信越半導体株式会社
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（
2024年：第540位 53件）
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第341位 51件
（
2024年：第410位 70件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7718359 | 量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法、量子コンピュータ用シリコン基板及び半導体装置 | 2025年 8月 5日 | |
| 特許 7714946 | ウェーハ搬送方法およびウェーハ搬送装置 | 2025年 7月30日 | |
| 特許 7711575 | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7711608 | 窒化物半導体基板の製造方法 | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7711612 | 接合型ウェーハの製造方法 | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7711625 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2025年 7月23日 | |
| 特許 7708004 | ワークの切断方法、スライス装置及びスライスベース | 2025年 7月15日 | |
| 特許 7708198 | ヘテロエピタキシャル膜の作製方法 | 2025年 7月15日 | |
| 特許 7704074 | 抵抗率測定方法 | 2025年 7月 8日 | |
| 特許 7704085 | ヒートスプレッタ構造付き部材とその作製方法 | 2025年 7月 8日 | |
| 特許 7701319 | マイクロＬＥＤ用接合型ウェーハの製造方法 | 2025年 7月 1日 | |
| 特許 7697397 | ポリシリコンウェーハの製造方法 | 2025年 6月24日 | |
| 特許 7694523 | 電子デバイス用基板及びその製造方法 | 2025年 6月18日 | |
| 特許 7694736 | シリコンエピタキシャル基板及びシリコン基板の熱処理方法 | 2025年 6月18日 | |
| 特許 7687310 | シリコン基板の評価方法およびシリコン基板の製造工程の管理方法 | 2025年 6月 3日 |
52 件中 1-15 件を表示
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7718359 7714946 7711575 7711608 7711612 7711625 7708004 7708198 7704074 7704085 7701319 7697397 7694523 7694736 7687310
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