特許 7718359出願番号 特願 2022-141365
量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法、量子コンピュータ用シリコン基板及び半導体装置
出願人 信越半導体株式会社（識別番号 190149）
2026年 特許公開件数ランキング 504位 36件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 509位 31件（※）
公報発行日 2025年8月5
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7718359 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法、量子コンピュータ用シリコン基板及び半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
このように電子スピンを利用する場合、周辺に不要なスピン成分が存在するとゼーマン効果によって電子スピンエネルギーが分裂してしまい、量子効果を計算に用いることができなくなる。このために、核スピンをもつ２９Ｓｉを極力減らした２８Ｓｉ主体（リッチ）のＳｉ層を形成する必要がある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、目的を達成するためになされたものであり、量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法であって、シリコン基板上に、シリコン系原料ガスとして、該シリコン系原料ガスに含まれるシリコン全体に占める２８Ｓｉと３０Ｓｉの合計の含有量が９９．９％以上のＳｉソースガスを用いてエピタキシャル成長を行うことにより、Ｓｉエピタキシャル層を形成する工程と、前記Ｓｉエピタキシャル層の表面を酸化して酸素（Ｏ）・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
以上のように、本発明の量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法によれば、核スピンの影響を抑制可能な量子コンピュータ用のシリコン基板を製造することができ、量子コンピュータに適した同位体効果を十分に発揮し、単電子トランジスタを容易に形成することが可能なシリコン基板を製造することができる。本発明の量子コンピュータ用シリコン基板によれば、核スピンの影響を抑制可能な量子コンピュータ用のシリコン基板とすることができ、量子コンピュータに適した同位体効果を十分に発揮し、単電子トランジスタを容易に形成することが可能なシリコン基板となる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明に係る量子コンピュータ用シリコン基板の構造の一例を説明する概略図を示す。
【図2】
本発明に係る量子コンピュータ用シリコン基板の構造の他の例を説明する概略図を示す。
【図3】
本発明に係る量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法のフローを説明する概略図を示す。
代表図 図1本件の代表的な図
１…シリコン基板、 ２…２８Ｓｉエピタキシャル層、
３…２８ＳｉＯ２層、
３Ａ…酸素（Ｏ）のδドープ層（２８ＳｉＯ２層）、
３Ｂ…埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）層（２８ＳｉＯ２層）、
１０、１０Ａ…量子コンピュータ用シリコン基板。
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