

【0053】

撮像センサ１０５上に結像されたパターンの像は、撮像センサ１０５の各フォトセンサ素子によって光電変換され、更にセンサ回路１０６によってＡ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換される。その際、センサ回路１０６によってスキャン方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子の積分後の出力が階調値に変換されて補正回路１１７に出力される。

【0054】

或いは／及び撮像センサ２０５上に結像されたパターンの像は、撮像センサ２０５の各フォトセンサ素子によって光電変換され、更にセンサ回路２０６によってＡ／Ｄ（アナログ・デジタル）変換される。その際、センサ回路２０６によってスキャン方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子の積分後の出力が階調値に変換されて補正回路２１７に出力される。

【0055】

光量分布測定工程（Ｓ１１２）として、撮像センサ１０５での撮像と並行して、ラインセンサ１９４は、透過検査光のうち測定用にビームスプリッタ１９０で分岐された光（第２の光）を受光して、撮像センサ１０５の蓄積方向と直交する方向の光量分布の時間的変化を測定する。言い換えれば、ラインセンサ１９４は、撮像センサ１０５での撮像に利用した照明光を同時期に測定する。測定された光量分布のデータは、メモリ１９６に格納され、蓄積される。

【0056】

或いは／及び撮像センサ２０５での撮像と並行して、ラインセンサ２９４は、反射検査光のうち測定用にビームスプリッタ２９０で分岐された光（第２の光）を受光して、撮像センサ２０５の蓄積方向と直交する方向の光量分布の時間的変化を測定する。言い換えれば、ラインセンサ２９４は、撮像センサ２０５での撮像に利用した照明光を同時期に測定する。測定された光量分布のデータは、メモリ２９６に格納され、蓄積される。

【0057】

補正工程（Ｓ１２０）として、補正回路１１７（２０７）（補正部）は、時間的変化する光量分布の値を用いて、撮像センサ１０５（２０５）から出力される画像データを光量分布の位置に応じて補正する。

【0058】

図８は、実施の形態１における補正の仕方を説明するための図である。撮像センサ１０５（２０５）に配置されるスキャン方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子は、ＸＹθテーブル１０２の移動に応じて時間をずらしながら同じ画素を撮像することになる。図８に示すように、撮像センサ１０５（２０５）は、スキャン方向に並ぶ複数のフォトセンサ素子によって時間をずらして撮像された同じ画素のデータが積分されて出力される。例えば、スキャン方向にＮ個のフォトセンサ素子が配置される。各フォトセンサ素子にはそれぞれ１画素あたりの画像蓄積時間（受光時間、露光時間）がＸＹθテーブル１０２の移動速度によって設定される。よって、蓄積されるフォトセンサ素子の数×画像蓄積時間で計算される時間ｔ、各画素は、画像取得のために照明光を受け続けている。また、各フォトセンサ素子は、画像蓄積時間毎に撮像する基板１０１上の画素の領域をスキャン方向にずらしていく。

【0059】

一方、ラインセンサ１９４（２９４）は、各画素の撮像に使用されるスキャン方向のフォトセンサ素子の数×画像蓄積時間で得られる時間ｔの間に、複数回の測定が実施される。例えば１０２４回の測定が行われる。そして、測定毎の光量分布のデータはメモリ１９６（２９６）に格納される。

【0060】

補正回路１１７（２０７）は、撮像センサ１０５（２０５）によって基板１０１の対象画素の像を撮像した時間帯に測定された光量分布の値を用いて、当該対象画素の画像データを補正する。具体的には以下のように動作する。補正回路１１７（２０７）は、撮像センサ１０５（２０５）によって基板１０１の対象画素の像を撮像した時間帯に測定された複数の光量分布のデータをメモリ１９６（２９６）から読み出す。そして、補正回路１１７（２０７）は、光量分布の位置毎に、読み出された複数の光量分布における該当位置での値ｋを合計し、測定回数ｎで割った移動平均値Ｓを算出する。

【0061】

次に、補正回路１１７（２０７）は、対象画素の像を撮像した時間帯に複数回にわたって測定された光量分布の各値の移動平均値を用いて、当該対象画素の画像データを補正する。具体的には、補正回路１１７（２０７）は、センサ回路１０６（２０６）によって算出された対象画素の階調値ｄに基準値Ｓ０を移動平均値Ｓで割った比を乗じることで補正する。言い換えれば、キャリブレーション時の照明光の光量に対する実際の撮像時の光量の比を乗じることにより補正する。

【0062】

対象画素がスキャン方向にずれた場合には、対象画素の像を撮像した時間帯も一部重なりながらもずれる。時間帯がずれた分、メモリ１９６（２９６）から読み出す複数の光量分布のデータについても異なるものになる。よって、スキャン方向に並ぶ各画素を補正するための基になる複数の光量分布のデータの組も撮像時間帯に応じてそれぞれ異なってくる。よって、移動平均値Ｓも違う値になるので光量分布の時間的変化に応じた補正ができる。

【0063】

その際、補正回路１１７（２０７）は、画像データの対象位置にマスク面換算で対応する光量分布の位置の値を用いて、当該対象位置の画像データを補正する。

【0064】

図９は、実施の形態１における各位置での倍率と像サイズとの関係を説明するための図である。光学系では、結像する際の倍率が異なる場合がある。例えば、図９に示すように、マスク基板面（倍率１）の撮像領域サイズをＬ１とした場合、撮像センサ１０５（２０５）上では、倍率がＭ１となる。この場合、撮像センサ１０５（２０５）で撮像されるマスク基板面の撮像領域の像のサイズは、Ｌ１に倍率Ｍ１を乗じたサイズとなる。一方、ラインセンサ１９４（２９４）上では、倍率がＭ２となる。この場合、ラインセンサ１９４（２９４）上で測定されるマスク基板面の撮像領域の像のサイズは、Ｌ１に倍率Ｍ２を乗じたサイズとなる。このように、マスク基板上でＬ１だった像が撮像センサ１０５（２０５）上とラインセンサ１９４（２９４）上ではそのサイズが異なる。よって、ラインセンサ１９４（２９４）によって測定される光量分布の各位置が、そのまま撮像センサ１０５（２０５）で撮像される像のスキャン方向と直交する方向の位置になるわけではない。倍率の違いによって対応位置が異なることになる。そのため、ラインセンサ１９４（２９４）上の位置と撮像センサ１０５（２０５）上の位置との関係性に基準が必要となる。ここでは、マスク面換算でラインセンサ１９４（２９４）上の位置と撮像センサ１０５（２０５）上の位置とを対応付ける。

【0065】

図１０は、実施の形態１における光量分布の各位置とＴＤＩセンサの像の位置との関係を説明するための図である。図１０の例では、マスク基板上のＹ＝Ｙ０の位置からＹ１の位置までの領域の像を撮像する場合を示している。図１０の例では、ラインセンサ１９４（２９４）では、ｎ３個のフォトセンサ素子が配置される。一方、撮像センサ１０５（２０５）では、スキャン方向と直交するＹ方向にｍ個のフォトセンサ素子が配置される。例えば、ｍは、ｎ３よりも数倍大きい。しかし、マスク面換算で見ると、マスク基板上のＹ＝Ｙ０の位置が、ラインセンサ１９４（２９４）では、ｎ１画素目のフォトセンサに対応する。この場合に撮像センサ１０５（２０５）では１画素目のフォトセンサに対応する。マスク基板上のＹ＝Ｙ１の位置が、ラインセンサ１９４（２９４）では、ｎ２画素目のフォトセンサに対応する。この場合に撮像センサ１０５（２０５）ではｍ画素目のフォトセンサに対応する。このように、マスク面換算で、マスク基板上の各位置が、ラインセンサ１９４（２９４）上と撮像センサ１０５（２０５）上とでそれぞれどの位置に割り当てられるのか予め設定しておけばよい。言い換えれば、マスク面換算でラインセンサ１９４（２９４）上の位置と撮像センサ１０５（２０５）上の位置とが関連付けされる。光量分布のデータに撮像センサ１０５（２０５）上の対象位置に該当するデータが無い場合には、例えば前後の位置のデータを使って線形補間した値を用いればよい。ラインセンサ１９４（２９４）の長手方向サイズは、マスク面換算で撮像センサ１０５（２０５）の長手方向サイズ以上あれば良い。

【0066】

以上のようにスキャン方向と直交する方向の光量分布を用いることで、スキャン方向と直交する方向の光量の違いに応じた補正ができる。さらに、スキャン方向の光量の時間的変化は移動平均値を用いることで平均化できる。

【0067】

補正回路１１７（２０７）で補正された各画素の階調値（画像データ）は、ストライプパターンメモリ１２３（２２３）に出力される。

【0068】

そして、ストライプパターンメモリ１２３（２２３）に、測定対象の検査ストライプ２０の画素値のデータが格納される。測定データ（画素データ）は例えば８ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調（光量）を表現している。検査ストライプ２０の画素値のデータは比較回路１０８に出力される。

【0069】

参照画像作成工程（Ｓ１３０）として、参照画像作成回路１１２は、図形パターンデータ（設計データ）を用いて、リファレンスとなる参照画像を作成する。参照画像の作成は、検査ストライプ２０毎に、当該検査ストライプ２０のスキャン動作と並行して実施される。具体的には、以下のように動作する。参照画像作成回路１１２は、対象となる検査ストライプ２０の各フレーム領域３０について、図形パターンデータ（設計データ）を入力し、図形パターンデータに定義された各図形パターンを２値ないしは多値のイメージデータに変換する。

【0070】

図形パターンデータに定義される図形は、例えば長方形や三角形を基本図形としたもので、例えば、図形の基準位置における座標（ｘ、ｙ）、辺の長さ、長方形や三角形等の図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報で各パターン図形の形、大きさ、位置等を定義した図形データが格納されている。

【0071】

かかる図形データとなる設計パターンデータが参照画像作成回路１１２に入力されると図形ごとのデータにまで展開し、その図形データの図形形状を示す図形コード、図形寸法などを解釈する。そして、所定の量子化寸法のグリッドを単位とするマス目内に配置されるパターンとして２値ないしは多値の設計パターン画像データに展開し、出力する。言い換えれば、設計データを読み込み、フレーム領域を所定の寸法を単位とするマス目として仮想分割してできたマス目毎に設計パターンにおける図形が占める占有率を演算し、ｎビットの占有率データ（設計画像データ）を出力する。例えば、１つのマス目を１画素として設定すると好適である。そして、１画素に１／２^８（＝１／２５６）の分解能を持たせるとすると、画素内に配置されている図形の領域分だけ１／２５６の小領域を割り付けて画素内の占有率を演算する。そして、８ビットの占有率データとして作成する。かかるマス目（検査画素）は、測定データの画素に合わせればよい。

【0072】

次に、参照画像作成回路１１２は、図形のイメージデータである設計パターンの設計画像データに、フィルタ関数を使ってフィルタ処理を施す。

【0073】

図１１は、実施の形態１におけるフィルタ処理を説明するための図である。基板１０１から撮像される光学画像の画素データは、撮像に使用される光学系の解像特性等によってフィルタが作用した状態、言い換えれば連続変化するアナログ状態にあるため、例えば、図１１に示すように、画像強度（濃淡値）がデジタル値の展開画像（設計画像）とは異なっている。一方、図形パターンデータでは、上述したように、図形コード等により定義されるので、展開された設計画像では、画像強度（濃淡値）がデジタル値になる場合があり得る。そのため、参照画像作成回路１１２は、展開画像に画像加工（フィルタ処理）を施して光学画像に近づけた参照画像を作成する。これにより、画像強度（濃淡値）がデジタル値の設計側のイメージデータである設計画像データを測定データ（光学画像）の像生成特性に合わせることができる。作成された参照画像は比較回路１０８に出力される。

【0074】

図１２は、実施の形態１における比較回路の内部構成の一例を示す図である。図１２において、比較回路１０８内には、磁気ディスク装置等の記憶装置７０，７２，７６、フレーム画像作成部７４、位置合わせ部７８、及び比較処理部７９が配置されている。フレーム画像作成部７４、位置合わせ部７８、及び比較処理部７９といった一連の「～部」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「～部」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いてもよい。或いは、異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。フレーム画像作成部７４、位置合わせ部７８、及び比較処理部７９に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度比較回路１０８内の図示しないメモリ若しくはメモリ１１１に記憶される。

【0075】

比較回路１０８に入力されたストライプデータ（ストライプ領域画像）は、記憶装置７０に格納される。比較回路１０８に入力された参照画像データは、記憶装置７２に格納される。

【0076】

比較工程（Ｓ１４０）として、比較回路１０８（比較部の一例）は、補正された画像データを用いた被検査画像を所定の画像と比較する。具体的には、以下のように動作する。

【0077】

比較回路１０８では、まず、フレーム画像作成部７４は、所定の幅でストライプ領域画像（光学画像）が分割された複数のフレーム画像３１を生成する。具体的には、図２に示すように、ストライプ領域画像は、矩形の複数のフレーム領域３０のフレーム画像に分割される。例えば、５１２×５１２画素のサイズに分割される。各フレーム領域３０のデータは、記憶装置７６に格納される。

【0078】

次に、位置合わせ部７８は、フレーム領域３０毎に、対応するフレーム画像３１と、対応する参照画像とを記憶装置７２，７６から読み出し、所定のアルゴリズムでフレーム画像３１と、対応する参照画像との位置合わせを行う。例えば、最小２乗法を用いて位置合わせを行う。

【0079】

そして、比較処理部７９（比較部の他の一例）は、フレーム画像３１と、当該フレーム画像３１に対応する参照画像とを比較する。例えば画素毎に比較する。ここでは、所定の判定条件に従って画素毎に両者を比較し、例えば形状欠陥といった欠陥の有無を判定する。判定条件としては、例えば、所定のアルゴリズムに従って画素毎に両者を比較し、欠陥の有無を判定する。例えば、画素毎に両画像の画素値の差分値を演算し、差分値が閾値Ｔｈより大きい場合を欠陥と判定する。そして、比較結果は、例えば、磁気ディスク装置１０９、或いは図示しないパターンモニタに出力される、或いは図示しないプリンタから出力されればよい。

【0080】

上述した例では、ダイ－データベース検査の場合を説明したが、ダイ－ダイ検査であっても構わない。かかる場合、比較回路１０８は、複数のフレーム領域３０のうち、ダイ－ダイ検査を行うフレーム領域同士については、フレーム領域同士の一方の領域について取得されたダイ２のフレーム画像（光学画像）をリファレンス（参照画像）として用いる。まず、位置合わせ部７８は、ダイ－ダイ検査を行うフレーム領域３０毎に、対応するダイ１のフレーム画像３１と、ダイ２のフレーム画像とを記憶装置７６から読み出し、所定のアルゴリズムでダイ１のフレーム画像３１とダイ２のフレーム画像との位置合わせを行う。例えば、最小２乗法を用いて位置合わせを行う。そして、比較処理部７９（比較部）は、ダイ－ダイ検査を行うフレーム領域３０毎に、対応するダイ１のフレーム画像３１と、ダイ２のフレーム画像とを画素毎に比較する。

【0081】

以上のように、実施の形態１によれば、照明光の分布ムラの変化を測定できる。よって、分布ムラの位置に応じた変化を補正ができる。その結果、装置の再現性を高めることができる。また、ケーラー照明では、理想的には面内均一になる。よって、分布ムラが生じる場合でもそのムラの差は小さい。実施の形態１では、例えば、ケーラー照明光学系３００によるケーラー照明光を作成している。実施の形態１では、このケーラー照明による微細な分布ムラについても分布ムラの位置に応じた変化を補正ができる。

【0082】

以上の説明において、「～回路」と記載したものは、処理回路を有する。かかる処理回路は、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置を含む。各「～回路」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いても良いし、或いは異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。また、プログラムを用いる場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。

【0083】

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

【0084】

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、検査装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

【0085】

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのパターン検査装置、及びパターン検査方法は、本発明の範囲に包含される。

【符号の説明】

【0086】

１０ 検査領域
１１ 照明光
２０ 検査ストライプ
３０ フレーム領域
３１ 投影レンズ
３２ ビームスプリッタ
７０，７２，７６ 記憶装置
７４ フレーム画像作成部
７８ 位置合わせ部
７９ 比較処理部
１００ 検査装置
１０１ マスク基板
１０２ ＸＹθテーブル
１０３ 光源
１０４ 拡大光学系
１０５，２０５ 撮像センサ
１０６，２０６ センサ回路
１０７ 位置回路
１０８ 比較回路
１０９ 磁気ディスク装置
１１０ 制御計算機
１１１ メモリ
１１２ 参照画像作成回路
１１４ テーブル制御回路
１１５ 駆動機構
１１７，２１７ 補正回路
１２０ バス
１２３，２２３ ストライプパターンメモリ
１３４ ミラー
１３８ ミラー
１５０ 光学画像取得機構
１６０ 制御系回路
１７６ ビームスプリッタ
１７１，２７１ レンズ
１７０ 透過照明光学系
１７７ ミラー
１７８，２７８ 結像光学系
１９０，２９０ ビームスプリッタ
１９２ シリンダレンズ
１９４，２９４ ラインセンサ
１９６，２９６ メモリ
２７０ 反射照明光学系
３００ ケーラー照明光学系
３０２ ビームエキスパンダ
３０４ 分割レンズ
３０６ 回転位相板
３０８ コリメータレンズ
３１０ 照明スリット

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】