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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第634位 35件
(2024年:第540位 53件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第359位 60件
(2024年:第410位 70件)
(ランキング更新日:2025年10月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7754066 | マイクロLED構造体及びその製造方法 | 2025年10月15日 | |
特許 7754235 | シリコン原料の洗浄方法及びシリコン原料の洗浄装置 | 2025年10月15日 | |
特許 7750198 | マイクロLED特性評価用ウェーハ及びマイクロLED特性評価方法 | 2025年10月 7日 | |
特許 7750218 | マイクロLED素子 | 2025年10月 7日 | |
特許 7746957 | 接合型発光素子ウェーハの製造方法 | 2025年10月 1日 | |
特許 7740146 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2025年 9月17日 | |
特許 7740548 | 接合型発光素子ウェーハの製造方法およびマイクロLEDの移載方法 | 2025年 9月17日 | |
特許 7732403 | シリコン単結晶の製造方法 | 2025年 9月 2日 | |
特許 7729290 | シリコン単結晶基板の酸化膜耐圧特性の評価方法及びシリコン単結晶基板の合否判定方法 | 2025年 8月26日 | |
特許 7718359 | 量子コンピュータ用シリコン基板の製造方法、量子コンピュータ用シリコン基板及び半導体装置 | 2025年 8月 5日 | |
特許 7714946 | ウェーハ搬送方法およびウェーハ搬送装置 | 2025年 7月30日 | |
特許 7711575 | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 | 2025年 7月23日 | |
特許 7711608 | 窒化物半導体基板の製造方法 | 2025年 7月23日 | |
特許 7711612 | 接合型ウェーハの製造方法 | 2025年 7月23日 | |
特許 7711625 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2025年 7月23日 |
61 件中 1-15 件を表示
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7754066 7754235 7750198 7750218 7746957 7740146 7740548 7732403 7729290 7718359 7714946 7711575 7711608 7711612 7711625
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10月21日(火) - 東京 港区
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10月21日(火) -
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10月23日(木) -
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10月24日(金) -
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