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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7658253	窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の製造方法	2025年 4月 8日
特許 7658329	シリコン単結晶基板の評価方法	2025年 4月 8日
特許 7658330	ピンホール測定装置用の標準サンプル、ピンホール測定装置用の標準サンプルの製造方法、及びピンホールの測定方法	2025年 4月 8日
特許 7652092	半導体基板の評価方法	2025年 3月27日
特許 7652274	窒化物半導体基板及びその製造方法	2025年 3月27日
特許 7647404	クリーンルーム間の搬送物梱包用の梱包材、梱包方法及び搬送方法	2025年 3月18日
特許 7647446	窒化物半導体基板及びその製造方法	2025年 3月18日
特許 7643250	窒化物半導体基板及びその製造方法	2025年 3月11日
特許 7643383	エピタキシャル成長装置	2025年 3月11日
特許 7639779	受光素子の製造方法	2025年 3月 5日
特許 7635741	シリコンウェーハ用の研磨スラリーの分析方法	2025年 2月26日
特許 7635838	化合物半導体接合基板の製造方法	2025年 2月26日
特許 7629589	エピタキシャルウェーハの製造方法	2025年 2月14日
特許 7629590	遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、及びシリコン単結晶の製造方法	2025年 2月14日
特許 7629154	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2025年 2月13日

29 件中 1-15 件を表示

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7658253 7658329 7658330 7652092 7652274 7647404 7647446 7643250 7643383 7639779 7635741 7635838 7629589 7629590 7629154

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