特許7715590IP Force 特許公報全文掲載

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配線基板及び配線基板の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、配線層を被覆する絶縁層とは異なる他の絶縁層に接続端子を有する配線基板においては、接続端子における電子部品との接合強度が十分ではないという問題がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本願の開示する配線基板は、一つの態様において、配線パターン及びパッドを備える第１配線層と、前記第１配線層を被覆するとともに、上面から前記第１配線層の配線パターン及びパッドの表面を露出させる第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層を前記第１配線層のパッドまで貫通する開口部と、前記第２絶縁層の開口部に形成されて前記第１配線層のパッドに接続するとともに、一端が前記・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本願の開示する配線基板一つの態様によれば、電子部品との接合強度を向上することができる、という効果を奏する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、配線基板の構成を示す図である。
【図2】 図２は、第２絶縁層の上面の接続端子の頂部周辺を拡大して示す平面透視図である。
【図3】 図３は、半導体装置の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。
【図4】 図４は、支持体の具体例を示す図である。
【図5】 図５は、第１配線層形成工程の具体例を示す図である。
【図6】 図６は、第１絶縁層形成工程の具体例を示す図である。
【図7】 図７は、開口部形成工程の具体例を示す図である。
【図8】 図８は、第２配線層形成工程の具体例を示す図である。
【図9】 図９は、支持体除去工程の具体例を示す図である。
【図10】 図１０は、第２絶縁層及び第３絶縁層形成工程の具体例を示す図である。
【図11】 図１１は、開口部形成工程の具体例を示す図である。
【図12】 図１２は、接続端子及び第３配線層形成工程の具体例を示す図である。
【図13】 図１３は、ソルダーレジスト層形成工程の具体例を示す図である。
【図14】 図１４は、切断工程の具体例を示す図である。
【図15】 図１５は、半導体チップ搭載工程の具体例を示す図である。
【図16】 図１６は、変形例に係る配線基板の構成を示す図である。
【図17】 図１７は、変形例に係る半導体装置の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。
【図18】 図１８は、支持体除去工程の具体例を示す図である。
【図19】 図１９は、第２絶縁層形成工程の具体例を示す図である。
【図20】 図２０は、開口部形成工程の具体例を示す図である。
【図21】 図２１は、接続端子形成工程の具体例を示す図である。
【図22】 図２２は、ソルダーレジスト層形成工程の具体例を示す図である。
【図23】 図２３は、切断工程の具体例を示す図である。
【図24】 図２４は、半導体チップ搭載工程の具体例を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 配線基板 １００、１００Ａ ビルドアップ層 １１１ 第１配線層 １１１ａ 配線パターン １１１ｂ パッド １１２ 第１絶縁層 １１２ａ 上面 １１２ｂ 下面 １１２ｃ 開口部 １１３ 第２配線層 １１４ ビア １２１ 第２絶縁層 １２１ａ 開口部 １３１ 第３絶縁層 １３１ａ 開口部 １３２ 第３配線層 １３３ ビア ２００、３００ ソルダーレジスト層 ２０１、３０１ 開口部 ４１０ 接続端子 ４１１ 頂部 ５００ 支持体 ５００Ａ 配線基板形成領域 ５０１ 基体 ５０２ 第１金属層 ５０３ 第２金属層 ６１０ 半導体チップ ６１１ 電極 ６１２ はんだ ６１３ アンダーフィル樹脂

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