Ｗｆ：基板Ｗｆ、Ｐｓ：めっき液、ＰＢ：めっき槽、Ｗｆ－ａ：被めっき面、ＢＲ１，ＢＲ２：境界、ＡＤ：アノード、１０００：めっき装置、１，２：ニューラルネットワーク（ＮＮ）モデル訓練装置、１０：訓練データ格納部、１２：損失算出部、１４：境界損失計算部、１６：物理損失計算部、１８：データ損失計算部、２０：全損失計算部、２２：最適化器、２４：学習制御部、４０：訓練データ格納部、４２：損失算出部、４６：物理損失計算部、４８：データ損失計算部、５０：全損失計算部、５２：最適化器、５４：学習制御部、５８ａ：液循環ライン、５８ｂ：循環ポンプ、５８ｃ：恒温ユニット、５８ｄ：フィルタ、６２：外縁部、６４：内側領域、８０：情報処理装置、８１：プロセッサ、８２：ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、８３：不揮発性メモリ、８４：ストレージ、８５：入出力インタフェース回路、８６：信号路、９０，９１：電源、１００：ロードポート、１１０：搬送ロボット、１２０：アライナ、２００：プリウェットモジュール、３００：プリソークモジュール、４００，４００Ｍ，４００Ａ：めっきモジュール、４１０，４１０Ａ：めっき槽、４１２，４１２Ａ：内槽、４１４Ａ：オーバーフロー槽（外槽）、４２０：メンブレン、４２２：カソード領域、４２４：アノード領域、４２６：アノードマスク、４３０，４３０Ａ：アノード、４４０，４４０Ａ：基板ホルダ、４４１：電 気接点、４４２：昇降機構、４４８：回転機構、４５０：抵抗体、４５２：駆動機構、４５４：調整板（レギュレーションプレート）、４５４：調整板、４５４ａ：開口、４６２，４６２Ａ：導管、４６２ａ，４６２Ａａ：第１部分、４６２ｂ，４６２Ａｂ：第２部分、４６４：開口端、４６６：駆動機構、４６８：充填機構、４７０，４７０Ａ：電位センサ、４８０：遮蔽体、５００：洗浄モジュール、６００：スピンリンスモジュール、７００：搬送装置、８００，８００Ｍ，８００Ａ：制御モジュール、８０２：パラメータデータ格納部、８０３：パラメータ指定部、８０４：状態推定器、８０６：状態遷移処理部、８０８：観測処理部、８０９：ニューラルネットワークモデル（ＮＮモデル）、８０９ｉ：入力層、８０９ｈ：中間層（隠れ層）、８１０：ニューラルネットワークモデル（ＮＮモデル）、８１２：電流密度算出部、８１４：推定部、８１５：ニューラルネットワークモデル（ＮＮモデル）、８１５ｉ：入力層、８１５ｈ：中間層（隠れ層）、８１５ｔ：出力層、８１６：ニューラルネットワークモデル（ＮＮモデル）、８２０：膜厚算出部、８２２：終点判定部、９００：情報処理装置、９０１：プロセッサ、９０２：ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、９０３：不揮発性メモリ、９０４：ストレージ、９０５：入出力インタフェース回路、９０６：信号路。