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信越半導体株式会社

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 ■ 2026年 特許取得件数ランキング    第480位 40件 (下降2025年:第404位 65件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7928369 ウェーハへの樹脂塗布方法及びウェーハの製造方法 2026年10月 2日
特許 7928322 両面研磨方法及び両面研磨装置 2026年10月 2日
特許 7928254 ダイヤモンド成長方法及びダイヤモンド成長装置 2026年10月 2日
特許 7928251 半導体基板の製造方法 2026年10月 2日
特許 7925401 シリコン単結晶基板の欠陥領域の判定方法 2026年 9月28日
特許 7921207 石英ルツボの評価方法 2026年 9月15日
特許 7921047 エピタキシャルウェーハの製造方法 2026年 9月15日
特許 7921030 炭素濃度の測定方法 2026年 9月15日
特許 7916945 エピタキシャル基板及びその製造方法並びに縦型デバイス基板の製造方法 2026年 9月 8日
特許 7910604 シリコン基板の処理方法 2026年 8月25日
特許 7896582 3C-SiC膜の結晶性評価方法 2026年 7月29日
特許 7893305 ダイヤモンド層の成長方法 2026年 7月22日
特許 7889580 シリコン(110)基板及びシリコン(110)基板の処理方法 2026年 7月14日
特許 7889332 半導体基板の欠陥評価方法 2026年 7月14日
特許 7885750 SOIウェーハ及びその製造方法 2026年 7月 7日

41 件中 1-15 件を表示

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7928369 7928322 7928254 7928251 7925401 7921207 7921047 7921030 7916945 7910604 7896582 7893305 7889580 7889332 7885750

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