特許 7704027 光モジュール、及び光モジュールの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-06-30

(45)【発行日】2025-07-08

(54)【発明の名称】光モジュール、及び光モジュールの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/01 20060101AFI20250701BHJP

【ＦＩ】

G02F1/01 F

【請求項の数】 8

(21)【出願番号】P 2021208394

(22)【出願日】2021-12-22

(65)【公開番号】P2023093017

(43)【公開日】2023-07-04

【審査請求日】2024-10-21

(73)【特許権者】

【識別番号】000002130

【氏名又は名称】住友電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100136722

【弁理士】

【氏名又は名称】▲高▼木 邦夫

(74)【代理人】

【識別番号】100174399

【弁理士】

【氏名又は名称】寺澤 正太郎

(74)【代理人】

【識別番号】100182006

【弁理士】

【氏名又は名称】湯本 譲司

(72)【発明者】

【氏名】田中 啓二

(72)【発明者】

【氏名】上村 浩

(72)【発明者】

【氏名】三澤 太一

【審査官】大西 孝宣

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１９４３０８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０４１１４０７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０２５９６７６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２１／００１１２３３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０２７９９６０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－１８９６９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２５３４５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－１１８２１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０２１－５０９４８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２１／１７１５９９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】UEMURA, Hiroshi et al.，“A surface-mount photonic package with a photonic-wire-bonded glass interposer as a hybrid integration platform for co-packaged optics”，2024 IEEE 74th Electronic Components and Technology Conference (ECTC)，2024年05月28日，p. 90-95，DOI: 10.1109/ECTC51529.2024.00024

【文献】KIM, Do-Won et al.，“2.5D Silicon optical interposer for 400 Gbps electronic-photonic integrated circuit platform packaging”，2017 IEEE 19th Electronics Packaging Technology Conference (EPTC)，2017年12月，p. 1-4，DOI: 10.1109/EPTC.2017.8277464

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／００ － １／１２５

Ｇ０２Ｆ １／２１ － ７／００

Ｇ０２Ｂ ６／２６ － ６／２７

Ｇ０２Ｂ ６／３０ － ６／３４

Ｇ０２Ｂ ６／４２ － ６／４３

Ｈ０４Ｂ １０／００ － １０／９０

Ｈ０４Ｊ １４／００ － １４／０８

ＩＥＥＥ Ｘｐｌｏｒｅ

ＪＳＴＰｌｕｓ／ＪＭＥＤＰｌｕｓ／ＪＳＴ７５８０（ＪＤｒｅａｍＩＩＩ）

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面に形成されたバンプと、前記第１面と反対の第２面に形成された配線と、前記第１面と前記第２面との間を貫通するスルービアと、を有するリッドと、
前記第２面にフリップチップ実装された第１ＩＣと、
前記第２面にフリップチップ実装された光変調器と、
前記第１ＩＣに第１熱伝導性接着剤によって接続された第１放熱ブロックと、
前記光変調器に接続された温度調整素子と、
開口部を有し、前記第１ＩＣと、前記光変調器と、前記第１放熱ブロックと、前記温度調整素子と、を前記開口部の中に収容するパッケージと、
を備え、
前記第１ＩＣは、前記配線を介して前記光変調器に電気的に接続されると共に、前記スルービアを介して前記バンプに電気的に接続され、
前記第１放熱ブロック及び前記温度調整素子は、第２熱伝導性接着剤によって前記パッケージの内部の第３面に接続され、
前記パッケージは、前記リッドによって前記開口部を塞ぐことにより気密封止されている、
光モジュール。

【請求項2】

前記リッドは、母材にガラスを含む、
請求項１に記載の光モジュール。

【請求項3】

前記第２熱伝導性接着剤は、前記第１熱伝導性接着剤の厚さよりも大きい厚さを有する、
請求項１又は請求項２に記載の光モジュール。

【請求項4】

前記パッケージは放熱部材を有し、前記放熱部材が前記第３面を有する、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の光モジュール。

【請求項5】

前記パッケージの前記第３面は、前記リッドの前記第２面に対向して配置されている、
請求項４に記載の光モジュール。

【請求項6】

前記放熱部材は、前記第３面に前記第２熱伝導性接着剤を収容するための囲いを有する、
請求項４又は請求項５に記載の光モジュール。

【請求項7】

前記第２面にフリップチップ実装された第２ＩＣを更に備え、
前記第２ＩＣは、前記第１ＩＣと前記スルービアとの間に電気的に接続され、
前記第２ＩＣは、第２放熱ブロックに接続され、
前記第２放熱ブロックは、前記第２熱伝導性接着剤によって前記第３面に接続されている、
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の光モジュール。

【請求項8】

第１面に形成されたバンプと、前記第１面と反対の第２面に形成された配線と、前記第１面と前記第２面との間を貫通するスルービアと、を有するリッドを用意する工程と、
第１熱伝導性接着剤によって第１放熱ブロックに第１ＩＣを接続する工程と、
温度調整素子に光変調器を接続する工程と、
前記リッドの前記第２面上に前記第１ＩＣ及び前記光変調器をフリップチップ実装して、前記第１ＩＣを、前記配線を介して前記光変調器に電気的に接続すると共に、前記第１ＩＣを前記スルービアを介して前記バンプに電気的に接続する工程と、
パッケージの内部の第３面に第２熱伝導性接着剤を塗布する工程と、
前記パッケージの開口部の中に前記第１放熱ブロック、前記第１ＩＣ、前記温度調整素子及び前記光変調器を保持して、前記第１放熱ブロック及び前記温度調整素子を前記第２熱伝導性接着剤によって前記パッケージの前記第３面に接続する工程と、
前記リッドによって前記パッケージの前記開口部を塞ぎ、前記パッケージを気密封止する工程と、
を備える光モジュールの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、光モジュール、及び光モジュールの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、光集積回路と、電子集積回路と、光集積回路及び電子集積回路が埋め込まれたモールド基板とを備えた光モジュールが記載されている。モールド基板は、第一表面に配置される第一リディストリビューション層と、第二表面に設けられる第二リディストリビューション層とを有する。第一リディストリビューション層は、光集積回路に光ファイバと接続するための開口部を有する。第二リディストリビューション層は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）を有する。第一リディストリビューション層と第二リディストリビューション層とは、電気配線を介して互いに接続されている。

【0003】

特許文献２には、回路基板と、電子ＩＣと、光ＩＣと、キャリアと、ＢＧＡとを備えた集積パッケージ構成が記載されている。電子ＩＣは、光ＩＣ及び回路基板に接続される。キャリアは、リディストリビューション層を有する。キャリア、電子ＩＣ及び光ＩＣは、ＰＯＰ（Package On Package）によって集積化される。キャリアは、モールド材によって構成されている。キャリアは、電子ＩＣと光ＩＣを包む。電子ＩＣは、リディストリビューション層に物理的に接続される。電子ＩＣは、リディストリビューション層、スルーモールドビア（ＴＭＶ：Through Mold Via）及びＢＧＡを介して回路基板に接続される。

【0004】

特許文献３には、光チップと、モールド基板とを備えた光電子モジュールが記載されている。光チップはモールド基板に埋め込まれており、光チップの表面は露出している。モールド基板は、ＴＭＶを有する。モールド基板の上にはＩＣチップがフリップチップ実装される。ＩＣチップは、光チップ及びＴＭＶと電気的に接続される。モールド基板には光導波路を有する光コネクタがフリップチップ実装され、この光コネクタが光チップと光学的に結合する。

【0005】

特許文献４には、基板、リッド、シールリング及びＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）を備えたチップスケール表面実装パッケージが記載されている。ＭＭＩＣは、リッドのキャビティの内部において基板に実装される。リッドは、電磁シールドとスルービアとを有する。基板は、スルーサブストレートビア及びハンダボールを有する。シールリングは、リッドを基板に取り付ける。電磁シールドは、スルービアを介してＭＭＩＣに接続される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】国際公開第２０２０／１７３５６１号

【文献】米国特許第１００２５０４７号

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１８０８０８号明細書

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０２５９６７６号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ところで、光モジュールでは、高周波信号の伝送線路が長いことがあり、特に高周波信号では伝送線路配線の導体損や配線に用いる絶縁体の誘電体損失が大きくなるという問題が生じうる。例えば、高周波信号が５０ＧＨｚ以上の周波数成分を含むようになると、伝送線路等での損失によって高周波信号の帯域が低下して光信号の伝送特性が劣化する。また、パッケージ、ドライバＩＣ及び光変調器を備えた光モジュールにおいて、ドライバＩＣとパッケージとの間、及びドライバＩＣと光変調器との間、のそれぞれがボンディングワイヤを介して互いに接続されることがある。この場合、ワイヤボンディングは寄生インダクタンスが大きいので高周波信号の周波数特性が良好でなくなる懸念がある。

【0008】

本開示は、高周波信号の周波数特性を良好にすることができる光モジュール、及び光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示に係る光モジュールは、第１面に形成されたバンプと、第１面と反対の第２面に形成された配線と、第１面と第２面との間を貫通するスルービアと、を有し、気密性を有するリッドと、第２面にフリップチップ実装された第１ＩＣと、第２面にフリップチップ実装された光変調器と、第１ＩＣに第１熱伝導性接着剤によって接続された第１放熱ブロックと、光変調器に接続された温度調整素子と、開口部を有し、第１ＩＣと、光変調器と、第１放熱ブロックと、温度調整素子と、を開口部の中に収容するパッケージと、を備える。第１ＩＣは、配線を介して光変調器に電気的に接続されると共に、スルービアを介してバンプに電気的に接続される。第１放熱ブロック及び温度調整素子は、第２熱伝導性接着剤によってパッケージの内部の第３面に接続される。パッケージは、リッドによって開口部を塞ぐことにより気密封止されている。

【0010】

本開示に係る光モジュールの製造方法は、第１面に形成されたバンプと、第１面と反対の第２面に形成された配線と、第１面と第２面との間を貫通するスルービアと、を有し、気密性を有するリッドを用意する工程と、第１熱伝導性接着剤によって第１放熱ブロックに第１ＩＣを接続する工程と、温度調整素子に光変調器を接続する工程と、リッドの第２面上に第１ＩＣ及び光変調器をフリップチップ実装して、第１ＩＣを、配線を介して光変調器に電気的に接続すると共に、第１ＩＣをスルービアを介してバンプに電気的に接続する工程と、パッケージの内部の第３面に第２熱伝導性接着剤を塗布する工程と、パッケージの開口部の中に第１放熱ブロック、第１ＩＣ、温度調整素子及び光変調器を保持して、第１放熱ブロック及び温度調整素子を第２熱伝導性接着剤によってパッケージの第３面に接続する工程と、リッドによってパッケージの開口部を塞ぎ、パッケージを気密封止する工程と、を備える。

【発明の効果】

【0011】

本開示によれば、高周波信号の周波数特性を良好にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、実施形態に係る光モジュールの内部構造を示す平面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る光モジュールの縦断面図である。

【図3】図３は、実施形態に係る光モジュールの製造方法の一工程を示す図である。

【図4】図４は、実施形態に係る光モジュールの製造方法の一工程を示す図である。

【図5】図５は、実施形態に係る光モジュールの製造方法の一工程を示す図である。

【図6】図６は、実施形態に係る光モジュールの製造方法の一工程を示す図である。

【図7】図７は、実施形態に係る光モジュールの製造方法の一工程を示す図である。

【図8】図８は、実施形態に係る光モジュールの製造方法の一工程を示す図である。

【図9】図９は、変形例に係る光モジュールの縦断面図である。

【図10】図１０は、参考例に係る光モジュールの内部構造を示す平面図である。

【図11】図１１は、参考例に係る光モジュールの縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示に係る光モジュール、及び光モジュールの製造方法の実施形態の内容を列記して説明する。一実施形態に係る光モジュールは、第１面に形成されたバンプと、第１面と反対の第２面に形成された配線と、第１面と第２面との間を貫通するスルービアと、を有し、気密性を有するリッドと、第２面にフリップチップ実装された第１ＩＣと、第２面にフリップチップ実装された光変調器と、第１ＩＣに第１熱伝導性接着剤によって接続された第１放熱ブロックと、光変調器に金スズ半田等で接続された温度調整素子と、開口部を有し、第１ＩＣと、光変調器と、第１放熱ブロックと、温度調整素子と、を開口部の中に収容するパッケージと、を備える。第１ＩＣは、配線を介して光変調器に電気的に接続されると共に、スルービアを介してバンプに電気的に接続される。第１放熱ブロック及び温度調整素子は、第２熱伝導性接着剤によってパッケージの内部の第３面に接続される。パッケージは、リッドによって開口部を塞ぐことにより気密封止されている。

【0014】

一実施形態に係る光モジュールの製造方法は、第１面に形成されたバンプと、第１面と反対の第２面に形成された配線と、第１面と第２面との間を貫通するスルービアと、を有し、気密性を有するリッドを用意する工程と、第１熱伝導性接着剤によって第１放熱ブロックに第１ＩＣを接続する工程と、温度調整素子に光変調器を接続する工程と、リッドの第２面上に第１ＩＣ及び光変調器をフリップチップ実装して、第１ＩＣを、配線を介して光変調器に電気的に接続すると共に、第１ＩＣをスルービアを介してバンプに電気的に接続する工程と、パッケージの内部の第３面に第２熱伝導性接着剤を塗布する工程と、パッケージの開口部の中に第１放熱ブロック、第１ＩＣ、温度調整素子及び光変調器を保持して、第１放熱ブロック及び温度調整素子を第２熱伝導性接着剤によってパッケージの第３面に接続する工程と、リッドによってパッケージの開口部を塞ぎ、パッケージを気密封止する工程と、を備える。

【0015】

一実施形態に係る光モジュール、及び光モジュールの製造方法では、パッケージの第３面に第１放熱ブロック及び温度調整素子が接続される。第１放熱ブロックには第１熱伝導性接着剤によって第１ＩＣが接続されており、温度調整素子には光変調器が金スズ半田等で接続されている。第１ＩＣ及び光変調器はリッドの第２面に接続されており、リッドの第２面とは反対側を向く第１面には回路基板からリッドに電気信号を供給するバンプが固定される。よって、リッドの第２面に第１ＩＣが接続され、リッドの第１面にバンプが固定されている。そして、バンプを介して回路基板からリッドに電気信号が供給されるので、回路基板からバンプ及びリッドを介して高周波信号が供給される。従って、高周波信号の伝送線路を短くできるので、高周波信号の損失を軽減できる。よって、高周波特性を良好にすることができる。特にプリント基板等への接続を目的としたハンダボール（例えば、直径３００～５００ｕｍの球状の形状を有するバンプ)よりサイズの小さいバンプ（例えば、直径３００ｕｍ以下）を用いて、微細な回路パターンを形成できるインターポーザーの様な回路基板と接続することにより、５０ＧＨｚを超える様な高周波信号を良好に伝送できる。

【0016】

リッドは、母材にガラスを含んでもよい。この場合、リッドの熱抵抗を高めることができる。

【0017】

第２熱伝導性接着剤は、第１熱伝導性接着剤の厚さよりも大きい厚さを有してもよい。

【0018】

パッケージは放熱部材を有してもよく、放熱部材が第３面を有してもよい。この場合、第３面に載せられた第１放熱ブロック及び温度調整素子のそれぞれからの放熱性を一層高めることができる。

【0019】

パッケージの第３面は、リッドの第２面に対向して配置されていてもよい。

【0020】

放熱部材は、第３面に第２熱伝導性接着剤を収容するための囲いを有してもよい。この場合、パッケージの第３面に第２熱伝導性接着剤が塗布されたときに、第２熱伝導性接着剤の漏れが囲いによって抑制される。

【0021】

光モジュールは、第２面にフリップチップ実装された第２ＩＣを更に備えてもよい。第２ＩＣは、第１ＩＣを介して光変調器に電気的に接続され、第２ＩＣは、第２放熱ブロックに接続されてもよい。第２放熱ブロックは、第２熱伝導性接着剤によって第３面に接続されていてもよい。この場合、第２ＩＣは、パッケージの内部においてリッドの第２面に接続されているので、第２面を介して第１ＩＣとの高周波接続を行うことができる。従って、第２ＩＣと第１ＩＣは、リッドを介して特性インピーダンスが制御された伝送線路で直接接続されるので、第１ＩＣに対する高周波信号の劣化をより確実に抑制できる。

【0022】

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態に係る光モジュール、及び光モジュールの製造方法の具体例を以下で図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲に示され、特許請求の範囲と均等の範囲内に含まれる全ての変更が含まれることが意図される。図面の説明において同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、図面は、理解の容易化のため、一部を簡略化又は誇張して描いている場合があり、寸法比率等は図面に記載のものに限定されない。

【0023】

図１は、本実施形態に係る光モジュール１の内部構造を示す平面図である。図２は、光モジュール１を示す縦断面図である。図１及び図２に示されるように、光モジュール１は、例えば、直方体状のパッケージ２、及び光コネクタ３を備える光送信モジュール（ＴＯＳＡ:Transmitter Optical Sub Assembly）である。パッケージ２は、例えば、気密性を有するセラミック、ガラス、金属等の材料のうち少なくともいずれか一つが用いられる。パッケージ２は、パッケージ２の長手方向である方向Ｄ１、パッケージ２の幅方向である方向Ｄ２、及びパッケージ２の高さ方向である方向Ｄ３に延在している。例えば、方向Ｄ１、方向Ｄ２及び方向Ｄ３はそれぞれ互いに直交している。

【0024】

パッケージ２は、方向Ｄ１の端部に位置する一対の第１側壁２ｂと、方向Ｄ２の端部に位置する一対の第２側壁２ｃと、方向Ｄ３の一端に位置する放熱板２ｄ（放熱部材）とを有する。光コネクタ３は第１側壁２ｂを貫通している。放熱板２ｄは、例えば、銅タングステン（ＣｕＷ）によって構成されている。放熱板２ｄは、例えば、ＣｕＷ以外の金属材料や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックによって構成されていてもよい。一対の第１側壁２ｂ、一対の第２側壁２ｃ、及び放熱板２ｄに囲まれた領域にはパッケージ２の内部空間２Ａが画成される。内部空間２Ａには、光モジュール１の部品が収容される。光モジュール１は、内部空間２Ａを封止するリッド５及び封止材６を更に備える。リッド５は、例えば、可視光を透過する材料によって構成されている。リッド５の母材は、一例として、ガラスを含んでいる。例えば、ガラスの成分が一部結晶化したガラスセラミックやアルミノケイ酸ガラスにより線膨張係数がリッド５に実装される部品に合わせて調整されているものが好ましい。例えば、シリコン半導体やＩｎＰ化合物半導体の線膨張係数は、それぞれ、３．０ｐｐｍ／℃、４．５ｐｐｍ／℃であり、例えばＩｎＰ化合物半導体で製造されている光変調器１２がＴＥＣ１５で温度一定に制御されることを考慮すると、０～４．５ｐｐｍ／℃の線膨張係数の範囲にある気密性を有したリッドを用いることが望ましい。それにより、例えば、パッケージ２の温度変化に対して後述するバンプ接続への応力を緩和することができる。応力を緩和することによってより確実なバンプ接続を構成することができる。

【0025】

図１は、方向Ｄ３からの平面視にて、リッド５及び封止材６を省略した状態におけるパッケージ２の内部空間２Ａを示している。内部空間２Ａはパッケージ２の開口部２Ｃの内側に形成されており、開口部２Ｃの中にドライバＩＣ１１（第１ＩＣ）と、光変調器１２と、光学部品２０とが設けられている。ドライバＩＣ１１は、第１放熱ブロック１３及び第２熱伝導性接着剤１４を介して放熱板２ｄに接続されている。第１放熱ブロック１３は第２熱伝導性接着剤１４を介してパッケージ２の第３面２ｆに接着されている。ドライバＩＣ１１は第１熱伝導性接着剤１８を介して第１放熱ブロック１３に接着されている。第２熱伝導性接着剤１４は、方向Ｄ３において、第１熱伝導性接着剤１８の厚さよりも大きい厚さを有する。

【0026】

第１熱伝導性接着剤１８及び第２熱伝導性接着剤１４は、例えば、銀ペーストである。第１熱伝導性接着剤１８及び第２熱伝導性接着剤１４は、銀ペースト以外の熱伝導性及び導電性を有する接着剤であってもよい。光変調器１２は、温度調整素子であるＴＥＣ（Thermo Electric Cooler）１５及び第２熱伝導性接着剤１４を介して放熱板２ｄに接続されている。ＴＥＣ１５はパッケージ２の第３面２ｆに接着されている。例えば、第３面２ｆは、放熱板２ｄに形成されている。パッケージ２は、第３面２ｆから方向Ｄ３に沿って突出する囲い２ｋを有する。囲い２ｋは、方向Ｄ３に沿ってパッケージ２を見たときにドライバＩＣ１１及び光変調器１２を囲むように形成される。例えば、方向Ｄ３に沿って見たときにおける囲い２ｋの形状は矩形枠状である。方向Ｄ３に沿って見たときにおける囲い２ｋの内側に第２熱伝導性接着剤１４が塗布される。

【0027】

例えば、光学部品２０は、レンズ、ミラー、ビームスプリッタ及び光学フィルタの少なくともいずれかを含む。光学部品２０は、光変調器１２に対する光信号の入出力を行う。光学部品２０は光コネクタ３と光学的に結合している。光モジュール１は、例えば、方向Ｄ２に沿って並ぶ２つの光コネクタ３を有する。２つの光コネクタ３のうちの一方には、光モジュール１の外部から局発光Ｌ２が光モジュール１の内部空間２Ａ内に入力される。２つの光コネクタ３のうちの他方には、光モジュール１の内部からパッケージ２の外側へ信号光Ｌ１が光モジュール１の外部に出力される。光学部品２０は、光コネクタ３及び光変調器１２に対する信号光Ｌ１及び局発光Ｌ２の入出力を行う。なお、方向について、光コネクタ３から信号光Ｌ１がパッケージ２の外側へ出力される方向を前、前側又は前方と称することがあり、前、前側又は前方の反対の方向を後、後側又は後方と称することがある。例えば、光コネクタ３から後、後側又は後方に出力される局発光Ｌ２は、パッケージ２の外側から光学部品２０に入力する。但し、これらの方向は、説明の便宜上のものであり、部品が配置されている方向等を限定するものではない。

【0028】

光モジュール１は、リッド５に固定された複数の導電性のバンプ（第１バンプ）７を更に備える。バンプ７は、例えば、複数のバンプ７が方向Ｄ１及び方向Ｄ２に沿って２次元的に配置されてＢＧＡ（Ball Grid array）を構成する。リッド５は、バンプ７によって回路基板８に電気的に接続される。ドライバＩＣ１１及び光変調器１２は方向Ｄ１に沿って並んでおり、ドライバＩＣ１１、リッド５、バンプ７及び回路基板８は、この順で方向Ｄ３に沿って並んでいる。リッド５は、バンプ７が固定された第１面５ｃと、ドライバＩＣ１１及び光変調器１２がフリップチップ実装される第２面５ｂとを有する。第１面５ｃは、パッケージ２の外側に露出している。第２面５ｂは、内部空間２Ａに対向している。すなわち、リッド５において、第２面５ｂは、第１面５ｃの反対の面である。第２面５ｂには光学部品２０が実装されており、光変調器１２は光学部品２０と光学的に結合している。リッド５は第２面５ｂに固定された複数の配線５ｄを有し、ドライバＩＣ１１はリッド５に対向する複数の配線１１ｂ及びバンプ９ｂを有する。配線５ｄ及び配線１１ｂはバンプ９ｂを介して互いに電気的に接続されている。ここで、バンプ７は、電気的な接続を得るための突起状の金属であって、例えばハンダボール、Ｃ４バンプ（ハンダバンプ）、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ、インジウムバンプ等が代表例である。ハンダボールは、バンプがハンダによって構成されたものであって、バンプの一形態である。

【0029】

光変調器１２はリッド５に対向する配線１２ｂ及びバンプ（第２バンプ）９ｃを有し、配線５ｄ及び配線１２ｂはバンプ９ｃを介して互いに電気的に接続されている。例えば、配線５ｄ、バンプ（第２バンプ）９ｂ，９ｃ、配線１１ｂ及び配線１２ｂは、高周波配線を構成する。バンプ９ｂ、９ｃは、例えば、金（Ａｕ）によって構成される金スタッドバンプである。なお、配線１２ｂのバンプ９ｃが接続される部分は、パッドと称される場合がある。光変調器１２は、さらにダミーバンプ９ｄを有していてもよい（図２参照）。ダミーバンプ９ｄは、例えば、光変調器１２に形成されたパッドとリッド５に形成されたバッドとを接続する。ダミーバンプは、ダミーバンプによって接続されるパッドも含めてダミーバンプと称されることがある。ダミーバンプ９ｄは、光変調器１２とリッド５との間に十分な機械的強度を確保するために形成され、電気的な接続には寄与しない。例えば、ダミーバンプ９は、グランド電位に接続されているか、電気的にフローティングとなっている。リッド５は、例えば、微細孔（ＴＧＶ：Through Glass Vias）付きガラス基板である。すなわち、リッド５はスルービア（ＴＧＶ）５ｆを有し、リッド５の配線５ｄはスルービア５ｆを介して第１面５ｃに固定されたバンプ７と電気的に接続される。バンプ７は、例えば、回路基板８と電気的に接続される。バンプ７を介した接続により、比較的短い配線長でリッド５の配線５ｄに回路基板８から電気信号を供給することができる。

【0030】

バンプ７を介してリッド５の第１面５ｃから高周波信号がリッド５に供給され、高周波信号はリッド５及びバンプ９ｂを介してドライバＩＣ１１に供給される。ドライバＩＣ１１は、バンプ９ｂ、配線５ｄ及びバンプ９ｃを介して、特性インピーダンスが制御された電気信号を光変調器１２に供給する。より詳細には、リッド５の第２面５ｂには、例えば、配線５ｄによって伝送線路が形成されている。例えば、伝送線路は、方向Ｄ１に沿って延びる互いに平行な４本の配線（ＧＳＳＧ配線）によってコプレーナ線路として構成される。ＧＳＳＧ配線は、方向Ｄ２に沿って配列されるグランド配線（Ｇ）、信号配線（Ｓ）、信号配線（Ｓ）、グランド配線（Ｇ）によって構成される。例えば、中心の２本の信号配線Ｓ、Ｓによって高周波信号である差動信号がドライバＩＣ１１から光変調器１２に伝送される。伝送線路によって高周波信号を伝送することによって、信号配線のインダクタンスの影響を低減して周波数特性を向上することができる。

【0031】

伝送線路を構成する配線５ｄは、１層の金属層で構成されてもよいし、方向Ｄ３に沿って積層された２層の金属層で構成されてもよいし、それさらに３層以上の金属層で構成されてもよい。２層以上の金属層で構成される場合、各金属層の電気配線を絶縁する絶縁膜がリッド５の第２面５ｂの上に形成されてもよい。配線５ｄが２層の金属層のを有する場合、伝送線路は、例えばグランド層付きコプレーナ線路として構成されてもよい。この場合、例えば、リッド５の第１面５ｃに近い層（２層の金属層の一方）にグランド層が形成され、リッド５の第１面５ｃにから遠い層（２層の金属層の他方）に上述のコプレーナ線路層が形成され、グランド層とコプレーナ線路層のに設けられたグランド配線（Ｇ）がスルーホールを介して電気的に接続されていてもよい。すなわち、グランド層は、コプレーナ配線層とリッド５との間に配置される。

【0032】

なお、図面では、簡略化のため、高周波配線のみを図示している。高周波配線以外の電源、グランド及び制御信号等の配線は、高周波配線と同様に、リッド５及びバンプ７を介して回路基板８と電気的に接続されている。例えば、リッド５は、パッケージ２の放熱板２ｄとは反対側の端部に形成された凹部２ｊに収容される。凹部２ｊは、パッケージ２の開口部２Ｃを画成している。凹部２ｊは、例えば、方向Ｄ３に沿って見た場合における内部空間２Ａの外側において矩形状を呈する。封止材６は、凹部２ｊに収容されたリッド５とパッケージ２との間に介在する。封止材６の材料は、特に限定されないが、例えば、ガラス又は半田である。

【0033】

次に、本実施形態に係る光モジュールの製造方法について説明する。以下では、前述した光モジュール１を組み立てる方法について説明する。まず、図３に示されるように、ドライバＩＣ１１及び第１放熱ブロック１３を互いに接続する（第１放熱ブロックに第１ＩＣを接続する工程）。そして、光変調器１２及びＴＥＣ１５を互いに接続する（温度調整素子に光変調器を接続する工程）。

【0034】

また、第２面５ｂの配線５ｄは、パッドを含み、それらのパッドにバンプ９ｂ，９ｃを形成し（バンプを形成する工程）、リッド５の第１面５ｃに複数のバンプ７が固定されたリッド５を用意する（リッドを用意する工程）。ここで、バンプ７は、Ｃ４バンプ、金バンプ、銀バンプ、銅バンプ、インジウムバンプ等のいずれかであってもよく、汎用のハンダボールの直径３００～５００ｕｍより小さい直径を有していてもよい。図４に示されるように、リッド５の第２面５ｂにドライバＩＣ１１を接続する。そして、第２面５ｂに光変調器１２を接続する（電気的に接続する工程）。具体的には、配線５ｄのパッドにバンプ９ｂが固定されたリッド５にドライバＩＣ１１をフリップチップ実装する。このとき、バンプ９ｂにドライバＩＣ１１の配線１１ｂのパッドが接合される。また、バンプ９ｃに光変調器１２の配線１２ｂのパッドが接合される。なお、バンプ９ｂは、ドライバＩＣ１１の配線１１ｂのパッドに形成されていて、リッド５の配線５ｄのパッドに接合されてもよい。また、バンプ９ｃは、光変調器１２の配線１２ｂのパッドに形成されていて、リッド５の配線５ｄのパッドに接合されてもよい。

【0035】

図５に示されるように、リッド５の第２面５ｂに光学部品２０を実装する（光学部品を実装する工程）。より具体的には、変調器チップの劈開によって形成された光導波路の端面である光変調器１２の光入出力ポートに対して光学調芯を行って光学部品２０を樹脂で第２面５ｂに固定する（光学部品を樹脂で固定する工程）。この光学調芯では、例えば、光変調器１２から光コネクタ３に出力されるコリメート光を生成するレンズの調芯、光コネクタ３から出力されるコリメート光を光変調器１２の導波路端面に結合させるレンズの調芯、及びリッド５へのミラーの実装等が行われる。

【0036】

図６に示されるように、第３面２ｆのうち囲い２ｋの内側の部分に第２熱伝導性接着剤１４を塗布する（第２熱伝導性接着剤を塗布する工程）。そして、ドライバＩＣ１１、光変調器１２及び光学部品２０が実装されたリッド５をパッケージ２の凹部２ｊに収容する。図７に示されるように、第２熱伝導性接着剤１４に第１放熱ブロック１３及びＴＥＣ１５を押しつけて、第１放熱ブロック１３及びＴＥＣ１５にパッケージ２の第３面２ｆを接続する（パッケージの第３面に接続する工程）。このとき、第１放熱ブロック１３及びＴＥＣ１５とパッケージ２の第３面２ｆとの第２熱伝導性接着剤１４による接続状態を、リッド５を可視光で透視して確認する（接続状態を確認する工程）ことを行ってもよい。

【0037】

ドライバＩＣ１１の厚さ（方向Ｄ３に沿った長さ）と第１放熱ブロック１３の厚さ（方向Ｄ３に沿った長さ）と第１熱伝導性接着剤１８の厚さの合計厚さは、それぞれの製造上のばらつき（製造ばらつき）によってばらつく。第２熱伝導性接着剤１４の塗布厚については、金スズ半田等により接続された光変調器１２とＴＥＣ１５の半田接合後の合計厚さと、第１熱伝導性接着剤１８で接続されたドライバＩＣ１１と第１放熱ブロック１３の接合後の合計厚さ相互のばらつきを考慮して決定される。例えば、複数の部材で構成されているＴＥＣ１５の厚さばらつきは最も大きく、最大で金スズ半田の接合厚を含んで＋／―１５０ｕｍ程度の製造ばらつきを有している。一方、第１熱伝導性接着剤１８で接続されているドライバＩＣ１１と第１放熱ブロック１３の合計厚さばらつきは最大＋／―１００ｕｍ程度のばらつきとなる。従って、それぞれの合計厚さの平均値が同じになる様に、第１放熱ブロック１３と、パッケージ２の凹部２ｊの寸法を設計しておけば、第２熱伝導性接着剤１４の厚さを３００ｕｍより厚く塗布することで、ドライバＩＣ１１、信号源ＩＣ２１及びＴＥＣ１５で発生する熱をパッケージ２の第３面２ｆを介して確実に放熱することが出来る。また同時に、リッド５がパッケージ２の凹部２ｊに収納され、封止材６により、パッケージ２を確実に気密封止することができる。

【0038】

また、光学部品２０からのコリメート光が光コネクタ３（具体例として、光コネクタ３のスタブに保持された光ファイバ）に光結合するように光学部品２０に対して光コネクタ３を調芯し、光コネクタ３をパッケージ２に固定する（光コネクタを固定する工程）。なお、このときに、例えば、光コネクタ３のパッケージ２を貫通する部分の周囲と、パッケージ２との間に隙間を生じないように気密封止する。図８に示されるように、パッケージ２の凹部２ｊに収容したリッド５とパッケージ２との間に封止材６を挿入してパッケージ２を封止する（パッケージを気密封止する工程）。そして、バンプ７に回路基板８を接続した後に、一連の工程が完了する。

【0039】

次に、本実施形態に係る光モジュール１、及び光モジュールの製造方法から得られる作用効果について説明する。まず、図１０及び図１１を用いて参考例に係る光送信モジュール１００について説明する。図１０及び図１１に示されるように、光送信モジュール１００は、パッケージ１０１と、放熱ブロック１０２を介してパッケージ１０１の内面１０１ｂに固定されたドライバＩＣ１０３と、温度変調素子１０４を介して内面１０１ｂに固定された光変調器１０５とを備える。光送信モジュール１００は、光変調器１０５への光信号の入出力を行う光学部品１０６と、光学部品１０６に対する光信号をパッケージ１０１の外部と送受信する光コネクタ１０７とを更に備える。

【0040】

光送信モジュール１００は、光送信モジュール１００の外部に位置する信号源ＩＣ１１０に対する高周波信号の電気接続をＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１１１を介して行う。光送信モジュール１００では、セラミック製のパッケージ１０１が用いられる。パッケージ１０１は内部空間１０１ｃ及びフィードスルー１０１ｄを有し、フィードスルー１０１ｄはパッケージ１０１の壁１０１ｆを貫通している。光送信モジュール１００の内部空間１０１ｃには、ＦＰＣ１１１及びフィードスルー１０１ｄを介して高周波信号が供給される。よって、高周波信号の伝送線路が比較的長くなっており、高周波信号の損失が大きくなるという問題が生じうる。

【0041】

光送信モジュール１００の内部では、ドライバＩＣ１０３とパッケージ１０１との間、及びドライバＩＣ１０３と光変調器１０５との間、のそれぞれがボンディングワイヤ１１３を介して互いに接続されている。ワイヤボンディングは寄生インダクタンスが大きく高周波信号の周波数特性が良好でなくなる懸念がある。特に、高周波信号が５０ＧＨｚ以上の周波数成分を含むときにそれらを通過させるのに十分な帯域を得られなくなる。

【0042】

これに対し、本実施形態に係る光モジュール１、及び光モジュールの製造方法では、パッケージ２の第３面２ｆに第１放熱ブロック１３及びＴＥＣ１５が接続される。第１放熱ブロック１３には第１熱伝導性接着剤１８によってドライバＩＣ１１が接続されており、ＴＥＣ１５には光変調器１２が接続されている。ドライバＩＣ１１及び光変調器１２はリッド５の第２面５ｂに接続されており、パッケージ２の外側を向くリッド５の第１面５ｃには回路基板８からリッド５に電気信号を供給するバンプ７が固定される。よって、リッド５の第２面５ｂにドライバＩＣ１１が接続され、リッド５の第１面５ｃにバンプ７が固定されている。そして、バンプ７を介して回路基板８からリッド５に電気信号が供給されるので、回路基板８からバンプ７及びリッド５を介して高周波信号が供給される。従って、高周波信号の配線線路を比較的短くできるので、高周波信号の損失を軽減できる。よって、高周波信号の周波数特性を良好にすることができる。また、バンプ７は、３００μｍ以下の直径を有するバンプであってもよく、より微細な回路パターンが形成された回路基板（インターポーザー）とリッド５とを接続することにより、ハンダボールの寄生容量の影響が軽減され、５０ＧＨｚを超える周波数成分を含む高周波信号を良好に伝送できる。

【0043】

リッド５は、母材にガラスを含んでもよい。この場合、リッド５の熱抵抗を高めることができる。

【0044】

第２熱伝導性接着剤１４は、第１熱伝導性接着剤１８の厚さよりも大きい厚さを有してもよい。

【0045】

パッケージ２は放熱板２ｄを有してもよく、放熱板２ｄが第３面２ｆを有してもよい。この場合、第３面２ｆに載せられた第１放熱ブロック１３及びＴＥＣ１５のそれぞれからの放熱性を一層高めることができる。

【0046】

パッケージ２の第３面２ｆは、リッド５の第２面５ｂに対向して配置されていてもよい。

【0047】

放熱板２ｄは、第３面２ｆに第２熱伝導性接着剤１４を収容するための囲い２ｋを有してもよい。この場合、パッケージ２の第３面２ｆに第２熱伝導性接着剤１４が塗布されたときに、第２熱伝導性接着剤１４の方向Ｄ１及び方向Ｄ２に沿った周囲への漏れが囲い２ｋによって抑制される。

【0048】

次に、変形例に係る光モジュール１Ａについて図９を参照しながら説明する。図９は、光モジュール１Ａの縦断面図である。光モジュール１Ａの一部の構成は、前述した光モジュール１の一部の構成と同一である。よって、以下の説明では、光モジュール１の構成と重複する部分の説明を同一の符号を付して適宜省略する。

【0049】

光モジュール１Ａは、信号源ＩＣ２１（第２ＩＣ）と、第２放熱ブロック２３とを更に備える。信号源ＩＣ２１の厚さ（方向Ｄ３に沿った長さ）と第２放熱ブロック２３の厚さ（方向Ｄ３に沿った長さ）と第１熱伝導性接着剤１８の厚さの合計厚さと、ドライバＩＣ１１の厚さ（方向Ｄ３に沿った長さ）と第１放熱ブロック１３の厚さ（方向Ｄ３に沿った長さ）と第１熱伝導性接着剤１８の厚さの合計厚さは、それぞれの製造ばらつきによってばらつく。第２熱伝導性接着剤１４の塗布厚については、金スズ半田等により接続された光変調器１２とＴＥＣ１５の接合後の合計厚さと、第１熱伝導性接着剤１８で接続されたドライバＩＣ１１と第１放熱ブロック１３の接合後の合計厚さと、第１熱伝導性接着剤１８で接続された信号源ＩＣ２１と第２放熱ブロック２３の接合後の合計厚さとのばらつきを考慮して決定される。例えば、複数の部材で構成されているＴＥＣ１５の厚さばらつきが最も大きく、最大で＋／―１５０ｕｍ程度の製造ばらつきを有している。一方、第１熱伝導性接着剤１８で接続されているドライバＩＣ１１と第１放熱ブロック１３と信号源ＩＣ２１と第２放熱ブロック２３の厚さばらつきは最大＋／―１００ｕｍ程度のばらつきとなる。従って、それぞれの厚さの平均値が同じになる様に、第１放熱ブロック１３と、パッケージ２の凹部２ｊの寸法を設計しておけば、第２熱伝導性接着剤１４の厚さを３００ｕｍより厚く塗布することで、ドライバＩＣ１１、信号源ＩＣ２１及びＴＥＣ１５で発生する熱をパッケージ２の第３面２ｆを介して確実に放熱することができる。また同時に、リッド５がパッケージ２の凹部２ｊに収納され、封止材６により、確実に気密封止される。

【0050】

信号源ＩＣ２１は、例えば、第１熱伝導性接着剤１８を介して第２放熱ブロック２３に接続されている。信号源ＩＣ２１は、例えば、低速の電気信号（低周波信号）を多重化して高速の電気信号（高周波信号）を生成する機能を有する。例えば、多重化機能によって、４本の互いに独立な通信速度１２．５Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号を多重化して1本の通信速度５０Ｇｂｉｔ／ｓの電気信号を生成する。低周波信号は、高周波信号の通信速度よりも低い通信速度を有する。第２放熱ブロック２３は、第２熱伝導性接着剤１４によってパッケージ２の第３面２ｆに接続されている。信号源ＩＣ２１は、リッド５の第２面５ｂにフリップチップ実装されている。信号源ＩＣ２１は、ドライバＩＣ１１を介して光変調器１２に電気的に接続されている。信号源ＩＣ２１はリッド５に対向する複数の配線２１ｂを有する。リッド５は、信号源ＩＣ２１に対向する配線５ｇと、配線５ｇから方向Ｄ３に延びるスルービア５ｈとを有する。

【0051】

スルービア５ｈ、配線５ｇ及び配線２１ｂはバンプ１９ｂを介して互いに電気的に接続されている。例えば、配線５ｄ、バンプ９ｂ，９ｃ, １９ｂ、配線１１ｂ、配線１２ｂ及び配線２１ｂは、高周波信号を伝送する高周波配線を構成する。例えば、配線２１ｂ、バンプ１９ｂ、配線５ｇ、スルービア５ｈ、及びバンプ７は、低周波信号を伝送する低周波配線を構成する。回路基板８からバンプ７及びスルービア５ｈを介して複数の低周波信号が信号源ＩＣ２１に供給される。複数の低周波信号から多重化によって生成された高周波信号はリッド５の配線５ｄ及びバンプ９ｂ、１９ｂを介して信号源ＩＣ２１からドライバＩＣ１１に供給される。このように、信号源ＩＣ２１によって生成された高周波信号はドライバＩＣ１１に供給される。ドライバＩＣ１１は、バンプ９ｂ、配線５ｄ及びバンプ９ｃを介して、特性インピーダンスが制御された高周波信号（駆動信号）を光変調器１２供給する。

【0052】

以上、変形例に係る光モジュール１Ａは、第２面５ｂにフリップチップ実装された信号源ＩＣ２１を更に備える。信号源ＩＣ２１は、ドライバＩＣ１１を介して光変調器１２に電気的に接続され、信号源ＩＣ２１は、第２放熱ブロック２３に接続されている。第２放熱ブロック２３は、第２熱伝導性接着剤１４によって第３面２ｆに接続されている。このように、多重化機能を有する信号源ＩＣ２１をパッケージ２の内部に収容することで、回路基板８と光モジュール１との間で高周波信号の伝送をなくすことができる。従って、高周波信号がバンプ７及びスルービア５ｈを通過することによって損失やインピーダンス不整合によって周波数特性が劣化するのを回避することができる。従って、パッケージ２の内部空間２Ａの内部にて、信号源ＩＣ２１、ドライバＩＣ１１、及び光変調器１２は、リッド５を介して特性インピーダンスが制御された伝送線路で相互に接続されるので、信号源ＩＣ２１から光変調器１２までの間で伝送される高周波信号の周波数特性の劣化をより確実に抑制できる。また、バンプ７には低周波信号しか通らないため、直径の小さいバンプを使用する必要が無く、製造が容易で安価な回路基板８を使うことが出来る。またバンプ７と回路基板の接続にソケットを使うことが可能となり、光モジュール１Ａの取付や保守が容易となる。

【0053】

以上、本開示に係る実施形態及び変形例について説明した。しかしながら、本発明は、前述の実施形態又は変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨の範囲内において適宜変更可能である。例えば、前述の実施形態では、光送信モジュールである光モジュール１について説明した。しかしながら、光モジュールは、光送信モジュールでなくてもよく、例えば、光受信モジュールであってもよい。例えば、光受信モジュールにおいて、図２の構成におけるドライバＩＣ１１の代わりにトランスインピーダンスアンプＩＣ（ＴＩＡ）が、光変調器１２の代わりに受光素子ＰＤが、第１放熱ブロック１３の代わりに第１ブロックが、ＴＥＣ１５の代わりに第２ブロックが、それぞれ使用されてもよい。また、第１熱伝導性接着剤の代わりに接着剤（第１接着剤）が、第２熱伝導性接着剤の代わりに接着剤（第２接着剤）が、それぞれ使用されてもよい。そのような構成により、受光素子ＰＤによって生成された受信信号（例えば、光電流）をリッド５の配線５ｄで構成された伝送線路を介してＴＩＡに伝送することができる。リッド５に形成された配線５ｄによってボンディングワイヤによる接続よりも寄生インダクタンスを低減することができ、受信信号の周波数特性を向上することができる。

【0054】

前述した第１ブロック及び第２ブロックは、絶縁性を有する材料によって構成されていてもよい。また、第１接着剤及び第２接着剤は、それぞれで絶縁性を有していてもよい。さらに、図２の構成における信号源ＩＣ２１の代わりに多重化機能と反対の分離機能を有する信号処理ＩＣが使用されてもよい。それにより、高周波信号は、パッケージ２の内部空間２Ａの中に収納される受光素子、ＴＩＡ、及び信号処理ＩＣの間でリッド５の配線５ｄを介して伝送され、信号処理ＩＣによって高周波信号から生成された複数の低周波信号がスルービア５ｈ及びバンプ７を介して回路基板８に伝送される。このような構成により、高周波信号がバンプ７及びスルービア５ｈを通過することによって損失やインピーダンス不整合によって周波数特性が劣化するのを回避することができる。

【符号の説明】

【0055】

１，１Ａ…光モジュール
２…パッケージ
２Ａ…内部空間
２ｂ…第１側壁
２ｃ…第２側壁
２Ｃ…開口部
２ｄ…放熱板（放熱部材）
２ｆ…第３面
２ｊ…凹部
２ｋ…囲い
３…光コネクタ
５…リッド
５ｂ…第２面
５ｃ…第１面
５ｄ，５ｇ…配線
５ｆ，５ｈ…スルービア
６…封止材
７…バンプ（第１バンプ）
８…回路基板
９ｂ，９ｃ…バンプ（第２バンプ）
９ｄ…ダミーバンプ
１１…ドライバＩＣ（第１ＩＣ）
１１ｂ，１２ｂ…配線
１２…光変調器
１３…第１放熱ブロック
１４…第２熱伝導性接着剤
１５…ＴＥＣ（温度調整素子）
１８…第１熱伝導性接着剤
１９ｂ…バンプ
２０…光学部品
２１…信号源ＩＣ（第２ＩＣ）
２１ｂ…配線
２３…第２放熱ブロック
１００…光送信モジュール
１０１…パッケージ
１０１ｂ…内面
１０１ｃ…内部空間
１０１ｄ…フィードスルー
１０１ｆ…壁
１０２…放熱ブロック
１０４…温度変調素子
１０５…光変調器
１０６…光学部品
１０７…光コネクタ
１１１…ＦＰＣ
１１３…ボンディングワイヤ
Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３…方向
Ｌ１…信号光
Ｌ２…局発光

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】