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信越半導体株式会社

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  2025年 特許取得件数ランキング    第314位 35件 上昇2024年:第410位 70件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 7676893 ウェーハの加工方法及びウェーハ 2025年 5月15日
特許 7673696 シリコン単結晶基板の酸素濃度の上限値の決定方法 2025年 5月 9日
特許 7669853 密閉収納容器 2025年 4月30日
特許 7670647 半導体ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハ 2025年 4月30日
特許 7666396 シリコン単結晶基板の結晶欠陥の検出方法 2025年 4月22日
特許 7666608 仮接合ウェーハ及びその製造方法 2025年 4月22日
特許 7663060 窒化物半導体基板の製造方法 2025年 4月16日
特許 7658253 窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の製造方法 2025年 4月 8日
特許 7658329 シリコン単結晶基板の評価方法 2025年 4月 8日
特許 7658330 ピンホール測定装置用の標準サンプル、ピンホール測定装置用の標準サンプルの製造方法、及びピンホールの測定方法 2025年 4月 8日
特許 7652092 半導体基板の評価方法 2025年 3月27日
特許 7652274 窒化物半導体基板及びその製造方法 2025年 3月27日
特許 7647404 クリーンルーム間の搬送物梱包用の梱包材、梱包方法及び搬送方法 2025年 3月18日
特許 7647446 窒化物半導体基板及びその製造方法 2025年 3月18日
特許 7643250 窒化物半導体基板及びその製造方法 2025年 3月11日

36 件中 1-15 件を表示

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7676893 7673696 7669853 7670647 7666396 7666608 7663060 7658253 7658329 7658330 7652092 7652274 7647404 7647446 7643250

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