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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第532位 50件
(
2024年:第540位 53件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第391位 65件
(
2024年:第410位 70件)
(ランキング更新日:2025年12月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7786301 | 円筒研削機 | 2025年12月16日 | |
| 特許 7779207 | 窒化物半導体ウェーハ、及びその製造方法 | 2025年12月 3日 | |
| 特許 7779213 | 接合型発光素子ウェーハの製造方法 | 2025年12月 3日 | |
| 特許 7779251 | エピタキシャル基板の製造方法及びエピタキシャル基板 | 2025年12月 3日 | |
| 特許 7775808 | 半導体基板の製造方法 | 2025年11月26日 | |
| 特許 7754066 | マイクロLED構造体及びその製造方法 | 2025年10月15日 | |
| 特許 7754235 | シリコン原料の洗浄方法及びシリコン原料の洗浄装置 | 2025年10月15日 | |
| 特許 7750198 | マイクロLED特性評価用ウェーハ及びマイクロLED特性評価方法 | 2025年10月 7日 | |
| 特許 7750218 | マイクロLED素子 | 2025年10月 7日 | |
| 特許 7746957 | 接合型発光素子ウェーハの製造方法 | 2025年10月 1日 | |
| 特許 7740146 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2025年 9月17日 | |
| 特許 7740548 | 接合型発光素子ウェーハの製造方法およびマイクロLEDの移載方法 | 2025年 9月17日 | |
| 特許 7732403 | シリコン単結晶の製造方法 | 2025年 9月 2日 | |
| 特許 7729290 | シリコン単結晶基板の酸化膜耐圧特性の評価方法及びシリコン単結晶基板の合否判定方法 | 2025年 8月26日 | |
| 特許 7718359 | 量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法、量子コンピュータ用シリコン基板及び半導体装置 | 2025年 8月 5日 |
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7786301 7779207 7779213 7779251 7775808 7754066 7754235 7750198 7750218 7746957 7740146 7740548 7732403 7729290 7718359
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【大阪会場】 前田知財塾 ~スキルアップ編~ 知財の仕事を、もっと深く、もっと面白く! 第2回 「特許権侵害判断・回避構造の検討」
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