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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7647404	クリーンルーム間の搬送物梱包用の梱包材、梱包方法及び搬送方法	2025年 3月18日
特許 7647446	窒化物半導体基板及びその製造方法	2025年 3月18日
特許 7643250	窒化物半導体基板及びその製造方法	2025年 3月11日
特許 7643383	エピタキシャル成長装置	2025年 3月11日
特許 7639779	受光素子の製造方法	2025年 3月 5日
特許 7635741	シリコンウェーハ用の研磨スラリーの分析方法	2025年 2月26日
特許 7635838	化合物半導体接合基板の製造方法	2025年 2月26日
特許 7629589	エピタキシャルウェーハの製造方法	2025年 2月14日
特許 7629590	遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、及びシリコン単結晶の製造方法	2025年 2月14日
特許 7629154	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2025年 2月13日
特許 7622663	膜厚測定装置用の標準サンプル群、その製造方法及び標準サンプル群を用いた膜厚測定装置の管理方法	2025年 1月28日
特許 7619321	表面金属汚染評価用標準試料の作製方法	2025年 1月22日
特許 7619349	窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板及び窒化物半導体層付き単結晶シリコン基板の製造方法	2025年 1月22日
特許 7619464	接合型ウェーハの製造方法	2025年 1月22日
特許 7618401	大口径ＩＩＩ族窒化物系エピタキシャル成長用基板とその製造方法	2025年 1月21日

24 件中 1-15 件を表示

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7647404 7647446 7643250 7643383 7639779 7635741 7635838 7629589 7629590 7629154 7622663 7619321 7619349 7619464 7618401

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