特許 7709968 電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-07-09

(45)【発行日】2025-07-17

(54)【発明の名称】電子部品

(51)【国際特許分類】

   H10D 8/60 20250101AFI20250710BHJP

   H10D 8/01 20250101ALI20250710BHJP

   H10D 30/66 20250101ALI20250710BHJP

   H10D 62/10 20250101ALI20250710BHJP

   H10D 12/00 20250101ALI20250710BHJP

   H10D 64/64 20250101ALI20250710BHJP

   H01L 21/3205 20060101ALI20250710BHJP

   H01L 21/768 20060101ALI20250710BHJP

   H01L 23/522 20060101ALI20250710BHJP

【ＦＩ】

H10D8/60 E

H10D8/60 D

H10D8/60 F

H10D8/60 M

H10D8/01 S

H10D30/66 103Q

H10D30/66 101F

H10D30/66 103S

H10D30/66 201C

H10D30/66 102S

H10D30/66 101H

H10D30/66 103B

H10D62/10 101V

H10D62/10 101G

H10D62/10 101M

H10D12/00 101A

H10D64/64 S

H01L21/88 T

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2022532388

(86)(22)【出願日】2021-05-12

(86)【国際出願番号】 JP2021018090

(87)【国際公開番号】W WO2021261102

(87)【国際公開日】2021-12-30

【審査請求日】2024-03-21

(31)【優先権主張番号】P 2020110898

(32)【優先日】2020-06-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002310

【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】中野 佑紀

(72)【発明者】

【氏名】上野 真弥

【審査官】杉山 芳弘

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１０１６６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１１／１１１６４２（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－０１５４８２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ１０Ｄ ８／６０

Ｈ１０Ｄ ８／０１

Ｈ１０Ｄ ３０／６６

Ｈ１０Ｄ ６２／１０

Ｈ１０Ｄ １２／００

Ｈ１０Ｄ ６４／６４

Ｈ０１Ｌ ２１／３２０５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

被覆対象と、
前記被覆対象を被覆し、前記被覆対象の上に電極側壁を有する電極と、
前記電極側壁を露出させるように前記電極を被覆する内被覆部を有する無機絶縁膜と、
前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含み、
前記有機絶縁膜は、前記内被覆部を被覆している、電子部品。

【請求項2】

前記内被覆部は、前記電極の周縁部を露出させており、
前記有機絶縁膜は、前記電極の周縁部を被覆している、請求項１に記載の電子部品。

【請求項3】

前記内被覆部は、前記電極の内方部を露出させている、請求項１または２のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項4】

前記内被覆部は、前記電極の内方部を取り囲んでいる、請求項３に記載の電子部品。

【請求項5】

前記有機絶縁膜は、前記電極の内方部側において前記内被覆部の縁部を露出させている、請求項３または４に記載の電子部品。

【請求項6】

前記無機絶縁膜は、前記電極側壁を露出させるように前記被覆対象を被覆する外被覆部を有している、請求項１～５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項7】

前記有機絶縁膜は、前記外被覆部を被覆している、請求項６に記載の電子部品。

【請求項8】

前記外被覆部は、前記電極側壁から間隔を空けて前記被覆対象を被覆し、
前記有機絶縁膜は、前記被覆対象において前記電極および前記外被覆部の間から露出した部分を被覆している、請求項６または７に記載の電子部品。

【請求項9】

前記外被覆部は、平面視において前記電極を取り囲んでいる、請求項６～８のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項10】

被覆対象と、
前記被覆対象を被覆し、前記被覆対象の上に電極側壁を有する電極と、
前記電極側壁を露出させるように前記被覆対象を被覆する無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜および前記電極を被覆し、前記無機絶縁膜および前記電極の間で前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含む、電子部品。

【請求項11】

前記無機絶縁膜は、前記電極側壁から間隔を空けて前記被覆対象を被覆し、
前記有機絶縁膜は、前記電極および前記無機絶縁膜の間で前記被覆対象を被覆している、請求項１０に記載の電子部品。

【請求項12】

前記無機絶縁膜は、平面視において前記電極を取り囲んでいる、請求項１０または１１に記載の電子部品。

【請求項13】

電極側壁を有する電極と、
前記電極の内方部および前記電極の前記電極側壁を露出させるように前記電極を被覆する無機絶縁膜と、
前記電極の内方部を露出させ、前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、
前記電極の内方部の上に形成されたパッド電極と、を含み、
前記有機絶縁膜は、前記電極の内方部側において前記無機絶縁膜の縁部を露出させるように前記無機絶縁膜を被覆し、
前記パッド電極は、前記無機絶縁膜の前記縁部を被覆している、電子部品。

【請求項14】

前記パッド電極は、前記無機絶縁膜に接している、請求項１３に記載の電子部品。

【請求項15】

前記パッド電極は、前記有機絶縁膜に接している、請求項１３または１４に記載の電子部品。

【請求項16】

前記無機絶縁膜は、前記電極側壁から間隔を空けて前記電極を被覆し、
前記有機絶縁膜は、前記電極において前記電極側壁および前記無機絶縁膜の間から露出した部分を被覆している、請求項１３～１５のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項17】

前記無機絶縁膜は、平面視において前記電極の内方部を取り囲んでいる、請求項１３～１６のいずれか一項に記載の電子部品。

【請求項18】

前記パッド電極は、前記無機絶縁膜に接するＮｉめっき膜を含む、請求項１３～１７のいずれか一項に記載の電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この出願は、２０２０年６月２６日に日本国特許庁に提出された特願２０２０－１１０８９８号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。本発明は、電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、半導体基板、層間絶縁層、電極、無機保護層および有機保護層を含む半導体装置を開示している。層間絶縁層は、半導体基板の上に形成され、半導体基板を露出させる開口部を有している。電極は、層間絶縁層の上から開口部に入り込み、開口部内において半導体基板に電気的に接続されている。無機保護層は、電極の縁部を被覆する内縁部、および、層間絶縁層を被覆する外縁部を有している。有機保護層は、無機保護層を挟んで電極および層間絶縁層を被覆している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】米国特許出願公開第２０１９／００８０９７６号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の一実施形態は、信頼性を向上できる電子部品を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一実施形態は、被覆対象と、前記被覆対象を被覆し、前記被覆対象の上に電極側壁を有する電極と、前記電極側壁を露出させるように前記電極を被覆する内被覆部を有する無機絶縁膜と、前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含む、電子部品を提供する。

【0006】

本発明の一実施形態は、被覆対象と、前記被覆対象を被覆し、前記被覆対象の上に電極側壁を有する電極と、前記電極側壁を露出させるように前記被覆対象を被覆する無機絶縁膜と、前記無機絶縁膜および前記電極を被覆し、前記無機絶縁膜および前記電極の間で前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、を含む、電子部品を提供する。

【0007】

本発明の一実施形態は、電極側壁を有する電極と、前記電極の内方部および前記電極の前記電極側壁を露出させるように前記電極を被覆する無機絶縁膜と、前記電極の内方部を露出させ、前記電極側壁を被覆する有機絶縁膜と、前記電極の内方部の上に形成されたパッド電極と、を含む、電子部品を提供する。

【0008】

本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を示す平面図である。

【図2】図２は、図１に示すＳｉＣ半導体装置の内部構造を第１形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図3】図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。

【図4】図４は、図３に示す構造の要部を拡大した断面図である。

【図5A】図５Ａは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第２形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図5B】図５Ｂは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第３形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図5C】図５Ｃは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第４形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図5D】図５Ｄは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第５形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図5E】図５Ｅは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第６形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図5F】図５Ｆは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第７形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図6A】図６Ａは、図１に示す半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。

【図6B】図６Ｂは、図６Ａの後の工程を示す断面図である。

【図6C】図６Ｃは、図６Ｂの後の工程を示す断面図である。

【図6D】図６Ｄは、図６Ｃの後の工程を示す断面図である。

【図6E】図６Ｅは、図６Ｄの後の工程を示す断面図である。

【図6F】図６Ｆは、図６Ｅの後の工程を示す断面図である。

【図6G】図６Ｇは、図６Ｆの後の工程を示す断面図である。

【図6H】図６Ｈは、図６Ｇの後の工程を示す断面図である。

【図6I】図６Ｉは、図６Ｈの後の工程を示す断面図である。

【図6J】図６Ｊは、図６Ｉの後の工程を示す断面図である。

【図6K】図６Ｋは、図６Ｊの後の工程を示す断面図である。

【図6L】図６Ｌは、図６Ｋの後の工程を示す断面図である。

【図6M】図６Ｍは、図６Ｌの後の工程を示す断面図である。

【図6N】図６Ｎは、図６Ｍの後の工程を示す断面図である。

【図7】図７は、図４に対応し、本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図8】図８は、図４に対応し、本発明の第３実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図9】図９は、図４に対応し、本発明の第４実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図10】図１０は、図４に対応し、本発明の第５実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図11】図１１は、本発明の第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を示す平面図である。

【図12】図１２は、図１１に示すＳｉＣ半導体装置の内部構造を第１形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図13】図１３は、図１１に示す領域XIIIの拡大図である。

【図14】図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。

【図15】図１５は、図１１に示すXV-XV線に沿う断面図である。

【図16】図１６は、図１１に示すXVI-XVI線に沿う断面図である。

【図17】図１７は、図１５に示す構造の要部を拡大した断面図である。

【図18】図１８は、図１６に示す構造の要部を拡大した断面図である。

【図19A】図１９Ａは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第２形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図19B】図１９Ｂは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第３形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図19C】図１９Ｃは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第４形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図19D】図１９Ｄは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第５形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図19E】図１９Ｅは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第６形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図19F】図１９Ｆは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置の内部構造を第７形態例に係る第２無機絶縁膜と共に示す平面図である。

【図20】図２０は、図１７に対応し、本発明の第７実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図21】図２１は、図１８に対応し、図２０に示すＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図22】図２２は、図１５に対応し、本発明の第８実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図23】図２３は、図１５に対応し、本発明の第９実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図24】図２４は、図１３に対応し、本発明の第１０実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための拡大図である。

【図25】図２５は、図２４に示すXXV-XXV線に沿う断面図である。

【図26】図２６は、図１４に対応し、本発明の第１１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を説明するための断面図である。

【図27】図２７は、半導体パッケージを一方側から見た平面図である。

【図28】図２８は、図２７に示す半導体パッケージを他方側から見た平面図である。

【図29】図２９は、図２７に示す半導体パッケージの斜視図である。

【図30】図３０は、図２７に示す半導体パッケージの分解斜視図である。

【図31】図３１は、図２７に示すXXXI-XXXI線に沿う断面図である。

【図32】図３２は、図２７に示す半導体パッケージの回路図である。

【図33】図３３は、図３に対応し、第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の変形例を説明するための断面図である。

【図34】図３４は、図１７に対応し、第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の変形例を説明するための断面図である。

【図35】図３５は、図１８に対応し、第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の変形例を説明するための断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

図１は、本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１を示す平面図である。図２は、図１に示すＳｉＣ半導体装置１の内部構造を第１形態例に係る第２無機絶縁膜３０と共に示す平面図である。図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。図４は、図３に示す構造の要部を拡大した断面図である。

【0011】

ＳｉＣ半導体装置１は、この形態（this embodiment）では、六方晶のＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣチップ２（チップ／半導体チップ）を含む電子部品である。また、ＳｉＣ半導体装置１は、この形態では、ＳｉＣ－ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）を含む半導体整流デバイスである。六方晶のＳｉＣ単結晶は、２Ｈ（Hexagonal）－ＳｉＣ単結晶、４Ｈ－ＳｉＣ単結晶、６Ｈ－ＳｉＣ単結晶等を含む複数種のポリタイプを有している。この形態では、ＳｉＣチップ２が４Ｈ－ＳｉＣ単結晶からなる例を示すが、他のポリタイプを除外するものではない。

【0012】

ＳｉＣチップ２は、直方体形状に形成されている。ＳｉＣチップ２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに、第１主面３および第２主面４を接続する第１～第４側面５Ａ～５Ｄを有している。第１主面３は、機能デバイスが形成されるデバイス面である。第２主面４は、機能デバイスが形成されない非デバイス面である。第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状に形成されている。

【0013】

第１主面３および第２主面４は、ＳｉＣ単結晶のｃ面に面している。ｃ面は、ＳｉＣ単結晶のシリコン面（（０００１）面）およびカーボン面（（０００－１）面）を含む。第１主面３はシリコン面に面し、第２主面４はカーボン面に面していることが好ましい。第１主面３および第２主面４は、ｃ面に対してオフ方向に所定の角度で傾斜したオフ角を有していてもよい。オフ方向は、ＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）であることが好ましい。オフ角は、０°を超えて１０°以下であってもよい。オフ角は、５°以下であることが好ましい。オフ角は、２°以上４．５°以下であることが特に好ましい。

【0014】

第２主面４は、研削痕およびアニール痕（具体的にはレーザ照射痕）のいずれか一方または双方を有する粗面からなっていてもよい。アニール痕は、非晶質化したＳｉＣ、および／または、金属とシリサイド化（合金化）したＳｉＣ（具体的にはＳｉ）を含んでいてもよい。第２主面４は、少なくともアニール痕を有するオーミック面からなることが好ましい。

【0015】

第１～第４側面５Ａ～５Ｄは、第１主面３の周縁および第２主面４の周縁を形成している。第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、第１主面３に沿う第１方向Ｘに延び、第１方向Ｘに交差（具体的には直交）する第２方向Ｙに対向している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。この形態では、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向（［１－１００］方向）であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のａ軸方向である。つまり、第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、ＳｉＣ単結晶のａ面によって形成され、第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、ＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成されている。

【0016】

第１～第４側面５Ａ～５Ｄは、ダイシングブレードによる切削によって形成された研削痕を有する研削面からなっていてもよいし、レーザ光照射によって形成された改質層を有する劈開面からなっていてもよい。改質層は、具体的には、ＳｉＣチップ２の結晶構造の一部が別の性質に改質した領域からなる。つまり、改質層は、密度、屈折率または機械的強度（結晶強度）、もしくは、その他の物理的特性がＳｉＣチップ２とは異なる性質に改質された領域からなる。

【0017】

改質層は、非晶質層（アモルファス層）、溶融再硬化層、欠陥層、絶縁破壊層または屈折率変化層のうちの少なくとも１つの層を含んでいてもよい。非晶質層は、ＳｉＣチップ２の一部が非晶質化した層である。溶融再硬化層は、ＳｉＣチップ２の一部が溶融した後再度硬化した層である。欠陥層は、ＳｉＣチップ２に形成された空孔や亀裂等を含む層である。絶縁破壊層は、ＳｉＣチップ２の一部が絶縁破壊した層である。屈折率変化層は、ＳｉＣチップ２の一部がＳｉＣチップ２とは異なる屈折率に変化した層である。

【0018】

第１～第４側面５Ａ～５Ｄが劈開面からなる場合、第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、オフ角に起因する傾斜角を有する傾斜面を形成していてもよい。オフ角に起因する傾斜角は、法線方向Ｚを０°としたとき、当該法線方向Ｚに対する角度である。第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、法線方向Ｚに対してＳｉＣ単結晶のｃ軸方向（［０００１］方向）に沿って延びる傾斜面を形成していてもよい。

【0019】

オフ角に起因する傾斜角は、オフ角とほぼ等しい。オフ角に起因する傾斜角は、０°を超えて１０°以下（好ましくは２°以上４．５°以下）であってもよい。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、オフ方向（ａ軸方向）に延びているため、オフ角に起因する傾斜角を有さない。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、第２方向Ｙ（ａ軸方向）および法線方向Ｚに平面的に延びている。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、具体的には、第１主面３および第２主面４に対してほぼ垂直に形成されている。

【0020】

ＳｉＣ半導体装置１は、ＳｉＣチップ２の第２主面４の表層部に形成されたｎ型（第１導電型）の第１半導体領域６（高濃度領域）を含む。第１半導体領域６は、厚さ方向にほぼ一定のｎ型不純物濃度を有している。第１半導体領域６のｎ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２１ｃｍ^－３以下であってもよい。第１半導体領域６は、ＳＢＤのカソードを形成している。第１半導体領域６は、カソード領域と称されてもよい。

【0021】

第１半導体領域６は、第２主面４の表層部の全域に形成され、第２主面４および第１～第４側面５Ａ～５Ｄから露出している。つまり、第１半導体領域６は、第２主面４および第１～第４側面５Ａ～５Ｄの一部を有している。第１半導体領域６の厚さは、５μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。第１半導体領域６の厚さは、典型的には、５０μｍ以上２５０μｍ以下である。第１半導体領域６の厚さは、第２主面４の研削によって調整される。第１半導体領域６は、この形態では、ｎ型の半導体基板（ＳｉＣ基板）によって形成されている。

【0022】

ＳｉＣ半導体装置１は、ＳｉＣチップ２の第１主面３の表層部に形成されたｎ型の第２半導体領域７（低濃度領域）を含む。第２半導体領域７は、第１半導体領域６のｎ型不純物濃度未満のｎ型不純物濃度を有している。第２半導体領域７は、第１半導体領域６に電気的に接続され、第１半導体領域６と共にＳＢＤのカソードを形成している。第２半導体領域７は、ドリフト領域と称されてもよい。

【0023】

第２半導体領域７は、第１主面３の表層部の全域に形成され、第１主面３および第１～第４側面５Ａ～５Ｄから露出している。つまり、第２半導体領域７は、第１主面３および第１～第４側面５Ａ～５Ｄの一部を有している。第２半導体領域７のｎ型不純物濃度は、１×１０^１５ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。第２半導体領域７の厚さは、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。第２半導体領域７は、この形態では、ｎ型のエピタキシャル層（ＳｉＣエピタキシャル層）によって形成されている。

【0024】

ＳｉＣ半導体装置１は、ＳｉＣチップ２において第１半導体領域６および第２半導体領域７の間に介在するｎ型の第３半導体領域８（濃度遷移領域）を含む。第３半導体領域８は、第１半導体領域６のｎ型不純物濃度から第２半導体領域７のｎ型不純物濃度に向けてｎ型不純物濃度が低下（具体的には漸減）する濃度勾配を有している。第３半導体領域８は、第１半導体領域６および第２半導体領域７の間の全域に介在し、第１～第４側面５Ａ～５Ｄから露出している。つまり、第３半導体領域８は、第１～第４側面５Ａ～５Ｄの一部を有している。

【0025】

第３半導体領域８は、第１半導体領域６および第２半導体領域７に電気的に接続され、第１半導体領域６および第２半導体領域７と共にＳＢＤのカソードを形成している。第３半導体領域８は、バッファ領域と称されてもよい。第３半導体領域８の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第３半導体領域８は、この形態では、ｎ型のエピタキシャル層（ＳｉＣエピタキシャル層）によって形成されている。

【0026】

ＳｉＣ半導体装置１は、第１主面３の表層部に形成されたｐ型（第２導電型）のガード領域９を含む。ガード領域９のｐ型不純物は、活性化されていてもよいし、活性化されていなくてもよい。ガード領域９のｐ型不純物濃度は、１×１０^１５ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。ガード領域９は、第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）から内方に間隔を空けて第１主面３に形成され、第１主面３の内方部を露出させている。ガード領域９は、第１主面３の周縁に沿って帯状に延びている。

【0027】

ガード領域９は、平面視において第１主面３の内方部を取り囲む環状に形成されている。ガード領域９は、具体的には、平面視において第１主面３の周縁に平行な４辺を有する四角環状に形成されている。これにより、ガード領域９は、ガードリング領域として形成されている。ガード領域９は、第１主面３の内方部側の内縁部、および、第１主面３の周縁側の外縁部を有している。

【0028】

ＳｉＣ半導体装置１は、被覆対象の一例として第１主面３の上に形成された第１無機絶縁膜１０を含む。第１無機絶縁膜１０は、層間絶縁膜と称されてもよい。第１無機絶縁膜１０は、複数の絶縁膜を含む積層構造を有していてもよいし、単一の絶縁膜からなる単層構造を有していてもよい。第１無機絶縁膜１０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。第１無機絶縁膜１０は、複数の酸化シリコン膜を含む積層構造、複数の窒化シリコン膜を含む積層構造、または、複数の酸窒化シリコン膜を含む積層構造を有していてもよい。

【0029】

第１無機絶縁膜１０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも２種を任意の順序で積層させた積層構造を有していてもよい。第１無機絶縁膜１０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる単層構造を有していてもよい。第１無機絶縁膜１０は、この形態では、酸化シリコン膜からなる単層構造を有している。

【0030】

第１無機絶縁膜１０は、この形態では、ＳｉＣチップ２（第２半導体領域７）の酸化物を含むフィールド酸化膜からなる。したがって、第１無機絶縁膜１０は、絶縁体（酸化シリコン）中に第２半導体領域７のｎ型不純物と同一種のｎ型不純物を含む。第１無機絶縁膜１０は、第１絶縁厚さＴ１を有している。第１絶縁厚さＴ１は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１絶縁厚さＴ１は、０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。

【0031】

第１無機絶縁膜１０は、第１主面３の内方部を露出させている。第１無機絶縁膜１０は、この形態では、平面視において第１主面３の内方部を取り囲む環状に形成されている。第１無機絶縁膜１０は、具体的には、平面視において第１主面３の周縁に平行な４辺を有する四角環状に形成されている。第１無機絶縁膜１０は、ガード領域９の外縁部を全周に亘って被覆し、ガード領域９の内縁部を全周に亘って露出させている。

【0032】

第１無機絶縁膜１０は、具体的には、第１主面３の内方部側の内壁部１１、および、第１主面３の周縁側の外壁部１２を有している。内壁部１１は、第１主面３の内方部（第２半導体領域７）およびガード領域９の内縁部を露出させるようにガード領域９の内縁部から外縁部側に間隔を空けて形成されている。これにより、内壁部１１は、第１主面３の内方部（第２半導体領域７）およびガード領域９の内縁部を露出させるコンタクト開口１３を区画している。内壁部１１（コンタクト開口１３）は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に平行な４辺を有する四角形状に形成され、ガード領域９の内縁部を取り囲んでいる。

【0033】

外壁部１２は、第１主面３の周縁から第１主面３の内方部側に間隔を空けて形成され、第１主面３の周縁部（第２半導体領域７）を露出させている。外壁部１２は、ガード領域９の外縁部から第１主面３の周縁側に間隔を空けて形成されている。これにより、外壁部１２は、第１主面３の周縁部（第２半導体領域７）を露出させる切欠き開口１４を区画している。外壁部１２（切欠き開口１４）は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁に平行な４辺を有する四角形状に形成され、ガード領域９の外縁部を取り囲んでいる。

【0034】

第１無機絶縁膜１０は、第１主面３において隠蔽面１５（hidden surface）、活性面１６（active surface）および外側面１７（outer surface）を区画している。換言すると、第１主面３は、第１無機絶縁膜１０によって区画された隠蔽面１５、活性面１６および外側面１７を含む。

【0035】

隠蔽面１５は、第１主面３において第１無機絶縁膜１０によって被覆（隠蔽）された部分からなり、平面視において四角環状に形成されている。活性面１６は、第１主面３の内方部において第１無機絶縁膜１０から露出する部分からなり、平面視において内壁部１１（コンタクト開口１３）によって四角形状に区画されている。外側面１７は、第１主面３の周縁部において第１無機絶縁膜１０から露出する部分からなり、平面視において外壁部１２（切欠き開口１４）によって四角環状に区画されている。

【0036】

活性面１６は、この形態では、隠蔽面１５に対して第２半導体領域７の底部側（第２主面４側）に窪んでいる。活性面１６は、具体的には、内壁部１１（コンタクト開口１３）を起点に隠蔽面１５に対して第２半導体領域７の底部側に一段窪んでいる。活性面１６は、法線方向Ｚに関して、ガード領域９の底部および隠蔽面１５の間の深さ位置に形成されている。

【0037】

活性面１６は、第２半導体領域７およびガード領域９の内縁部を露出させている。活性面１６は、法線方向Ｚに関して隠蔽面１５に対して０μｍを超えて１μｍ以下（好ましくは０．５μｍ以下）の範囲で窪んでいることが好ましい。活性面１６の表層部における第２半導体領域７のｎ型不純物濃度は、隠蔽面１５の表層部における第２半導体領域７のｎ型不純物濃度よりも高い。

【0038】

外側面１７は、この形態では、隠蔽面１５に対して第２半導体領域７の底部側（第２主面４側）に窪んでいる。外側面１７は、具体的には、外壁部１２（切欠き開口１４）を起点に隠蔽面１５に対して第２半導体領域７の底部側に一段窪んでいる。外側面１７は、法線方向Ｚに関して、ガード領域９の底部および隠蔽面１５の間の深さ位置に形成されている。

【0039】

外側面１７は、第２半導体領域７を露出させている。外側面１７は、法線方向Ｚに関して隠蔽面１５に対して０μｍを超えて１μｍ以下（好ましくは０．５μｍ以下）の範囲で窪んでいることが好ましい。外側面１７は、活性面１６とほぼ同一の平面上に位置していることが好ましい。外側面１７の表層部における第２半導体領域７のｎ型不純物濃度は、隠蔽面１５の表層部における第２半導体領域７のｎ型不純物濃度よりも高い。

【0040】

ＳｉＣ半導体装置１は、第１主面３の上に形成された第１主面電極２０を含む。第１主面電極２０は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。第１主面電極２０は、ショットキ電極である。第１主面電極２０は、第１主面３とショットキ接合を形成している。第１主面電極２０は、具体的には、隠蔽面１５に対して第２半導体領域７の底部側に窪んだ活性面１６において、第２半導体領域７およびガード領域９の内縁部に電気的に接続されている。第１主面電極２０は、活性面１６において第２半導体領域７とショットキ接合を形成している。

【0041】

これにより、機能デバイスの一例としてのＳｉＣ－ＳＢＤが、活性面１６に形成されている。ＳｉＣ－ＳＢＤは、アノードとしての第１主面電極２０、および、カソードとしての第２半導体領域７（第１半導体領域６および第３半導体領域８）を含む。

【0042】

第１主面電極２０は、第１無機絶縁膜１０の上に位置する電極側壁２１を有している。電極側壁２１は、平面視において第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）から第１無機絶縁膜１０の内壁部１１側（活性面１６側）に間隔を空けて形成されている。電極側壁２１は、具体的には、第１無機絶縁膜１０の上において第１無機絶縁膜１０の内壁部１１および外壁部１２の間に形成されている。

【0043】

電極側壁２１は、この形態では、平面視においてガード領域９の外縁部から第１無機絶縁膜１０の内壁部１１側に間隔を空けて形成されている。電極側壁２１は、第１無機絶縁膜１０を挟んでガード領域９に対向している。電極側壁２１は、第１主面電極２０の主面から斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。電極側壁２１は、この形態では、第１無機絶縁膜１０に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0044】

第１主面電極２０は、さらに具体的には、活性面１６を被覆する本体部２２、および、第１無機絶縁膜１０を被覆する引き出し部２３を含む。本体部２２がショットキ電極部と称され、引き出し部２３がフィールド電極部と称されてもよい。本体部２２は、コンタクト開口１３内に位置し、第２半導体領域７およびガード領域９の内縁部に電気的に接続されている。本体部２２は、第１無機絶縁膜１０よりも上方に突出するように活性面１６からコンタクト開口１３を埋め戻している。本体部２２は、活性面１６に沿ってほぼ平坦に延びている。

【0045】

引き出し部２３は、本体部２２から第１無機絶縁膜１０の上に引き出され、第１無機絶縁膜１０の上で電極側壁２１を形成している。引き出し部２３は、第１無機絶縁膜１０に沿ってほぼ平坦に延びている。引き出し部２３は、第１無機絶縁膜１０を挟んでガード領域９に対向している。この形態では、引き出し部２３の全体が、ガード領域９に対向している。

【0046】

引き出し部２３は、第１主面電極２０の周縁部において、本体部２２よりも上方（ＳｉＣチップ２から離れる方向）に突出した突出部２４を形成している。換言すると、第１主面電極２０は、第１主面３を被覆する内方部（本体部２２）、および、第１無機絶縁膜１０を被覆し、内方部（本体部２２）よりも上方に突出した突出部２４（引き出し部２３）を有する周縁部を含む。つまり、第１主面電極２０の周縁部（本体部２２および引き出し部２３の間の領域）には、突出部２４に起因した勾配（段差）が形成されている。

【0047】

第１主面電極２０は、ＳｉＣチップ２側からこの順に積層された第１電極膜２５、第２電極膜２６および第３電極膜２７を含む積層構造を有している。第１電極膜２５は、活性面１６、第１無機絶縁膜１０の内壁部１１（つまりコンタクト開口１３）および第１無機絶縁膜１０の主面に沿って膜状に形成されている。第１電極膜２５は、ショットキバリア電極膜からなり、第１主面３（第２半導体領域７）とショットキ接合を形成している。第１電極膜２５の電極材料は、第１主面３（第２半導体領域７）とショットキ接合が形成される限り任意である。

【0048】

第１電極膜２５は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、および、金（Ａｕ）のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。

【0049】

第１電極膜２５は、前記金属種のうちの少なくとも１種を含む合金膜からなっていてもよい。第１電極膜２５は、この形態では、チタン膜からなる。第１電極膜２５は、第１電極厚さＴＥ１を有している。第１電極厚さＴＥ１は、５０Å以上１０００Å以下であってもよい。第１電極厚さＴＥ１は、２５０Å以上５００Å以下であることが好ましい。

【0050】

第２電極膜２６は、第１電極膜２５の主面に沿って膜状に形成されている。第２電極膜２６は、金属バリア膜からなる。第２電極膜２６は、この形態では、Ｔｉ系金属膜からなる。第２電極膜２６は、チタン膜および窒化チタン膜のうちの少なくとも１種を含む。第２電極膜２６は、チタン膜または窒化チタン膜からなる単層構造、もしくは、チタン膜および窒化チタン膜を任意の順序で含む積層構造を有していてもよい。

【0051】

第２電極膜２６は、この形態では、窒化チタン膜からなる単層構造を有している。第２電極膜２６は、第２電極厚さＴＥ２を有している。第２電極厚さＴＥ２は、５００Å以上５０００Å以下であってもよい。第２電極厚さＴＥ２は、１５００Å以上４５００Å以下であることが好ましい。第２電極厚さＴＥ２は、第１電極厚さＴＥ１を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ２）ことが好ましい。

【0052】

第３電極膜２７は、第２電極膜２６の主面に沿って膜状に形成されている。第３電極膜２７は、Ｃｕ系金属膜またはＡｌ系金属膜からなる。第３電極膜２７は、純Ｃｕ膜（純度が９９％以上のＣｕ膜）、純Ａｌ膜（純度が９９％以上のＡｌ膜）、ＡｌＣｕ合金膜、ＡｌＳｉ合金膜、および、ＡｌＳｉＣｕ合金膜のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。第３電極膜２７は、この形態では、ＡｌＣｕ合金膜からなる単層構造を有している。

【0053】

第３電極膜２７は、第３電極厚さＴＥ３を有している。第３電極厚さＴＥ３は、０．５μｍ（＝５０００Å）以上１０μｍ（＝１０００００Å）以下であってもよい。第３電極厚さＴＥ３は、２．５μｍ以上７．５μｍ以下であることが好ましい。第３電極厚さＴＥ３は、第１電極厚さＴＥ１および第２電極厚さＴＥ２を超えている（ＴＥ１＜ＴＥ３、ＴＥ２＜ＴＥ３）ことが好ましい。第３電極厚さＴＥ３は、第１電極厚さＴＥ１および第２電極厚さＴＥ２の和（＝ＴＥ１＋ＴＥ２）を超えている（ＴＥ１＋ＴＥ２＜ＴＥ３）ことが特に好ましい。

【0054】

ＳｉＣ半導体装置１は、第２無機絶縁膜３０を含む。第２無機絶縁膜３０は、比較的高い緻密度を有する無機絶縁体からなり、水分（湿気）に対するバリア性（遮蔽性）を有している。たとえば、第１主面電極２０の酸化物（この形態では酸化アルミニウム）は、第１主面電極２０の電気的特性を低下させる。また、第１主面電極２０の酸化物は、熱膨張によって第１主面電極２０や他の構造物の部分的な剥離やクラック等を引き起こす一要因となる。

【0055】

第２無機絶縁膜３０は、第１無機絶縁膜１０および第１主面電極２０のいずれか一方または双方を被覆することによって外部からの水分（湿気）を遮蔽し、ＳｉＣチップ２や第１主面電極２０を酸化から保護する。第２無機絶縁膜３０は、パッシベーション膜と称されてもよい。

【0056】

第２無機絶縁膜３０は、複数の絶縁膜を含む積層構造を有していてもよいし、単一の絶縁膜からなる単層構造を有していてもよい。第２無機絶縁膜３０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。第２無機絶縁膜３０は、複数の酸化シリコン膜を含む積層構造、複数の窒化シリコン膜を含む積層構造、または、複数の酸窒化シリコン膜を含む積層構造を有していてもよい。

【0057】

第２無機絶縁膜３０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも２種を任意の順序で積層させた積層構造を有していてもよい。第２無機絶縁膜３０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる単層構造を有していてもよい。第２無機絶縁膜３０は、この形態では、窒化シリコン膜からなる単層構造を有している。つまり、第２無機絶縁膜３０は、第１無機絶縁膜１０とは異なる絶縁体からなる。

【0058】

第２無機絶縁膜３０は、第２絶縁厚さＴ２を有している。第２絶縁厚さＴ２は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２絶縁厚さＴ２は、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。第２絶縁厚さＴ２は、第１絶縁厚さＴ１以上（Ｔ１≦Ｔ２）であってもよい。第２絶縁厚さＴ２は、第１絶縁厚さＴ１未満（Ｔ１＞Ｔ２）であることが好ましい。

【0059】

第２絶縁厚さＴ２は、第１電極膜２５の第１電極厚さＴＥ１および第２電極膜２６の第２電極厚さＴＥ２を超えている（ＴＥ１＜Ｔ２、ＴＥ２＜Ｔ２）ことが好ましい。第２絶縁厚さＴ２は、第１電極厚さＴＥ１および第２電極厚さＴＥ２の和（＝ＴＥ１＋ＴＥ２）を超えている（ＴＥ１＋ＴＥ２＜Ｔ２）ことが特に好ましい。第２絶縁厚さＴ２は、第３電極膜２７の第３電極厚さＴＥ３以下（ＴＥ３≧Ｔ２）であることが好ましい。第２絶縁厚さＴ２は、第３電極厚さＴＥ３未満（ＴＥ３＞Ｔ２）であることが特に好ましい。

【0060】

第２無機絶縁膜３０は、この形態では、内被覆部３１（電極被覆部）、外被覆部３２（絶縁被覆部）および除去部３３を含む。第２無機絶縁膜３０は、内被覆部３１および外被覆部３２のうちの少なくとも一方を有していればよく、必ずしも内被覆部３１および外被覆部３２の双方を含む必要はない。第２無機絶縁膜３０は、少なくとも内被覆部３１を有していることが好ましい。第２無機絶縁膜３０は、内被覆部３１および外被覆部３２の双方を含むことが最も好ましい。

【0061】

第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１は、電極側壁２１を露出させるように第１主面電極２０を被覆している。内被覆部３１は、第１主面電極２０の内方部も露出させている。内被覆部３１は、平面視において電極側壁２１に沿って延びる帯状に形成されている。内被覆部３１は、この形態では、平面視において第１主面電極２０の内方部を取り囲む環状に形成されている。内被覆部３１は、具体的には、平面視において電極側壁２１（第１主面３の周縁）に平行な４辺を有する四角環状に形成されている。

【0062】

内被覆部３１は、第１主面電極２０の周縁部を露出させるように電極側壁２１から間隔を空けて第１主面電極２０を被覆している。内被覆部３１は、具体的には、第１主面電極２０の引き出し部２３（突出部２４）を露出させるように、第１主面電極２０の本体部２２の上に形成されている。この場合、内被覆部３１は、平面視において第１無機絶縁膜１０の内壁部１１から第１主面電極２０の内方に間隔を空けて形成されていることが好ましい。内被覆部３１は、さらに、引き出し部２３（突出部２４）から内方に間隔を空けて形成され、引き出し部２３（突出部２４）の全体を露出させていることが好ましい。

【0063】

内被覆部３１は、この形態では、第１主面電極２０の勾配（段差）を回避するように本体部２２の主面に沿って延びる平坦な膜状に形成されている。内被覆部３１の主面は、この形態では、引き出し部２３の主面に対して本体部２２の主面側に位置している。むろん、内被覆部３１の主面は、引き出し部２３の主面よりも上方に位置していてもよい。つまり、内被覆部３１は、突出部２４の厚さを超える厚さを有していてもよい。突出部２４の厚さは、法線方向Ｚに関して、本体部２２の主面および引き出し部２３の主面の間の距離（厚さ）によって定義される。

【0064】

内被覆部３１は、第１主面電極２０を挟んで活性面１６に対向している。内被覆部３１は、この形態では、平面視において第１無機絶縁膜１０の内壁部１１から内方に間隔を空けて形成されている。したがって、内被覆部３１は、第１主面電極２０を挟んで第１無機絶縁膜１０には対向していない。

【0065】

内被覆部３１は、平面視においてガード領域９の内縁部から内方に間隔を空けて形成されている。内被覆部３１は、第１主面電極２０を挟んでガード領域９には対向していない。つまり、内被覆部３１は、第１主面電極２０を挟んで第２半導体領域７のみに対向している。むろん、内被覆部３１は、第１主面電極２０（引き出し部２３）を挟んでガード領域９および第１無機絶縁膜１０のいずれか一方または双方に対向していてもよい。

【0066】

内被覆部３１は、第１主面電極２０の内方部側の第１内壁部３４、および、第１主面電極２０の電極側壁２１側の第１外壁部３５を有している。第１内壁部３４は、第１主面電極２０の内方部を露出させる第１開口３６を区画している。第１内壁部３４（第１開口３６）は、この形態では、平面視において電極側壁２１に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。

【0067】

第１内壁部３４は、この形態では、引き出し部２３（突出部２４）から内方に間隔を空けて本体部２２の上に形成されている。これにより、第１内壁部３４は、本体部２２の内方部を露出させる第１開口３６を区画している。第１内壁部３４は、第２無機絶縁膜３０の主面から第１主面電極２０の内方に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。

【0068】

第１外壁部３５は、第１主面電極２０の周縁部を露出させるように電極側壁２１から間隔を空けて第１主面電極２０の上に形成されている。第１外壁部３５は、具体的には、引き出し部２３（突出部２４）を露出させるように本体部２２の上に形成されている。第１外壁部３５は、さらに具体的には、引き出し部２３（突出部２４）から内方に間隔を空けて形成されている。これにより、第１外壁部３５は、本体部２２の一部および引き出し部２３（突出部２４）の全体を露出させている。

【0069】

第１外壁部３５は、平面視において第１無機絶縁膜１０の内壁部１１から第１主面電極２０の内方に間隔を空けて形成されている。第１外壁部３５は、さらに、平面視においてガード領域９の内縁部から内方に間隔を空けて形成されている。第１外壁部３５は、この形態では、平面視において電極側壁２１に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。第１外壁部３５は、第２無機絶縁膜３０の主面から第１主面電極２０の引き出し部２３に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。

【0070】

第２無機絶縁膜３０の外被覆部３２は、電極側壁２１を露出させるように第１無機絶縁膜１０を被覆している。外被覆部３２は、平面視において電極側壁２１に沿って延びる帯状に形成されている。外被覆部３２は、平面視において第１主面電極２０（電極側壁２１）を取り囲む環状に形成されている。外被覆部３２は、具体的には、平面視において電極側壁２１（第１主面３の周縁）に平行な４辺を有する四角環状に形成されている。

【0071】

外被覆部３２は、第１無機絶縁膜１０の一部を露出させるように電極側壁２１から第１主面３の周縁側に間隔を空けて第１無機絶縁膜１０を被覆している。外被覆部３２は、この形態では、第１無機絶縁膜１０を挟んでガード領域９に対向している。外被覆部３２は、平面視においてガード領域９の外縁部を横切るように延び、第１無機絶縁膜１０を挟んでガード領域９外の第２半導体領域７に対向している。外被覆部３２は、この形態では、第１無機絶縁膜１０の上から外側面１７に引き出されている。

【0072】

これにより、外被覆部３２は、第１無機絶縁膜１０を被覆する第１部分３７および外側面１７を直接被覆する第２部分３８を含む。第１部分３７は、第１無機絶縁膜１０に沿って膜状に延び、第１無機絶縁膜１０を挟んで隠蔽面１５に対向している。つまり、第１部分３７は、第１無機絶縁膜１０を挟んで第２半導体領域７およびガード領域９に対向している。第１部分３７の主面は、第１主面電極２０の引き出し部２３の主面に対して第１無機絶縁膜１０側に位置している。第１部分３７の主面は、この形態では、第１主面電極２０の本体部２２の主面に対して第１無機絶縁膜１０側に位置している。

【0073】

第２部分３８は、外側面１７に沿って膜状に延び、外側面１７を直接被覆している。つまり、第２部分３８は、第２半導体領域７を直接被覆している。第２部分３８の主面は、引き出し部２３の主面に対して第１主面３（外側面１７）側に位置している。第２部分３８の主面は、本体部２２の主面に対して第１主面３（外側面１７）側に位置している。第２部分３８の主面は、この形態では、第１無機絶縁膜１０の主面および隠蔽面１５の間に位置している。

【0074】

第２部分３８は、この形態では、第１主面３（外側面１７）の周縁部を露出させるように、第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）から第１無機絶縁膜１０側に間隔を空けて形成されている。第２部分３８は、第１主面３の周縁との間で第１主面３（外側面１７）の周縁部が露出したダイシングストリート３９を区画している。ダイシングストリート３９は、第１主面３の周縁に沿って延びる四角環状に区画されている。ダイシングストリート３９の幅は、５μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。ダイシングストリート３９の幅は、ダイシングストリート３９が延びる方向に直交する方向の幅である。

【0075】

外被覆部３２は、電極側壁２１側の第２内壁部４０、および、第１主面３（外側面１７）の周縁側の第２外壁部４１を有している。第２内壁部４０は、第１無機絶縁膜１０を露出させるように電極側壁２１から間隔を空けて第１無機絶縁膜１０の上に形成されている。つまり、第２内壁部４０は、平面視において第１無機絶縁膜１０の内壁部１１および外壁部１２の間の領域に形成されている。

【0076】

第２内壁部４０は、この形態では、平面視において電極側壁２１およびガード領域９の外縁部の間の領域に形成されている。これにより、第２内壁部４０は、第１無機絶縁膜１０においてガード領域９を被覆する部分を露出させている。第２内壁部４０は、この形態では、平面視において電極側壁２１に平行な４辺を有する四角形状に形成され、第１主面電極２０を取り囲んでいる。第２内壁部４０は、第２無機絶縁膜３０の主面から第１主面３の内方に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。

【0077】

第２外壁部４１は、この形態では、外側面１７の上に形成されている。第２外壁部４１は、平面視において第１無機絶縁膜１０の外壁部１２（切欠き開口１４）および第１主面３の周縁の間の領域に形成され、第１主面３（外側面１７）の周縁部を露出させている。第２外壁部４１は、第２無機絶縁膜３０の主面から第１主面３（外側面１７）の周縁に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。第２外壁部４１は、第１主面３の周縁との間でダイシングストリート３９を区画している。

【0078】

第２無機絶縁膜３０の除去部３３は、内被覆部３１（第１外壁部３５）および外被覆部３２（第２内壁部４０）の間に区画され、第１主面電極２０の電極側壁２１を露出させている。除去部３３は、この形態では、平面視において電極側壁２１に沿って延びる帯状に形成されている。除去部３３は、具体的には、平面視において電極側壁２１に沿って延びる環状（この形態では四角環状）に形成されている。

【0079】

つまり、除去部３３は、電極側壁２１、第１主面電極２０の引き出し部２３（突出部２４）および第１無機絶縁膜１０の一部を、電極側壁２１の全周に亘って露出させている。第２無機絶縁膜３０では、内被覆部３１が平坦な第１主面電極２０の上に形成され、外被覆部３２が平坦な第１無機絶縁膜１０の上に形成されている。したがって、第２無機絶縁膜３０では、電極側壁２１に起因する段差が除去部３３によって取り除かれている。

【0080】

ＳｉＣ半導体装置１は、第１主面電極２０の電極側壁２１を被覆する有機絶縁膜５０を含む。有機絶縁膜５０は、第２無機絶縁膜３０の硬度よりも低い硬度を有している。換言すると、有機絶縁膜５０は、第２無機絶縁膜３０の弾性率よりも小さい弾性率を有し、外力に対する緩衝材（保護膜）として機能する。有機絶縁膜５０は、外力からＳｉＣチップ２、第１主面電極２０、第２無機絶縁膜３０等を保護する。

【0081】

有機絶縁膜５０は、感光性樹脂を含むことが好ましい。感光性樹脂は、ネガティブタイプまたはポジティブタイプであってもよい。有機絶縁膜５０は、ポリイミド膜、ポリアミド膜およびポリベンゾオキサゾール膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。有機絶縁膜５０は、この形態では、ポリイミド膜を含む。

【0082】

有機絶縁膜５０は、第３絶縁厚さＴ３を有している。第３絶縁厚さＴ３は、第２無機絶縁膜３０の第２絶縁厚さＴ２を超えている（Ｔ２＜Ｔ３）ことが好ましい。第３絶縁厚さＴ３は、第１主面電極２０の総厚さ（＝ＴＥ１＋ＴＥ１＋ＴＥ３）を超えている（ＴＥ１＋ＴＥ１＋ＴＥ３＜Ｔ３）ことが特に好ましい。第３絶縁厚さＴ３は、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。第３絶縁厚さＴ３は、５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。

【0083】

有機絶縁膜５０は、電極側壁２１において第１電極膜２５、第２電極膜２６および第３電極膜２７を被覆している。有機絶縁膜５０は、平面視において電極側壁２１に沿って延びる帯状に形成されている。有機絶縁膜５０は、この形態では、平面視において第１主面電極２０の内方部を取り囲む環状に形成され、全周に亘って電極側壁２１を被覆している。有機絶縁膜５０は、具体的には、平面視において電極側壁２１（第１主面３の周縁）に平行な４辺を有する四角環状に形成されている。

【0084】

有機絶縁膜５０は、第１主面電極２０の縁部を被覆している。つまり、有機絶縁膜５０は、電極側壁２１から第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１側に向けて延び、電極側壁２１および内被覆部３１の間から露出した第１主面電極２０の周縁部を被覆している。有機絶縁膜５０は、具体的には、第１主面電極２０の引き出し部２３（突出部２４）を被覆している。有機絶縁膜５０は、さらに、引き出し部２３（突出部２４）の上から第１主面電極２０の本体部２２側に向けて延び、本体部２２の一部を被覆している。

【0085】

有機絶縁膜５０は、さらに、引き出し部２３（突出部２４）の上から第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１の上に向けて延び、内被覆部３１を被覆している。有機絶縁膜５０は、第１主面電極２０の内方部を露出させるように内被覆部３１を被覆している。有機絶縁膜５０は、具体的には、内被覆部３１の第１内壁部３４を露出させるように内被覆部３１を被覆している。有機絶縁膜５０は、さらに具体的には、第１内壁部３４から第１外壁部３５側に間隔を空けて内被覆部３１を被覆し、平面視において第１主面電極２０の内方部および内被覆部３１の縁部５１を露出させている。

【0086】

有機絶縁膜５０は、電極側壁２１から第２無機絶縁膜３０の外被覆部３２に向けて延び、第１無機絶縁膜１０において電極側壁２１および外被覆部３２の間から露出した部分を被覆している。有機絶縁膜５０は、電極側壁２１および外被覆部３２の間において第１無機絶縁膜１０を挟んでガード領域９に対向している。有機絶縁膜５０は、さらに、第１無機絶縁膜１０の上から外被覆部３２の上に向けて延び、外被覆部３２を被覆している。有機絶縁膜５０は、第１主面３（外側面１７）の周縁部を露出させるように、外被覆部３２を被覆している。

【0087】

有機絶縁膜５０は、具体的には、第２外壁部４１を露出させるように外被覆部３２を被覆している。有機絶縁膜５０は、さらに具体的には、第２外壁部４１から第２内壁部４０側に間隔を空けて外被覆部３２を被覆し、平面視において第１主面３（外側面１７）の周縁部および外被覆部３２の一部を露出させている。つまり、有機絶縁膜５０は、外側面１７を露出させるように外被覆部３２の第１部分３７および第２部分３８を被覆している。

【0088】

有機絶縁膜５０は、電極側壁２１側の第３内壁部５２、および、第３内壁部５２とは反対側（第１主面３の周縁部側）の第３外壁部５３を有している。第３内壁部５２は、第１主面電極２０の内方部を露出させる第２開口５４を区画している。第３内壁部５２（第２開口５４）は、内被覆部３１の第１内壁部３４（第１開口３６）に沿って延びている。第３内壁部５２は、この形態では、平面視において内被覆部３１の第１内壁部３４に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。

【0089】

第３内壁部５２は、第１内壁部３４から第１外壁部３５側に間隔を空けて内被覆部３１の上に形成され、第１主面電極２０の内方部および内被覆部３１の縁部５１を露出させている。つまり、第２開口５４は、第１主面電極２０の内方部および内被覆部３１の縁部５１を露出させている。縁部５１の露出幅ＷＥは、０μｍを超えて１０μｍ以下であってもよい。露出幅ＷＥは、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

【0090】

第３内壁部５２（第２開口５４）は、第１内壁部３４（第１開口３６）に連通し、第１内壁部３４（第１開口３６）と１つのパッド開口５５を形成している。第３内壁部５２は、有機絶縁膜５０の主面から第１内壁部３４に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。第３内壁部５２は、この形態では、内被覆部３１に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0091】

第３外壁部５３は、外側面１７を露出させるように、第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）から外被覆部３２側に間隔を空けて形成されている。第３外壁部５３は、外被覆部３２の第２外壁部４１を露出させている。第３外壁部５３は、具体的には、外被覆部３２の周縁部を露出させるように第２外壁部４１から第２内壁部４０側に間隔を空けて形成されている。第３外壁部５３は、外被覆部３２の第２部分３８の上に位置し、外被覆部３２を挟んで外側面１７に対向している。

【0092】

つまり、第３外壁部５３は、第１無機絶縁膜１０の外壁部１２（切欠き開口１４）および第１主面３の周縁の間に位置している。第３外壁部５３は、第２外壁部４１と共にダイシングストリート３９を区画している。第３外壁部５３は、この形態では、平面視において電極側壁２１に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。第３外壁部５３は、有機絶縁膜５０の主面から外被覆部３２の第２外壁部４１に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。第３外壁部５３は、この形態では、外被覆部３２に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0093】

このように、有機絶縁膜５０は、第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１および外被覆部３２に跨って形成され、内被覆部３１および外被覆部３２の間の除去部３３内において第１主面電極２０の電極側壁２１を被覆している。有機絶縁膜５０は、具体的には、除去部３３内において第１主面電極２０の電極側壁２１、第１主面電極２０の本体部２２の一部、第１主面電極２０の引き出し部２３（突出部２４）、および、第１無機絶縁膜１０の一部を被覆している。つまり、有機絶縁膜５０は、除去部３３内において、第１無機絶縁膜１０、第１主面電極２０および第２無機絶縁膜３０によって形成された凹凸を埋めている。

【0094】

ＳｉＣ半導体装置１は、第１主面電極２０の内方部の上に形成されたパッド電極６０を含む。パッド電極６０は、外部接続用の端子電極であり、この形態では、めっき膜からなる。パッド電極６０は、パッド開口５５内において第１主面電極２０の内方部の上に形成されたＮｉめっき膜６１を含む。Ｎｉめっき膜６１は、法線方向Ｚに関して有機絶縁膜５０の主面から第１主面電極２０側に間隔を空けて形成されている。Ｎｉめっき膜６１は、第１開口３６内において第１主面電極２０の本体部２２および内被覆部３１の第１内壁部３４を被覆している。

【0095】

Ｎｉめっき膜６１は、第１主面電極２０の本体部２２の上から内被覆部３１の縁部５１の上に引き出されている。これにより、Ｎｉめっき膜６１は、第２開口５４内において内被覆部３１の縁部５１を被覆するめっき被覆部６２を有している。めっき被覆部６２は、縁部５１の上において第１内壁部３４を起点に有機絶縁膜５０（第３内壁部５２）に向かう円弧状に形成されている。

【0096】

めっき被覆部６２は、この形態では、第２開口５４内において有機絶縁膜５０（第３内壁部５２）を被覆している。めっき被覆部６２は、有機絶縁膜５０の第３内壁部５２の中間部に対して第２無機絶縁膜３０側の領域を被覆している。換言すると、めっき被覆部６２は、第３内壁部５２の露出面積が第３内壁部５２の隠蔽面積を超えるように有機絶縁膜５０を被覆している。このように、めっき被覆部６２は、第１開口３６の全部および第２開口５４の一部を埋めている。

【0097】

Ｎｉめっき膜６１は、第１めっき厚さＴＰ１を有している。第１めっき厚さＴＰ１は、第１主面電極２０（本体部２２）の主面を基準とするＮｉめっき膜６１の厚さである。第１めっき厚さＴＰ１は、第２無機絶縁膜３０の第２絶縁厚さＴ２を超えている（Ｔ２＜ＴＰ１）。第１めっき厚さＴＰ１、有機絶縁膜５０の第３絶縁厚さＴ３未満（ＴＰ１＜Ｔ３）である。

【0098】

第１めっき厚さＴＰ１は、第２無機絶縁膜３０の第２絶縁厚さＴ２および第２無機絶縁膜３０の露出幅ＷＥの和（＝Ｔ２＋ＷＥ）を超えている（Ｔ２＋ＷＥ＜Ｔ４）。これは、Ｎｉめっき膜６１が第３内壁部５２に接するための１つの条件である。第１めっき厚さＴＰ１は、０．１μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。第１めっき厚さＴＰ１は、２μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。

【0099】

パッド電極６０は、Ｎｉめっき膜６１とは異なる金属材料からなり、Ｎｉめっき膜６１の外面を被覆する外めっき膜６３を含む。外めっき膜６３は、Ｎｉめっき膜６１の外面に沿って膜状に形成されている。外めっき膜６３は、第２開口５４内において有機絶縁膜５０の第３内壁部５２を被覆している。

【0100】

外めっき膜６３は、外部接続用の端子面６４を有している。端子面６４は、法線方向Ｚに関して、有機絶縁膜５０の主面（第２開口５４の開口端）に対してＮｉめっき膜６１側に位置している。これにより、外めっき膜６３は、有機絶縁膜５０の第３内壁部５２の一部を露出させている。外めっき膜６３は、第２めっき厚さＴＰ２を有している。第２めっき厚さＴＰ２は、Ｎｉめっき膜６１の第１めっき厚さＴＰ１未満（ＴＰ２＜ＴＰ１）である。

【0101】

外めっき膜６３は、この形態では、Ｎｉめっき膜６１側からこの順に積層されたＰｄめっき膜６５およびＡｕめっき膜６６を含む積層構造を有している。Ｐｄめっき膜６５は、Ｎｉめっき膜６１の外面に沿って膜状に形成されている。Ｐｄめっき膜６５は、法線方向Ｚに関して、第２開口５４の開口端から第２無機絶縁膜３０側に間隔を空けてＮｉめっき膜６１を被覆している。Ｐｄめっき膜６５は、第２開口５４内において有機絶縁膜５０の第３内壁部５２を被覆している。Ｐｄめっき膜６５の厚さは、０．０１μｍ以上１μｍ以下であってもよい。

【0102】

Ａｕめっき膜６６は、Ｐｄめっき膜６５の外面に沿って膜状に形成されている。Ａｕめっき膜６６は、法線方向Ｚに関して、第２開口５４の開口端から第２無機絶縁膜３０側に間隔を空けてＰｄめっき膜６５を被覆している。Ａｕめっき膜６６は、第２開口５４内において有機絶縁膜５０の第３内壁部５２を被覆している。Ａｕめっき膜６６の厚さは、０．０１μｍ以上１μｍ以下であってもよい。Ａｕめっき膜６６は、Ｐｄめっき膜６５の厚さ未満の厚さを有していることが好ましい。

【0103】

ＳｉＣ半導体装置１は、第２主面４を被覆する第２主面電極７０を含む。第２主面電極７０は、第２主面４の全域を被覆し、第１～第４側面５Ａ～５Ｄに連なっている。第２主面電極７０は、第１半導体領域６（第２主面４）に電気的に接続されている。第２主面電極７０は、具体的には、第１半導体領域６（第２主面４）とオーミック接触を形成している。

【0104】

第２主面電極７０は、この形態では、第２主面４側からこの順に積層されたＴｉ膜７１、Ｎｉ膜７２、Ｐｄ膜７３、Ａｕ膜７４およびＡｇ膜７５を含む。第２主面電極７０は、少なくともＴｉ膜７１を含んでいればよく、Ｎｉ膜７２、Ｐｄ膜７３、Ａｕ膜７４およびＡｇ膜７５の有無はそれぞれ任意である。第２主面電極７０は、一例として、Ｔｉ膜７１、Ｎｉ膜７２およびＡｕ膜７４を含む積層構造を有していてもよい。

【0105】

以上、ＳｉＣ半導体装置１（電子部品）は、第１無機絶縁膜１０（被覆対象）、第１主面電極２０（電極）、第２無機絶縁膜３０、および、有機絶縁膜５０を含む。第２無機絶縁膜３０は、第１無機絶縁膜１０を被覆し、第１無機絶縁膜１０の上に電極側壁２１を有している。第２無機絶縁膜３０は、電極側壁２１を露出させるように第１主面電極２０を被覆する内被覆部３１を有している。有機絶縁膜５０は、電極側壁２１を被覆している。

【0106】

電子部品は、用途に応じて様々な環境下で使用されるため、様々な使用環境条件に適合した耐久性が求められる。とりわけ、電子部品の一例としてのＳｉＣ半導体装置１は、ＳｉＣの物性（電気的特性）上、ハイブリッド車、電気自動車、燃料電池自動車等のモータを駆動源とする車両等に搭載される。そのため、ＳｉＣ半導体装置１では、過酷な使用環境条件に適合する優れた耐久性が求められる。電子部品の耐久性は、たとえば、高温高湿バイアス試験によって評価される。高温高湿バイアス試験では、高温高湿環境下に曝された状態で、電子部品の電気的動作が評価される。

【0107】

高温環境下では、第１主面電極２０の熱膨張に起因する応力が第１主面電極２０の電極側壁２１の近傍で集中する。第２無機絶縁膜３０が第１主面電極２０の電極側壁２１を被覆している場合、第１主面電極２０の応力に起因して第２無機絶縁膜３０が電極側壁２１から剥離し、信頼性が低下する可能性がある。第２無機絶縁膜３０の剥離が生じた場合、高湿環境下では、第２無機絶縁膜３０の剥離部に侵入した水分（湿気）に起因して第１主面電極２０等が酸化し、信頼性がさらに低下する可能性がある。

【0108】

そこで、ＳｉＣ半導体装置１では、電極側壁２１を露出させるように第２無機絶縁膜３０が形成されている。これにより、第１主面電極２０の応力に起因する第２無機絶縁膜３０の剥離起点を削減できる。その結果、第１主面電極２０の応力に起因する第２無機絶縁膜３０の剥離を抑制できる。よって、第１主面電極２０を第２無機絶縁膜３０によって適切に保護できる。

【0109】

一方、有機絶縁膜５０は、電極側壁２１を被覆している。有機絶縁膜５０は、第２無機絶縁膜３０と比較して低い硬度を有している。したがって、第１主面電極２０に応力が生じたとしても、当該応力を弾性的に吸収できる。これにより、電極側壁２１からの有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。その結果、電極側壁２１を有機絶縁膜５０によって保護できる。よって、信頼性を向上できるＳｉＣ半導体装置１を提供できる。ＳｉＣ半導体装置１では、第１主面電極２０やその周辺の信頼性が特に向上する。

【0110】

有機絶縁膜５０は、内被覆部３１を被覆していることが好ましい。この構造によれば、第１主面電極２０からの第２無機絶縁膜３０の剥離を抑制できるので、第２無機絶縁膜３０の剥離に起因する有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。したがって、内被覆部３１を被覆する有機絶縁膜５０を形成することによって、第２無機絶縁膜３０および有機絶縁膜５０の双方によって第１主面電極２０を保護できる。

【0111】

内被覆部３１は、第１主面電極２０の周縁部を露出させるように電極側壁２１から間隔を空けて第１主面電極２０を被覆していることが好ましい。この構造によれば、内被覆部３１に対する第１主面電極２０の応力の影響を低減できる。この場合、内被覆部３１は、引き出し部２３（突出部２４）を露出させていることが好ましい。この構造によれば、内被覆部３１に対する引き出し部２３（突出部２４）の応力の影響を低減できる。

【0112】

これらの場合、有機絶縁膜５０は、第１主面電極２０において電極側壁２１および内被覆部３１の間から露出した部分を被覆していることが好ましい。この構造によれば、第１主面電極２０において第２無機絶縁膜３０から露出した部分を有機絶縁膜５０によって保護できる。内被覆部３１は、第１主面電極２０の内方部を露出させていることが好ましい。この構造によれば、第１主面電極２０のコンタクト部を確保できる。この場合、内被覆部３１は、第１主面電極２０の内方部を取り囲んでいることが好ましい。

【0113】

第２無機絶縁膜３０は、第１主面電極２０の電極側壁２１を露出させるように第１無機絶縁膜１０を被覆する外被覆部３２を有していることが好ましい。この構造によれば、第１主面電極２０外の領域において、第１主面電極２０の応力に起因する第１無機絶縁膜１０からの第２無機絶縁膜３０の剥離を抑制できる。これにより、第１主面電極２０外の領域から第２無機絶縁膜３０によって第１主面電極２０を保護できる。

【0114】

有機絶縁膜５０は、外被覆部３２を被覆していることが好ましい。この構造によれば、第１無機絶縁膜１０からの第２無機絶縁膜３０の剥離を抑制できるので、第２無機絶縁膜３０の剥離に起因する有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。したがって、外被覆部３２を被覆する有機絶縁膜５０を形成することによって、第２無機絶縁膜３０および有機絶縁膜５０の双方によって第１主面電極２０を保護できる。

【0115】

外被覆部３２は、第１主面電極２０の電極側壁２１から間隔を空けて第１無機絶縁膜１０を被覆していることが好ましい。この構造によれば、外被覆部３２に対する第１主面電極２０の応力の影響を低減できる。有機絶縁膜５０は、第１無機絶縁膜１０において電極側壁２１および外被覆部３２の間から露出した部分を被覆していることが好ましい。この構造によれば、第１無機絶縁膜１０において電極側壁２１および外被覆部３２の間から露出した部分を有機絶縁膜５０によって保護できる。外被覆部３２は、平面視において第１主面電極２０を取り囲んでいることが好ましい。この構造によれば、第１主面電極２０外の領域から第２無機絶縁膜３０によって第１主面電極２０を適切に保護できる。

【0116】

ＳｉＣ半導体装置１（電子部品）は、第１主面電極２０（電極）、第２無機絶縁膜３０、有機絶縁膜５０、および、パッド電極６０を含む。第１主面電極２０は、電極側壁２１を有している。第２無機絶縁膜３０は、第１主面電極２０の内方部および第１主面電極２０の電極側壁２１を露出させるように第１主面電極２０を被覆している。

【0117】

有機絶縁膜５０は、第１主面電極２０の電極側壁２１を被覆し、第１主面電極２０の内方部を露出させている。パッド電極６０は、第１主面電極２０の内方部の上に形成されている。この構造によれば、第２無機絶縁膜３０の剥離を抑制できる。したがって、第２無機絶縁膜３０の剥離に起因するパッド電極６０の剥離も抑制できる。よって、信頼性を向上できるＳｉＣ半導体装置１を提供できる。ＳｉＣ半導体装置１では、第１主面電極２０やその周辺の信頼性が特に向上する。

【0118】

第２無機絶縁膜３０は、平面視において電極側壁２１に沿って帯状に延びていることが好ましい。この場合、第２無機絶縁膜３０は、平面視において第１主面電極２０の内方部を取り囲んでいることが特に好ましい。この構造によれば、第２無機絶縁膜３０によって第１主面電極２０を適切に保護できる。

【0119】

パッド電極６０は、第２無機絶縁膜３０に接していることが好ましい。この構造によれば、第２無機絶縁膜３０の剥離を抑制できるから、第２無機絶縁膜３０に接するパッド電極６０を適切に形成できる。これにより、下地に対するパッド電極６０の接続面積を適切に増加させることができるから、パッド電極６０の剥離を適切に抑制できる。

【0120】

有機絶縁膜５０は、第１主面電極２０の上において第２無機絶縁膜３０を被覆していることが好ましい。この構造によれば、第１主面電極２０からの第２無機絶縁膜３０の剥離を抑制できるので、第２無機絶縁膜３０の剥離に起因する有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。したがって、内被覆部３１を被覆する有機絶縁膜５０を形成することによって、第２無機絶縁膜３０および有機絶縁膜５０の双方によって第１主面電極２０およびパッド電極６０を保護できる。

【0121】

この構造において、パッド電極６０は、有機絶縁膜５０に接していることが好ましい。この構造によれば、有機絶縁膜５０の剥離を抑制できるので、有機絶縁膜５０の剥離に起因するパッド電極６０の剥離を抑制できる。また、下地に対するパッド電極６０の接続面積を増加させることができるから、パッド電極６０の剥離を抑制できる。

【0122】

有機絶縁膜５０は、第１主面電極２０の内方部側において第２無機絶縁膜３０の縁部５１を露出させるように第２無機絶縁膜３０を被覆していることが好ましい。この場合、パッド電極６０は、第２無機絶縁膜３０の縁部５１を被覆していることが好ましい。この構造によれば、下地に対するパッド電極６０の接続面積を増加させることができるから、パッド電極６０の剥離を適切に抑制できる。

【0123】

この場合、パッド電極６０は、Ｎｉめっき膜６１を含むことが好ましい。Ｎｉめっき膜６１は、第２無機絶縁膜３０に対して良好な密着性を有している。したがって、第２無機絶縁膜３０の縁部５１を被覆するＮｉめっき膜６１を形成することによって、パッド電極６０の剥離を適切に抑制できる。

【0124】

Ｎｉめっき膜６１は、有機絶縁膜５０の第３内壁部５２の中間部に対して第２無機絶縁膜３０側の領域を被覆していることが好ましい。つまり、Ｎｉめっき膜６１は、第３内壁部５２の隠蔽面積が第３内壁部５２の露出面積未満になるように有機絶縁膜５０を被覆していることが好ましい。

【0125】

パッド電極６０は、Ｎｉめっき膜６１の外面を被覆する外めっき膜６３を含んでいてもよい。この構造によれば、Ｎｉめっき膜６１の剥離を抑制できるので、Ｎｉめっき膜６１の剥離に起因する外めっき膜６３の剥離を抑制できる。よって、外めっき膜６３によってＮｉめっき膜６１を適切に被覆できる。外めっき膜６３は、Ｐｄめっき膜６５およびＡｕめっき膜６６のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。

【0126】

第２無機絶縁膜３０は、図５Ａ～図５Ｆに示される種々の形態を採り得る。図５Ａは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置１の内部構造を第２形態例に係る第２無機絶縁膜３０と共に示す平面図である。以下、図１～図４に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0127】

図５Ａを参照して、第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１は、第１主面電極２０を露出させる内開口部７６を有している。内開口部７６は、第１内壁部３４および第１外壁部３５から間隔を空けて内被覆部３１の内方部に形成されている。内開口部７６は、第１内壁部３４および第１外壁部３５に沿って延びる帯状に形成されている。内開口部７６は、この形態では、第１内壁部３４および第１外壁部３５に沿って延びる環状（具体的には四角環状）に形成されている。内開口部７６は、第１主面電極２０の引き出し部２３（突出部２４）から間隔を空けて第１主面電極２０の本体部２２を露出させている。

【0128】

有機絶縁膜５０は、内被覆部３１の上から内開口部７６に入り込み、第１主面電極２０において内開口部７６から露出した部分を被覆している。有機絶縁膜５０において第２無機絶縁膜３０の内開口部７６内に位置する部分は、アンカー部を形成している。これにより、第２無機絶縁膜３０に対する有機絶縁膜５０の接触面積が増加し、第２無機絶縁膜３０からの有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。

【0129】

図５Ｂは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置１の内部構造を第３形態例に係る第２無機絶縁膜３０と共に示す平面図である。以下、図１～図４に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0130】

図５Ｂを参照して、第２無機絶縁膜３０の外被覆部３２は、第１無機絶縁膜１０を露出させる外開口部７７を有している。外開口部７７は、第２内壁部４０および第２外壁部４１から間隔を空けて外被覆部３２の内方部に形成されている。外開口部７７は、第２内壁部４０および第２外壁部４１に沿って延びる帯状に形成されている。外開口部７７は、この形態では、第２内壁部４０および第２外壁部４１に沿って延びる環状（具体的には四角環状）に形成されている。

【0131】

有機絶縁膜５０は、外被覆部３２の上から外開口部７７に入り込み、第１無機絶縁膜１０において外開口部７７から露出した部分を被覆している。有機絶縁膜５０において外開口部７７内に位置する部分は、アンカー部を形成している。これにより、第２無機絶縁膜３０に対する有機絶縁膜５０の接触面積が増加し、第２無機絶縁膜３０からの有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。

【0132】

図５Ｃは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置１の内部構造を第４形態例に係る第２無機絶縁膜３０と共に示す平面図である。以下、図１～図４に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0133】

図５Ｃを参照して、第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１は、第１主面電極２０を露出させる内開口部７６を有している（図５Ａも併せて参照）。第２無機絶縁膜３０の外被覆部３２は、第１無機絶縁膜１０を露出させる外開口部７７を有している（図５Ｂも併せて参照）。有機絶縁膜５０において内開口部７６内に位置する部分、および、外開口部７７内に位置する部分は、アンカー部をそれぞれ形成している。これにより、第１主面電極２０の内方部および外方部において第２無機絶縁膜３０からの有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。

【0134】

図５Ｄは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置１の内部構造を第５形態例に係る第２無機絶縁膜３０と共に示す平面図である。以下、図１～図４に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0135】

図５Ｄを参照して、第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１は、第１主面電極２０を露出させる複数の内開口部７６を有している。複数の内開口部７６は、第１内壁部３４および第１外壁部３５から間隔を空けて内被覆部３１の内方部にそれぞれ形成されている。複数の内開口部７６は、第１内壁部３４（第１外壁部３５）に沿って間隔を空けて形成されている。

【0136】

各内開口部７６は、この形態では、平面視において第１内壁部３４に沿って延びる帯状に形成されている。各内開口部７６の平面形状は任意である。各内開口部７６は、平面視において多角形状や円形状に形成されていてもよい。各内開口部７６は、第１主面電極２０の引き出し部２３（突出部２４）から間隔を空けて第１主面電極２０の本体部２２を露出させている。

【0137】

第２無機絶縁膜３０の外被覆部３２は、第１無機絶縁膜１０を露出させる複数の外開口部７７を有している。複数の外開口部７７は、第２内壁部４０および第２外壁部４１から間隔を空けて外被覆部３２の内方部にそれぞれ形成されている。複数の外開口部７７は、第２内壁部４０（第２外壁部４１）に沿って間隔を空けて形成されている。各外開口部７７は、この形態では、平面視において第２内壁部４０に沿って延びる帯状に形成されている。各外開口部７７の平面形状は任意である。各外開口部７７は、平面視において多角形状や円形状に形成されていてもよい。

【0138】

有機絶縁膜５０において複数の内開口部７６内に位置する部分、および、複数の外開口部７７内に位置する部分は、アンカー部をそれぞれ形成している。これにより、第２無機絶縁膜３０に対する有機絶縁膜５０の接触面積が増加し、第２無機絶縁膜３０からの有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。

【0139】

この形態では、内被覆部３１が複数の内開口部７６を有し、外被覆部３２が複数の外開口部７７を有している例が説明された。しかし、内被覆部３１は、有端状に形成された１つの内開口部７６のみを有していてもよい。また、外被覆部３２は、有端状に形成された１つの外開口部７７のみを有していてもよい。また、外被覆部３２が外開口部７７を有さない一方で、内被覆部３１が少なくとも１つの内開口部７６を有していてもよい。また、内被覆部３１が内開口部７６を有さない一方で、外被覆部３２が少なくとも１つの外開口部７７を有していてもよい。

【0140】

図５Ｅは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置１の内部構造を第６形態例に係る第２無機絶縁膜３０と共に示す平面図である。以下、図１～図４に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0141】

図５Ｅを参照して、第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１は、第１主面電極２０の角部（四隅）を露出させるように第１主面電極２０の上に形成されている。内被覆部３１は、具体的には、第１形態例に係る内被覆部３１（図２参照）の角部（四隅）を除去した形態を有し、第１主面電極２０の角部（四隅）を露出させている。つまり、内被覆部３１は、第１主面電極２０の上に間隔を空けて形成された複数の内セグメント部７８を含む。各内セグメント部７８は、電極側壁２１の各辺に対して一対一の対応関係で形成され、電極側壁２１の各辺に沿って帯状に延びている。

【0142】

第２無機絶縁膜３０の外被覆部３２は、第１無機絶縁膜１０において第１主面電極２０の角部に沿う部分を露出させるように第１無機絶縁膜１０の上に形成されている。外被覆部３２は、具体的には、第１形態例に係る外被覆部３２（図２参照）の角部（四隅）を除去した形態を有し、第１無機絶縁膜１０において第１主面電極２０の角部に沿う部分を露出させている。つまり、外被覆部３２は、第１無機絶縁膜１０の上に形成された複数の外セグメント部７９を含む。各外セグメント部７９は、電極側壁２１の各辺に対して一対一の対応関係で形成され、電極側壁２１の各辺に沿って帯状に延びている。

【0143】

有機絶縁膜５０は、第１主面電極２０の上において、内被覆部３１の複数の内セグメント部７８を被覆している。また、有機絶縁膜５０は、第１主面電極２０の角部（四隅）を被覆している。有機絶縁膜５０は、第１無機絶縁膜１０の上において、外被覆部３２の複数の外セグメント部７９を被覆している。また、有機絶縁膜５０は、第１無機絶縁膜１０において第１主面電極２０の角部に沿う部分を被覆している。

【0144】

このような構造によっても、第２無機絶縁膜３０に対する有機絶縁膜５０の接触面積を増加させることができる。よって、第２無機絶縁膜３０からの有機絶縁膜５０の剥離を抑制できる。第１主面電極２０の角部（四隅）では、熱膨張に起因する応力が集中しやすい。したがって、第１主面電極２０の角部（四隅）を露出させるように第２無機絶縁膜３０を形成することによって、第２無機絶縁膜３０に対する第１主面電極２０の応力の影響を低減できる。

【0145】

この形態では、内被覆部３１が４つの内セグメント部７８を有し、外被覆部３２が４つの外セグメント部７９を有している例が説明された。しかし、内被覆部３１は、有端状に形成された少なくとも１つの内セグメント部７８を有していてもよい。また、外被覆部３２は、有端状に形成された少なくとも１つの外セグメント部７９を有していてもよい。また、外被覆部３２が外セグメント部７９を有さない一方で、内被覆部３１が少なくとも１つの内セグメント部７８を有していてもよい。また、内被覆部３１が内セグメント部７８を有さない一方で、外被覆部３２が少なくとも１つの外セグメント部７９を有していてもよい。

【0146】

図５Ｆは、図２に対応し、ＳｉＣ半導体装置１の内部構造を第７形態例に係る第２無機絶縁膜３０と共に示す平面図である。以下、図１～図４に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0147】

図５Ｆを参照して、第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１は、第６形態例に係る第２無機絶縁膜３０と同様に、第１主面電極２０の角部（四隅）を露出させる複数の内セグメント部７８を含む。複数の内セグメント部７８は、この形態では、電極側壁２１の各辺に対して一対多の対応関係で形成され、電極側壁２１の各辺に沿って間隔を空けて形成されている。各内セグメント部７８の平面形状は任意である。各内セグメント部７８は、平面視において四角形状、多角形状、円形状等に形成されていてもよい。

【0148】

第２無機絶縁膜３０の外被覆部３２は、第６形態例に係る第２無機絶縁膜３０と同様に、第１無機絶縁膜１０おいて第１主面電極２０の角部に沿う部分を露出させる複数の外セグメント部７９を含む。複数の外セグメント部７９は、この形態では、電極側壁２１の各辺に対して一対多の対応関係で形成され、電極側壁２１の各辺に沿って間隔を空けて形成されている。各外セグメント部７９の平面形状は任意である。各外セグメント部７９は、平面視において四角形状、多角形状、円形状等に形成されていてもよい。

【0149】

この形態では、内被覆部３１が複数の内セグメント部７８を有し、外被覆部３２が複数の外セグメント部７９を有している例が説明された。しかし、外被覆部３２が外セグメント部７９を有さない一方で、内被覆部３１が複数の内セグメント部７８を有していてもよい。また、内被覆部３１が内セグメント部７８を有さない一方で、外被覆部３２が複数の外セグメント部７９を有していてもよい。

【0150】

図６Ａ～図６Ｎは、図１に示すＳｉＣ半導体装置１の製造方法の一例を説明するための断面図である。

【0151】

図６Ａを参照して、第１半導体領域６のベースとなるＳｉＣウエハ８１（ウエハ／半導体ウエハ）が用意される。次に、エピタキシャル成長法によって、ＳｉＣウエハ８１の一方面から半導体結晶（この形態ではＳｉＣ）が結晶成長される。これにより、所定のｎ型不純物濃度を有する第３半導体領域８および所定のｎ型不純物濃度を有する第２半導体領域７が、ＳｉＣウエハ８１の上にこの順に形成される。第３半導体領域８および第２半導体領域７は、この形態では、ＳｉＣエピタキシャル層からそれぞれなる。

【0152】

以下では、第１半導体領域６（ＳｉＣウエハ８１）、第３半導体領域８および第２半導体領域７を含むウエハ構造物をＳｉＣエピウエハ８２という。ＳｉＣエピウエハ８２は、一方側の第１ウエハ主面８３および他方側の第２ウエハ主面８４を有している。第１ウエハ主面８３および第２ウエハ主面８４は、ＳｉＣチップ２の第１主面３および第２主面４にそれぞれ対応している。

【0153】

次に、複数のデバイス領域８５、および、複数のデバイス領域８５を区画する切断予定ライン８６が、第１ウエハ主面８３に設定される。複数のデバイス領域８５は、たとえば、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて行列状に設定される。切断予定ライン８６は、平面視において複数のデバイス領域８５の配列に応じた格子状に設定される。図６Ａでは、１つのデバイス領域８５が示され、切断予定ライン８６が一点鎖線によって示されている（以下、図６Ｂ～図６Ｎにおいて同じ。）。

【0154】

次に、図６Ｂを参照して、第１無機絶縁膜１０のベースとなる第１ベース絶縁膜８７が、第１ウエハ主面８３の上に形成される。第１ベース絶縁膜８７は、この形態では、酸化シリコン膜からなる。第１ベース絶縁膜８７は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法および／または熱酸化処理法によって形成されてもよい。第１ベース絶縁膜８７は、この形態では、熱酸化処理法によって形成される。

【0155】

つまり、第１ベース絶縁膜８７は、ＳｉＣエピウエハ８２（具体的には第２半導体領域７）の酸化物を含むフィールド酸化膜からなる。第１ベース絶縁膜８７は、第１ウエハ主面８３の近傍のｎ型不純物を吸収しながら成長する。したがって、第１ベース絶縁膜８７は第２半導体領域７のｎ型不純物を含む。

【0156】

次に、図６Ｃを参照して、第１ベース絶縁膜８７の上に、所定パターンを有する第１レジストマスク８８が形成される。第１レジストマスク８８は、第１ウエハ主面８３においてガード領域９を形成すべき領域を露出させる開口を有している。次に、第１レジストマスク８８を介するイオン注入法によって第１ウエハ主面８３の表層部にｐ型不純物が導入される。ｐ型不純物は、第１ベース絶縁膜８７を介して第１ウエハ主面８３の表層部に導入される。これにより、ガード領域９が形成される。ガード領域９の形成後、第１レジストマスク８８は除去される。

【0157】

次に、図６Ｄを参照して、第１ベース絶縁膜８７の上に、所定パターンを有する第２レジストマスク８９が形成される。第２レジストマスク８９は、第１ベース絶縁膜８７において第１無機絶縁膜１０を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口を有している。次に、第２レジストマスク８９を介するエッチング法によって、第１ベース絶縁膜８７の不要な部分が除去される。

【0158】

エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。第１ベース絶縁膜８７は、第１ウエハ主面８３が露出するまで除去される。これにより、コンタクト開口１３および切欠き開口１４を有し、かつ、第１ウエハ主面８３において隠蔽面１５、活性面１６および外側面１７を区画する第１無機絶縁膜１０が形成される。

【0159】

この工程では、第１ウエハ主面８３において第１無機絶縁膜１０から露出する部分も部分的に除去される。つまり、活性面１６の表層部および外側面１７の表層部が部分的に除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、隠蔽面１５に対して第２半導体領域７の底部側に窪んだ活性面１６および外側面１７が形成される。

【0160】

次に、図６Ｅを参照して、第１主面電極２０のベースとなるベース電極膜９０が、第１ウエハ主面８３の上に形成される。ベース電極膜９０は、第１無機絶縁膜１０の全域を被覆するように第１ウエハ主面８３の上に形成される。ベース電極膜９０は、コンタクト開口１３から露出する活性面１６とショットキ接合を形成する。

【0161】

ベース電極膜９０は、第１ウエハ主面８３側からこの順に積層された第１電極膜２５、第２電極膜２６および第３電極膜２７を含む積層構造を有している。第１電極膜２５は、第１ウエハ主面８３とショットキ接合を形成する種々の金属によって形成される。第１電極膜２５は、この形態では、チタン膜からなる。第２電極膜２６は、Ｔｉ系金属膜（この形態では窒化チタン膜）からなる。

【0162】

第３電極膜２７は、Ｃｕ系金属膜またはＡｌ系金属膜（この形態ではＡｌＣｕ合金膜）からなる。第１電極膜２５、第２電極膜２６および第３電極膜２７は、スパッタ法、蒸着法およびめっき法のうちの少なくとも１つの方法によって形成されてもよい。第１電極膜２５、第２電極膜２６および第３電極膜２７は、この形態では、スパッタ法によってそれぞれ形成されている。

【0163】

次に、図６Ｆを参照して、所定パターンを有する第３レジストマスク９１が、ベース電極膜９０の上に形成される。第３レジストマスク９１は、ベース電極膜９０において第１主面電極２０を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口を有している。次に、第３レジストマスク９１を介するエッチング法によってベース電極膜９０の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、第１主面電極２０が形成される。第１主面電極２０の形成後、第３レジストマスク９１は除去される。

【0164】

次に、図６Ｇを参照して、第２無機絶縁膜３０のベースとなる第２ベース絶縁膜９２が、第１無機絶縁膜１０および第１主面電極２０を被覆するように第１ウエハ主面８３の上に形成される。第２ベース絶縁膜９２は、この形態では、窒化シリコン膜からなる。第２ベース絶縁膜９２は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。

【0165】

次に、図６Ｈを参照して、所定パターンを有する第４レジストマスク９３が、第２ベース絶縁膜９２の上に形成される。第４レジストマスク９３は、第２ベース絶縁膜９２において第２無機絶縁膜３０を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口を有している。第４レジストマスク９３は、具体的には、第２ベース絶縁膜９２において第２無機絶縁膜３０の内被覆部３１および外被覆部３２となる部分を被覆し、第２ベース絶縁膜９２において第２無機絶縁膜３０の除去部３３およびダイシングストリート３９となる部分を露出させている。

【0166】

次に、第４レジストマスク９３を介するエッチング法によって第２ベース絶縁膜９２の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、内被覆部３１、外被覆部３２および除去部３３を有する第２無機絶縁膜３０が形成される。第２無機絶縁膜３０の外被覆部３２は、第１ウエハ主面８３の上において切断予定ライン８６を露出させるダイシングストリート３９を区画する。第２無機絶縁膜３０の形成後、第４レジストマスク９３は除去される。

【0167】

次に、図６Ｉを参照して、有機絶縁膜５０が、第１主面電極２０、第１無機絶縁膜１０および第２無機絶縁膜３０を被覆するように第１ウエハ主面８３の上に形成される。有機絶縁膜５０は、感光性樹脂を第１ウエハ主面８３の上に塗布することによって形成される。有機絶縁膜５０は、この形態では、ポリイミド膜からなる。

【0168】

次に、図６Ｊを参照して、有機絶縁膜５０が、第２開口５４およびダイシングストリート３９に対応したパターンで露光された後、現像される。これにより、第１主面電極２０を露出させる第２開口５４、および、切断予定ライン８６に沿って格子状に延びるダイシングストリート３９が有機絶縁膜５０に形成される。

【0169】

次に、図６Ｋを参照して、パッド電極６０が第１主面電極２０において第１開口３６および第２開口５４から露出する部分の上に形成される。パッド電極６０は、この形態では、第１主面電極２０側からこの順に積層されたＮｉめっき膜６１、Ｐｄめっき膜６５およびＡｕめっき膜６６を含む。Ｎｉめっき膜６１、Ｐｄめっき膜６５およびＡｕめっき膜６６は、電解めっき法または無電解めっき法（この形態では無電解めっき法）によってそれぞれ形成される。

【0170】

次に、図６Ｌを参照して、ＳｉＣエピウエハ８２が、第２ウエハ主面８４に対する研削によって所望の厚さになるまで薄化される。研削工程は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法によって実施されてもよい。これにより、第２ウエハ主面８４に研削痕が形成される。第２ウエハ主面８４の研削工程は必ずしも実施される必要はなく、必要に応じて省略されてもよい。

【0171】

ただし、第１半導体領域６の薄化は、ＳｉＣチップ２の抵抗値を削減する上で有効である。第２ウエハ主面８４の研削工程後、第２ウエハ主面８４に対してアニール処理が実施されてもよい。アニール処理は、レーザ照射法によって実施されてもよい。これにより、第２ウエハ主面８４（第２主面４）が、研削痕およびレーザ照射痕を有するオーミック面となる。

【0172】

次に、図６Ｍを参照して、第２主面電極７０が、第２ウエハ主面８４の上に形成される。第２主面電極７０は、第２ウエハ主面８４とオーミック接触を形成する。第２主面電極７０は、第２ウエハ主面８４側からこの順に積層されたＴｉ膜７１、Ｎｉ膜７２、Ｐｄ膜７３、Ａｕ膜７４およびＡｇ膜７５を含む積層構造を有している。Ｔｉ膜７１、Ｎｉ膜７２、Ｐｄ膜７３、Ａｕ膜７４およびＡｇ膜７５は、スパッタ法、蒸着法およびめっき法のうちの少なくとも１つの方法（この形態ではスパッタ法）によって形成されてもよい。

【0173】

次に、図６Ｎを参照して、ＳｉＣエピウエハ８２が、切断予定ライン８６に沿って切断される。ＳｉＣエピウエハ８２の切断工程は、ダイシングブレードによる切削工程を含んでいてもよい。この場合、ＳｉＣエピウエハ８２は、ダイシングストリート３９によって区画された切断予定ライン８６に沿って切断される。ダイシングブレードは、ダイシングストリート３９の幅未満のブレード幅を有していることが好ましい。第１無機絶縁膜１０、第２無機絶縁膜３０および有機絶縁膜５０は、切断予定ライン８６上に位置していないので、ダイシングブレードによる切削から免れる。

【0174】

ＳｉＣエピウエハ８２の切断工程は、レーザ光照射法を利用した劈開工程を含んでいてもよい。この場合、レーザ光照射装置（図示せず）からダイシングストリート３９を介してＳｉＣエピウエハ８２の内部にレーザ光が照射される。レーザ光は、第２主面電極７０を有さない第１ウエハ主面８３側からＳｉＣエピウエハ８２の内部にパルス状に照射されることが好ましい。レーザ光の集光部（焦点）はＳｉＣエピウエハ８２の内部（厚さ方向途中部）に設定され、レーザ光の照射位置はダイシングストリート３９（具体的には切断予定ライン８６）に沿って移動される。

【0175】

これにより、平面視においてダイシングストリート３９に沿って格子状に延びる改質層が、ＳｉＣエピウエハ８２の内部に形成される。改質層は、ＳｉＣエピウエハ８２の内部において第１ウエハ主面８３から間隔を空けて形成されることが好ましい。改質層は、ＳｉＣエピウエハ８２の内部において第１半導体領域６（ＳｉＣウエハ８１）からなる部分に形成されることが好ましい。改質層は、第２半導体領域７（ＳｉＣエピタキシャル層）から間隔を空けて第１半導体領域６（ＳｉＣウエハ８１）に形成されることが特に好ましい。改質層は、第２半導体領域７（ＳｉＣエピタキシャル層）に形成されないことが最も好ましい。

【0176】

改質層の形成工程後、ＳｉＣエピウエハ８２に外力が加えられ、改質層を起点にＳｉＣエピウエハ８２が劈開される。外力は第２ウエハ主面８４側からＳｉＣエピウエハ８２に加えられることが好ましい。第２主面電極７０は、ＳｉＣエピウエハ８２の劈開と同時に劈開される。第１無機絶縁膜１０、第２無機絶縁膜３０および有機絶縁膜５０は、切断予定ライン８６上に位置していないので、劈開から免れる。以上を含む工程を経て、ＳｉＣ半導体装置１が製造される。

【0177】

図７は、図４に対応し、本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１０１を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0178】

図７を参照して、第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１０１では、Ｎｉめっき膜６１のめっき被覆部６２が、有機絶縁膜５０の第３内壁部５２から間隔を空けて内被覆部３１の縁部５１を被覆している。めっき被覆部６２は、縁部５１の一部および第３内壁部５２の全域を露出させている。めっき被覆部６２は、縁部５１の上において第１内壁部３４を起点に第３内壁部５２に向かう円弧状に形成されている。

【0179】

Ｎｉめっき膜６１の第１めっき厚さＴＰ１は、この形態では、第２無機絶縁膜３０の第２絶縁厚さＴ２および第２無機絶縁膜３０の露出幅ＷＥの和（＝Ｔ２＋ＷＥ）未満（Ｔ２＋ＷＥ＞ＴＰ１）である。これは、Ｎｉめっき膜６１が第３内壁部５２に接しないための１つの条件である。一方、外めっき膜６３は、この形態では、第２開口５４内において第３内壁部５２から間隔を空けて縁部５１を被覆している。外めっき膜６３は、縁部５１の一部および第３内壁部５２の全域を露出させている。

【0180】

以上、ＳｉＣ半導体装置１０１によってもＳｉＣ半導体装置１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。この形態では、第３内壁部５２の全域を露出させる外めっき膜６３が形成された例が説明された。しかし、第３内壁部５２の一部を被覆する外めっき膜６３が形成されてもよい。この場合、Ｐｄめっき膜６５およびＡｕめっき膜６６のいずれか一方または双方が第３内壁部５２の一部を被覆していてもよい。

【0181】

図８は、図４に対応し、本発明の第３実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１１１を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0182】

図８を参照して、第３実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１１１では、第１無機絶縁膜１０が第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なっている。したがって、第１無機絶縁膜１０は、第１主面３において外側面１７を区画していない。第１無機絶縁膜１０は、第１主面３において隠蔽面１５および活性面１６のみを区画している。第２無機絶縁膜３０において、外被覆部３２の全体は、第１無機絶縁膜１０の上に形成されている。

【0183】

外被覆部３２の第２外壁部４１は、この形態では、平面視においてガード領域９の外縁部および第１主面３の周縁の間の領域に形成され、第１無機絶縁膜１０の周縁部を露出させている。これにより、外被覆部３２は、第１無機絶縁膜１０を挟んで第２半導体領域７およびガード領域９に対向している。第２外壁部４１は、第１主面３の周縁との間で第１無機絶縁膜１０の周縁部を露出させるダイシングストリート３９を区画している。

【0184】

以上、ＳｉＣ半導体装置１１１によってもＳｉＣ半導体装置１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。

【0185】

図９は、図４に対応し、本発明の第４実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１２１を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0186】

図９を参照して、第４実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１２１では、第１無機絶縁膜１０が第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なっている。したがって、第１無機絶縁膜１０は、第１主面３において外側面１７を区画していない。第１無機絶縁膜１０は、第１主面３において隠蔽面１５および活性面１６のみを区画している。

【0187】

第２無機絶縁膜３０は、第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なるように第１無機絶縁膜１０の上に形成されている。したがって、第２無機絶縁膜３０は、この形態では、第１主面３の周縁との間でダイシングストリート３９を区画していない。有機絶縁膜５０（第３外壁部５３）は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第２無機絶縁膜３０が露出したダイシングストリート３９を区画している。

【0188】

以上、ＳｉＣ半導体装置１２１によってもＳｉＣ半導体装置１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。

【0189】

図１０は、図４に対応し、本発明の第５実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１３１を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0190】

図１０を参照して、第５実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１３１では、活性面１６および外側面１７が隠蔽面１５とほぼ同一平面上に位置している。このような形態を有する隠蔽面１５、活性面１６および外側面１７は、たとえば、前述の第１ベース絶縁膜８７の形成工程（図６Ｂ参照）において、第１ベース絶縁膜８７をＣＶＤ法によって形成することによって形成される。この場合、第１ウエハ主面８３の酸化が抑制されるため、前述の第１ベース絶縁膜８７の除去工程（図６Ｄ参照）において第１ウエハ主面８３が部分的に除去されることを抑制できる。

【0191】

以上、ＳｉＣ半導体装置１３１によってもＳｉＣ半導体装置１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。活性面１６および外側面１７が隠蔽面１５とほぼ同一平面上に位置する形態は、第１実施形態の他、第２～第４実施形態にも適用できる。

【0192】

図１１は、本発明の第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置２０１を示す平面図である。図１２は、図１１に示すＳｉＣ半導体装置２０１の内部構造を第１形態例に係る第２無機絶縁膜３２０と共に示す平面図である。図１３は、図１１に示す領域XIIIの拡大図である。図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。図１５は、図１１に示すXV-XV線に沿う断面図である。図１６は、図１１に示すXVI-XVI線に沿う断面図である。図１７は、図１５に示す構造の要部を拡大した断面図である。図１８は、図１６に示す構造の要部を拡大した断面図である。

【0193】

図１１～図１８を参照して、ＳｉＣ半導体装置２０１は、この形態では、六方晶のＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣチップ２０２（チップ／半導体チップ）を含む電子部品である。また、ＳｉＣ半導体装置２０１は、この形態では、ＳｉＣ－ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）を含む半導体スイッチングデバイスである。六方晶のＳｉＣ単結晶は、２Ｈ（Hexagonal）－ＳｉＣ単結晶、４Ｈ－ＳｉＣ単結晶、６Ｈ－ＳｉＣ単結晶等を含む複数種のポリタイプを有している。この形態では、ＳｉＣチップ２０２が４Ｈ－ＳｉＣ単結晶からなる例を示すが、他のポリタイプを除外するものではない。

【0194】

ＳｉＣチップ２０２は、直方体形状に形成されている。ＳｉＣチップ２０２は、一方側の第１主面２０３、他方側の第２主面２０４、ならびに、第１主面２０３および第２主面２０４を接続する第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄを有している。第１主面２０３は、機能デバイスが形成されるデバイス面である。第２主面２０４は、機能デバイスが形成されない非デバイス面である。第１主面２０３および第２主面２０４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（具体的には長方形状）に形成されている。

【0195】

第１主面２０３および第２主面２０４は、ＳｉＣ単結晶のｃ面に面している。ｃ面は、ＳｉＣ単結晶のシリコン面（（０００１）面）およびカーボン面（（０００－１）面）を含む。第１主面２０３はシリコン面に面し、第２主面２０４はカーボン面に面していることが好ましい。第１主面２０３および第２主面２０４は、ｃ面に対してオフ方向に所定の角度で傾斜したオフ角を有していてもよい。オフ方向は、ＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）であることが好ましい。オフ角は、０°を超えて１０°以下であってもよい。オフ角は、５°以下であることが好ましい。オフ角は、２°以上４．５°以下であることが特に好ましい。

【0196】

第２主面２０４は、研削痕およびアニール痕（具体的にはレーザ照射痕）のいずれか一方または双方を有する粗面からなっていてもよい。アニール痕は、非晶質化したＳｉＣ、および／または、金属とシリサイド化（合金化）したＳｉＣ（具体的にはＳｉ）を含んでいてもよい。第２主面２０４は、少なくともアニール痕を有するオーミック面からなることが好ましい。

【0197】

第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄは、第１主面２０３の周縁および第２主面２０４の周縁を形成している。第１側面２０５Ａおよび第２側面２０５Ｂは、第１主面２０３に沿う第１方向Ｘに延び、第１方向Ｘに交差（具体的には直交）する第２方向Ｙに対向している。第１側面２０５Ａおよび第２側面２０５Ｂは、ＳｉＣチップ２０２の短辺を形成している。第３側面２０５Ｃおよび第４側面２０５Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面２０５Ｃおよび第４側面２０５Ｄは、ＳｉＣチップ２０２の長辺を形成している。

【0198】

この形態では、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向（［１－１００］方向）であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のａ軸方向である。つまり、第１側面２０５Ａおよび第２側面２０５Ｂは、ＳｉＣ単結晶のａ面によって形成され、第３側面２０５Ｃおよび第４側面２０５Ｄは、ＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成されている。

【0199】

第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄは、ダイシングブレードによる切削によって形成された研削痕を有する研削面からなっていてもよいし、レーザ光照射によって形成された改質層を有する劈開面からなっていてもよい。改質層は、具体的には、ＳｉＣチップ２０２の結晶構造の一部が別の性質に改質した領域からなる。つまり、改質層は、密度、屈折率または機械的強度（結晶強度）、もしくは、その他の物理的特性がＳｉＣチップ２０２とは異なる性質に改質された領域からなる。改質層は、非晶質層（アモルファス層）、溶融再硬化層、欠陥層、絶縁破壊層または屈折率変化層のうちの少なくとも１つの層を含んでいてもよい。

【0200】

第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄが劈開面からなる場合、第１側面２０５Ａおよび第２側面２０５Ｂは、オフ角に起因する傾斜角を有する傾斜面を形成していてもよい。オフ角に起因する傾斜角は、法線方向Ｚを０°としたとき、当該法線方向Ｚに対する角度である。第１側面２０５Ａおよび第２側面２０５Ｂは、法線方向Ｚに対してＳｉＣ単結晶のｃ軸方向（［０００１］方向）に沿って延びる傾斜面を形成していてもよい。

【0201】

オフ角に起因する傾斜角は、オフ角とほぼ等しい。オフ角に起因する傾斜角は、０°を超えて１０°以下（好ましくは２°以上４．５°以下）であってもよい。第３側面２０５Ｃおよび第４側面２０５Ｄは、オフ方向（ａ軸方向）に延びているため、オフ角に起因する傾斜角を有さない。第３側面２０５Ｃおよび第４側面２０５Ｄは、第２方向Ｙ（ａ軸方向）および法線方向Ｚに平面的に延びている。第３側面２０５Ｃおよび第４側面２０５Ｄは、具体的には、第１主面２０３および第２主面２０４に対してほぼ垂直に形成されている。

【0202】

図１５および図１６を参照して、第１主面２０３は、この形態では、活性面２０６（active surface）、外側面２０７（outer surface）および境界側面２０８（boundary side-surface）を有している。活性面２０６、外側面２０７および境界側面２０８は、第１主面２０３において活性台地２０９（active mesa）を区画している。

【0203】

活性面２０６は、機能デバイスの一例としてのＭＩＳＦＥＴが形成される面である。活性面２０６は、第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）から内方に間隔を空けて形成されている。活性面２０６は、具体的には、平面視において第１主面２０３の周縁に平行な４辺を有する四角形状（具体的には第２方向Ｙに延びる長方形状）に形成されている。活性面２０６は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに延びる平坦面を有している。

【0204】

外側面２０７は、活性面２０６外に位置し、平面視において活性面２０６に沿って延びる帯状に形成されている。外側面２０７は、具体的には、平面視において活性面２０６を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成されている。外側面２０７は、活性面２０６に対してＳｉＣチップ２０２の厚さ方向（第２主面２０４側）に窪み、活性面２０６に対して第２主面２０４側に位置している。

【0205】

外側面２０７は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに延びる平坦面を有し、第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）に連通している。外側面２０７は、活性面２０６に対してほぼ平行に延びている。法線方向Ｚに関して、活性面２０６に対する外側面２０７の深さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。外側面２０７の深さは、５μｍ以下であることが好ましい。

【0206】

境界側面２０８は、法線方向Ｚに延び、活性面２０６および外側面２０７を接続している。境界側面２０８は、平面視において第１主面２０３の周縁に平行な４辺を有する四角形状（具体的には長方形状）を有している。つまり、境界側面２０８は、ＳｉＣ多結晶のａ面およびｍ面によって形成されている。

【0207】

境界側面２０８は、活性面２０６および外側面２０７に対してほぼ垂直に形成されていていてもよい。この場合、第１主面２０３には、活性面２０６、外側面２０７および境界側面２０８によって、四角柱状の活性台地２０９が区画される。境界側面２０８は、活性面２０６から外側面２０７に向かって斜め下り傾斜していてもよい。

【0208】

この場合、第１主面２０３には、活性面２０６、外側面２０７および境界側面２０８によって、四角錘台形状の活性台地２０９が区画される。境界側面２０８の傾斜角度は、９０°を超えて１３５°以下であってもよい。境界側面２０８の傾斜角度は、ＳｉＣチップ２０２内において境界側面２０８が活性面２０６との間で形成する角度である。境界側面２０８の傾斜角度は、９５°以下であることが好ましい。

【0209】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、ＳｉＣチップ２０２の第２主面２０４の表層部に形成されたｎ型（第１導電型）の第１半導体領域２１０を含む。第１半導体領域２１０は、厚さ方向にほぼ一定のｎ型不純物濃度を有している。第１半導体領域２１０のｎ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２１ｃｍ^－３以下であってもよい。第１半導体領域２１０は、ＭＩＳＦＥＴのドレインを形成している。第１半導体領域２１０は、ドレイン領域と称されてもよい。

【0210】

第１半導体領域２１０は、外側面２０７から第２主面２０４側に間隔を空けて第２主面２０４の表層部に形成されている。第１半導体領域２１０は、第２主面２０４の表層部の全域に形成され、第２主面２０４および第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄから露出している。つまり、第１半導体領域２１０は、第２主面２０４および第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄの一部を有している。

【0211】

第１半導体領域２１０の厚さは、５μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。第１半導体領域２１０の厚さは、典型的には、５０μｍ以上２５０μｍ以下である。第１半導体領域２１０の厚さは、第２主面２０４の研削によって調整される。第１半導体領域２１０は、この形態では、ｎ型の半導体基板（ＳｉＣ基板）によって形成されている。

【0212】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、ＳｉＣチップ２０２の第１主面２０３の表層部に形成されたｎ型の第２半導体領域２１１を含む。第２半導体領域２１１は、第１半導体領域２１０のｎ型不純物濃度未満のｎ型不純物濃度を有している。第２半導体領域２１１のｎ型不純物濃度は、１×１０^１５ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。第２半導体領域２１１は、第１半導体領域２１０に電気的に接続され、第１半導体領域２１０と共にＭＩＳＦＥＴのドレインを形成している。第２半導体領域２１１は、ドリフト領域と称されてもよい。

【0213】

第２半導体領域２１１は、第１主面２０３の表層部の全域に形成され、第１主面２０３および第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄから露出している。第２半導体領域２１１は、具体的には、活性面２０６、外側面２０７および境界側面２０８から露出している。つまり、第２半導体領域２１１は、第１主面２０３および第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄの一部を有している。第２半導体領域２１１の厚さは、５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。第２半導体領域２１１の厚さは、活性面２０６を基準とする厚さである。第２半導体領域２１１は、この形態では、ｎ型のエピタキシャル層（ＳｉＣエピタキシャル層）によって形成されている。

【0214】

第２半導体領域２１１は、第１半導体領域２１０側から第１主面２０３に向けてｎ型不純物濃度が増加（具体的には漸増）する濃度勾配を有していることが好ましい。つまり、第２半導体領域２１１は、第１半導体領域２１０側に位置する比較的低濃度な第１濃度領域２１２（低濃度領域）、および、第１主面２０３側に位置し、第１濃度領域２１２よりも高濃度な第２濃度領域２１３（高濃度領域）を有していることが好ましい。

【0215】

第１濃度領域２１２は、外側面２０７に対して第１半導体領域２１０側に位置している。第２濃度領域２１３は、第１濃度領域２１２に対して第１主面２０３側に位置し、活性面２０６、外側面２０７および境界側面２０８から露出している。第１濃度領域２１２のｎ型不純物濃度は、１×１０^１５ｃｍ^－３以上１×１０^１７ｃｍ^－３以下であってもよい。第２濃度領域２１３のｎ型不純物濃度は、１×１０^１６ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。

【0216】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、ＳｉＣチップ２０２において第１半導体領域２１０および第２半導体領域２１１の間に介在するｎ型の第３半導体領域２１４（濃度遷移領域）を含む。第３半導体領域２１４は、第１半導体領域２１０のｎ型不純物濃度から第２半導体領域２１１のｎ型不純物濃度に向けてｎ型不純物濃度が低下（具体的には漸減）する濃度勾配を有している。第３半導体領域２１４は、第１半導体領域２１０および第２半導体領域２１１に電気的に接続され、第１半導体領域２１０および第２半導体領域２１１と共にＭＩＳＦＥＴのドレインを形成している。第３半導体領域２１４は、バッファ領域と称されてもよい。

【0217】

第３半導体領域２１４は、第１半導体領域２１０および第２半導体領域２１１の間の全域に介在し、第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄから露出している。つまり、第３半導体領域２１４は、第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄの一部を有している。第３半導体領域２１４の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第３半導体領域２１４は、この形態では、ｎ型のエピタキシャル層（ＳｉＣエピタキシャル層）によって形成されている。

【0218】

図１３および図１４を参照して、ＳｉＣ半導体装置２０１は、活性面２０６に形成されたトレンチ絶縁ゲート型のＭＩＳＦＥＴを含む。ＳｉＣ半導体装置２０１は、具体的には、活性面２０６に形成された複数の第１トレンチ構造２２０を含む。第１トレンチ構造２２０は、トレンチゲート構造と称されてもよい。複数の第１トレンチ構造２２０は、ＭＩＳＦＥＴのゲートを形成している。

【0219】

複数の第１トレンチ構造２２０は、境界側面２０８から内方に間隔を空けて活性面２０６に形成されている。複数の第１トレンチ構造２２０は、平面視において第１方向Ｘに延びる帯状（長方形状）にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。これにより、複数の第１トレンチ構造２２０は、平面視において第１方向Ｘに延びるストライプ状に形成されている。

【0220】

複数の第１トレンチ構造２２０は、平面視において活性面２０６の中央部を第２方向Ｙに通過するラインを横切るように第１方向Ｘに延びていることが好ましい。近接する２つの第１トレンチ構造２２０の間の距離は、０．４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。近接する２つの第１トレンチ構造２２０の間の距離は、０．８μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。

【0221】

各第１トレンチ構造２２０は、側壁および底壁を含む。各第１トレンチ構造２２０の側壁のうち長辺を形成する部分は、ＳｉＣ単結晶のａ面によって形成されている。各第１トレンチ構造２２０の側壁のうち短辺を形成する部分は、ＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成されている。各第１トレンチ構造２２０の底壁は、ＳｉＣ単結晶のｃ面によって形成されている。各第１トレンチ構造２２０の底壁は、第２主面２０４に向かう湾曲形状に形成されていることが好ましい。むろん、各第１トレンチ構造２２０の底壁は、活性面２０６に平行な平坦面を有していてもよい。

【0222】

各第１トレンチ構造２２０は、第２半導体領域２１１の底部から活性面２０６側に間隔を空けて形成され、第２半導体領域２１１の一部を挟んで第１半導体領域２１０（第３半導体領域２１４）に対向している。つまり、各第１トレンチ構造２２０の側壁および底壁は第２半導体領域２１１に接している。各第１トレンチ構造２２０は、第２濃度領域２１３の底部から活性面２０６側に間隔を空けて形成されている。

【0223】

各第１トレンチ構造２２０は、さらに、法線方向Ｚに関して外側面２０７の深さ位置から活性面２０６側に間隔を空けて形成されている。つまり、各第１トレンチ構造２２０は、第２濃度領域２１３に形成され、第２濃度領域２１３の一部を挟んで第１濃度領域２１２に対向している。各第１トレンチ構造２２０は、ほぼ一定の開口幅を有する垂直形状に形成されていてもよい。各第１トレンチ構造２２０は、底壁に向かって狭まる開口幅を有する先細り形状に形成されていてもよい。

【0224】

各第１トレンチ構造２２０は、第１幅Ｗ１および第１深さＤ１を有している。第１幅Ｗ１は、各第１トレンチ構造２２０が延びる方向に直交する方向（つまり第２方向Ｙ）の幅である。第１幅Ｗ１は、０．１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。第１幅Ｗ１は、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。

【0225】

第１深さＤ１は、０．１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。第１深さＤ１は、０．５μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。各第１トレンチ構造２２０のアスペクト比Ｄ１／Ｗ１は、１以上５以下であることが好ましい。アスペクト比Ｄ１／Ｗ１は、１．５以上であることが特に好ましい。アスペクト比Ｄ１／Ｗ１は、第１幅Ｗ１に対する第１深さＤ１の比である。

【0226】

複数の第１トレンチ構造２２０は、ゲートトレンチ２２１、ゲート絶縁膜２２２およびゲート電極２２３をそれぞれ含む。以下、１つの第１トレンチ構造２２０について説明する。ゲートトレンチ２２１は、第１トレンチ構造２２０の側壁および底壁を形成している。側壁および底壁は、ゲートトレンチ２２１の壁面（内壁および外壁）を形成している。

【0227】

ゲートトレンチ２２１の開口エッジ部は、活性面２０６からゲートトレンチ２２１に向かって斜め下り傾斜している。開口エッジ部は、活性面２０６およびゲートトレンチ２２１の側壁の接続部である。開口エッジ部は、この形態では、ＳｉＣチップ２０２に向かって窪んだ湾曲状に形成されている。開口エッジ部は、ゲートトレンチ２２１に向かう凸湾曲状に形成されていてもよい。

【0228】

ゲート絶縁膜２２２は、ゲートトレンチ２２１の内壁に膜状に形成され、ゲートトレンチ２２１内においてリセス空間を区画している。ゲート絶縁膜２２２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む。ゲート絶縁膜２２２は、この形態では、酸化シリコン膜からなる単層構造を有している。

【0229】

ゲート絶縁膜２２２は、第１部分２２４、第２部分２２５および第３部分２２６を含む。第１部分２２４は、ゲートトレンチ２２１の側壁を被覆している。第２部分２２５は、ゲートトレンチ２２１の底壁を被覆している。第３部分２２６は、開口エッジ部を被覆している。第３部分２２６は、この形態では、開口エッジ部においてゲートトレンチ２２１内に向けて湾曲状に膨出している。

【0230】

第１部分２２４の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。第２部分２２５は、第１部分２２４の厚さを超える厚さを有していてもよい。第２部分２２５の厚さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。第３部分２２６は、第１部分２２４の厚さを超える厚さを有している。第３部分２２６の厚さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。むろん、一様な厚さを有するゲート絶縁膜２２２が形成されていてもよい。

【0231】

ゲート電極２２３は、ゲート絶縁膜２２２を挟んでゲートトレンチ２２１に埋設されている。ゲート電極２２３には、ゲート電位が印加される。ゲート電極２２３は、導電性ポリシリコンからなることが好ましい。ゲート電極２２３は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたｎ型ポリシリコンを含む。ゲート電極２２３は、ゲートトレンチ２２１から露出した電極面を有している。ゲート電極２２３の電極面は、ゲートトレンチ２２１の底壁に向かって窪んだ湾曲状に形成され、ゲート絶縁膜２２２の第３部分２２６によって狭められている。

【0232】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、活性面２０６に形成された複数の第２トレンチ構造２３０を含む。第２トレンチ構造２３０は、トレンチソース構造と称されてもよい。複数の第２トレンチ構造２３０は、ＭＩＳＦＥＴの耐圧補強構造を形成している。複数の第２トレンチ構造２３０は、活性面２０６において近接する２つの第１トレンチ構造２２０の間の領域にそれぞれ形成されている。

【0233】

複数の第２トレンチ構造２３０は、境界側面２０８から内方に間隔を空けて活性面２０６に形成されている。複数の第２トレンチ構造２３０は、平面視において第１方向Ｘに延びる帯状にそれぞれ形成され、１つの第１トレンチ構造２２０を挟み込む態様で第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。これにより、複数の第２トレンチ構造２３０は、平面視において第１方向Ｘに延びるストライプ状に形成されている。

【0234】

複数の第２トレンチ構造２３０は、平面視において活性面２０６の中央部を第２方向Ｙに通過するラインを横切るように第１方向Ｘに延びていることが好ましい。各第２トレンチ構造２３０の第１方向Ｘの長さは、各第１トレンチ構造２２０の第１方向Ｘの長さ未満であることが好ましい。近接する２つの第２トレンチ構造２３０の間の距離は、０．４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。近接する２つの第２トレンチ構造２３０の間の距離は、０．８μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。

【0235】

各第２トレンチ構造２３０は、側壁および底壁を含む。各第２トレンチ構造２３０の側壁のうち長辺を形成する部分は、ＳｉＣ単結晶のａ面によって形成されている。各第２トレンチ構造２３０の側壁のうち短辺を形成する部分は、ＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成されている。各第２トレンチ構造２３０の底壁は、ＳｉＣ単結晶のｃ面によって形成されている。各第２トレンチ構造２３０の底壁は、第２主面２０４に向かう湾曲形状に形成されていることが好ましい。むろん、各第２トレンチ構造２３０の底壁は、活性面２０６に平行な平坦面を有していてもよい。

【0236】

各第２トレンチ構造２３０は、第２半導体領域２１１の底部から活性面２０６側に間隔を空けて形成され、第２半導体領域２１１の一部を挟んで第１半導体領域２１０（第３半導体領域２１４）に対向している。つまり、各第２トレンチ構造２３０の側壁および底壁は第２半導体領域２１１に接している。各第２トレンチ構造２３０は、具体的には、第２濃度領域２１３の底部から活性面２０６側に間隔を空けて形成されている。つまり、各第２トレンチ構造２３０は、第２濃度領域２１３に形成され、第２濃度領域２１３の一部を挟んで第１濃度領域２１２に対向している。

【0237】

各第２トレンチ構造２３０は、この形態では、各第１トレンチ構造２２０よりも深く形成されている。つまり、各第２トレンチ構造２３０の底壁は、各第１トレンチ構造２２０の底壁に対して第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）の底部側に位置している。各第２トレンチ構造２３０の底壁は、具体的には、法線方向Ｚに関して、外側面２０７および各第１トレンチ構造２２０の底壁の間の深さ位置に形成されている。

【0238】

この場合、各第２トレンチ構造２３０の底壁は、外側面２０７とほぼ同一平面上に位置していることが好ましい。つまり、各第２トレンチ構造２３０は、外側面２０７とほぼ等しい深さで形成されていることが好ましい。各第２トレンチ構造２３０は、ほぼ一定の開口幅を有する垂直形状に形成されていてもよい。各第２トレンチ構造２３０は、底壁に向かって狭まる開口幅を有する先細り形状に形成されていてもよい。

【0239】

各第２トレンチ構造２３０は、第２幅Ｗ２および第２深さＤ２を有している。第２幅Ｗ２は、各第２トレンチ構造２３０が延びる方向に直交する方向（つまり第２方向Ｙ）の幅である。第２幅Ｗ２は、０．１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。第２幅Ｗ２は、０．５μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。第２幅Ｗ２は、この形態では、各第１トレンチ構造２２０の第１幅Ｗ１とほぼ等しい。第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１の値の±１０％以内の範囲の値を有していることが好ましい。

【0240】

第２深さＤ２は、第１トレンチ構造２２０の第１深さＤ１の１．５倍以上３倍以下であることが好ましい。第２深さＤ２は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第２深さＤ２は、５μｍ以下であることが好ましい。各第２トレンチ構造２３０のアスペクト比Ｄ２／Ｗ２は、１以上５以下であることが好ましい。アスペクト比Ｄ２／Ｗ２は、２以上であることが特に好ましい。アスペクト比Ｄ２／Ｗ２は、第２幅Ｗ２に対する第２深さＤ２の比である。

【0241】

複数の第２トレンチ構造２３０は、ソーストレンチ２３１、ソース絶縁膜２３２およびソース電極２３３をそれぞれ含む。以下、１つの第２トレンチ構造２３０について説明する。ソーストレンチ２３１は、第２トレンチ構造２３０の側壁および底壁を形成している。側壁および底壁は、ソーストレンチ２３１の壁面（内壁および外壁）を形成している。

【0242】

ソーストレンチ２３１の開口エッジ部は、第１主面２０３からソーストレンチ２３１に向かって斜め下り傾斜している。開口エッジ部は、第１主面２０３およびソーストレンチ２３１の側壁の接続部である。開口エッジ部は、この形態では、ＳｉＣチップ２０２に向かって窪んだ湾曲状に形成されている。開口エッジ部は、ソーストレンチ２３１の内方に向かう湾曲状に形成されていてもよい。

【0243】

ソース絶縁膜２３２は、ソーストレンチ２３１の内壁に膜状に形成され、ソーストレンチ２３１内においてリセス空間を区画している。ソース絶縁膜２３２は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む。ソース絶縁膜２３２は、この形態では、酸化シリコン膜からなる単層構造を有している。

【0244】

ソース絶縁膜２３２は、第１部分２３４および第２部分２３５を含む。第１部分２３４は、ソーストレンチ２３１の側壁を被覆している。第２部分２３５は、ソーストレンチ２３１の底壁を被覆している。第１部分２３４の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。第２部分２３５は、第１部分２３４の厚さを超える厚さを有していてもよい。第２部分２３５の厚さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。

【0245】

ソース電極２３３は、ソース絶縁膜２３２を挟んでソーストレンチ２３１に埋設されている。ソース電極２３３には、ソース電位（たとえば基準電位）が印加される。ソース電極２３３は、ゲート電極２２３と同一材料からなることが好ましい。つまり、ソース電極２３３は、導電性ポリシリコンからなることが好ましい。ソース電極２３３は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたｎ型ポリシリコンを含む。

【0246】

ソース電極２３３は、ソーストレンチ２３１から露出した電極面を有している。ソース電極２３３の電極面は、ソーストレンチ２３１の底壁に向かって窪んだ湾曲状に形成されている。ソース電極２３３の側壁の一部は、ソーストレンチ２３１の開口端においてソース絶縁膜２３２から露出していてもよい。

【0247】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、活性面２０６の表層部に形成されたｐ型のボディ領域２５０を含む。ボディ領域２５０は、活性面２０６の表層部の全域に形成されている。ボディ領域２５０のｐ型不純物濃度は、１×１０^１６ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。

【0248】

ボディ領域２５０は、第１トレンチ構造２２０の底壁に対して活性面２０６側に形成されている。ボディ領域２５０は、第１トレンチ構造２２０の側壁および第２トレンチ構造２３０の側壁を被覆している。ボディ領域２５０は、ゲート絶縁膜２２２を挟んでゲート電極２２３に対向している。

【0249】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、ボディ領域２５０の表層部において近接する第１トレンチ構造２２０および第２トレンチ構造２３０の間の領域にそれぞれ形成されたｎ型の複数のソース領域２５１を含む。各ソース領域２５１は、第２半導体領域２１１（具体的には第２濃度領域２１３）のｎ型不純物濃度を超えるｎ型不純物濃度を有している。各ソース領域２５１のｎ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２１ｃｍ^－３以下であってもよい。

【0250】

各ソース領域２５１は、ボディ領域２５０の底部に対して活性面２０６側に形成されている。各ソース領域２５１は、第１トレンチ構造２２０の側壁を被覆し、ゲート絶縁膜２２２を挟んでゲート電極２２３および第１低抵抗層２４１に対向している。各ソース領域２５１は、ボディ領域２５０内において第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）とＭＩＳＦＥＴのチャネルを形成する。

【0251】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、活性面２０６の表層部において複数の第２トレンチ構造２３０に沿って形成されたｐ型の複数のコンタクト領域２５２を含む。各コンタクト領域２５２は、ボディ領域２５０のｐ型不純物濃度を超えるｐ型不純物濃度を有している。各コンタクト領域２５２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２１ｃｍ^－３以下であってもよい。

【0252】

複数のコンタクト領域２５２は、平面視において各第２トレンチ構造２３０に対して一対多の対応関係で形成されている。複数のコンタクト領域２５２は、平面視において各第２トレンチ構造２３０に沿って間隔を空けて形成され、各第２トレンチ構造２３０を部分的に被覆している。複数のコンタクト領域２５２は、第１トレンチ構造２２０から第２トレンチ構造２３０側に間隔を空けて形成され、第１トレンチ構造２２０を露出させている。

【0253】

各コンタクト領域２５２は、第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）の底部から活性面２０６側に間隔を空けて形成され、第２半導体領域２１１の一部を挟んで第１半導体領域２１０（第３半導体領域２１４）に対向している。各コンタクト領域２５２は、第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）において各第２トレンチ構造２３０の側壁および底壁を被覆している。

【0254】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、活性面２０６の表層部に形成されたｐ型の複数のウェル領域２５３を含む。各ウェル領域２５３は、各コンタクト領域２５２のｐ型不純物濃度未満のｐ型不純物濃度を有している。各ウェル領域２５３のｐ型不純物濃度は、ボディ領域２５０のｐ型不純物濃度を超えていることが好ましい。各ウェル領域２５３のｐ型不純物濃度は、１×１０^１６ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。

【0255】

複数のウェル領域２５３は、各第２トレンチ構造２３０に対して一対一の対応関係で形成されている。各ウェル領域２５３は、平面視において各第２トレンチ構造２３０に沿って延びる帯状に形成されている。各コンタクト領域２５２は、第１トレンチ構造２２０から第２トレンチ構造２３０側に間隔を空けて形成され、第１トレンチ構造２２０を露出させている。

【0256】

各ウェル領域２５３は、第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）の底部から活性面２０６側に間隔を空けて形成され、第２半導体領域２１１の一部を挟んで第１半導体領域２１０（第３半導体領域２１４）に対向している。つまり、各ウェル領域２５３は、第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）に電気的に接続されている。各ウェル領域２５３は、各第２トレンチ構造２３０の側壁および底壁を被覆している。

【0257】

複数のウェル領域２５３は、第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）とｐｎ接合部を形成し、第１トレンチ構造２２０（ゲートトレンチ２２１）に向けて空乏層を拡げる。複数のウェル領域２５３は、トレンチ絶縁ゲート型のＭＩＳＦＥＴをｐｎ接合ダイオードの構造に近づけ、ＳｉＣチップ２０２内の電界を緩和する。

【0258】

複数のウェル領域２５３は、第１トレンチ構造２２０の底壁に空乏層がオーバラップするように形成されていることが好ましい。複数のウェル領域２５３の間に介在する第２濃度領域２１３は、ＪＦＥＴ（Junction Field Effect Transistor）抵抗を削減する。複数のウェル領域２５３の直下に位置する第２濃度領域２１３は、電流拡がり抵抗を削減する。第１濃度領域２１２は、このような構造において、ＳｉＣチップ２０２の耐圧を高める。

【0259】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、活性面２０６の表層部において複数の第１トレンチ構造２２０の両端部の壁面に沿う領域にそれぞれ形成されたｐ型の複数のゲートウェル領域２５４を含む。各ゲートウェル領域２５４は、各コンタクト領域２５２のｐ型不純物濃度未満のｐ型不純物濃度を有している。各ゲートウェル領域２５４のｐ型不純物濃度は、ボディ領域２５０のｐ型不純物濃度を超えていることが好ましい。各ゲートウェル領域２５４のｐ型不純物濃度は、１×１０^１６ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。各ゲートウェル領域２５４のｐ型不純物濃度は、各ウェル領域２５３のｐ型不純物濃度とほぼ等しいことが好ましい。

【0260】

各ゲートウェル領域２５４は、平面視において各第１トレンチ構造２２０に沿って延びる帯状に形成されている。各ゲートウェル領域２５４は、第２トレンチ構造２３０から第１トレンチ構造２２０側に間隔を空けて形成され、第１トレンチ構造２２０のうちソース領域２５１に沿う部分を露出させている。各ゲートウェル領域２５４は、各第１トレンチ構造２２０の側壁および底壁を被覆している。

【0261】

各ゲートウェル領域２５４は、第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）の底部から第１主面３側に間隔を空けて形成され、第２半導体領域２１１の一部を挟んで第１半導体領域２１０（第３半導体領域２１４）に対向している。各ゲートウェル領域２５４は、この形態では、第２濃度領域２１３に形成され、第２濃度領域２１３の一部を挟んで第１濃度領域２１２に対向している。各ゲートウェル領域２５４は、各第１トレンチ構造２２０の側壁を被覆する部分においてボディ領域２５０に接続されている。

【0262】

複数のゲートウェル領域２５４の底部は、複数のウェル領域２５３の底部に対して第１トレンチ構造２２０の底壁側に位置している。各ゲートウェル領域２５４のうち各第１トレンチ構造２２０の底壁を被覆する部分の厚さは、各ゲートウェル領域２５４のうち各第１トレンチ構造２２０の側壁を被覆する部分の厚さを超えていることが好ましい。各ゲートウェル領域２５４において第１トレンチ構造２２０の側壁を被覆する部分の厚さは、第１トレンチ構造２２０の側壁の法線方向の厚さである。各ゲートウェル領域２５４において第１トレンチ構造２２０の底壁を被覆する部分の厚さは、第１トレンチ構造２２０の底壁の法線方向の厚さである。

【0263】

複数のゲートウェル領域２５４の底部において複数の第１トレンチ構造２２０の底壁を被覆する部分は、ほぼ一定の深さで形成されている。複数のゲートウェル領域２５４は、第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）とｐｎ接合部を形成し、第１トレンチ構造２２０および第２トレンチ構造２３０に向けて空乏層を拡げる。複数のゲートウェル領域２５４は、トレンチ絶縁ゲート型のＭＩＳＦＥＴをｐｎ接合ダイオードの構造に近づけ、ＳｉＣチップ２０２内の電界を緩和する。

【0264】

図１５および図１６を参照して、ＳｉＣ半導体装置２０１は、活性面２０６において第１側面２０５Ａ側の端部および第２側面２０５Ｂ側の端部にそれぞれ形成されたトレンチ終端構造２５５を含む。トレンチ終端構造２５５は、複数の第２トレンチ構造２３０を含み、第１トレンチ構造２２０を含まない。また、トレンチ終端構造２５５は、ウェル領域２５３を含み、コンタクト領域２５２を含まない。

【0265】

トレンチ終端構造２５５において、複数の第２トレンチ構造２３０は、第１方向Ｘに延びる帯状にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。トレンチ終端構造２５５では、各第２トレンチ構造２３０のソース電極２３３が電気的浮遊状態に形成されている。トレンチ終端構造２５５のウェル領域２５３は、複数の第２トレンチ構造２３０に加えて境界側面２０８も被覆している。

【0266】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、外側面２０７の表層部に形成されたｐ型のアウターコンタクト領域２６０を含む。アウターコンタクト領域２６０は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２１ｃｍ^－３以下のｐ型不純物濃度を有していてもよい。アウターコンタクト領域２６０は、ボディ領域２５０のｐ型不純物濃度を超えるｐ型不純物濃度を有している。アウターコンタクト領域２６０のｐ型不純物濃度は、コンタクト領域２５２のｐ型不純物濃度とほぼ等しいことが好ましい。

【0267】

アウターコンタクト領域２６０は、外側面２０７において境界側面２０８および第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）の間の領域に形成されている。アウターコンタクト領域２６０は、平面視において活性面２０６（境界側面２０８）に沿って帯状に延びている。アウターコンタクト領域２６０は、この形態では、平面視において活性面２０６を取り囲む環状に形成されている。アウターコンタクト領域２６０は、具体的には、平面視において活性面２０６に平行な４辺を有する四角環状に形成されている。

【0268】

アウターコンタクト領域２６０は、第２半導体領域２１１の底部から外側面２０７に間隔を空けて形成されている。アウターコンタクト領域２６０は、具体的には、第２濃度領域２１３の底部から外側面２０７に間隔を空けて形成されている。アウターコンタクト領域２６０の全体は、各第１トレンチ構造２２０の底壁に対して第２半導体領域２１１の底部側に位置している。アウターコンタクト領域２６０の底部は、各第２トレンチ構造２３０の底壁に対して第２半導体領域２１１の底部側に位置している。

【0269】

アウターコンタクト領域２６０の底部は、各コンタクト領域２５２の底部とほぼ等しい深さ位置に形成されていることが好ましい。アウターコンタクト領域２６０は、第２半導体領域２１１（具体的には第２濃度領域２１３）との間でｐｎ接合部を形成する。これにより、アウターコンタクト領域２６０をアノードとし、第２半導体領域２１１をカソードとするｐｎ接合ダイオードが形成されている。アウターコンタクト領域２６０は、アノード領域と称されてもよい。

【0270】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、外側面２０７の表層部に形成されたｐ型のアウターウェル領域２６１を含む。アウターウェル領域２６１のｐ型不純物濃度は、１×１０^１６ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。アウターウェル領域２６１は、アウターコンタクト領域２６０のｐ型不純物濃度未満のｐ型不純物濃度を有している。アウターウェル領域２６１のｐ型不純物濃度は、ウェル領域２５３のｐ型不純物濃度とほぼ等しいことが好ましい。

【0271】

アウターウェル領域２６１は、平面視において境界側面２０８およびアウターコンタクト領域２６０の間の領域に形成されている。アウターウェル領域２６１は、この形態では、境界側面２０８およびアウターコンタクト領域２６０の間の領域の全域に形成され、境界側面２０８においてウェル領域２５３に接続されている。アウターウェル領域２６１は、平面視において活性面２０６（境界側面２０８）に沿って帯状に延びている。アウターウェル領域２６１は、この形態では、平面視において活性面２０６（境界側面２０８）を取り囲む無端状（この形態では四角環状）に形成されている。

【0272】

アウターウェル領域２６１は、アウターコンタクト領域２６０よりも深く形成されている。アウターウェル領域２６１は、第２半導体領域２１１の底部から外側面２０７に間隔を空けて形成されている。アウターウェル領域２６１は、具体的には、第２濃度領域２１３の底部から外側面２０７に間隔を空けて形成されている。アウターウェル領域２６１の全体は、各第１トレンチ構造２２０の底壁に対して第２半導体領域２１１の底部側に位置している。

【0273】

アウターウェル領域２６１の底部は、各第２トレンチ構造２３０の底壁に対して第２半導体領域２１１の底部側に位置している。アウターウェル領域２６１の底部は、各ウェル領域２５３の底部とほぼ等しい深さ位置に形成されていることが好ましい。アウターウェル領域２６１は、アウターコンタクト領域２６０と共に第２半導体領域２１１（具体的には第２濃度領域２１３）との間でｐｎ接合部を形成する。

【0274】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、外側面２０７の表層部においてアウターコンタクト領域２６０および第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）の間の領域に形成された少なくとも１個（好ましくは１個以上２０個以下）のｐ型のフィールド領域２６２を含む。フィールド領域２６２は、外側面２０７において電界を緩和する。フィールド領域２６２の個数、幅、深さ、ｐ型不純物濃度等は、緩和すべき電界に応じて種々の値を取り得る。フィールド領域２６２のｐ型不純物濃度は、１×１０^１５ｃｍ^－３以上１×１０^１８ｃｍ^－３以下であってもよい。

【0275】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、この形態では、５個のフィールド領域２６２を含む。５個のフィールド領域２６２は、第１フィールド領域２６２Ａ、第２フィールド領域２６２Ｂ、第３フィールド領域２６２Ｃ、第４フィールド領域２６２Ｄ、および、第５フィールド領域２６２Ｅを含む。第１～第５フィールド領域２６２Ａ～２６２Ｅは、アウターコンタクト領域２６０側から外側面２０７の周縁側に向けてこの順に間隔を空けて形成されている。

【0276】

各フィールド領域２６２は、平面視において活性面２０６に沿って延びる帯状に形成されている。各フィールド領域２６２は、平面視において活性面２０６を取り囲む環状に形成されている。各フィールド領域２６２は、具体的には、平面視において活性面２０６（境界側面２０８）に平行な４辺を有する四角環状に形成されている。各フィールド領域２６２は、ＦＬＲ（Field Limiting Ring）領域と称されてもよい。

【0277】

各フィールド領域２６２は、アウターコンタクト領域２６０よりも深く形成されている。各フィールド領域２６２は、第２半導体領域２１１の底部から外側面２０７に間隔を空けて形成されている。各フィールド領域２６２は、具体的には、第２濃度領域２１３の底部から外側面２０７に間隔を空けて形成されている。各フィールド領域２６２の全体は、各第１トレンチ構造２２０の底壁に対して第２半導体領域２１１の底部側に位置している。各フィールド領域２６２の底部は、各第２トレンチ構造２３０の底壁に対して第２半導体領域２１１の底部側に位置している。

【0278】

最内の第１フィールド領域２６２Ａは、この形態では、アウターコンタクト領域２６０に接続されている。最内の第１フィールド領域２６２Ａは、アウターコンタクト領域２６０と共に第２半導体領域２１１（具体的には第２濃度領域２１３）とｐｎ接合部を形成する。一方、第２～第５フィールド領域２６２Ｂ～２６２Ｅは、電気的浮遊状態に形成されている。

【0279】

図１４～図１６を参照して、ＳｉＣ半導体装置２０１は、第１主面２０３を被覆する主面絶縁膜２７０を含む。主面絶縁膜２７０は、具体的には、活性面２０６、外側面２０７および境界側面２０８に沿って膜状に形成されている。主面絶縁膜２７０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む。主面絶縁膜２７０は、この形態では、酸化シリコン膜からなる単層構造を有している。

【0280】

主面絶縁膜２７０は、活性面２０６において複数の第２トレンチ構造２３０、複数のソース領域２５１および複数のコンタクト領域２５２を露出させている。主面絶縁膜２７０は、複数の第１トレンチ構造２２０の開口エッジ部を被覆し、各第１トレンチ構造２２０のゲート絶縁膜２２２に連なっている。主面絶縁膜２７０は、外側面２０７の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）から内方に間隔を空けて形成され、外側面２０７の周縁部を露出させる第１周端壁２７１を有している。主面絶縁膜２７０の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。

【0281】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、主面絶縁膜２７０の上において境界側面２０８を被覆するサイドウォール構造２７２を含む。サイドウォール構造２７２は、活性面２０６および外側面２０７の間に形成された段差を緩和する段差緩和構造として形成されている。サイドウォール構造２７２は、平面視において境界側面２０８に沿って延びる帯状に形成されている。

【0282】

サイドウォール構造２７２は、具体的には、活性面２０６に対して自己整合的に形成され、平面視において活性面２０６を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成されている。サイドウォール構造２７２は、活性面２０６から外側面２０７に向かって斜め下り傾斜した外面を有している。サイドウォール構造２７２の外面は、境界側面２０８とは反対側に向けて突出した湾曲状に形成されていてもよいし、境界側面２０８側に向かって窪んだ湾曲状に形成されていてもよい。

【0283】

サイドウォール構造２７２は、導電体および絶縁体のいずれか一方または双方を含む。サイドウォール構造２７２は、この形態では、導電性ポリシリコンを含む。サイドウォール構造２７２は、ゲート電極２２３および／またはソース電極２３３と同一の導電材料からなることが好ましい。サイドウォール構造２７２は、ｎ型ポリシリコンを含んでいてもよい。

【0284】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、被覆対象の一例として主面絶縁膜２７０の上に形成された第１無機絶縁膜２８０を含む。第１無機絶縁膜２８０は、層間絶縁膜と称されてもよい。第１無機絶縁膜２８０は、複数の絶縁膜を含む積層構造を有していてもよいし、単一の絶縁膜からなる単層構造を有していてもよい。第１無機絶縁膜２８０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。第１無機絶縁膜２８０は、複数の酸化シリコン膜を含む積層構造、複数の窒化シリコン膜を含む積層構造、または、複数の酸窒化シリコン膜を含む積層構造を有していてもよい。

【0285】

第１無機絶縁膜２８０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも２種を任意の順序で積層させた積層構造を有していてもよい。第１無機絶縁膜２８０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる単層構造を有していてもよい。第１無機絶縁膜２８０は、この形態では、複数の酸化シリコン膜が積層された積層構造を有している。

【0286】

第１無機絶縁膜２８０は、具体的には、主面絶縁膜２７０側からこの順に積層されたＮＳＧ（Nondoped Silicate Glass）膜およびＰＳＧ（Phosphor Silicate Glass）膜を含む積層構造を有している。ＮＳＧ膜は、不純物無添加の酸化シリコン膜からなる。ＰＳＧ膜は、リンが添加された酸化シリコン膜からなる。ＮＳＧ膜の厚さは、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であってもよい。ＰＳＧ膜の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。第１無機絶縁膜２８０の厚さは、主面絶縁膜２７０の厚さを超えていることが好ましい。

【0287】

第１無機絶縁膜２８０は、活性面２０６、外側面２０７および境界側面２０８に沿うように主面絶縁膜２７０の上に膜状に形成され、主面絶縁膜２７０を挟んで活性面２０６、外側面２０７および境界側面２０８を被覆している。第１無機絶縁膜２８０は、活性面２０６および外側面２０７の間においてサイドウォール構造２７２を被覆している。

【0288】

第１無機絶縁膜２８０は、外側面２０７の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）から内方に間隔を空けて形成され、外側面２０７の周縁部を露出させる第２周端壁２８１を有している。第１無機絶縁膜２８０の第２周端壁２８１は、主面絶縁膜２７０の第１周端壁２７１と共に外側面２０７の周縁部を露出させる切欠き開口２８２を区画している。

【0289】

第１無機絶縁膜２８０は、活性面２０６において複数の第１トレンチ構造２２０をそれぞれ露出させる複数のゲートコンタクト開口２８３を有している。複数のゲートコンタクト開口２８３は、複数の第１トレンチ構造２２０を一対一の対応関係で露出させている。複数のゲートコンタクト開口２８３は、具体的には、複数の第１トレンチ構造２２０の両端部側にそれぞれ形成され、対応するゲート電極２２３をそれぞれ露出させている。

【0290】

第１無機絶縁膜２８０は、活性面２０６において複数の第２トレンチ構造２３０をそれぞれ露出させる複数のソースコンタクト開口２８４を有している。複数のソースコンタクト開口２８４は、複数の第２トレンチ構造２３０に対して一対一の対応関係でそれぞれ形成されている。複数のソースコンタクト開口２８４は、対応するソース電極２３３、ソース領域２５１およびコンタクト領域２５２をそれぞれ露出させている。各ソースコンタクト開口２８４は、各第２トレンチ構造２３０に沿って延びる帯状に形成されていてもよい。

【0291】

第１無機絶縁膜２８０は、外側面２０７においてアウターコンタクト領域２６０を露出させる少なくとも１つのアウターコンタクト開口２８５を含む。第１無機絶縁膜２８０は、この形態では、１つのアウターコンタクト開口２８５を含む。アウターコンタクト開口２８５は、平面視においてアウターコンタクト領域２６０に沿って延びる帯状に形成されている。アウターコンタクト開口２８５は、平面視においてアウターコンタクト領域２６０に沿って延びる環状（具体的には四角環状）に形成されている。

【0292】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、第１無機絶縁膜２８０の上に形成された複数の第１主面電極３００を含む。複数の第１主面電極３００は、活性面２０６の上に配置されている。複数の第１主面電極３００は、この形態では、活性面２０６の上のみに配置され、外側面２０７の上には配置されていない。

【0293】

複数の第１主面電極３００は、第１無機絶縁膜２８０において活性面２０６を被覆する部分の上に配置されたゲート主面電極３０１を含む。ゲート主面電極３０１は、複数の第１トレンチ構造２２０（ゲート電極２２３）に電気的に接続され、入力されたゲート電位（ゲート信号）を複数の第１トレンチ構造２２０（ゲート電極２２３）に伝達する。ゲート電位は、１０Ｖ以上５０Ｖ以下（たとえば３０Ｖ程度）であってもよい。

【0294】

ゲート主面電極３０１は、具体的には、平面視において境界側面２０８から間隔を空けて活性面２０６の周縁部の上に配置されている。ゲート主面電極３０１は、この形態では、平面視において活性面２０６の周縁部において第１側面２０５Ａの中央部に対向する領域に配置されている。ゲート主面電極３０１は、第１無機絶縁膜２８０を挟んでトレンチ終端構造２５５に対向し、トレンチ終端構造２５５から電気的に分離されている。ゲート主面電極３０１は、平面視において活性面２０６に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。

【0295】

ゲート主面電極３０１は、第１無機絶縁膜２８０の上に位置するゲート電極側壁３０２を有している。ゲート電極側壁３０２は、ゲート主面電極３０１の主面から斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。ゲート電極側壁３０２は、この形態では、第１無機絶縁膜２８０に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。ゲート主面電極３０１の配置は任意である。ゲート主面電極３０１は、平面視において活性面２０６の任意の角部の上に配置されていてもよい。

【0296】

複数の第１主面電極３００は、ゲート主面電極３０１から間隔を空けて第１無機絶縁膜２８０において活性面２０６を被覆する部分の上に配置されたソース主面電極３０３を含む。ソース主面電極３０３は、複数の第２トレンチ構造２３０（ソース電極２３３）に電気的に接続され、入力されたソース電位を複数の第２トレンチ構造２３０（ソース電極２３３）に伝達する。ソース電位は、基準電位（たとえばグランド電位）であってもよい。

【0297】

ソース主面電極３０３は、具体的には、平面視において境界側面２０８から間隔を空けて、活性面２０６の上に形成されている。ソース主面電極３０３は、この形態では、平面視において活性面２０６（境界側面２０８）に平行な４辺を有する四角形状（具体的には長方形状）に形成されている。ソース主面電極３０３は、具体的には、第１側面２０５Ａに沿う辺においてゲート主面電極３０１に整合するように内方部に向けて窪んだ凹部３０４を有している。ソース主面電極３０３は、ゲート主面電極３０１の平面積を超える平面積を有している。

【0298】

ソース主面電極３０３は、第１無機絶縁膜２８０の上から複数のソースコンタクト開口２８４に入り込み、複数のソース電極２３３、複数のソース領域２５１および複数のコンタクト領域２５２に電気的に接続されている。これにより、ソース主面電極３０３に印加されたソース電位が、複数のソース電極２３３、複数のソース領域２５１および複数のコンタクト領域２５２に伝達される。ソース主面電極３０３は、活性面２０６の周縁部において第１無機絶縁膜２８０を挟んでトレンチ終端構造２５５に対向し、トレンチ終端構造２５５から電気的に分離されている。

【0299】

ソース主面電極３０３は、第１無機絶縁膜２８０の上に位置するソース電極側壁３０５を有している。ソース電極側壁３０５は、ソース主面電極３０３の主面から斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。ソース電極側壁３０５は、この形態では、第１無機絶縁膜２８０に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0300】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、第１無機絶縁膜２８０の上に形成された複数の配線電極３０６を含む。複数の配線電極３０６は、第１無機絶縁膜２８０の上において活性面２０６および外側面２０７を含む任意の領域に引き回される。

【0301】

複数の配線電極３０６は、ゲート主面電極３０１から第１無機絶縁膜２８０において活性面２０６を被覆する部分の上に引き出されたゲート配線電極３０７を含む。ゲート配線電極３０７は、具体的には、活性面２０６の上に形成され、外側面２０７の上には形成されていない。ゲート配線電極３０７は、ゲート主面電極３０１に印加されたゲート電位を他の領域に伝達する。

【0302】

ゲート配線電極３０７は、ゲート主面電極３０１から境界側面２０８およびソース主面電極３０３の間の領域に引き出され、境界側面２０８に沿って延びる帯状に形成されている。ゲート配線電極３０７は、具体的には、平面視において複数の方向からソース主面電極３０３に対向するように境界側面２０８に沿って帯状に延びている。ゲート配線電極３０７は、この形態では、平面視において４つの方向からソース主面電極３０３に対向するように境界側面２０８に沿って帯状に延びている。ゲート配線電極３０７は、第２側面２０５Ｂ側に開放部３０８を有している。開放部３０８の位置や大きさは任意である。

【0303】

ゲート配線電極３０７は、平面視において複数の第１トレンチ構造２２０に交差（具体的には直交）している。ゲート配線電極３０７は、具体的には、平面視において複数の第１トレンチ構造２２０の両端部に交差（具体的には直交）している。ゲート配線電極３０７は、第１無機絶縁膜２８０の上から複数のゲートコンタクト開口２８３に入り込み、複数のゲート電極２２３に電気的に接続されている。

【0304】

これにより、ゲート主面電極３０１に印加されたゲート電位が、ゲート配線電極３０７を介して複数の第１トレンチ構造２２０に伝達される。ゲート配線電極３０７は、活性面２０６の周縁部において、第１無機絶縁膜２８０を挟んでトレンチ終端構造２５５に対向し、トレンチ終端構造２５５から電気的に分離されている。

【0305】

ゲート配線電極３０７は、第１無機絶縁膜２８０の上に位置するゲート配線側壁３０９を有している。ゲート配線側壁３０９は、ゲート配線電極３０７の主面から斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。ゲート配線側壁３０９は、この形態では、第１無機絶縁膜２８０に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0306】

複数の配線電極３０６は、ソース主面電極３０３から第１無機絶縁膜２８０において外側面２０７を被覆する部分の上に引き出されたソース配線電極３１０を含む。ソース配線電極３１０は、具体的には、活性面２０６の上においてソース主面電極３０３から引き出され、ゲート配線電極３０７の開放部３０８を通過して、外側面２０７の上に引き出されている。ソース配線電極３１０は、活性面２０６および外側面２０７の境界において第１無機絶縁膜２８０を挟んでサイドウォール構造２７２に対向している。ソース配線電極３１０は、ソース主面電極３０３に印加されたソース電位を活性面２０６側から外側面２０７側に伝達する。

【0307】

ソース配線電極３１０は、外側面２０７側においてアウターコンタクト領域２６０の上に引き出され、平面視においてアウターコンタクト領域２６０に沿って延びる帯状に形成されている。ソース配線電極３１０は、この形態では、平面視においてアウターコンタクト領域２６０に沿って延びる環状（具体的には四角環状）に形成されている。つまり、ソース配線電極３１０は、平面視においてゲート主面電極３０１、ソース主面電極３０３およびゲート配線電極３０７を一括して取り囲んでいる。ソース配線電極３１０は、この形態では、全周に亘ってアウターコンタクト領域２６０およびサイドウォール構造２７２を被覆している。

【0308】

ソース配線電極３１０は、第１無機絶縁膜２８０の上からアウターコンタクト開口２８５に入り込み、アウターコンタクト領域２６０に電気的に接続されている。これにより、ソース主面電極３０３に印加されたソース電位が、ソース配線電極３１０を介してアウターコンタクト領域２６０に伝達される。

【0309】

ソース配線電極３１０は、第１無機絶縁膜２８０の上に位置するソース配線側壁３１１を有している。ソース配線側壁３１１は、ソース主面電極３０３の主面から斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。ソース配線側壁３１１は、この形態では、第１無機絶縁膜２８０に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0310】

複数の第１主面電極３００および複数の配線電極３０６は、第１無機絶縁膜２８０側からこの順に積層された第１電極膜３１２および第２電極膜３１３を含む積層構造をそれぞれ有している。第１電極膜３１２は、第１無機絶縁膜２８０に沿って膜状に形成されている。第１電極膜３１２は、金属バリア膜からなる。第１電極膜３１２は、この形態では、Ｔｉ系金属膜からなる。第１電極膜３１２は、チタン膜および窒化チタン膜のうちの少なくとも１種を含む。

【0311】

第１電極膜３１２は、チタン膜または窒化チタン膜からなる単層構造を有していてもよい。第１電極膜３１２は、この形態では、第１主面２０３側からこの順に積層されたチタン膜および窒化チタン膜を含む積層構造を有している。第１電極膜３１２の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。

【0312】

第２電極膜３１３は、第１電極膜３１２の主面に沿って膜状に形成されている。第１電極膜３１２は、Ｃｕ系金属膜またはＡｌ系金属膜からなる。第１電極膜３１２は、純Ｃｕ膜（純度が９９％以上のＣｕ膜）、純Ａｌ膜（純度が９９％以上のＡｌ膜）、ＡｌＣｕ合金膜、ＡｌＳｉ合金膜、および、ＡｌＳｉＣｕ合金膜のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。第１電極膜３１２は、この形態では、ＡｌＣｕ合金膜からなる単層構造を有している。第２電極膜３１３の厚さ、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第２電極膜３１３の厚さは、２．５μｍ以上７．５μｍ以下であることが好ましい。

【0313】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、第２無機絶縁膜３２０を含む。第２無機絶縁膜３２０は、比較的高い緻密度を有する無機絶縁体からなり、水分（湿気）に対するバリア性（遮蔽性）を有している。たとえば、第１主面電極３００の酸化物（この形態では酸化アルミニウム）は、第１主面電極３００の電気的特性を低下させる。また、複数の第１主面電極３００の酸化物は、熱膨張によって第１主面電極３００や他の構造物の部分的な剥離やクラック等を引き起こす一要因となる。

【0314】

第２無機絶縁膜３２０は、第１無機絶縁膜２８０および第１主面電極３００のいずれか一方または双方を被覆することによって外部からの水分（湿気）を遮蔽し、ＳｉＣチップ２０２や第１主面電極３００を酸化から保護する。第２無機絶縁膜３２０は、パッシベーション膜と称されてもよい。

【0315】

第２無機絶縁膜３２０は、複数の絶縁膜を含む積層構造を有していてもよいし、単一の絶縁膜からなる単層構造を有していてもよい。第２無機絶縁膜３２０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。第２無機絶縁膜３２０は、複数の酸化シリコン膜を含む積層構造、複数の窒化シリコン膜を含む積層構造、または、複数の酸窒化シリコン膜を含む積層構造を有していてもよい。

【0316】

第２無機絶縁膜３２０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも２種を任意の順序で積層させた積層構造を有していてもよい。第２無機絶縁膜３２０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜からなる単層構造を有していてもよい。第２無機絶縁膜３２０は、この形態では、窒化シリコン膜からなる単層構造を有している。つまり、第２無機絶縁膜３２０は、第１無機絶縁膜２８０とは異なる絶縁体からなる。

【0317】

第２無機絶縁膜３２０の厚さは、第１無機絶縁膜２８０の厚さ以上であってもよい。第２無機絶縁膜３２０の厚さは、第１無機絶縁膜２８０の厚さ未満であることが好ましい。第２無機絶縁膜３２０の厚さは、第１電極膜３１２の厚さを超えていることが好ましい。第２絶縁厚さＴ２は、第２電極膜３１３の厚さ以下であることが好ましい。第２無機絶縁膜３２０の厚さは、第２電極膜３１３の厚さ未満であることが特に好ましい。第２無機絶縁膜３２０の厚さは、０．０５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２無機絶縁膜３２０の厚さは、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。

【0318】

第２無機絶縁膜３２０は、この形態では、複数の内被覆部３２１（電極被覆部）、外被覆部３２２（絶縁被覆部）および除去部３２３を含む。複数の内被覆部３２１は、複数の第１主面電極３００の電極側壁を露出させるように、複数の第１主面電極３００をそれぞれ被覆している。複数の内被覆部３２１は、具体的には、ゲート主面電極３０１を被覆する第１内被覆部３２４（ゲート内被覆部）、および、ソース主面電極３０３を被覆する第２内被覆部３２５（ソース内被覆部）を含む。

【0319】

第２無機絶縁膜３２０は、第１内被覆部３２４および第２内被覆部３２５のうちの少なくとも一方を有していればよく、必ずしも第１内被覆部３２４および第２内被覆部３２５の双方を含む必要はない。第２無機絶縁膜３２０は、少なくとも、ゲート主面電極３０１よりも面積の大きいソース主面電極３０３を被覆する第２内被覆部３２５を有していることが好ましい。

【0320】

第２無機絶縁膜３２０は、第１内被覆部３２４および第２内被覆部３２５の双方を有していることが特に好ましい。また、第２無機絶縁膜３２０は、複数の内被覆部３２１および外被覆部３２２のうちの少なくとも一方を有していればよく、必ずしも複数の内被覆部３２１および外被覆部３２２の双方を含む必要はない。第２無機絶縁膜３２０は、少なくとも複数の内被覆部３２１を有していることが好ましい。複数の内被覆部３２１および外被覆部３２２の双方を含むことが最も好ましい。

【0321】

図１５を参照して、第２無機絶縁膜３２０の第１内被覆部３２４は、活性面２０６の上においてゲート電極側壁３０２を露出させるようにゲート主面電極３０１を被覆している。第１内被覆部３２４は、具体的には、ゲート主面電極３０１の周縁部を露出させるようにゲート電極側壁３０２から間隔を空けてゲート主面電極３０１を被覆している。第１内被覆部３２４は、ゲート主面電極３０１の内方部も露出させている。

【0322】

第１内被覆部３２４は、平面視においてゲート電極側壁３０２に沿って延びる帯状に形成されている。第１内被覆部３２４は、この形態では、平面視においてゲート主面電極３０１の内方部を取り囲む環状に形成されている。第１内被覆部３２４は、具体的には、平面視においてゲート電極側壁３０２に平行な４辺を有する環状（具体的には四角環状）に形成されている。

【0323】

第１内被覆部３２４は、ゲート主面電極３０１の内方部側の第１内壁部３２６、および、ゲート電極側壁３０２側の第１外壁部３２７を有している。第１内壁部３２６は、ゲート主面電極３０１の内方部を露出させる第１ゲート開口３２８を区画している。第１内壁部３２６（第１ゲート開口３２８）は、この形態では、平面視においてゲート電極側壁３０２に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。第１内壁部３２６は、第２無機絶縁膜３２０の主面からゲート主面電極３０１の内方部に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。

【0324】

第１外壁部３２７は、ゲート主面電極３０１の周縁部を露出させるようにゲート電極側壁３０２から間隔を空けてゲート主面電極３０１の上に形成されている。第１外壁部３２７は、この形態では、平面視においてゲート電極側壁３０２に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。第１外壁部３２７は、第２無機絶縁膜３２０の主面からゲート主面電極３０１のゲート電極側壁３０２に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。

【0325】

図１６を参照して、第２無機絶縁膜３２０の第２内被覆部３２５は、活性面２０６の上においてソース電極側壁３０５を露出させるようにソース主面電極３０３を被覆している。第２内被覆部３２５は、具体的には、ソース主面電極３０３の周縁部を露出させるようにソース電極側壁３０５から間隔を空けてソース主面電極３０３を被覆している。第２内被覆部３２５は、ソース主面電極３０３の内方部も露出させている。

【0326】

第２内被覆部３２５は、平面視においてソース電極側壁３０５に沿って延びる帯状に形成されている。第２内被覆部３２５は、この形態では、平面視においてソース主面電極３０３の内方部を取り囲む環状に形成されている。第２内被覆部３２５は、ソース電極側壁３０５において凹部３０４を形成する部分に沿うようにソース主面電極３０３の内方に向かって凹状に窪んだ部分を有している。これにより、第２内被覆部３２５は、平面視においてソース電極側壁３０５に平行な辺を有する環状（具体的には多角環状）に形成されている。

【0327】

第２内被覆部３２５は、ソース主面電極３０３の内方部側の第２内壁部３２９、および、ソース主面電極３０３のソース電極側壁３０５側の第２外壁部３３０を有している。第２内壁部３２９は、ソース主面電極３０３の内方部を露出させる第１ソース開口３３１を区画している。第２内壁部３２９（第１ソース開口３３１）は、この形態では、平面視においてソース電極側壁３０５に平行な辺を有する多角形状に形成されている。第２内壁部３２９は、第２無機絶縁膜３２０の主面からソース主面電極３０３の内方部に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。

【0328】

第２外壁部３３０は、ソース主面電極３０３の周縁部を露出させるようにソース電極側壁３０５から間隔を空けてソース主面電極３０３の上に形成されている。第２外壁部３３０は、この形態では、平面視においてソース電極側壁３０５に平行な辺を有する多角形状に形成されている。第２外壁部３３０は、第２無機絶縁膜３２０の主面からソース主面電極３０３のソース電極側壁３０５に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。

【0329】

図１５および図１６を参照して、第２無機絶縁膜３２０の外被覆部３２２は、ゲート電極側壁３０２およびソース電極側壁３０５を露出させるように、ゲート主面電極３０１およびソース主面電極３０３から第１主面２０３の周縁側に間隔を空けて第１無機絶縁膜２８０を被覆している。

【0330】

外被覆部３２２は、ゲート配線側壁３０９を露出させるようにゲート配線電極３０７から第１主面２０３の周縁に間隔を空けて形成されている。外被覆部３２２は、ソース配線側壁３１１を露出させるようにソース配線電極３１０から第１主面２０３の周縁に間隔を空けて形成されている。外被覆部３２２は、境界側面２０８から外側面２０７に間隔を空けて第１無機絶縁膜２８０を被覆している。

【0331】

つまり、外被覆部３２２は、ゲート主面電極３０１（ゲート電極側壁３０２）、ソース主面電極３０３（ソース電極側壁３０５）、ゲート配線電極３０７（ゲート配線側壁３０９）およびソース配線電極３１０（ソース配線側壁３１１）を露出させるように、外側面２０７の上において第１無機絶縁膜２８０を被覆している。

【0332】

外被覆部３２２は、平面視において活性面２０６（境界側面２０８）に沿って延びる帯状に形成されている。外被覆部３２２は、平面視において活性面２０６を取り囲む環状に形成されている。外被覆部３２２は、具体的には、平面視において活性面２０６に平行な４辺を有する四角環状に形成されている。つまり、外被覆部３２２は、平面視においてゲート主面電極３０１、ソース主面電極３０３、ゲート配線電極３０７およびソース配線電極３１０を一括して取り囲んでいる。

【0333】

外被覆部３２２は、平面視においてアウターコンタクト領域２６０から第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）に間隔を空けて形成されている。外被覆部３２２は、第１無機絶縁膜２８０を挟んで少なくとも１つのフィールド領域２６２に対向している。

【0334】

外被覆部３２２は、この形態では、平面視において最内の第１フィールド領域２６２Ａから第１主面２０３の周縁側に間隔を空けて形成され、第１無機絶縁膜２８０を挟んで第２～第５フィールド領域２６２Ｂ～２６２Ｅに対向している。むろん、外被覆部３２２は、第１無機絶縁膜２８０を挟んで第１～第５フィールド領域２６２Ａ～２６２Ｅの全てに対向していてもよい。

【0335】

外被覆部３２２は、この形態では、第１無機絶縁膜２８０の上から切欠き開口２８２（第１周端壁２７１および第２周端壁２８１）を横切って、切欠き開口２８２から露出した外側面２０７の上に引き出されている。これにより、外被覆部３２２は、第１無機絶縁膜２８０を被覆する第１被覆部分３３２、および、外側面２０７を直接被覆する第２被覆部分３３３を含む。

【0336】

第１被覆部分３３２は、第１無機絶縁膜２８０に沿って膜状に延び、第１無機絶縁膜２８０を挟んで外側面２０７に対向している。第１被覆部分３３２は、第１無機絶縁膜２８０を挟んで第２半導体領域２１１および少なくとも１つのフィールド領域２６２（この形態では第２～第５フィールド領域２６２Ｂ～２６２Ｅ）に対向している。第１被覆部分３３２の主面は、活性面２０６に対して第１無機絶縁膜２８０側に位置している。第１被覆部分３３２の主面は、この形態では、ソース配線電極３１０の主面に対して第１無機絶縁膜２８０側に位置している。

【0337】

第２被覆部分３３３は、外側面２０７に沿って膜状に延び、外側面２０７を直接被覆している。つまり、第２被覆部分３３３は、第２半導体領域２１１（第２濃度領域２１３）を直接被覆している。第２被覆部分３３３の主面は、活性面２０６に対して外側面２０７側に位置している。第２被覆部分３３３の主面は、ソース配線電極３１０の主面に対して外側面２０７側に位置している。第２被覆部分３３３の主面は、この形態では、外側面２０７および第１無機絶縁膜２８０の主面の間に位置している。

【0338】

第２被覆部分３３３は、外側面２０７の周縁部を露出させるように、第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）から第１無機絶縁膜２８０側に間隔を空けて形成されている。第２被覆部分３３３は、第１主面２０３の周縁との間で外側面２０７の周縁部が露出したダイシングストリート３３４を区画している。ダイシングストリート３３４は、第１主面２０３の周縁に沿って延びる四角環状に区画されている。ダイシングストリート３３４の幅は、５μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。ダイシングストリート３３４の幅は、ダイシングストリート３３４が延びる方向に直交する方向の幅である。

【0339】

外被覆部３２２は、活性面２０６側の第３内壁部３３５、および、第１主面２０３の周縁側の第３外壁部３３６を有している。第３内壁部３３５は、外側面２０７の上において第１無機絶縁膜２８０を露出させるようにソース配線電極３１０のソース配線側壁３１１から間隔を空けて第１無機絶縁膜２８０の上に形成されている。

【0340】

第３内壁部３３５は、この形態では、平面視においてソース配線電極３１０（ソース配線側壁３１１）に平行な４辺を有する四角形状に形成され、ゲート主面電極３０１、ソース主面電極３０３、ゲート配線電極３０７およびソース配線電極３１０を一括して取り囲んでいる。第３内壁部３３５は、第２無機絶縁膜３２０の主面から第１無機絶縁膜２８０に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。

【0341】

第３外壁部３３６は、平面視において切欠き開口２８２および第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）の間の領域に形成され、外側面２０７の周縁部を露出させている。第３外壁部３３６は、第２無機絶縁膜３２０の主面から外側面２０７に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。第３外壁部３３６は、第１主面２０３の周縁との間でダイシングストリート３３４を区画している。

【0342】

第２無機絶縁膜３２０の除去部３２３は、第１内被覆部３２４（第１外壁部３２７）および外被覆部３２２（第３内壁部３３５）の間、第２内被覆部３２５（第２外壁部３３０）および外被覆部３２２（第３内壁部３３５）の間、ならびに、第１内被覆部３２４（第１外壁部３２７）および第２内被覆部３２５（第２外壁部３３０）の間に区画されている。除去部３２３は、この形態では、平面視において境界側面２０８、第１外壁部３２７および第２外壁部３３０に沿って延びる帯状に形成されている。除去部３２３は、この形態では、平面視において第１外壁部３２７に沿って延びる環状部、および、第２外壁部３３０（境界側面２０８）に沿って延びる環状部を一体的に含む。

【0343】

除去部３２３は、活性面２０６および外側面２０７の間の段差部（つまり境界側面２０８）を全周に亘って露出させると同時に、ゲート電極側壁３０２、ソース電極側壁３０５、ゲート配線側壁３０９およびソース配線側壁３１１を全周に亘って露出させている。つまり、除去部３２３は、ゲート配線電極３０７の全域、ソース配線電極３１０の全域、ならびに、ゲート配線電極３０７およびソース配線電極３１０の間に介在するサイドウォール構造２７２の全域を露出させている。

【0344】

第２無機絶縁膜３２０では、第１内被覆部３２４が平坦なゲート主面電極３０１の上に形成され、第２内被覆部３２５が平坦なソース主面電極３０３の上に形成され、外被覆部３２２が平坦な第１無機絶縁膜２８０の上に形成されている。したがって、第２無機絶縁膜３２０では、ゲート電極側壁３０２、ソース電極側壁３０５、ゲート配線側壁３０９およびソース配線側壁３１１に起因する段差が除去部３２３によって取り除かれている。また、第２無機絶縁膜３２０では、活性台地２０９に起因する段差が除去部３２３によって取り除かれている。

【0345】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、第２無機絶縁膜３２０および複数の第１主面電極３００を選択的に被覆する有機絶縁膜３４０を含む。有機絶縁膜３４０は、第２無機絶縁膜３２０の硬度よりも低い硬度を有している。換言すると、有機絶縁膜３４０は、第２無機絶縁膜３２０の弾性率よりも小さい弾性率を有し、外力に対する緩衝材（保護膜）として機能する。有機絶縁膜３４０は、外力からＳｉＣチップ２０２、第１主面電極３００、第２無機絶縁膜３２０等を保護する。

【0346】

有機絶縁膜３４０は、感光性樹脂を含むことが好ましい。感光性樹脂は、ネガティブタイプまたはポジティブタイプであってもよい。有機絶縁膜３４０は、ポリイミド膜、ポリアミド膜およびポリベンゾオキサゾール膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。有機絶縁膜３４０は、この形態では、ポリベンゾオキサゾール膜を含む。

【0347】

有機絶縁膜３４０の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。有機絶縁膜３４０の厚さは、５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。有機絶縁膜３４０の厚さは、第２無機絶縁膜３２０の厚さを超えていることが好ましい。有機絶縁膜３４０の厚さは、第１主面電極３００の厚さを超えていることが特に好ましい。

【0348】

有機絶縁膜３４０は、活性面２０６の上においてゲート主面電極３０１のゲート電極側壁３０２を被覆している。有機絶縁膜３４０は、具体的には、ゲート主面電極３０１の全周に亘ってゲート電極側壁３０２を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ゲート電極側壁３０２において第１電極膜３１２および第２電極膜３１３を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ゲート主面電極３０１の縁部を被覆している。

【0349】

つまり、有機絶縁膜３４０は、ゲート電極側壁３０２から第１内被覆部３２４に向けて延び、ゲート電極側壁３０２および第１内被覆部３２４の間から露出したゲート主面電極３０１の周縁部を被覆している。有機絶縁膜３４０は、さらに、ゲート主面電極３０１の周縁部から第１内被覆部３２４の上に向けて延び、第１内被覆部３２４を被覆している。

【0350】

有機絶縁膜３４０は、ゲート主面電極３０１の内方部を露出させるように第１内被覆部３２４を被覆している。有機絶縁膜３４０は、具体的には、第１内被覆部３２４の第１内壁部３２６を露出させるように第１内被覆部３２４を被覆している。有機絶縁膜３４０は、さらに具体的には、第１内壁部３２６から第１外壁部３２７側に間隔を空けて第１内被覆部３２４を被覆し、ゲート主面電極３０１の内方部および第１内被覆部３２４の縁部（以下、「第１縁部３４１」という。）を露出させている。

【0351】

有機絶縁膜３４０は、活性面２０６の上においてソース主面電極３０３のソース電極側壁３０５を被覆している。有機絶縁膜３４０は、具体的には、ソース主面電極３０３の全周に亘ってソース電極側壁３０５を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ソース電極側壁３０５において第１電極膜３１２および第２電極膜３１３を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ソース主面電極３０３の縁部を被覆している。

【0352】

つまり、有機絶縁膜３４０は、ソース電極側壁３０５から第２内被覆部３２５側に向けて延び、ソース電極側壁３０５および第２内被覆部３２５の間から露出したソース主面電極３０３の周縁部を被覆している。有機絶縁膜３４０は、さらに、ソース主面電極３０３の周縁部から第２内被覆部３２５の上に向けて延び、第２内被覆部３２５を被覆している。

【0353】

有機絶縁膜３４０は、ソース主面電極３０３の内方部を露出させるように第２内被覆部３２５を被覆している。有機絶縁膜３４０は、具体的には、第２内被覆部３２５の第２内壁部３２９を露出させるように第２内被覆部３２５を被覆している。有機絶縁膜３４０は、さらに具体的には、第２内壁部３２９から第２外壁部３３０側に間隔を空けて第２内被覆部３２５を被覆し、ソース主面電極３０３の内方部および第２内被覆部３２５の縁部（以下、「第２縁部３４２」という。）を露出させている。

【0354】

有機絶縁膜３４０は、活性面２０６の上においてゲート配線電極３０７のゲート配線側壁３０９を被覆している。有機絶縁膜３４０は、具体的には、ゲート配線電極３０７の全周に亘ってゲート配線側壁３０９を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ゲート配線側壁３０９において第１電極膜３１２および第２電極膜３１３を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ゲート配線側壁３０９からゲート配線電極３０７の上に延び、ゲート配線電極３０７の全域を被覆している。

【0355】

有機絶縁膜３４０は、活性面２０６の周縁部の上を被覆し、サイドウォール構造２７２を通過して外側面２０７の上を被覆している。有機絶縁膜３４０は、外側面２０７の上においてソース配線電極３１０のソース配線側壁３１１を被覆している。有機絶縁膜３４０は、具体的には、ソース配線電極３１０の全周に亘ってソース配線側壁３１１を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ソース配線側壁３１１において第１電極膜３１２および第２電極膜３１３を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ソース配線側壁３１１からソース配線電極３１０の上に延び、ソース配線電極３１０の全域を被覆している。

【0356】

有機絶縁膜３４０は、ソース配線電極３１０側から第２無機絶縁膜３２０の外被覆部３２２の上に引き出され、外被覆部３２２を被覆している。有機絶縁膜３４０は、外側面２０７の周縁部を露出させるように外被覆部３２２を被覆している。有機絶縁膜３４０は、具体的には、外被覆部３２２の第３外壁部３３６を露出させるように外被覆部３２２を被覆している。

【0357】

有機絶縁膜３４０は、さらに具体的には、第３外壁部３３６から第３内壁部３３５側に間隔を空けて外被覆部３２２を被覆し、平面視において外側面２０７の周縁部および外被覆部３２２の周縁部を露出させている。つまり、有機絶縁膜３４０は、外側面２０７を露出させるように外被覆部３２２の第１被覆部分３３２および第２被覆部分３３３を被覆している。

【0358】

有機絶縁膜３４０は、ゲート主面電極３０１側の第４内壁部３４３を有している。第４内壁部３４３は、ゲート主面電極３０１の内方部を露出させる第２ゲート開口３４４を区画している。第４内壁部３４３（第２ゲート開口３４４）は、第１内被覆部３２４の第１内壁部３２６（第１ゲート開口３２８）に沿って延びている。第４内壁部３４３は、この形態では、平面視において第１内壁部３２６に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。

【0359】

第４内壁部３４３は、具体的には、第１内壁部３２６から第１外壁部３２７側に間隔を空けて第１内被覆部３２４の上に形成され、ゲート主面電極３０１の内方部および第１内被覆部３２４の第１縁部３４１を露出させている。つまり、第２ゲート開口３４４は、ゲート主面電極３０１の内方部および第１内被覆部３２４の第１縁部３４１を露出させている。第１縁部３４１の露出幅は、０μｍを超えて１０μｍ以下であってもよい。第１縁部３４１の露出幅は、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

【0360】

第４内壁部３４３（第２ゲート開口３４４）は、第１内壁部３２６（第１ゲート開口３２８）に連通し、第１内壁部３２６（第１ゲート開口３２８）と１つのゲートパッド開口３４５を形成している。第４内壁部３４３（第２ゲート開口３４４）は、有機絶縁膜３４０の主面から第１内壁部３２６に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。第４内壁部３４３は、この形態では、第１内被覆部３２４に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0361】

有機絶縁膜３４０は、ソース主面電極３０３側の第５内壁部３４６を有している。第５内壁部３４６は、ソース主面電極３０３の内方部を露出させる第２ソース開口３４７を区画している。第５内壁部３４６（第２ソース開口３４７）は、第２内被覆部３２５の第２内壁部３２９（第１ソース開口３３１）に沿って延びている。第５内壁部３４６は、この形態では、平面視において第２内被覆部３２５の第２内壁部３２９に平行な辺を有する多角形状に形成されている。

【0362】

第５内壁部３４６は、具体的には、第２内被覆部３２５の第２内壁部３２９から第２外壁部３３０側に間隔を空けて第２内被覆部３２５の上に形成され、ソース主面電極３０３の内方部および第２内被覆部３２５の第２縁部３４２を露出させている。つまり、第２ソース開口３４７は、ソース主面電極３０３の内方部および第２内被覆部３２５の第２縁部３４２を露出させている。第２縁部３４２の露出幅は、０μｍを超えて１０μｍ以下であってもよい。第２縁部３４２の露出幅は、１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

【0363】

第５内壁部３４６（第２ソース開口３４７）は、第２内被覆部３２５の第２内壁部３２９（第１ソース開口３３１）に連通し、第２内壁部３２９（第１ソース開口３３１）と１つのソースパッド開口３４８を形成している。第５内壁部３４６（第２ソース開口３４７）は、有機絶縁膜３４０の主面から第２内壁部３２９に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。第５内壁部３４６は、この形態では、第２内被覆部３２５に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0364】

有機絶縁膜３４０は、第４外壁部３４９を有している。第４外壁部３４９は、外側面２０７を露出させるように、第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）から外被覆部３２２側に間隔を空けて形成されている。第４外壁部３４９は、具体的には、外被覆部３２２の第３外壁部３３６を露出させるように第３外壁部３３６の上に形成されている。第４外壁部３４９は、さらに具体的には、外被覆部３２２の周縁部を露出させるように第３外壁部３３６から第３内壁部３３５側に間隔を空けて形成されている。

【0365】

第４外壁部３４９は、外被覆部３２２の第２被覆部分３３３の上に位置し、外被覆部３２２を挟んで外側面２０７に対向している。第４外壁部３４９は、第３外壁部３３６と共にダイシングストリート３３４を区画している。第４外壁部３４９は、この形態では、平面視において活性面２０６に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。第４外壁部３４９は、有機絶縁膜３４０の主面から外被覆部３２２の第３外壁部３３６に向けて斜め下り傾斜したテーパ形状に形成されている。第４外壁部３４９は、この形態では、外被覆部３２２に向かって湾曲した湾曲テーパ形状に形成されている。

【0366】

このように、有機絶縁膜３４０は、活性面２０６の上においてゲート主面電極３０１の縁部、ソース主面電極３０３の縁部、ゲート配線電極３０７の全域、および、第２無機絶縁膜３２０の複数の内被覆部３２１を被覆している。有機絶縁膜３４０は、活性面２０６の上では、第１無機絶縁膜２８０においてゲート主面電極３０１、ゲート配線電極３０７およびソース主面電極３０３から露出した部分を被覆している。有機絶縁膜３４０は、第１無機絶縁膜２８０を挟んで複数の第１トレンチ構造２２０および複数の第２トレンチ構造２３０に対向していてもよい。

【0367】

有機絶縁膜３４０は、活性面２０６および外側面２０７の間においてサイドウォール構造２７２を被覆している。有機絶縁膜３４０は、外側面２０７の上においてソース配線電極３１０の全域、および、第２無機絶縁膜３２０の外被覆部３２２を被覆している。有機絶縁膜３４０は、外側面２０７の上では、第１無機絶縁膜２８０においてソース配線電極３１０および第２無機絶縁膜３２０から露出した部分を被覆している。

【0368】

また、有機絶縁膜３４０は、第２無機絶縁膜３２０の複数の内被覆部３２１および外被覆部３２２に跨って形成され、複数の内被覆部３２１および外被覆部３２２の間の除去部３２３内においてゲート主面電極３０１の縁部、ソース主面電極３０３の縁部、ゲート配線電極３０７の全域、および、ソース配線電極３１０の全域を被覆している。

【0369】

つまり、有機絶縁膜３４０は、除去部３２３内において、第１無機絶縁膜２８０、第２無機絶縁膜３２０、ゲート主面電極３０１、ソース主面電極３０３、ゲート配線電極３０７およびソース配線電極３１０によって形成された凹凸を埋めている。有機絶縁膜３４０において除去部３２３内に位置する部分の段差は、サイドウォール構造２７２によって緩和されている。

【0370】

図１７および図１８を参照して、ＳｉＣ半導体装置２０１は、複数の第１主面電極３００の上にそれぞれ形成された複数のパッド電極３６０を含む。複数のパッド電極３６０は、外部接続用の端子電極であり、この形態では、めっき膜からそれぞれなる。複数のパッド電極３６０は、ゲートパッド電極３６１およびソースパッド電極３６２を含む。

【0371】

ゲートパッド電極３６１は、ゲートパッド開口３４５内においてゲート主面電極３０１の内方部の上に形成されている。ゲートパッド電極３６１は、第１Ｎｉめっき膜３６３を含む。第１Ｎｉめっき膜３６３は、法線方向Ｚに関して有機絶縁膜３４０の主面からゲート主面電極３０１側に間隔を空けて形成されている。第１Ｎｉめっき膜３６３は、第１ゲート開口３２８内においてゲート主面電極３０１および第１内被覆部３２４の第１内壁部３２６を被覆している。

【0372】

第１Ｎｉめっき膜３６３は、具体的には、ゲート主面電極３０１の上から第１内被覆部３２４の上に引き出され、第２ゲート開口３４４内において第１内被覆部３２４の第１縁部３４１を被覆する第１被覆部３６４を有している。第１被覆部３６４は、第１内被覆部３２４の上において第１内壁部３２６を起点に有機絶縁膜３４０（第４内壁部３４３）に向かう円弧状に形成されている。

【0373】

第１被覆部３６４は、この形態では、有機絶縁膜３４０の第４内壁部３４３を被覆している。第１被覆部３６４は、第４内壁部３４３の中間部に対して第２無機絶縁膜３２０側の領域を被覆している。換言すると、第１被覆部３６４は、第４内壁部３４３の露出面積が第４内壁部３４３の隠蔽面積を超えるように第４内壁部３４３を被覆している。このように、第１Ｎｉめっき膜３６３は、第１ゲート開口３２８の全部および第２ゲート開口３４４の一部を埋めている。

【0374】

第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さは、第２無機絶縁膜３２０の厚さを超えている。第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さは、有機絶縁膜３４０の厚さ未満である。第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さは、ゲート主面電極３０１の主面を基準とする第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さである。第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さは、第２無機絶縁膜３２０の厚さおよび第１縁部３４１の露出幅の和を超えている。これは、第１Ｎｉめっき膜３６３が第４内壁部３４３に接するための１つの条件である。第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さは、０．１μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さは、２μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。

【0375】

ゲートパッド電極３６１は、第１Ｎｉめっき膜３６３とは異なる金属材料からなり、第１Ｎｉめっき膜３６３の外面を被覆する第１外めっき膜３６５を含む。第１外めっき膜３６５は、第１Ｎｉめっき膜３６３の外面に沿って膜状に形成されている。第１外めっき膜３６５は、有機絶縁膜３４０の第４内壁部３４３を被覆している。

【0376】

第１外めっき膜３６５は、外部接続用の第１端子面３６６を有している。第１端子面３６６は、法線方向Ｚに関して、有機絶縁膜３４０の主面（第２ゲート開口３４４の開口端）に対して第１Ｎｉめっき膜３６３側に位置している。これにより、第１外めっき膜３６５は、第４内壁部３４３の一部を露出させている。第１外めっき膜３６５の厚さは、第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さ未満である。

【0377】

第１外めっき膜３６５は、この形態では、第１Ｎｉめっき膜３６３側からこの順に積層された第１Ｐｄめっき膜３６７および第１Ａｕめっき膜３６８を含む積層構造を有している。第１Ｐｄめっき膜３６７は、第１Ｎｉめっき膜３６３の外面に沿って膜状に形成されている。第１Ｐｄめっき膜３６７は、法線方向Ｚに関して、有機絶縁膜３４０の主面から第２無機絶縁膜３２０側に間隔を空けて第１Ｎｉめっき膜３６３を被覆している。第１Ｐｄめっき膜３６７は、第４内壁部３４３を被覆している。第１Ｐｄめっき膜３６７の厚さは、０．０１μｍ以上１μｍ以下であってもよい。

【0378】

第１Ａｕめっき膜３６８は、第１Ｐｄめっき膜３６７の外面に沿って膜状に形成されている。第１Ａｕめっき膜３６８は、法線方向Ｚに関して、有機絶縁膜３４０の主面から第２無機絶縁膜３２０側に間隔を空けて第１Ｐｄめっき膜３６７を被覆している。第１Ａｕめっき膜３６８は、第４内壁部３４３を被覆している。第１Ａｕめっき膜３６８の厚さは、０．０１μｍ以上１μｍ以下であってもよい。第１Ａｕめっき膜３６８は、第１Ｐｄめっき膜３６７の厚さ未満の厚さを有していることが好ましい。

【0379】

ソースパッド電極３６２は、ソースパッド開口３４８内においてソース主面電極３０３の内方部の上に形成されている。ソースパッド電極３６２は、第２Ｎｉめっき膜３７３を含む。第２Ｎｉめっき膜３７３は、法線方向Ｚに関して有機絶縁膜３４０の主面からソース主面電極３０３側に間隔を空けて形成されている。第２Ｎｉめっき膜３７３は、第１ソース開口３３１内においてソース主面電極３０３および第２内被覆部３２５の第２内壁部３２９を被覆している。

【0380】

第２Ｎｉめっき膜３７３は、具体的には、ソース主面電極３０３の上から第２内被覆部３２５の上に引き出され、第２ソース開口３４７内において第２内被覆部３２５の第２縁部３４２を被覆する第２被覆部３７４を有している。第２被覆部３７４は、第２内被覆部３２５の上において第２内壁部３２９を起点に有機絶縁膜３４０（第５内壁部３４６）に向かう円弧状に形成されている。

【0381】

第２被覆部３７４は、この形態では、有機絶縁膜３４０の第５内壁部３４６を被覆している。第２被覆部３７４は、第５内壁部３４６の中間部に対して第２無機絶縁膜３２０側の領域を被覆している。換言すると、第２被覆部３７４は、第５内壁部３４６の露出面積が第５内壁部３４６の隠蔽面積を超えるように第５内壁部３４６を被覆している。このように、第２Ｎｉめっき膜３７３は、第１ソース開口３３１の全部および第２ソース開口３４７の一部を埋めている。

【0382】

第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さは、第２無機絶縁膜３２０の厚さを超えている。第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さは、有機絶縁膜３４０の厚さ未満である。第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さは、ソース主面電極３０３の主面を基準とする第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さである。第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さは、第２無機絶縁膜３２０の厚さおよび第２縁部３４２の露出幅の和を超えている。これは、第２Ｎｉめっき膜３７３が第５内壁部３４６に接するための１つの条件である。第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さは、０．１μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さは、２μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。

【0383】

ソースパッド電極３６２は、第２Ｎｉめっき膜３７３とは異なる金属材料からなり、第２Ｎｉめっき膜３７３の外面を被覆する第２外めっき膜３７５を含む。第２外めっき膜３７５は、第２Ｎｉめっき膜３７３の外面に沿って膜状に形成されている。第２外めっき膜３７５は、有機絶縁膜３４０の第５内壁部３４６を被覆している。

【0384】

第２外めっき膜３７５は、外部接続用のソース端子面３７６を有している。ソース端子面３７６は、法線方向Ｚに関して、有機絶縁膜３４０の主面（第２ソース開口３４７の開口端）に対して第２Ｎｉめっき膜３７３側に位置している。これにより、第２外めっき膜３７５は、第５内壁部３４６の一部を露出させている。第２外めっき膜３７５の厚さは、第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さ未満である。

【0385】

第２外めっき膜３７５は、この形態では、第２Ｎｉめっき膜３７３側からこの順に積層された第２Ｐｄめっき膜３７７および第２Ａｕめっき膜３７８を含む積層構造を有している。第２Ｐｄめっき膜３７７は、第２Ｎｉめっき膜３７３の外面に沿って膜状に形成されている。第２Ｐｄめっき膜３７７は、法線方向Ｚに関して、有機絶縁膜３４０の主面から第２無機絶縁膜３２０側に間隔を空けて第２Ｎｉめっき膜３７３を被覆している。第２Ｐｄめっき膜３７７は、第２ソース開口３４７内において第５内壁部３４６を被覆している。第２Ｐｄめっき膜３７７の厚さは、０．０１μｍ以上１μｍ以下であってもよい。

【0386】

第２Ａｕめっき膜３７８は、第２Ｐｄめっき膜３７７の外面に沿って膜状に形成されている。第２Ａｕめっき膜３７８は、法線方向Ｚに関して、有機絶縁膜３４０の主面から第２無機絶縁膜３２０側に間隔を空けて第２Ｐｄめっき膜３７７を被覆している。第２Ａｕめっき膜３７８は、第２ソース開口３４７内において第５内壁部３４６を被覆している。第２Ａｕめっき膜３７８の厚さは、０．０１μｍ以上１μｍ以下であってもよい。第２Ａｕめっき膜３７８は、第２Ｐｄめっき膜３７７の厚さ未満の厚さを有していることが好ましい。

【0387】

ＳｉＣ半導体装置２０１は、第２主面２０４を被覆する第２主面電極３８０を含む。第２主面電極３８０は、第２主面２０４の全域を被覆し、第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）に連なっている。第２主面電極３８０は、第１半導体領域２１０（第２主面２０４）に電気的に接続されている。第２主面電極３８０は、具体的には、第１半導体領域２１０（第２主面２０４）とオーミック接触を形成している。

【0388】

第２主面電極３８０は、この形態では、第２主面２０４側からこの順に積層されたＴｉ膜３８１、Ｎｉ膜３８２、Ｐｄ膜３８３、Ａｕ膜３８４およびＡｇ膜３８５を含む。第２主面電極３８０は、少なくともＴｉ膜３８１を含んでいればよく、Ｎｉ膜３８２、Ｐｄ膜３８３、Ａｕ膜３８４およびＡｇ膜３８５の有無はそれぞれ任意である。第２主面電極３８０は、一例として、Ｔｉ膜３８１、Ｎｉ膜３８２およびＡｕ膜３８４を含む積層構造を有していてもよい。

【0389】

以上、ＳｉＣ半導体装置２０１によっても、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。第２無機絶縁膜３２０は、図１９Ａ～図１９Ｆに示される種々の形態を採り得る。

【0390】

図１９Ａは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置２０１の内部構造を第２形態例に係る第２無機絶縁膜３２０と共に示す平面図である。以下、図１１～図１８に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0391】

図１９Ａを参照して、第２無機絶縁膜３２０の第１内被覆部３２４は、ゲート主面電極３０１を露出させる第１内開口部３９１を有している。第１内開口部３９１は、第１内壁部３２６および第１外壁部３２７から間隔を空けて第１内被覆部３２４の内方部に形成されている。第１内開口部３９１は、第１内壁部３２６および第１外壁部３２７に沿って延びる帯状に形成されている。第１内開口部３９１は、この形態では、第１内壁部３２６および第１外壁部３２７に沿って延びる環状（具体的には四角環状）に形成されている。

【0392】

第２無機絶縁膜３２０の第２内被覆部３２５は、ソース主面電極３０３を露出させる第２内開口部３９２を有している。第２内開口部３９２は、第２内壁部３２９および第２外壁部３３０から間隔を空けて第２内被覆部３２５の内方部に形成されている。第２内開口部３９２は、第２内壁部３２９および第２外壁部３３０に沿って延びる帯状に形成されている。第２内開口部３９２は、この形態では、第２内壁部３２９および第２外壁部３３０に沿って延びる環状（具体的には多角環状）に形成されている。

【0393】

有機絶縁膜３４０は、第１内被覆部３２４の上から第１内開口部３９１に入り込み、ゲート主面電極３０１において第１内開口部３９１から露出した部分を被覆している。有機絶縁膜３４０は、第２内被覆部３２５の上から第２内開口部３９２に入り込み、ソース主面電極３０３において第２内開口部３９２から露出した部分を被覆している。

【0394】

有機絶縁膜３４０において第１内開口部３９１内に位置する部分および第２内開口部３９２内に位置する部分は、アンカー部をそれぞれ形成している。これにより、複数の第１主面電極３００を被覆する部分において、第２無機絶縁膜３２０に対する有機絶縁膜３４０の接触面積が増加し、第２無機絶縁膜３２０からの有機絶縁膜３４０の剥離を抑制できる。

【0395】

この形態では、第１内被覆部３２４が第１内開口部３９１を含み、第２内被覆部３２５が第２内開口部３９２を含む例が説明された。しかし、第１内被覆部３２４が第１内開口部３９１を含む一方で、第２内被覆部３２５が第２内開口部３９２を含まない構造が採用されてもよい。これとは反対に、第１内被覆部３２４が第１内開口部３９１を含まない一方で、第２内被覆部３２５が第２内開口部３９２を含む構造が採用されてもよい。

【0396】

図１９Ｂは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置２０１の内部構造を第３形態例に係る第２無機絶縁膜３２０と共に示す平面図である。以下、図１１～図１８に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0397】

図１９Ｂを参照して、第２無機絶縁膜３２０の外被覆部３２２は、第１無機絶縁膜２８０を露出させる外開口部３９３を有している。外開口部３９３は、第３内壁部３３５および第３外壁部３３６から間隔を空けて外被覆部３２２の内方部に形成されている。外開口部３９３は、第３内壁部３３５および第３外壁部３３６に沿って延びる帯状に形成されている。外開口部３９３は、この形態では、第３内壁部３３５および第３外壁部３３６に沿って延びる環状（具体的には四角環状）に形成されている。

【0398】

有機絶縁膜３４０は、外被覆部３２２の上から外開口部３９３に入り込み、第１無機絶縁膜２８０において外開口部３９３から露出した部分を被覆している。有機絶縁膜３４０において外開口部３９３内に位置する部分は、アンカー部を形成している。これにより、複数の第１主面電極３００外の領域において、第２無機絶縁膜３２０に対する有機絶縁膜３４０の接触面積が増加し、第２無機絶縁膜３２０からの有機絶縁膜３４０の剥離を抑制できる。

【0399】

図１９Ｃは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置２０１の内部構造を第４形態例に係る第２無機絶縁膜３２０と共に示す平面図である。以下、図１１～図１８に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0400】

図１９Ｃを参照して、第２無機絶縁膜３２０の第１内被覆部３２４は、ゲート主面電極３０１を露出させる第１内開口部３９１を有している（図１９Ａ参照）。第２無機絶縁膜３２０の第２内被覆部３２５は、ソース主面電極３０３を露出させる第２内開口部３９２を有している（図１９Ａ参照）。第２無機絶縁膜３２０の外被覆部３２２は、第１無機絶縁膜２８０を露出させる外開口部３９３を有している（図１９Ｂ参照）。

【0401】

有機絶縁膜３４０において第１内開口部３９１内に位置する部分、第２内開口部３９２内に位置する部分、および、外開口部３９３内に位置する部分は、アンカー部をそれぞれ形成している。これにより、複数の第１主面電極３００を被覆する部分および複数の第１主面電極３００外の領域において、第２無機絶縁膜３２０に対する有機絶縁膜３４０の接触面積が増加し、第２無機絶縁膜３２０からの有機絶縁膜３４０の剥離を抑制できる。

【0402】

図１９Ｄは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置２０１の内部構造を第５形態例に係る第２無機絶縁膜３２０と共に示す平面図である。以下、図１１～図１８に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0403】

図１９Ｄを参照して、第２無機絶縁膜３２０の第１被覆部３６４は、ゲート主面電極３０１を露出させる複数の第１内開口部３９１を有している。複数の第１内開口部３９１は、第１内壁部３２６および第１外壁部３２７から間隔を空けて第１内被覆部３２４の内方部にそれぞれ形成されている。

【0404】

複数の第１内開口部３９１は、第１内壁部３２６（第１外壁部３２７）に沿って間隔を空けて形成されている。各第１内開口部３９１は、この形態では、平面視において第１内壁部３２６に沿って延びる帯状に形成されている。各第１内開口部３９１の平面形状は任意である。各第１内開口部３９１は、平面視において多角形状や円形状に形成されていてもよい。

【0405】

第２無機絶縁膜３２０の第２被覆部３７４は、ソース主面電極３０３を露出させる複数の第２内開口部３９２を有している。複数の第２内開口部３９２は、第２内壁部３２９および第２外壁部３３０から間隔を空けて第２内被覆部３２５の内方部にそれぞれ形成されている。複数の第２内開口部３９２は、第２内壁部３２９（第２外壁部３３０）に沿って間隔を空けて形成されている。各第２内開口部３９２は、この形態では、平面視において第２内壁部３２９に沿って延びる帯状に形成されている。各第２内開口部３９２の平面形状は任意である。各第２内開口部３９２は、平面視において多角形状や円形状に形成されていてもよい。

【0406】

第２無機絶縁膜３２０の外被覆部３２２は、第１無機絶縁膜２８０を露出させる複数の外開口部３９３を有している。複数の外開口部３９３は、第３内壁部３３５および第３外壁部３３６から間隔を空けて外被覆部３２２の内方部にそれぞれ形成されている。複数の外開口部３９３は、第３内壁部３３５（第３外壁部３３６）に沿って間隔を空けて形成されている。各外開口部３９３は、この形態では、平面視において第３内壁部３３５に沿って延びる帯状に形成されている。各外開口部３９３の平面形状は任意である。各外開口部３９３は、平面視において多角形状や円形状に形成されていてもよい。

【0407】

有機絶縁膜３４０において複数の第１内開口部３９１内に位置する部分、複数の第２内開口部３９２内に位置する部分、および、複数の外開口部３９３内に位置する部分は、アンカー部をそれぞれ形成している。これにより、複数の第１主面電極３００を被覆する部分および複数の第１主面電極３００外の領域において、第２無機絶縁膜３２０に対する有機絶縁膜３４０の接触面積が増加し、第２無機絶縁膜３２０からの有機絶縁膜３４０の剥離を抑制できる。

【0408】

この形態では、第２無機絶縁膜３２０が、複数の第１内開口部３９１、複数の第２内開口部３９２、および、複数の外開口部３９３を有している例が説明された。しかし、第２無機絶縁膜３２０は、複数の第１内開口部３９１、複数の第２内開口部３９２、および、複数の外開口部３９３のうちのいずれか１つまたは２つだけを有していてもよい。

【0409】

図１９Ｅは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置２０１の内部構造を第６形態例に係る第２無機絶縁膜３２０と共に示す平面図である。以下、図１１～図１８に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0410】

図１９Ｅを参照して、第２無機絶縁膜３２０の第１内被覆部３２４は、ゲート主面電極３０１の角部（四隅）を露出させるようにゲート主面電極３０１の上に形成されている。第１内被覆部３２４は、具体的には、第１形態例に係る第１内被覆部３２４（図１２参照）の角部（四隅）を除去した形態を有し、ゲート主面電極３０１の角部（四隅）を露出させている。つまり、第１内被覆部３２４は、ゲート主面電極３０１の上に間隔を空けて形成された複数の第１内セグメント部３９４を含む。各第１内被覆部３２４は、ゲート電極側壁３０２の各辺に対して一対一の対応関係で形成され、ゲート電極側壁３０２の各辺に沿って帯状に延びている。

【0411】

第２無機絶縁膜３２０の第２内被覆部３２５は、ソース主面電極３０３の角部（四隅）を露出させるようにソース主面電極３０３の上に形成されている。第２内被覆部３２５は、具体的には、第１形態例に係る第２内被覆部３２５（図１２参照）の角部（四隅）を除去した形態を有し、ソース主面電極３０３の角部（四隅）を露出させている。つまり、第２内被覆部３２５は、ソース主面電極３０３の上に間隔を空けて形成された複数の第２内セグメント部３９５を含む。各第２内セグメント部３９５は、ソース電極側壁３０５の各辺に対して一対一の対応関係で形成され、ソース電極側壁３０５の各辺に沿って帯状に延びている。

【0412】

第２無機絶縁膜３２０の外被覆部３２２は、第１無機絶縁膜２８０においてソース配線電極３１０の角部に沿う部分を露出させるように第１無機絶縁膜２８０の上に形成されている。外被覆部３２２は、具体的には、第１形態例に係る外被覆部３２２（図１２参照）の角部（四隅）を除去した形態を有し、第１無機絶縁膜２８０においてソース配線電極３１０の角部に沿う部分を露出させている。つまり、外被覆部３２２は、第１無機絶縁膜２８０の上に形成された複数の外セグメント部３９６を含む。各外セグメント部３９６は、ソース配線電極３１０の各辺に対して一対一の対応関係で形成され、ソース配線電極３１０の各辺に沿って帯状に延びている。

【0413】

有機絶縁膜３４０は、ゲート主面電極３０１の上において複数の第１内セグメント部３９４を被覆している。また、有機絶縁膜３４０は、ゲート主面電極３０１の角部（四隅）を被覆している。有機絶縁膜３４０は、ソース主面電極３０３の上において複数の第２内セグメント部３９５を被覆している。また、有機絶縁膜３４０は、ソース主面電極３０３の角部（四隅）を被覆している。有機絶縁膜３４０は、外側面２０７の上において、外被覆部３２２の複数の外セグメント部３９６を被覆している。

【0414】

このような構造によっても、第２無機絶縁膜３２０に対する有機絶縁膜３４０の接触面積が増加するため、第２無機絶縁膜３２０からの有機絶縁膜３４０の剥離を抑制できる。ゲート主面電極３０１の角部（四隅）やソース主面電極３０３の角部（四隅）では、熱膨張に起因する応力が集中しやすい。したがって、ゲート主面電極３０１の角部（四隅）やソース主面電極３０３の角部（四隅）を露出させるように第２無機絶縁膜３２０を形成することによって、第２無機絶縁膜３２０に対するゲート主面電極３０１やソース主面電極３０３の応力の影響を低減できる。

【0415】

第１内被覆部３２４は、有端状に形成された１つの第１内セグメント部３９４のみを有していてもよい。第２内被覆部３２５は、有端状に形成された１つの第２内セグメント部３９５のみを有していてもよい。外被覆部３２２は、有端状に形成された１つの外セグメント部３９６のみを有していてもよい。

【0416】

また、第１内被覆部３２４が第１内セグメント部３９４を有さない一方で、第２内被覆部３２５が少なくとも１つの第２内セグメント部３９５を有していてもよい。また、第２内被覆部３２５が第２内セグメント部３９５を有さない一方で、第１内被覆部３２４が少なくとも１つの第１内セグメント部３９４を有していてもよい。これらの場合、外被覆部３２２は、少なくとも１つの外セグメント部３９６を有していてもよいし、外セグメント部３９６を有していなくてもよい。

【0417】

図１９Ｆは、図１２に対応し、ＳｉＣ半導体装置２０１の内部構造を第７形態例に係る第２無機絶縁膜３２０と共に示す平面図である。以下、図１１～図１８に示された構造に対応する構造については同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0418】

図１９Ｆを参照して、第２無機絶縁膜３２０の第１内被覆部３２４は、第６形態例に係る第１内被覆部３２４と同様に、ゲート主面電極３０１の角部（四隅）を露出させる複数の第１内セグメント部３９４を含む。複数の第１内セグメント部３９４は、この形態では、ゲート電極側壁３０２の各辺に対して一対多の対応関係で形成され、ゲート電極側壁３０２の各辺に沿って間隔を空けて形成されている。各第１内セグメント部３９４の平面形状は任意である。各第１内セグメント部３９４は、平面視において四角形状、多角形状、円形状等に形成されていてもよい。

【0419】

第２無機絶縁膜３２０の第２内被覆部３２５は、第６形態例に係る第２内被覆部３２５と同様に、ソース主面電極３０３の角部（四隅）を露出させる複数の第２内セグメント部３９５を含む。複数の第２内セグメント部３９５は、この形態では、ソース主面電極３０３の各辺に対して一対多の対応関係で形成され、ソース主面電極３０３の各辺に沿って間隔を空けて形成されている。各第２内セグメント部３９５の平面形状は任意である。各第２内セグメント部３９５は、平面視において四角形状、多角形状、円形状等に形成されていてもよい。

【0420】

第２無機絶縁膜３２０の外被覆部３２２は、第６形態例に係る外被覆部３２２と同様に、第１無機絶縁膜２８０おいてソース配線電極３１０の角部に沿う部分を露出させる複数の外セグメント部３９６を含む。複数の外セグメント部３９６は、この形態では、ソース配線電極３１０の各辺に対して一対多の対応関係で形成され、ソース配線電極３１０の各辺に沿って間隔を空けて形成されている。各外セグメント部３９６の平面形状は任意である。各外セグメント部３９６は、平面視において四角形状、多角形状、円形状等に形成されていてもよい。

【0421】

第１内被覆部３２４が第１内セグメント部３９４を有さない一方で、第２内被覆部３２５が複数の第２内セグメント部３９５を有していてもよい。また、第２内被覆部３２５が第２内セグメント部３９５を有さない一方で、第１内被覆部３２４が複数の第１内セグメント部３９４を有していてもよい。これらの場合、外被覆部３２２は、複数の外セグメント部３９６を有していてもよいし、外セグメント部３９６を有していなくてもよい。

【0422】

図２０は、図１７に対応し、本発明の第７実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４０１を説明するための断面図である。図２１は、図１８に対応し、図２０に示すＳｉＣ半導体装置４０１を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置２０１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0423】

図２０を参照して、第７実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４０１では、第１Ｎｉめっき膜３６３の第１被覆部３６４が、有機絶縁膜３４０の第４内壁部３４３から間隔を空けて第１内被覆部３２４の第１縁部３４１を被覆している。第１被覆部３６４は、第１内被覆部３２４の上において第１内壁部３２６を起点に第４内壁部３４３に向かう円弧状に形成されている。第１Ｎｉめっき膜３６３の厚さは、この形態では、第２無機絶縁膜３２０の厚さおよび第１縁部３４１の露出幅の和未満である。

【0424】

これは、第１Ｎｉめっき膜３６３が第４内壁部３４３に接しないための１つの条件である。一方、第１外めっき膜３６５は、この形態では、第４内壁部３４３から間隔を空けて第１縁部３４１を被覆している。第１外めっき膜３６５は、第１縁部３４１の一部および第４内壁部３４３の全域を露出させている。

【0425】

図２１を参照して、第２Ｎｉめっき膜３７３の第２被覆部３７４は、この形態では、有機絶縁膜３４０の第５内壁部３４６から間隔を空けて第２内被覆部３２５の第２縁部３４２を被覆している。第２被覆部３７４は、第２内被覆部３２５の上において第２内壁部３２９を起点に第５内壁部３４６に向かう円弧状に形成されている。第２Ｎｉめっき膜３７３の厚さは、この形態では、第２無機絶縁膜３２０の厚さおよび第２縁部３４２の露出幅の和未満である。

【0426】

これは、第２Ｎｉめっき膜３７３が第５内壁部３４６に接しないための１つの条件である。一方、第２外めっき膜３７５は、この形態では、第５内壁部３４６から間隔を空けて第２縁部３４２を被覆している。第２外めっき膜３７５は、第２縁部３４２の一部および第５内壁部３４６の全域を露出させている。

【0427】

以上、ＳｉＣ半導体装置４０１によってもＳｉＣ半導体装置１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ＳｉＣ半導体装置４０１によれば、第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１０１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。

【0428】

この形態では、第４内壁部３４３の全域を露出させる第１外めっき膜３６５が形成された例が説明された。しかし、第４内壁部３４３の一部を被覆する第１外めっき膜３６５が形成されてもよい。この場合、第１Ｐｄめっき膜３６７および第１Ａｕめっき膜３６８のいずれか一方または双方が第４内壁部３４３の一部を被覆していてもよい。

【0429】

この形態では、第５内壁部３４６の全域を露出させる第２外めっき膜３７５が形成された例が説明された。しかし、第５内壁部３４６の一部を被覆する第２外めっき膜３７５が形成されてもよい。この場合、第２Ｐｄめっき膜３７７および第２Ａｕめっき膜３７８のいずれか一方または双方が第５内壁部３４６の一部を被覆していてもよい。

【0430】

図２２は、図１５に対応し、本発明の第８実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４１１を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置２０１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0431】

図２２を参照して、第８実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４１１では、主面絶縁膜２７０および第１無機絶縁膜２８０が、第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）に連なっている。したがって、主面絶縁膜２７０および第１無機絶縁膜２８０は、外側面２０７を露出させていない。第２無機絶縁膜３２０において、外被覆部３２２の全体は、第１無機絶縁膜２８０の上に形成されている。外被覆部３２２の第３外壁部３３６は、第１主面２０３の周縁との間で第１無機絶縁膜２８０の周縁部を露出させるダイシングストリート３３４を区画している。

【0432】

以上、ＳｉＣ半導体装置４１１によってもＳｉＣ半導体装置１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。

【0433】

図２３は、図１５に対応し、本発明の第９実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４２１を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置２０１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0434】

図２３を参照して、第９実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４２１では、主面絶縁膜２７０および第１無機絶縁膜２８０が、第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）に連なっている。したがって、主面絶縁膜２７０および第１無機絶縁膜２８０は、外側面２０７を露出させていない。

【0435】

第２無機絶縁膜３２０（外被覆部３２２）は、第１主面２０３の周縁（第１～第４側面２０５Ａ～２０５Ｄ）に連なるように第１無機絶縁膜２８０の上に形成されている。したがって、第２無機絶縁膜３２０は、この形態では、第１主面２０３の周縁との間でダイシングストリート３３４を区画していない。有機絶縁膜３４０（第４外壁部３４９）は、この形態では、平面視において第１主面２０３の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第２無機絶縁膜３２０が露出したダイシングストリート３３４を区画している。

【0436】

以上、ＳｉＣ半導体装置４２１によってもＳｉＣ半導体装置１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。

【0437】

図２４は、図１３に対応し、本発明の第１０実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４３１を説明するための拡大図である。図２５は、図２４に示すXXV-XXV線に沿う断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置２０１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0438】

図２４および図２５を参照して、ＳｉＣ半導体装置４３１は、ＳｉＣ半導体装置２０１に係る第２トレンチ構造２３０とは異なる構造からなる第２トレンチ構造２３０を有している。ソーストレンチ２３１は、具体的には、開口側の第１トレンチ部２３１ａおよび底壁側の第２トレンチ部２３１ｂを含む。第１トレンチ部２３１ａは、第２方向Ｙに関して第１トレンチ幅ＷＴ１を有している。第１トレンチ幅ＷＴ１は、第２トレンチ構造２３０の第２幅Ｗ２である。第１トレンチ部２３１ａは、底壁側に向かって第１トレンチ幅ＷＴ１が狭まる先細り形状に形成されていてもよい。

【0439】

第１トレンチ部２３１ａは、ゲートトレンチ２２１の底壁に対して活性面２０６側の領域に形成されていることが好ましい。つまり、第１トレンチ部２３１ａの深さは、第１トレンチ構造２２０の第１深さＤ１未満であることが好ましい。むろん、第１トレンチ部２３１ａは、第１トレンチ構造２２０よりも深く形成されていてもよい。

【0440】

第２トレンチ部２３１ｂは、第１トレンチ部２３１ａに連通し、第１トレンチ部２３１ａから第２半導体領域２１１の底部に向けて延びている。第２トレンチ部２３１ｂは、この形態では、第１主面２０３に沿う面方向に第１トレンチ構造２２０の底壁を横切っている。第２トレンチ部２３１ｂは、ほぼ一定の開口幅を有する垂直形状に形成されていてもよい。第２トレンチ部２３１ｂは、底壁に向かって狭まる開口幅を有する先細り形状に形成されていてもよい。

【0441】

第１トレンチ部２３１ａを基準としたときの第２トレンチ部２３１ｂの深さは、第１トレンチ構造２２０の第１深さＤ１を超えていることが好ましい。第２トレンチ部２３１ｂは、第２方向Ｙに関して第１トレンチ幅ＷＴ１未満の第２トレンチ幅ＷＴ２（ＷＴ２＜ＷＴ１）を有している。

【0442】

ソース絶縁膜２３２は、ソーストレンチ２３１の内壁に膜状に形成され、ソーストレンチ２３１内においてリセス空間を区画している。ソース絶縁膜２３２は、具体的には、第１トレンチ部２３１ａを露出させる窓部２３２ａを有し、第２トレンチ部２３１ｂ内においてリセス空間を区画している。

【0443】

ソース絶縁膜２３２は、具体的には、前述の第１部分２３４および第２部分２３５を含む。第１部分２３４は、ソーストレンチ２３１（第２トレンチ部２３１ｂ）の側壁を被覆し、ソーストレンチ２３１の開口部側（第１トレンチ部２３１ａ側）で窓部２３２ａを区画している。第２部分２３５は、ソーストレンチ２３１（第２トレンチ部２３１ｂ）の底壁を被覆している。

【0444】

ソース電極２３３は、ソース絶縁膜２３２を挟んでソーストレンチ２３１に埋設されている。ソース電極２３３は、具体的には、ソース絶縁膜２３２を挟んで第１トレンチ部２３１ａおよび第２トレンチ部２３１ｂに埋設され、窓部２３２ａから露出した第１トレンチ部２３１ａに接するコンタクト部２３３ａを有している。

【0445】

ボディ領域２５０は、この形態では、第２トレンチ構造２３０の第１トレンチ部２３１ａを被覆している。ボディ領域２５０は、第１トレンチ部２３１ａから露出したソース電極２３３のコンタクト部２３３ａに電気的に接続されている。これにより、ボディ領域２５０は、ＳｉＣチップ２０２内においてソース接地されている。ボディ領域２５０は、第２トレンチ部２３１ｂの一部を被覆し、ソース絶縁膜２３２の一部を挟んでソース電極２３３に対向していてもよい。

【0446】

各ソース領域２５１は、この形態では、第２トレンチ構造２３０の第１トレンチ部２３１ａを被覆し、ソース電極２３３のコンタクト部２３３ａに電気的に接続されている。これにより、各ソース領域２５１は、ＳｉＣチップ２０２内においてソース接地されている。

【0447】

各コンタクト領域２５２は、この形態では、各第２トレンチ構造２３０の第１トレンチ部２３１ａおよび第２トレンチ部２３１ｂに沿って形成されている。各コンタクト領域２５２において第１トレンチ部２３１ａを被覆する部分は、コンタクト部２３３ａ、ボディ領域２５０およびソース領域２５１に電気的に接続されている。つまり、各コンタクト領域２５２は、ＳｉＣチップ２０２内においてソース接地されている。各コンタクト領域２５２において第２トレンチ部２３１ｂを被覆する部分は、ソース絶縁膜２３２を挟んでソース電極２３３に対向している。

【0448】

各ウェル領域２５３は、この形態では、複数のコンタクト領域２５２を挟んで各第２トレンチ構造２３０（第１トレンチ部２３１ａおよび第２トレンチ部２３１ｂ）を被覆している。つまり、各ウェル領域２５３は、第２トレンチ構造２３０を直接被覆する部分、および、コンタクト領域２５２を挟んで第２トレンチ構造２３０を被覆する部分を含む。

【0449】

各ウェル領域２５３において第１トレンチ部２３１ａを被覆する部分は、ボディ領域２５０に接続されている。つまり、各コンタクト領域２５２は、ＳｉＣチップ２０２内においてソース接地されている。複数のウェル領域２５３において複数の第２トレンチ構造２３０（第２トレンチ部２３１ｂ）の底壁を被覆する部分は、ほぼ一定の深さで形成されている。

【0450】

第１無機絶縁膜２８０は、この形態では、活性面２０６において複数の第１トレンチ構造２２０、複数のソース領域２５１、複数のコンタクト領域２５２およびトレンチ終端構造２５５を被覆している。第１無機絶縁膜２８０は、具体的には、第２方向Ｙに沿う断面視においてソース領域２５１の全域およびコンタクト領域２５２の全域を被覆している。

【0451】

また、第１無機絶縁膜２８０は、平面視においてソース領域２５１の全域およびコンタクト領域２５２の全域を被覆している。第１無機絶縁膜２８０は、さらに、活性面２０６の上から第２トレンチ構造２３０の上に引き出され、ソース電極２３３の縁部（つまりコンタクト部２３３ａ）を被覆している。第１無機絶縁膜２８０は、この形態では、第２トレンチ構造２３０の全周に亘ってソース電極２３３の縁部を被覆している。

【0452】

複数のソースコンタクト開口２８４は、この形態では、複数の第２トレンチ構造２３０を一対一の対応関係で露出させている。各ソースコンタクト開口２８４は、平面視において第２トレンチ構造２３０の側壁によって取り囲まれた領域内に形成されている。各ソースコンタクト開口２８４は、具体的には、第２トレンチ構造２３０の側壁から内方に間隔を空けて形成され、ソース電極２３３のみを露出させている。各ソースコンタクト開口２８４は、各第２トレンチ構造２３０に沿って延びる帯状に形成されていてもよい。

【0453】

ソース主面電極３０３は、この形態では、第１無機絶縁膜２８０の上から複数のソースコンタクト開口２８４に入り込み、複数のソース電極２３３のみに電気的に接続されている。これにより、ソース電位は、複数のソース電極２３３のコンタクト部２３３ａを介して、ボディ領域２５０、複数のソース領域２５１、複数のコンタクト領域２５２および複数のウェル領域２５３に伝達される。

【0454】

他の構造については、前述のＳｉＣ半導体装置２０１と同様であるので、それらの構造の説明は省略される。以上、ＳｉＣ半導体装置４３１によってもＳｉＣ半導体装置２０１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ＳｉＣ半導体装置４３１は、ソース電極２３３が、ソーストレンチ２３１の開口側の領域においてソーストレンチ２３１の側壁から露出したコンタクト部２３３ａを有している。

【0455】

このような構造によれば、ソース接地すべき半導体領域を、ソース電極２３３のコンタクト部２３３ａによってＳｉＣチップ２０２内においてソース接地させることができる。この形態では、ボディ領域２５０、ソース領域２５１、コンタクト領域２５２およびウェル領域２５３がＳｉＣチップ２０２内においてソース電極２３３に電気的に接続されている。このような構造は、ボディ領域２５０、ソース領域２５１、コンタクト領域２５２、ウェル領域２５３、ソースコンタクト開口２８４等のアライメントマージンを緩和する上で有効である。ＳｉＣ半導体装置４３１の構造は、第７～第９実施形態にも適用できる。

【0456】

図２６は、図１４に対応し、本発明の第１１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４４１を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置２０１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0457】

図２６を参照して、第１１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４４１は、ｐ型不純物が添加されたｐ型ポリシリコンを含むゲート電極２２３を含む。ゲート電極２２３は、具体的には、ｐ型ポリシリコンからなる。ゲート電極２２３のｐ型ポリシリコンのｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２２ｃｍ^－３以下であってもよい。ゲート電極２２３のシート抵抗は、１０Ω／□以上５００Ω／□以下であってもよい。

【0458】

ＳｉＣ半導体装置４４１は、ゲート電極２２３と同一の導電材料を含むソース電極２３３を含む。つまり、ソース電極２３３は、ｐ型不純物が添加されたｐ型ポリシリコンを含む。ソース電極２３３は、具体的には、ｐ型ポリシリコンからなる。ソース電極２３３のｐ型ポリシリコンのｐ型不純物濃度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以上１×１０^２２ｃｍ^－３以下であってもよい。ソース電極２３３のシート抵抗は、１０Ω／□以上５００Ω／□以下であってもよい。

【0459】

ＳｉＣ半導体装置４４１は、ゲート電極２２３を被覆する第１低抵抗層４４２を含む。第１低抵抗層４４２は、ゲートトレンチ２２１内においてゲート電極２２３を被覆している。つまり、第１低抵抗層４４２は、第１トレンチ構造２２０の一部を形成している。第１低抵抗層４４２は、ゲートトレンチ２２１内においてゲート絶縁膜２２２に接している。第１低抵抗層４４２は、ゲート絶縁膜２２２の角部（つまり第３部分２２６）に接していることが好ましい。

【0460】

第１低抵抗層４４２は、ゲート電極２２３のシート抵抗未満のシート抵抗を有する導電材料を含む。第１低抵抗層４４２のシート抵抗は、０．０１Ω／□以上１０Ω／□以下であってもよい。第１低抵抗層４４２は、１０μΩ・ｃｍ以上１１０μΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有していることが好ましい。第１低抵抗層４４２は、この形態では、ゲート電極２２３の表層部が金属とシリサイド化したポリサイド層（具体的にはｐ型ポリサイド層）からなる。つまり、第１低抵抗層４４２は、ゲート電極２２３の表層部において当該ゲート電極２２３と一体的に形成され、ゲート電極２２３の電極面を形成している。

【0461】

第１低抵抗層４４２は、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉ_２、ＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＣｏＳｉ_２、ＭｏＳｉ_２およびＷＳｉ_２のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第１低抵抗層４４２は、ＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ_２およびＴｉＳｉ_２のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。第１低抵抗層４４２は、ＣｏＳｉ_２からなることが特に好ましい。

【0462】

ＳｉＣ半導体装置４４１は、ソース電極２３３を被覆する第２低抵抗層４４３を含む。第２低抵抗層４４３は、ソーストレンチ２３１内においてソース電極２３３を被覆している。つまり、第２低抵抗層４４３は、第２トレンチ構造２３０の一部を形成している。第２低抵抗層４４３は、ソーストレンチ２３１内においてソース絶縁膜２３２（つまり第２部分２３５）に接していてもよい。

【0463】

第２低抵抗層４４３は、ソース電極２３３のシート抵抗未満のシート抵抗を有する導電材料を含む。第２低抵抗層４４３のシート抵抗は、０．０１Ω／□以上１０Ω／□以下であってもよい。第２低抵抗層４４３は、１０μΩ・ｃｍ以上１１０μΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有していることが好ましい。第２低抵抗層４４３は、この形態では、ソース電極２３３の表層部が金属とシリサイド化したポリサイド層（具体的にはｐ型ポリサイド層）からなる。つまり、第２低抵抗層４４３は、ソース電極２３３の表層部において当該ソース電極２３３と一体的に形成され、ソース電極２３３の電極面を形成している。

【0464】

第２低抵抗層４４３は、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉ_２、ＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＣｏＳｉ_２、ＭｏＳｉ_２およびＷＳｉ_２のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第２低抵抗層４４３は、ＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ_２およびＴｉＳｉ_２のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。第２低抵抗層４４３は、ＣｏＳｉ_２からなることが特に好ましい。第２低抵抗層４４３は、第１低抵抗層４４２と同一材料からなることが好ましい。このような構造において、ボディ領域２５０のｐ型不純物濃度は、ゲート電極２２３のｐ型不純物濃度およびソース電極２３３のｐ型不純物濃度未満であることが好ましい。

【0465】

以上、ＳｉＣ半導体装置４４１によってもＳｉＣ半導体装置２０１に対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ＳｉＣ半導体装置４４１は、ｐ型ポリシリコンを含むゲート電極２２３、および、ゲート電極２２３を被覆する第１低抵抗層４４２を含む。

【0466】

ｐ型ポリシリコンを含むゲート電極２２３によれば、ｎ型ポリシリコンの場合と比較して、ゲートトレンチ２２１内のシート抵抗が増加する一方、ゲート閾値電圧Ｖｔｈを１Ｖ程度増加させることができる。第１低抵抗層４４２によれば、ゲート閾値電圧Ｖｔｈの低下を抑制しながら、ゲートトレンチ２２１内の寄生抵抗を低下させることができる。よって、ＳｉＣ半導体装置４４１によれば、ゲート閾値電圧Ｖｔｈを増加させながら、ゲートトレンチ２２１内の寄生抵抗を削減できる。

【0467】

ＳｉＣ半導体装置４４１に係る第１低抵抗層４４２および第２低抵抗層４４３は、第７～第１０実施形態にも適用できる。第１低抵抗層４４２および第２低抵抗層４４３が第１０実施形態に係るＳｉＣ半導体装置４３１に適用された場合、第２低抵抗層４４３は、ソース電極２３３と共に第１トレンチ部２３１ａに接するコンタクト部２３３ａを形成する。つまり、ボディ領域２５０、ソース領域２５１、コンタクト領域２５２、ウェル領域２５３等は、ＳｉＣチップ２０２内において第２低抵抗層４４３にそれぞれソース接地される。

【0468】

図２７は、半導体パッケージ５０１を一方側から見た平面図である。図２８は、図２７に示す半導体パッケージ５０１を他方側から見た平面図である。図２９は、図２７に示す半導体パッケージ５０１の斜視図である。図３０は、図２７に示す半導体パッケージ５０１の分解斜視図である。図３１は、図２７に示すXXXI-XXXI線に沿う断面図である。図３２は、図２７に示す半導体パッケージ５０１の回路図である。

【0469】

図２７～図３２を参照して、半導体パッケージ５０１は、この形態では、パワーガードパッケージと称される形態を有している。半導体パッケージ５０１は、樹脂製のパッケージ本体５０２を含む。パッケージ本体５０２は、フィラー（たとえば絶縁フィラー）およびマトリクス樹脂を含むモールド樹脂からなる。マトリクス樹脂は、エポキシ樹脂からなることが好ましい。

【0470】

パッケージ本体５０２は、一方側の第１主面５０３（第１面）、他方側の第２主面５０４（第２面）、ならびに、第１主面５０３および第２主面５０４を接続する第１～第４側面５０５Ａ～５０５Ｄを有している。第１主面５０３および第２主面５０４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。

【0471】

第１側面５０５Ａおよび第２側面５０５Ｂは、第１主面５０３に沿う第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差（具体的には直交）する第２方向Ｙに対向している。第１側面５０５Ａおよび第２側面５０５Ｂは、パッケージ本体５０２の長辺を形成している。第３側面５０５Ｃおよび第４側面５０５Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面５０５Ｃおよび第４側面５０５Ｄは、パッケージ本体５０２の短辺を形成している。

【0472】

半導体パッケージ５０１は、パッケージ本体５０２内に配置された第１金属板５１０を含む。第１金属板５１０は、パッケージ本体５０２の第１主面５０３側に配置され、第１放熱部５１１および第１端子部５１２を一体的に含む。第１放熱部５１１は、第１主面５０３から露出するようにパッケージ本体５０２内に配置されている。第１放熱部５１１は、第１主面５０３の平面積未満の平面積を有し、第１～第４側面５０５Ａ～５０５Ｄから内方に間隔を空けて第１主面５０３から露出している。第１放熱部５１１は、平面視において第１方向Ｘに延びる長方形状に形成されている。

【0473】

第１端子部５１２は、第１側面５０５Ａを貫通するように第１放熱部５１１から第２方向Ｙに延びる帯状に引き出され、パッケージ本体５０２の内外に跨っている。第１放熱部５１１は、第１側面５０５Ａ（第２側面５０５Ｂ）の中央部を第２方向Ｙに横切る中央ラインＬＣを設定したとき、当該中央ラインＬＣに対して第４側面５０５Ｄ側に配置されている。

【0474】

第１端子部５１２は、第２方向Ｙに関して第１長さＬ１を有している。第１端子部５１２の第１方向Ｘの幅は、第１放熱部５１１の第１方向Ｘの幅未満である。第１端子部５１２は、パッケージ本体５０２内において第１主面５０３側から第２主面５０４側に折れ曲がった第１屈曲部５１３を介して第１放熱部５１１に接続されている。これにより、第１端子部５１２は、第１主面５０３から第２主面５０４側に間隔を空けて第１側面５０５Ａから露出している。

【0475】

半導体パッケージ５０１は、パッケージ本体５０２内に配置された第２金属板５２０を含む。第２金属板５２０は、第２放熱部５２１および第２端子部５２２を一体的に含み、第１金属板５１０から間隔を空けてパッケージ本体５０２の第２主面５０４側に配置されている。第２放熱部５２１は、第２主面５０４から露出するようにパッケージ本体５０２内に配置されている。

【0476】

第２放熱部５２１は、第２主面５０４の平面積未満の平面積を有し、第１～第４側面５０５Ａ～５０５Ｄから内方に間隔を空けて第２主面５０４から露出している。第２放熱部５２１は、平面視において第１方向Ｘに延びる長方形状に形成されている。第２端子部５２２は、第１側面５０５Ａを貫通するように第２放熱部５２１から第２方向Ｙに延びる帯状に引き出され、パッケージ本体５０２の内外に跨っている。第２端子部５２２は、中央ラインＬＣに対して第３側面５０５Ｃ側に配置されている。

【0477】

第２端子部５２２は、この形態では、第２方向Ｙに関して第１端子部５１２の第１長さＬ１とは異なる第２長さＬ２を有している。第１端子部５１２および第２端子部５２２は、それらの形状（長さ）から識別される。第２端子部５２２の第２長さＬ２は、第１長さＬ１を超えていてもよいし、第１長さＬ１未満であってもよい。むろん、第１長さＬ１と等しい第２長さＬ２を有する第２端子部５２２が形成されてもよい。

【0478】

第２端子部５２２の第１方向Ｘの幅は、第２放熱部５２１の第１方向Ｘの幅未満である。第２端子部５２２は、パッケージ本体５０２内において第２主面５０４側から第１主面５０３側に折れ曲がった第２屈曲部５２３を介して第２放熱部５２１に接続されている。これにより、第２端子部５２２は、第２主面５０４から第１主面５０３側に間隔を空けて第２側面５０５Ｂから露出している。

【0479】

第２端子部５２２は、法線方向Ｚに関して、第１端子部５１２とは異なる厚さ位置から引き出されている。第２端子部５２２は、この形態では、第１端子部５１２から第２主面５０４側に間隔を空けて形成されている。第２端子部５２２は、第１方向Ｘに関して第１端子部５１２と対向していない。

【0480】

半導体パッケージ５０１は、パッケージ本体５０２内に配置された１つまたは複数（この形態では５つ）の制御端子５３０を含む。複数の制御端子５３０は、第１端子部５１２および第２端子部５２２が露出した第１側面５０５Ａとは反対側の第２側面５０５Ｂから露出している。複数の制御端子５３０は、中央ラインＬＣに対して第３側面５０５Ｃ側に配置されている。複数の制御端子５３０は、平面視において第２金属板５２０の第２端子部５２２と同一直線上に配置されている。複数の制御端子５３０の配置は任意である。

【0481】

複数の制御端子５３０は、第２方向Ｙに延びる帯状にそれぞれ形成されている。複数の制御端子５３０は、具体的には、内端部５３１、外端部５３２およびリード部５３３をそれぞれ含む。内端部５３１は、パッケージ本体５０２内に配置されている。外端部５３２は、パッケージ本体５０２外に配置されている。

【0482】

リード部５３３は、第２側面５０５Ｂを貫通するようにパッケージ本体５０２内からパッケージ本体５０２外に引き出され、パッケージ本体５０２の内外において内端部５３１および外端部５３２を接続している。リード部５３３は、パッケージ本体５０２外に位置する部分において第１主面５０３および／または第２主面５０４に向けて窪んだ湾曲部５３４を有していてもよい。むろん、湾曲部５３４を有さないリード部５３３が形成されてもよい。

【0483】

複数の制御端子５３０は、法線方向Ｚに関して、第１放熱部５１１および第２放熱部５２１とは異なる厚さ位置から引き出されている。複数の制御端子５３０は、この形態では、第１放熱部５１１および第２放熱部５２１から間隔を空けて第１放熱部５１１および第２放熱部５２１の間の領域に配置されている。

【0484】

半導体パッケージ５０１は、パッケージ本体５０２内に配置されたＳＢＤチップ５４１を含む。ＳＢＤチップ５４１は、第１～第５実施形態に係るＳｉＣ半導体装置（符号略）のいずれか一つからなる。ＳＢＤチップ５４１は、パッケージ本体５０２内において第１放熱部５１１および第２放熱部５２１によって挟まれた空間に配置されている。ＳＢＤチップ５４１は、この形態では、第２主面電極７０を第２放熱部５２１に対向させた姿勢で、第２放熱部５２１の上に配置されている。ＳＢＤチップ５４１は、中央ラインＬＣに対してパッケージ本体５０２の第４側面５０５Ｄ側に配置されている。

【0485】

半導体パッケージ５０１は、ＳＢＤチップ５４１から間隔を空けてパッケージ本体５０２内に配置されたＭＩＳＦＥＴチップ５４２を含む。ＭＩＳＦＥＴチップ５４２は、第６～第１１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置（符号略）のいずれか一つからなる。ＭＩＳＦＥＴチップ５４２は、パッケージ本体５０２内において第１放熱部５１１および第２放熱部５２１によって挟まれた空間に配置されている。ＭＩＳＦＥＴチップ５４２は、この形態では、第２主面電極３８０を第２放熱部５２１に対向させた姿勢で、第２放熱部５２１の上に配置されている。ＭＩＳＦＥＴチップ５４２は、中央ラインＬＣに対してパッケージ本体５０２の第３側面５０５Ｃ側に配置されている。

【0486】

半導体パッケージ５０１は、第１導電接合材５４３を含む。第１導電接合材５４３は、ＳＢＤチップ５４１の第２主面電極７０および第２放熱部５２１の間に介在し、ＳＢＤチップ５４１を第２放熱部５２１に熱的、機械的および電気的に接続している。第１導電接合材５４３は、半田または金属ペーストを含んでいてもよい。

【0487】

半導体パッケージ５０１は、第２導電接合材５４４を含む。第２導電接合材５４４は、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２の第２主面電極３８０および第２放熱部５２１の間に介在し、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２を第２放熱部５２１に熱的、機械的および電気的に接続している。第２導電接合材５４４は、半田または金属ペースト含んでいてもよい。

【0488】

これにより、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２のドレインは、ＳＢＤチップ５４１のカソードに電気的に接続されている。つまり、第２金属板５２０（第２端子部５２２）は、ＳＢＤチップ５４１およびＭＩＳＦＥＴチップ５４２に対するカソード・ドレイン端子として機能する。

【0489】

半導体パッケージ５０１は、第１金属スペーサ５５１を含む。第１金属スペーサ５５１は、銅を含む板状部材を含んでいてもよい。第１金属スペーサ５５１は、ＳＢＤチップ５４１および第１放熱部５１１の間に介在している。

【0490】

半導体パッケージ５０１は、第２金属スペーサ５５２を含む。第１金属スペーサ５５１は、銅を含む板状部材を含んでいてもよい。第２金属スペーサ５５２は、第１金属スペーサ５５１の厚さとほぼ等しい厚さを有していることが好ましい。第２金属スペーサ５５２は、第１金属スペーサ５５１から間隔を空けて設けられ、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２および第１放熱部５１１の間に介在している。第２金属スペーサ５５２は、この形態では、第１金属スペーサ５５１とは別体からなるが、第２金属スペーサ５５２は第１金属スペーサ５５１と一体的に形成されていてもよい。

【0491】

半導体パッケージ５０１は、第３導電接合材５５３を含む。第３導電接合材５５３は、ＳＢＤチップ５４１のパッド電極６０および第１金属スペーサ５５１の間に介在し、ＳＢＤチップ５４１を第１金属スペーサ５５１に熱的、機械的および電気的に接続している。第３導電接合材５５３は、半田または金属ペーストを含んでいてもよい。第３導電接合材５５３は、半田からなることが好ましい。

【0492】

半導体パッケージ５０１は、第４導電接合材５５４を含む。第４導電接合材５５４は、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２のソースパッド電極３６２および第２金属スペーサ５５２の間に介在し、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２を第２金属スペーサ５５２に熱的、機械的および電気的に接続している。第４導電接合材５５４は、半田または金属ペーストを含んでいてもよい。第４導電接合材５５４は、半田からなることが好ましい。

【0493】

半導体パッケージ５０１は、第５導電接合材５５５を含む。第５導電接合材５５５は、第１放熱部５１１および第１金属スペーサ５５１の間に介在し、第１金属スペーサ５５１を第１放熱部５１１に熱的、機械的および電気的に接続している。第５導電接合材５５５は、半田または金属ペーストを含んでいてもよい。

【0494】

半導体パッケージ５０１は、第６導電接合材５５６を含む。第６導電接合材５５６は、第１放熱部５１１および第２金属スペーサ５５２の間に介在し、第２金属スペーサ５５２を第１放熱部５１１に熱的、機械的および電気的に接続している。第６導電接合材５５６は、半田または金属ペーストを含んでいてもよい。

【0495】

これにより、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２のソースは、ＳＢＤチップ５４１のアノードに電気的に接続されている。つまり、第１金属板５１０（第１端子部５１２）は、ＳＢＤチップ５４１およびＭＩＳＦＥＴチップ５４２に対するアノード・ソース端子として機能する。

【0496】

半導体パッケージ５０１は、１つまたは複数（この形態では４つ）の導線５５７を含む。導線５５７は、ボンディングワイヤとも称される。導線５５７は、金ワイヤ、銅ワイヤおよびアルミニウムワイヤのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。複数の導線５５７は、複数の制御端子５３０の内端部５３１およびＭＩＳＦＥＴチップ５４２のゲートパッド電極３６１にそれぞれ接続されている。

【0497】

これにより、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２のゲートは、複数の制御端子５３０に電気的に接続されている。つまり、複数の制御端子５３０は、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２のゲート端子としてそれぞれ機能する。導線５５７は、全ての制御端子５３０およびゲートパッド電極３６１に接続されている必要はない。任意の制御端子５３０は、電気的に開放されていてもよい。

【0498】

以上、半導体パッケージ５０１によれば、ＳＢＤチップ５４１のパッド電極６０に第１導電接合材５４３が接続される。パッド電極６０は、第１～第５実施形態において述べた通り、Ｎｉめっき膜６１を含む。これにより、パッド電極６０に対して第１導電接合材５４３を適切に接続させることができる。よって、ＳＢＤチップ５４１を第１放熱部５１１および第２放熱部５２１に熱的、機械的および電気的に適切に接続させることができる。特に、外めっき膜６３を含むパッド電極６０によれば、第１導電接合材５４３に対する親和性を高めることができる。

【0499】

ＳＢＤチップ５４１が有機絶縁膜５０を備えていない場合、パッケージ本体５０２に含有されるフィラーに起因して第１主面電極２０やパッド電極６０等にクラックや剥離等が生じる場合がある。この種の問題はフィラーアタックと称され、第１主面電極２０やパッド電極６０等の信頼性低下の一要因になっている。そこで、ＳＢＤチップ５４１では、有機絶縁膜５０が形成されている。これにより、有機絶縁膜５０がフィラーに対するクッションになるから、第１主面電極２０やパッド電極６０等を適切に保護できる。

【0500】

さらに、ＳＢＤチップ５４１では、第１～第５実施形態において述べた通り、有機絶縁膜５０を備えた構造において、Ｎｉめっき膜６１が第２無機絶縁膜３０の縁部５１に接続された構造を有している。これにより、フィラーアタックに起因するＮｉめっき膜６１（外めっき膜６３）のクラックや剥離等も適切に抑制できる。

【0501】

また、半導体パッケージ５０１によれば、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２のソースパッド電極３６２に第２導電接合材５４４が接続される。ソースパッド電極３６２は、第６～第１１実施形態において述べた通り、第２Ｎｉめっき膜３７３を含む。これにより、ソースパッド電極３６２に対して第２導電接合材５４４を適切に接続させることができる。よって、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２を第１放熱部５１１および第２放熱部５２１に熱的、機械的および電気的に適切に接続させることができる。特に、第２外めっき膜３７５を含むソースパッド電極３６２によれば、第２導電接合材５４４に対する親和性を高めることができる。

【0502】

ＭＩＳＦＥＴチップ５４２が有機絶縁膜３４０を備えていない場合、パッケージ本体５０２に含有されるフィラーに起因してＭＩＳＦＥＴチップ５４２の複数の第１主面電極３００やソースパッド電極３６２等にクラックや剥離等が生じる場合がある。そこで、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２では、第２無機絶縁膜３２０の上に有機絶縁膜３４０が形成されている。これにより、有機絶縁膜３４０がフィラーに対するクッションになるから、複数の第１主面電極３００やソースパッド電極３６２等を適切に保護できる。

【0503】

さらに、ＭＩＳＦＥＴチップ５４２では、第６～第１１実施形態において述べた通り、有機絶縁膜３４０を備えた構造において、第２Ｎｉめっき膜３７３が第２無機絶縁膜３２０の第２内被覆部３２５に接続された構造を有している。これにより、フィラーアタックに起因する第２Ｎｉめっき膜３７３（第２外めっき膜３７５）のクラックや剥離等も適切に抑制できる。ＭＩＳＦＥＴチップ５４２では、ゲートパッド電極３６１側においても、ソースパッド電極３６２側の効果と同様の効果が奏される。

【0504】

この形態では、半導体パッケージ５０１がＳＢＤチップ５４１およびＭＩＳＦＥＴチップ５４２を含む例が説明された。しかし、ＳＢＤチップ５４１およびＭＩＳＦＥＴチップ５４２のいずれか一方だけを含む半導体パッケージ５０１が採用されてもよい。また、複数のＳＢＤチップ５４１および／または複数のＭＩＳＦＥＴチップ５４２を含む半導体パッケージ５０１が採用されてもよい。

【0505】

ＳＢＤチップ５４１は、パワーガード形態を有する半導体パッケージ５０１に限らず、ＴＯ（Transistor Outline）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non Lead Package）、ＤＦＰ（Dual Flat Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＩＰ（Single Inline Package）、もしくは、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、または、これらに類する種々のパッケージに搭載されてもよい。

【0506】

ＭＩＳＦＥＴチップ５４２は、パワーガード形態を有する半導体パッケージ５０１に限らず、ＴＯ（Transistor Outline）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non Lead Package）、ＤＦＰ（Dual Flat Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＩＰ（Single Inline Package）、もしくは、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、または、これらに類する種々のパッケージに搭載されてもよい。

【0507】

本発明の実施形態は、さらに他の形態で実施できる。前述の第１実施形態では、第１主面電極２０の上に端子電極としてのパッド電極６０が形成された例が説明された。しかし、第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１は、図３３に示される形態を有していてもよい。図３３は、図３に対応し、第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１の変形例を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0508】

図３３を参照して、変形例に係るＳｉＣ半導体装置１は、パッド電極６０を有していない。この場合、第１主面電極２０が端子電極として機能する。このようなＳｉＣ半導体装置１は、前述のパッド電極６０の形成工程（図６Ｋ参照）が省略されることによって製造される。むろん、パッド電極６０が存在しない形態は、第１実施形態の他、第２～第５実施形態にも適用できる。

【0509】

前述の第１～第５実施形態において、ＳｉＣチップ２に代えてＳｉ単結晶からなるＳｉチップが採用されてもよい。つまり、前述の第１～第５実施形態に係るＳｉＣ半導体装置（符号略）に代えて、Ｓｉ半導体装置が採用されてもよい。

【0510】

前述の第１～第５実施形態では、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のａ軸方向である例が説明されたが、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のａ軸方向であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向であってもよい。つまり、第１側面５Ａおよび第２側面５ＢはＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成され、第３側面５Ｃおよび第４側面５ＤはＳｉＣ単結晶のａ面によって形成されてもよい。この場合、オフ方向はＳｉＣ単結晶のａ軸方向であってもよい。この場合の具体的な構成は、前述の説明および添付図面において、第１方向Ｘに係るｍ軸方向をａ軸方向に置き換え、第２方向Ｙに係るａ軸方向をｍ軸方向に置き換えることによって得られる。

【0511】

前述の第１～第５実施形態では、第１導電型がｎ型、第２導電型がｐ型の例が説明されたが、第１導電型がｐ型、第２導電型がｎ型であってもよい。この場合の具体的な構成は、前述の説明および添付図面において、ｎ型領域をｐ型領域に置き換え、ｐ型領域をｎ型領域に置き換えることによって得られる。

【0512】

前述の第６実施形態では、複数の第１主面電極３００（ゲート主面電極３０１およびソース主面電極３０３）の上に端子電極としての複数のパッド電極３６０（ゲートパッド電極３６１およびソースパッド電極３６２）がそれぞれ形成された例が説明された。しかし、第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置２０１は、図３４および図３５に示される形態を有していてもよい。図３４および図３５は、図１７および図１８にそれぞれ対応し、第６実施形態に係るＳｉＣ半導体装置２０１の変形例を説明するための断面図である。以下、ＳｉＣ半導体装置２０１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号が付され、それらの説明は省略される。

【0513】

図３４および図３５を参照して、変形例に係るＳｉＣ半導体装置２０１は、複数のパッド電極３６０（ゲートパッド電極３６１およびソースパッド電極３６２）を有していない。この場合、複数の第１主面電極３００（ゲート主面電極３０１およびソース主面電極３０３）が端子電極としてそれぞれ機能する。むろん、複数のパッド電極３６０が存在しない形態は、第６実施形態の他、第７～第１１実施形態にも適用できる。

【0514】

前述の第６～第１１実施形態において、ＳｉＣチップ２０２に代えてＳｉ単結晶からなるＳｉチップが採用されてもよい。つまり、前述の第６～第１１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置（符号略）に代えて、Ｓｉ半導体装置が採用されてもよい。

【0515】

前述の第６～第１１実施形態では、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のａ軸方向である例が説明されたが、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のａ軸方向であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向であってもよい。つまり、第１側面２０５Ａおよび第２側面２０５Ｂ（ＳｉＣチップ２０２の２つの短辺）はＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成され、第３側面２０５Ｃおよび第４側面２０５Ｄ（ＳｉＣチップ２０２の２つの長辺）はＳｉＣ単結晶のａ面によって形成されてもよい。この場合、オフ方向はＳｉＣ単結晶のａ軸方向であってもよい。この場合の具体的な構成は、前述の説明および添付図面において、第１方向Ｘに係るｍ軸方向をａ軸方向に置き換え、第２方向Ｙに係るａ軸方向をｍ軸方向に置き換えることによって得られる。

【0516】

前述の第６～第１１実施形態では、第１導電型がｎ型、第２導電型がｐ型の例が説明されたが、第１導電型がｐ型、第２導電型がｎ型であってもよい。この場合の具体的な構成は、前述の説明および添付図面において、ｎ型領域をｐ型領域に置き換え、ｐ型領域をｎ型領域に置き換えることによって得られる。

【0517】

前述の第６～第１１実施形態において、ｎ型の第１半導体領域２１０（ドレイン領域）に代えてｐ型の第１半導体領域２１０（コレクタ層）が採用されてもよい。この構造によれば、ＭＩＳＦＥＴに代えて、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を提供できる。この場合の具体的な構成は、前述の説明において、ＭＩＳＦＥＴの「ソース」をＩＧＢＴの「エミッタ」に置き換え、ＭＩＳＦＥＴの「ドレイン」をＩＧＢＴの「コレクタ」に置き換えることによって得られる。

【0518】

以下、この明細書および図面から抽出される特徴の例を示す。以下に示される［Ａ１］～［Ａ２０］、［Ｂ１］～［Ｂ１５］、［Ｃ１］～［Ｃ２０］、［Ｄ１］～［Ｄ１９］、［Ｅ１］～［Ｅ１９］および［Ｆ１］～［Ｆ２０］は、信頼性を向上できる電子部品を提供する。電子部品の一種としては、Ｓｉを含む半導体装置（Ｓｉ半導体装置）やＳｉＣを含む半導体装置（ＳｉＣ半導体装置）が例示される。

【0519】

［Ａ１］被覆対象（１０、２８０）と、前記被覆対象（１０、２８０）を被覆し、前記被覆対象（１０、２８０）の上に電極側壁（２１、３０２、３０５）を有する電極（２０、３００、３０１、３０３）と、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させるように前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を被覆する内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）を有する無機絶縁膜（３０、３２０）と、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を被覆する有機絶縁膜（５０、３４０）と、を含む、電子部品。

【0520】

電子部品は、用途に応じて様々な環境下で使用されるため、様々な使用環境条件に適合した耐久性が求められる。電子部品の耐久性は、たとえば、高温高湿バイアス試験によって評価される。高温高湿バイアス試験では、高温高湿環境下に曝された状態で、電子部品の電気的動作が評価される。高温環境下では、電極の熱膨張に起因する応力が電極側壁の近傍で集中する。無機絶縁膜が電極側壁を被覆している場合、電極の応力に起因して無機絶縁膜が電極側壁から剥離し、信頼性が低下する可能性がある。無機絶縁膜の剥離が生じた場合、高湿環境下では、無機絶縁膜の剥離部に侵入した水分（湿気）に起因して電極等が酸化し、信頼性がさらに低下する可能性がある。

【0521】

そこで、前記電子部品では、電極側壁を露出させる無機絶縁膜が形成されている。これにより、電極の応力に起因する無機絶縁膜の剥離起点を削減できる。その結果、電極の応力に起因する無機絶縁膜の剥離を抑制できる。よって、電極を無機絶縁膜によって適切に保護できる。一方、有機絶縁膜は、電極側壁を被覆している。有機絶縁膜は、無機絶縁膜と比較して低い硬度を有している。したがって、電極に応力が生じたとしても、当該応力を弾性的に吸収できる。これにより、電極側壁からの有機絶縁膜の剥離を抑制できる。その結果、電極側壁を有機絶縁膜によって保護できる。よって、信頼性を向上できる電子部品を提供できる。この電子部品では、電極やその周辺の信頼性が特に向上する。

【0522】

［Ａ２］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）を被覆している、Ａ１に記載の電子部品。この構造によれば、電極からの無機絶縁膜の剥離を抑制できるので、無機絶縁膜の剥離に起因する有機絶縁膜の剥離を抑制できる。したがって、内被覆部を被覆する有機絶縁膜を形成することによって、無機絶縁膜および有機絶縁膜の双方によって電極を保護できる。

【0523】

［Ａ３］前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）は、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の周縁部を露出させており、前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の周縁部を被覆している、Ａ１またはＡ２に記載の電子部品。この構造によれば、内被覆部に対する電極の応力の影響を低減できる。また、電極の周縁部を有機絶縁膜によって保護できる。

【0524】

［Ａ４］前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）は、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を露出させている、Ａ１～Ａ３のいずれか一つに記載の電子部品。この構造によれば、電極のコンタクト部を確保できる。

【0525】

［Ａ５］前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）は、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を取り囲んでいる、Ａ４に記載の電子部品。この構造によれば、コンタクト部を確保しながら、無機絶縁膜によって電極を適切に保護できる。

【0526】

［Ａ６］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部側において前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）の縁部（５４、３４３、３４７）を露出させている、Ａ４またはＡ５に記載の電子部品。

【0527】

［Ａ７］前記無機絶縁膜（３０、３２０）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させるように前記被覆対象（１０、２８０）を被覆する外被覆部（３２、３２２）を有している、Ａ１～Ａ６のいずれか一つに記載の電子部品。この構造によれば、電極外の領域において、電極の応力に起因する被覆対象からの無機絶縁膜の剥離を抑制できる。これにより、電極外の領域から無機絶縁膜によって電極を保護できる。

【0528】

［Ａ８］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記外被覆部（３２、３２２）を被覆している、Ａ７に記載の電子部品。この構造によれば、被覆対象からの無機絶縁膜の剥離を抑制できるので、無機絶縁膜の剥離に起因する有機絶縁膜の剥離を抑制できる。したがって、外被覆部を被覆する有機絶縁膜を形成することによって、無機絶縁膜および有機絶縁膜の双方によって電極を保護できる。

【0529】

［Ａ９］前記外被覆部（３２、３２２）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）から間隔を空けて前記被覆対象（１０、２８０）を被覆し、前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記被覆対象（１０、２８０）において前記電極（２０、３００、３０１、３０３）および前記外被覆部（３２、３２２）の間から露出した部分を被覆している、Ａ７またはＡ８に記載の電子部品。この構造によれば、外被覆部に対する電極の応力の影響を低減できる。また、被覆対象において電極側壁および外被覆部の間から露出した部分を有機絶縁膜によって保護できる。

【0530】

［Ａ１０］前記外被覆部（３２、３２２）は、平面視において前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を取り囲んでいる、Ａ７～Ａ９のいずれか一つに記載の電子部品。この構造によれば、電極外の領域から無機絶縁膜によって電極を適切に保護できる。

【0531】

［Ａ１１］被覆対象（１０、２８０）と、前記被覆対象（１０、２８０）を被覆し、前記被覆対象（１０、２８０）の上に電極側壁（２１、３０２、３０５）を有する電極（２０、３００、３０１、３０３）と、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させるように前記被覆対象（１０、２８０）を被覆する無機絶縁膜（３０、３２０）と、前記無機絶縁膜（３０、３２０）および前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を被覆し、前記無機絶縁膜（３０、３２０）および前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の間で前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を被覆する有機絶縁膜（５０、３４０）と、を含む、電子部品。

【0532】

この構造によれば、電極側壁を露出させる無機絶縁膜が形成されている。これにより、電極の応力に起因する無機絶縁膜の剥離起点を削減できる。その結果、電極の応力に起因する無機絶縁膜の剥離を抑制できる。よって、電極外の領域から電極を無機絶縁膜によって適切に保護できる。一方、有機絶縁膜は、電極側壁を被覆している。有機絶縁膜は、無機絶縁膜と比較して低い硬度を有している。したがって、電極に応力が生じたとしても、当該応力を弾性的に吸収できる。

【0533】

これにより、電極側壁からの有機絶縁膜の剥離を抑制できる。また、被覆対象からの無機絶縁膜の剥離を抑制できるので、無機絶縁膜の剥離に起因する有機絶縁膜の剥離を抑制できる。これにより、無機絶縁膜および有機絶縁膜の双方によって電極を保護できる。よって、信頼性を向上できる電子部品を提供できる。この電子部品では、電極やその周辺の信頼性が特に向上する。

【0534】

［Ａ１２］前記無機絶縁膜（３０、３２０）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）から間隔を空けて前記被覆対象（１０、２８０）を被覆し、前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）および前記無機絶縁膜（３０、３２０）の間で前記被覆対象（１０、２８０）を被覆している、Ａ１１に記載の電子部品。この構造によれば、無機絶縁膜に対する電極の応力の影響を低減できる。また、被覆対象において電極側壁および外被覆部の間から露出した部分を有機絶縁膜によって適切に保護できる。

【0535】

［Ａ１３］前記無機絶縁膜（３０、３２０）は、平面視において前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を取り囲んでいる、Ａ１１またはＡ１２に記載の電子部品。この構造によれば、電極外の領域から無機絶縁膜によって電極を適切に保護できる。

【0536】

［Ａ１４］電極側壁（２１、３０２、３０５）を有する電極（２０、３００、３０１、３０３）と、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部および前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させるように前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を被覆する無機絶縁膜（３０、３２０）と、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を被覆し、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を露出させる有機絶縁膜（５０、３４０）と、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部の上に形成されたパッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）と、を含む、電子部品。

【0537】

この構造によれば、電極側壁を露出させる無機絶縁膜が形成されている。これにより、電極の応力に起因する無機絶縁膜の剥離起点を削減できる。その結果、電極の応力に起因する無機絶縁膜の剥離を抑制できる。よって、電極を無機絶縁膜によって適切に保護できる。一方、有機絶縁膜は、電極側壁を被覆している。有機絶縁膜は、無機絶縁膜と比較して低い硬度を有している。したがって、電極に応力が生じたとしても、当該応力を弾性的に吸収できる。これにより、電極側壁からの有機絶縁膜の剥離を抑制できる。その結果、電極側壁を有機絶縁膜によって保護できる。また、この構造によれば、無機絶縁膜や有機絶縁膜の剥離に起因するパッド電極の剥離を抑制できる。よって、信頼性を向上できる電子部品を提供できる。電子部品では、電極やその周辺の信頼性が特に向上する。

【0538】

［Ａ１５］前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記無機絶縁膜（３０、３２０）に接している、Ａ１４に記載の電子部品。この構造によれば、無機絶縁膜の剥離を抑制できるから、無機絶縁膜に接するパッド電極を適切に形成できる。これにより、下地に対するパッド電極の接続面積を増加させることができるから、パッド電極の剥離を抑制できる。

【0539】

［Ａ１６］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部側において前記無機絶縁膜（３０、３２０）の縁部（５４、３４３、３４７）を露出させるように前記無機絶縁膜（３０、３２０）を被覆し、前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記無機絶縁膜（３０、３２０）の前記縁部（５４、３４３、３４７）を被覆している、Ａ１４またはＡ１５に記載の電子部品。この構造によれば、下地に対するパッド電極の接続面積を適切に増加させることができるから、パッド電極の剥離を適切に抑制できる。

【0540】

［Ａ１７］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記無機絶縁膜（３０、３２０）を被覆し、前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記有機絶縁膜（５０、３４０）に接している、Ａ１４～Ａ１６のいずれか一つに記載の電子部品。この構造によれば、電極からの無機絶縁膜の剥離を抑制できるので、無機絶縁膜の剥離に起因する有機絶縁膜の剥離を抑制できる。したがって、内被覆部を被覆する有機絶縁膜を形成することによって、無機絶縁膜および有機絶縁膜の双方によって電極およびパッド電極を保護できる。

【0541】

［Ａ１８］前記無機絶縁膜（３０、３２０）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）から間隔を空けて前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を被覆し、前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）において前記電極側壁（２１、３０２、３０５）および前記無機絶縁膜（３０、３２０）の間から露出した部分を被覆している、Ａ１４～Ａ１７のいずれか一つに記載の電子部品。この構造によれば、外被覆部に対する電極の応力の影響を低減できる。また、被覆対象において電極側壁および外被覆部の間から露出した部分を有機絶縁膜によって保護できる。

【0542】

［Ａ１９］前記無機絶縁膜（３０、３２０）は、平面視において前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を取り囲んでいる、Ａ１４～Ａ１８のいずれか一つに記載の電子部品。この構造によれば、パッド電極の形成部を確保しながら、無機絶縁膜によって電極を適切に保護できる。

【0543】

［Ａ２０］前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記無機絶縁膜に接するＮｉめっき膜（６１、３６３、３７３）を含む、Ａ１４～Ａ１９のいずれか一つに記載の電子部品。Ｎｉめっき膜は、無機絶縁膜に対して良好な密着性を有している。したがって、無機絶縁膜に接するＮｉめっき膜を形成することによって、パッド電極の剥離を適切に抑制できる。よって、信頼性を向上できる。

【0544】

［Ｂ１］第１無機絶縁膜（２８０）と、前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上に電極側壁（３０２、３０５）を有する電極（３００、３０１、３０３）と、前記電極（３００、３０１、３０３）から前記第１無機絶縁膜（２８０）の上にライン状に引き出され、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上に配線側壁（３０９、３１１）を有する配線電極（３０６、３０７、３１０）と、前記電極側壁（３０２、３０５）および前記配線側壁（３０９、３１１）を露出させるように前記電極（３００、３０１、３０３）を被覆する内被覆部（３２４、３２５）を有する第２無機絶縁膜（３２０）と、前記電極側壁（３０２、３０５）および前記配線側壁（３０９、３１１）を被覆する有機絶縁膜（３４０）と、を含む、電子部品。

【0545】

［Ｂ２］前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記配線電極（３０６、３０７、３１０）の全域を露出させ、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記配線電極（３０６、３０７、３１０）の全域を被覆している、Ｂ１に記載の電子部品。

【0546】

［Ｂ３］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記内被覆部（３２４、３２５）を被覆している、Ｂ１またはＢ２に記載の電子部品。

【0547】

［Ｂ４］前記内被覆部（３２４、３２５）は、前記電極（３００、３０１、３０３）の周縁部を露出させており、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記電極（３００、３０１、３０３）の周縁部を被覆している、Ｂ１～Ｂ３のいずれか一つに記載の電子部品。

【0548】

［Ｂ５］前記内被覆部（３２４、３２５）は、前記電極（３００、３０１、３０３）の内方部を露出させている、Ｂ１～Ｂ４のいずれか一つに記載の電子部品。

【0549】

［Ｂ６］前記内被覆部（３２４、３２５）は、前記電極（３００、３０１、３０３）の内方部を取り囲んでいる、Ｂ５に記載の電子部品。

【0550】

［Ｂ７］前記電極（３００、３０１、３０３）の内方部の上に形成されたパッド電極（３６０、３６１、３６２）をさらに含む、Ｂ５またはＢ６に記載の電子部品。

【0551】

［Ｂ８］前記パッド電極（３６０、３６１、３６２）は、前記内被覆部（３２４、３２５）に接している、Ｂ７に記載の電子部品。

【0552】

［Ｂ９］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記電極（３００、３０１、３０３）の内方部側において前記内被覆部（３２４、３２５）の縁部（３４３、３４７）を露出させるように前記内被覆部（３２４、３２５）を被覆し、前記パッド電極（３６０、３６１、３６２）は、前記内被覆部（３２４、３２５）の前記縁部（３４３、３４７）を被覆している、Ｂ７またはＢ８に記載の電子部品。

【0553】

［Ｂ１０］前記パッド電極（３６０、３６１、３６２）は、前記有機絶縁膜（３４０）に接している、Ｂ７～Ｂ９のいずれか一つに記載の電子部品。

【0554】

［Ｂ１１］前記パッド電極（３６０、３６１、３６２）は、前記内被覆部（３２４、３２５）に接するＮｉめっき膜（３６３、３７３）を含む、Ｂ７～Ｂ１０のいずれか一つに記載の電子部品。

【0555】

［Ｂ１２］前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記電極側壁（３０２、３０５）および前記配線側壁（３０９、３１１）を露出させるように前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆する外被覆部（３２２）を有している、Ｂ１～Ｂ１１のいずれか一つに記載の電子部品。

【0556】

［Ｂ１３］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記外被覆部（３２２）を被覆している、Ｂ１２に記載の電子部品。

【0557】

［Ｂ１４］前記外被覆部（３２２）は、前記電極側壁（３０２、３０５）および前記配線側壁（３０９、３１１）から間隔を空けて前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆している、Ｂ１２またはＢ１３に記載の電子部品。

【0558】

［Ｂ１５］前記外被覆部（３２２）は、平面視において前記電極（３００、３０１、３０３）および前記配線電極（３０６、３０７、３１０）を取り囲んでいる、Ｂ１２～Ｂ１４のいずれか一つに記載の電子部品。

【0559】

［Ｃ１］主面（２０３）を有する半導体チップ（２０２）と、前記主面（２０３）に形成された絶縁ゲート型のトランジスタと、前記トランジスタの一部を露出させるように前記主面（２０３）を被覆する第１無機絶縁膜（２８０）と、前記トランジスタに電気的に接続されるように前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上に第１側壁（３０２）を有するゲート主面電極（３０１）と、前記トランジスタに電気的に接続されるように前記ゲート主面電極（３０１）から間隔を空けて前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上に第２側壁（３０５）を有するソース主面電極（３０３）と、前記第１側壁（３０２）を露出させるように前記ゲート主面電極（３０１）を被覆する第１内被覆部（３２４）、および、前記第２側壁（３０５）を露出させるように前記ソース主面電極（３０３）を被覆する第２内被覆部（３２５）を含む第２無機絶縁膜（３２０）と、前記ゲート主面電極（３０１）の前記第１側壁（３０２）および前記ソース主面電極（３０３）の前記第２側壁（３０５）を被覆する有機絶縁膜（３４０）と、を含む、半導体装置。

【0560】

［Ｃ２］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記第１内被覆部（３２４）および前記第２内被覆部（３２５）を被覆している、Ｃ１に記載の半導体装置。

【0561】

［Ｃ３］前記第１内被覆部（３２４）は、前記ゲート主面電極（３０１）の周縁部を露出させ、前記第２内被覆部（３２５）は、前記ソース主面電極（３０３）の周縁部を露出させ、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記ゲート主面電極（３０１）の周縁部および前記ソース主面電極（３０３）の周縁部を被覆している、Ｃ１またはＣ２に記載の半導体装置。

【0562】

［Ｃ４］前記第１内被覆部（３２４）は、前記ゲート主面電極（３０１）の内方部を露出させ、前記第２内被覆部（３２５）は、前記ソース主面電極（３０３）の内方部を露出させ、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記ゲート主面電極（３０１）の内方部および前記ソース主面電極（３０３）の内方部を露出させている、Ｃ１～Ｃ３のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0563】

［Ｃ５］前記第１内被覆部（３２４）は、前記ゲート主面電極（３０１）の内方部を取り囲み、前記第２内被覆部（３２５）は、前記ソース主面電極（３０３）の内方部を取り囲み、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記ゲート主面電極（３０１）の内方部および前記ソース主面電極（３０３）の内方部を取り囲んでいる、Ｃ４に記載の半導体装置。

【0564】

［Ｃ６］前記ゲート主面電極（３０１）の内方部の上に形成されたゲートパッド電極（３６１）と、前記ソース主面電極（３０３）の内方部の上に形成されたソースパッド電極（３６２）と、をさらに含む、Ｃ４またはＣ５に記載の半導体装置。

【0565】

［Ｃ７］前記ゲートパッド電極（３６１）は、前記第１内被覆部（３２４）に接し、前記ソースパッド電極（３６２）は、前記第２内被覆部（３２５）に接している、Ｃ６に記載の半導体装置。

【0566】

［Ｃ８］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記ゲート主面電極（３０１）の内方部側において前記第１内被覆部（３２４）の第１縁部（３４１）を露出させるように前記第１内被覆部（３２４）を被覆し、前記ソース主面電極（３０３）の内方部側において前記第２内被覆部（３２５）の第２縁部（３４２）を露出させるように前記第２内被覆部（３２５）を被覆し、前記ゲートパッド電極（３６１）は、前記第１内被覆部（３２４）の前記第１縁部（３４１）を被覆し、前記ソースパッド電極（３６２）は、前記第２内被覆部（３２５）の前記第２縁部（３４２）を被覆している、Ｃ６またはＣ７に記載の半導体装置。

【0567】

［Ｃ９］前記ゲートパッド電極（３６１）は、前記有機絶縁膜（３４０）に接し、前記ソースパッド電極（３６２）は、前記有機絶縁膜（３４０）に接している、Ｃ６～Ｃ８のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0568】

［Ｃ１０］前記ゲートパッド電極（３６１）は、前記第１内被覆部（３２４）に接する第１Ｎｉめっき膜（３６３）を含み、前記ソースパッド電極（３６２）は、前記第２内被覆部（３２５）に接する第２Ｎｉめっき膜（３７３）を含む、Ｃ６～Ｃ９のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0569】

［Ｃ１１］前記ゲート主面電極（３０１）から前記第１無機絶縁膜（２８０）の上にライン状に引き出され、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上にゲート配線側壁（３０９）を有するゲート配線電極（３０７）をさらに含み、前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記ゲート配線側壁（３０９）を露出させ、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記ゲート配線側壁（３０９）を被覆している、Ｃ１～Ｃ１０のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0570】

［Ｃ１２］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記ゲート配線電極（３０７）の全域を被覆している、Ｃ１１に記載の半導体装置。

【0571】

［Ｃ１３］前記ゲート配線電極（３０７）は、平面視において複数の方向から前記ソース主面電極（３０３）に対向するようにライン状に延びている、Ｃ１１またはＣ１２に記載の半導体装置。

【0572】

［Ｃ１４］前記ソース主面電極（３０３）から前記第１無機絶縁膜（２８０）の上にライン状に引き出され、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上にソース配線側壁（３１１）を有するソース配線電極（３１０）をさらに含み、前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記ソース配線側壁（３１１）を露出させ、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記ソース配線側壁（３１１）を被覆している、Ｃ１～Ｃ１３のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0573】

［Ｃ１５］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記ソース配線電極（３１０）の全域を被覆している、Ｃ１４に記載の半導体装置。

【0574】

［Ｃ１６］前記ソース配線電極（３１０）は、平面視において前記ゲート主面電極（３０１）および前記ソース主面電極（３０３）を取り囲んでいる、Ｃ１４またはＣ１５に記載の半導体装置。

【0575】

［Ｃ１７］前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記第１側壁（３０２）および前記第２側壁（３０５）を露出させるように前記ゲート主面電極（３０１）および前記ソース主面電極（３０３）から間隔を空けて前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆する外被覆部（３２２）を有している、Ｃ１～Ｃ１６のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0576】

［Ｃ１８］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記外被覆部（３２２）を被覆している、Ｃ１７に記載の半導体装置。

【0577】

［Ｃ１９］前記外被覆部（３２２）は、平面視において前記ゲート主面電極（３０１）および前記ソース主面電極（３０３）を取り囲んでいる、Ｃ１７またはＣ１８に記載の半導体装置。

【0578】

［Ｃ２０］前記トランジスタは、トレンチ絶縁ゲート型からなる、Ｃ１～Ｃ１９のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0579】

［Ｄ１］活性面（２０６）、前記活性面（２０６）外で厚さ方向に窪んだ外側面（２０７）、ならびに、前記活性面（２０６）および前記外側面（２０７）を接続する境界側面（２０８）を含み、前記活性面（２０６）、前記外側面（２０７）および前記境界側面（２０８）によって台地（２０９）が区画された主面（２０３）を有する半導体チップ（２０２）と、前記活性面（２０６）に形成された機能デバイスと、前記機能デバイスの一部を露出させるように前記活性面（２０６）を被覆する第１無機絶縁膜（２８０）と、前記機能デバイスに電気的に接続されるように前記活性面（２０６）の上で前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上に電極側壁（３０２、３０５）を有する主面電極（３００、３０１、３０３）と、前記電極側壁（３０２、３０５）を露出させるように前記主面電極（３００、３０１、３０３）を被覆する内被覆部（３２４、３２５）を有する第２無機絶縁膜（３２０）と、前記活性面（２０６）の上から前記境界側面（２０８）を横切って前記外側面（２０７）の上に延び、前記活性面（２０６）の上で前記電極側壁（３０２、３０５）を被覆する有機絶縁膜（３４０）と、を含む、半導体装置。

【0580】

［Ｄ２］前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記境界側面（２０８）を露出させている、Ｄ１に記載の半導体装置。

【0581】

［Ｄ３］前記第１無機絶縁膜（２８０）は、前記活性面（２０６）の上から前記外側面（２０７）の上に引き出され、前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記境界側面（２０８）から間隔を空けて前記外側面（２０７）の上で前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆する外被覆部（３２２）を有している、Ｄ１またはＤ２に記載の半導体装置。

【0582】

［Ｄ４］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記外被覆部（３２２）を被覆している、Ｄ３に記載の半導体装置。

【0583】

［Ｄ５］前記外被覆部（３２２）は、平面視において前記境界側面（２０８）を取り囲んでいる、Ｄ３またはＤ４に記載の半導体装置。

【0584】

［Ｄ６］前記境界側面（２０８）を被覆するように前記外側面（２０７）の上に形成され、前記活性面（２０６）および前記外側面（２０７）の間の段差を緩和するサイドウォール構造（２７２）をさらに含み、前記第１無機絶縁膜（２８０）は、前記サイドウォール構造（２７２）を横切って前記活性面（２０６）の上から前記外側面（２０７）の上に引き出され、前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記第１無機絶縁膜（２８０）において前記サイドウォール構造（２７２）を被覆する部分を露出させている、Ｄ３～Ｄ５のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0585】

［Ｄ７］前記主面電極（３００、３０１、３０３）から前記第１無機絶縁膜（２８０）の上にライン状に引き出され、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上に配線側壁（３０９、３１１）を有する配線電極（３０６、３０７、３１０）をさらに含み、前記第２無機絶縁膜（３２０）の前記内被覆部（３２４、３２５）は、前記電極側壁（３０２、３０５）および前記配線側壁（３０９、３１１）を露出させるように前記主面電極（３００、３０１、３０３）を被覆し、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記電極側壁（３０２、３０５）および前記配線側壁（３０９、３１１）を被覆している、Ｄ１～Ｄ６のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0586】

［Ｄ８］前記第２無機絶縁膜（３２０）は、前記配線電極（３０６、３０７、３１０）の全域を露出させ、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記配線電極（３０６、３０７、３１０）の全域を被覆している、Ｄ７に記載の半導体装置。

【0587】

［Ｄ９］配線電極（３０６、３０７）は、前記活性面（２０６）の上に引き回されている、Ｄ７またはＤ８に記載の半導体装置。

【0588】

［Ｄ１０］前記配線電極（３０６、３１０）は、前記境界側面（２０８）を横切って前記外側面（２０７）の上に引き回されている、Ｄ７またはＤ８に記載の半導体装置。

【0589】

［Ｄ１１］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記内被覆部（３２４、３２５）を被覆している、Ｄ１～Ｄ１０のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0590】

［Ｄ１２］前記内被覆部（３２４、３２５）は、前記主面電極（３００、３０１、３０３）の周縁部を露出させており、前記有機絶縁膜（３４０）は、前記主面電極（３００、３０１、３０３）の周縁部を被覆している、Ｄ１～Ｄ１１のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0591】

［Ｄ１３］前記内被覆部（３２４、３２５）は、前記主面電極（３００、３０１、３０３）の内方部を露出させている、Ｄ１～Ｄ１２のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0592】

［Ｄ１４］前記内被覆部（３２４、３２５）は、前記主面電極（３００、３０１、３０３）の内方部を取り囲んでいる、Ｄ１３に記載の半導体装置。

【0593】

［Ｄ１５］前記主面電極（３００、３０１、３０３）の内方部の上に形成されたパッド電極（３６０、３６１、３６２）をさらに含む、Ｄ１３またはＤ１４に記載の半導体装置。

【0594】

［Ｄ１６］前記パッド電極（３６０、３６１、３６２）は、前記内被覆部（３２４、３２５）に接している、Ｄ１５に記載の半導体装置。

【0595】

［Ｄ１７］前記有機絶縁膜（３４０）は、前記主面電極（３００、３０１、３０３）の内方部側において前記内被覆部（３２４、３２５）の縁部（３４３、３４７）を露出させるように前記内被覆部（３２４、３２５）を被覆し、前記パッド電極（３６０、３６１、３６２）は、前記内被覆部（３２４、３２５）の前記縁部（３４３、３４７）を被覆している、Ｄ１５またはＤ１６に記載の半導体装置。

【0596】

［Ｄ１８］前記パッド電極（３６０、３６１、３６２）は、前記有機絶縁膜（３４０）に接している、Ｄ１５～Ｄ１７のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0597】

［Ｄ１９］前記パッド電極（３６０、３６１、３６２）は、前記内被覆部（３２４、３２５）に接するＮｉめっき膜（３６３、３７３）を含む、Ｄ１５～Ｄ１８のいずれか一つに記載の半導体装置。

【0598】

［Ｅ１］主面（３、２０３）を有するＳｉＣチップ（２、２０２）と、前記主面（３、２０３）を被覆する第１無機絶縁膜（１０、２８０）と、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）の上に電極側壁（２１、３０２、３０５）を有する主面電極（２０、３００、３０１、３０３）と、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させるように前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）を被覆する内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）を有する第２無機絶縁膜（３０、３２０）と、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を被覆する有機絶縁膜（５０、３４０）と、を含む、ＳｉＣ半導体装置。

【0599】

［Ｅ２］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）を被覆している、Ｅ１に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0600】

［Ｅ３］前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）は、前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）の周縁部を露出させており、前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）の周縁部を被覆している、Ｅ１またはＥ２に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0601】

［Ｅ４］前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）は、前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を露出させている、Ｅ１～Ｅ３のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0602】

［Ｅ５］前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）は、前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を取り囲んでいる、Ｅ４に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0603】

［Ｅ６］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）の一部を露出させるように前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）を部分的に被覆している、Ｅ１～Ｅ５のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0604】

［Ｅ７］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部側において前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）の縁部（５４、３４３、３４７）を露出させている、Ｅ１～Ｅ６のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0605】

［Ｅ８］前記内被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）の前記縁部（５４、３４３、３４７）を被覆するように前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）の上に形成されたパッド電極（３６０、３６１、３６２）をさらに含む、Ｅ７に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0606】

［Ｅ９］前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させるように前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）の上に形成された外被覆部（３２、３２２）を有している、Ｅ１～Ｅ８のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0607】

［Ｅ１０］前記外被覆部（３２、３２２）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）から間隔を空けて前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）の上に形成され、前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）において前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）および前記外被覆部（３２、３２２）の間から露出した部分を被覆している、Ｅ９に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0608】

［Ｅ１１］前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記外被覆部（３２、３２２）を被覆している、Ｅ９またはＥ１０に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0609】

［Ｅ１２］前記外被覆部（３２、３２２）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）に沿って帯状に延びている、Ｅ１０またはＥ１１に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0610】

［Ｅ１３］前記外被覆部（３２、３２２）は、平面視において前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）を取り囲んでいる、Ｅ９～Ｅ１２のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0611】

［Ｅ１４］前記ＳｉＣチップ（２、２０２）は、側面（５Ａ～５Ｄ、２０５Ａ～２０５Ｄ）を有し、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）は、前記主面（３、２０３）の周縁部を露出させるように前記側面（５Ａ～５Ｄ、２０５Ａ～２０５Ｄ）から内方に間隔を空けて形成され、前記外被覆部（３２、３２２）は、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）から露出した前記主面（３、２０３）の周縁部を被覆している、Ｅ９～Ｅ１３のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0612】

［Ｅ１５］前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）は、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）とは異なる絶縁体からなる、Ｅ１～Ｅ１４のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0613】

［Ｅ１６］前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）は、シリコン酸化物を含み、前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）は、シリコン窒化物を含む、Ｅ１５に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0614】

［Ｅ１７］前記ＳｉＣチップ（２、２０２）に形成された機能デバイスと、前記機能デバイスに電気的に接続された１つまたは複数の前記主面電極（２０、３００、３０１、３０３）と、をさらに含む、Ｅ１～Ｅ１６のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0615】

［Ｅ１８］前記機能デバイスは、ショットキバリアダイオードを含み、前記主面電極（２０）は、前記第１無機絶縁膜（１０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（１０）の上に前記電極側壁（２１）を有するショットキ主面電極（２０）を含む、Ｅ１７に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0616】

［Ｅ１９］前記機能デバイスは、絶縁ゲート型のトランジスタを含み、複数の前記主面電極（３００、３０１、３０３）は、前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上に第１電極側壁（３０２）を有するゲート主面電極（３０１）、および、前記ゲート主面電極（３０１）から間隔を空けて前記第１無機絶縁膜（２８０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（２８０）の上に第２電極側壁（３０９）を有するソース主面電極（３０３）を含み、前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）の前記内被覆部（３２１、３２４、３２５）は、前記第１電極側壁（３０２）を露出させるように前記ゲート主面電極（３０１）を被覆する第１内被覆部（３２４）、および、前記第２電極側壁（３０５）を露出させるように前記ソース主面電極（３０３）を被覆する第２内被覆部（３２５）のうちの少なくとも一方を含む、Ｅ１８に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0617】

［Ｆ１］ＳｉＣチップ（２、２０２）と、前記ＳｉＣチップ（２、２０２）の上に形成された第１無機絶縁膜（１０、２８０）と、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）を被覆し、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）の上に電極側壁（２１、３０２、３０５）を有する電極（２０、３００、３０１、３０３）と、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を露出させる第１開口（３６、３２８、３３１）および前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させる除去部（３３、３２３）を有し、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）および前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）を被覆する第２無機絶縁膜（３０、３２０）と、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を露出させる第２開口（５４、３４２、３４６）を有し、前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）の前記除去部（３３、３２３）において前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を被覆する有機絶縁膜（５０、３４０）と、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を被覆するパッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）と、を含む、ＳｉＣ半導体装置。

【0618】

［Ｆ２］前記第２開口（５４、３４２、３４６）は、前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）において前記第１開口（３６、３２８、３３１）および前記除去部（３３、３２３）の間の領域に形成されている、Ｆ１に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0619】

［Ｆ３］前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）に接している、Ｆ１またはＦ２に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0620】

［Ｆ４］前記第２開口（５４、３４２、３４６）は、前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）の縁部（５４、３４３、３４７）を露出させるように前記第１開口（３６、３２８、３３１）から間隔を空けて前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）の上に形成され、前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）の前記縁部（５４、３４３、３４７）を被覆している、Ｆ１～Ｆ３のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0621】

［Ｆ５］前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記第２開口（５４、３４２、３４６）内において前記有機絶縁膜（５０、３４０）に接している、Ｆ１～Ｆ４のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0622】

［Ｆ６］前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記第２開口（５４、３４２、３４６）内において前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）を露出させている、Ｆ１～Ｆ４のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0623】

［Ｆ７］前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、Ｎｉめっき膜（６１、３６１、３７１）を含む、Ｆ１～Ｆ６のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0624】

［Ｆ８］前記パッド電極（６０、３６０、３６１、３６２）は、前記Ｎｉめっき膜（６１、３６１、３７１）の外面を被覆し、前記Ｎｉめっき膜（６１、３６１、３７１）とは異なる金属からなる外めっき膜（６３、３６３、３７３）を含む、Ｆ７に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0625】

［Ｆ９］前記電極（２０、３００、３０１、３０３）は、純Ａｌ膜、ＡｌＳｉ合金膜、ＡｌＣｕ合金膜およびＡｌＳｉＣｕ合金膜のうちの少なくとも１つを含む、Ｆ１～Ｆ８のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0626】

［Ｆ１０］前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）は、前記第１開口（３６、３２８、３３１）を区画するように前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を被覆する電極被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）外の領域で前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）を被覆する絶縁被覆部（３２、３２２）、ならびに、前記電極被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）および前記絶縁被覆部（３２、３２２）の間から前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させる前記除去部（３３、３２３）を有し、前記有機絶縁膜（５０、３４０）は、前記電極被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）および前記絶縁被覆部（３２、３２２）を被覆し、前記電極被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）および前記絶縁被覆部（３２、３２２）の間の前記除去部（３３、３２３）において前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を被覆している、Ｆ１～Ｆ９のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0627】

［Ｆ１１］前記電極被覆部（３１、３２１、３２４、３２５）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）から間隔を空けて前記電極（２０、３００、３０１、３０３）の内方部を取り囲むように前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を被覆している、Ｆ１０に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0628】

［Ｆ１２］前記絶縁被覆部（３２、３２２）は、前記電極側壁（２１、３０２、３０５）から間隔を空けて前記電極（２０、３００、３０１、３０３）を取り囲むように前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）を被覆している、Ｆ１０またはＦ１１に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0629】

［Ｆ１３］前記除去部（３３、３２３）は、全周に亘って前記電極側壁（２１、３０２、３０５）を露出させている、Ｆ１０～Ｆ１２のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0630】

［Ｆ１４］前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）は、前記ＳｉＣチップ（２、２０２）の周縁部を露出させるように前記ＳｉＣチップ（２、２０２）の端部から内方に間隔を空けて形成され、前記絶縁被覆部（３２、３２２）は、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）から露出した前記ＳｉＣチップ（２、２０２）の周縁部を被覆している、Ｆ１０～Ｆ１３のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0631】

［Ｆ１５］前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）は、前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）とは異なる絶縁体からなる、Ｆ１～Ｆ１４のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0632】

［Ｆ１６］前記第１無機絶縁膜（１０、２８０）は、シリコン酸化物を含み、前記第２無機絶縁膜（３０、３２０）は、シリコン窒化物を含む、Ｆ１５に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0633】

［Ｆ１７］前記ＳｉＣチップ（２、２０２）に形成された機能デバイスをさらに含み、前記電極（２０、３００、３０１、３０３）は、前記機能デバイスに電気的に接続されている、Ｆ１～Ｆ１６のいずれか一つに記載のＳｉＣ半導体装置。

【0634】

［Ｆ１８］前記機能デバイスは、ショットキバリアダイオードを含み、前記電極（２０）は、ショットキ電極（２０）を含む、Ｆ１７に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0635】

［Ｆ１９］前記機能デバイスは、絶縁ゲート型のトランジスタを含み、前記電極（２０）は、前記トランジスタのゲート電極（３００、３０１）を含む、Ｆ１７に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0636】

［Ｆ２０］前記機能デバイスは、絶縁ゲート型のトランジスタを含み、前記電極（２０）は、前記トランジスタのソース電極（３００、３０３）を含む、Ｆ１７に記載のＳｉＣ半導体装置。

【0637】

本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によって限定される。

【符号の説明】

【0638】

１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
１０ 第１無機絶縁膜（被覆対象）
２０ 第１主面電極（電極）
２１ 電極側壁
３０ 第２無機絶縁膜
３１ 内被覆部
３２ 外被覆部
５０ 有機絶縁膜
５１ 内被覆部の縁部
６０ パッド電極
６１ Ｎｉめっき膜
１０１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
１１１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
１２１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
１３１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
１４１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
２０１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
２８０ 第１無機絶縁膜（被覆対象）
３００ 第１主面電極（電極）
３０１ ゲート主面電極（電極）
３０２ ゲート電極側壁（電極側壁）
３０３ ソース主面電極（電極）
３０５ ソース電極側壁（電極側壁）
３２０ 第２無機絶縁膜
３２１ 内被覆部
３２２ 外被覆部
３２４ 第１内被覆部
３２５ 第２内被覆部
３４０ 有機絶縁膜
３４１ 第１内被覆部の第１縁部
３４２ 第２内被覆部の第２縁部
３６０ パッド電極
３６１ ゲートパッド電極
３６２ ソースパッド電極
３６３ 第１Ｎｉめっき膜
３７３ 第２Ｎｉめっき膜
４０１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
４１１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
４２１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
４３１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）
４４１ ＳｉＣ半導体装置（電子部品）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図5F】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図6G】

【図6H】

【図6I】

【図6J】

【図6K】

【図6L】

【図6M】

【図6N】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19A】

【図19B】

【図19C】

【図19D】

【図19E】

【図19F】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】