特許7708643IP Force 特許公報全文掲載

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配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、従来のダム部材では、例えば、ダム部材の各コーナー部の内側壁面の設置角度がソルダーレジスト層表面から見て直角若しくは鋭角の場合に、実装エリアに流し込むアンダーフィルが十分にコーナー部に行き渡らず、アンダーフィル内にボイドが生じる。また、前述したダム部材の形状の影響により、アンダーフィル内にボイドが滞留しやすい。更に、発生したボイドが熱膨張することにより、ソルダーレジスト層や樹脂材料で形成したダム部材等の近傍にクラックが生じることも考えられる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本願が開示する配線基板は、１つの態様において、基板上に積層された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された矩形枠状のダム部材と、を有する。前記ダム部材のコーナー部は、前記絶縁層表面と接触する下部において、内側壁面から前記絶縁層表面へと下り傾斜する傾斜部と、前記絶縁層表面から離れた上部において、前記絶縁層表面に対して垂直な垂直部と、を備える。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本願が開示する配線基板の１つの態様によれば、例えば、実装エリアに流し込むアンダーフィルが傾斜部に沿ってコーナー部に行き渡るため、ボイドの発生が抑制できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本実施例の半導体装置の一例を示す説明図である。
【図2】 図２は、配線基板内のダム部材の一例を示す説明図である。
【図3】 図３は、ダム部材の一例を示す平面模式図である。
【図4】 図４は、ダム部材のコーナー部の一例を示すＡ－Ａ線断面模式図である。
【図5】 図５は、ダム部材の直線部の一例を示すＢ－Ｂ線断面模式図である。
【図6】 図６は、半導体装置の製造工程の手順の一例を示すフローチャートである。
【図7】 図７は、配線層形成工程の一例を示す説明図である。
【図8】 図８は、第１のＳＲ形成工程の一例を示す説明図である。
【図9】 図９は、開口形成工程の一例を示す説明図である。
【図10】 図１０は、第２のＳＲ形成工程の一例を示す説明図である。
【図11】 図１１は、ダム形成工程の一例を示す説明図である。
【図12】 図１２は、バリア層形成工程の一例を示す説明図である。
【図13】 図１３は、バンプ形成工程の一例を示す説明図である。
【図14】 図１４は、実装工程の一例を示す説明図である。
【図15】 図１５は、半導体装置の一例を示す説明図である。
【図16】 図１６は、比較例の半導体装置の一例を示す説明図である。
【図17】 図１７は、比較例の半導体装置の一例を示す説明図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 配線基板 １Ａ 半導体装置 ２ 樹脂基板 ３ 配線層 ４ 第１のＳＲ層 ４Ｂ 実装エリア ５ 電子部品 ６ ダム部材 ６Ａ 内側壁面 ６Ｂ 外側壁面 ６Ｄ コーナー部 ６Ｅ 直線部 ８ 接続バンプ １１ 傾斜部 １２ 窪み部 １３ 窪み部 １４ 垂直部

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