特許 7730684 導波路構造を有するレーダセンサ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2025-08-20

(45)【発行日】2025-08-28

(54)【発明の名称】導波路構造を有するレーダセンサ

(51)【国際特許分類】

   G01S 7/03 20060101AFI20250821BHJP

   H01P 3/12 20060101ALI20250821BHJP

   H01Q 23/00 20060101ALI20250821BHJP

【ＦＩ】

G01S7/03 210

H01P3/12 100

H01P3/12

H01Q23/00

【請求項の数】 14

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2021120223

(22)【出願日】2021-07-21

(65)【公開番号】P2022022168

(43)【公開日】2022-02-03

【審査請求日】2024-07-19

(31)【優先権主張番号】10 2020 209 307.5

(32)【優先日】2020-07-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(73)【特許権者】

【識別番号】591245473

【氏名又は名称】ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

【氏名又は名称原語表記】ＲＯＢＥＲＴ ＢＯＳＣＨ ＧＭＢＨ

(74)【代理人】

【識別番号】100118902

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 修

(74)【代理人】

【識別番号】100196508

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 淳一

(74)【代理人】

【氏名又は名称】鳥居 健一

(74)【代理人】

【識別番号】100201743

【弁理士】

【氏名又は名称】井上 和真

(72)【発明者】

【氏名】アレクサンダー・フィッシャー

(72)【発明者】

【氏名】アンドレアス・クーグラー

(72)【発明者】

【氏名】アルミン・ヒンメルシュトス

(72)【発明者】

【氏名】コリンヌ・グレベン

(72)【発明者】

【氏名】イザベル・ツァンダー

(72)【発明者】

【氏名】トルステン・メンツ

(72)【発明者】

【氏名】クリスティアン・ジルバー

【審査官】藤田 都志行

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－０７５６８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００７／００２６５６７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１３－２５８７８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／１６６０６４（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｓ ７／００－ ７／４２

Ｇ０１Ｓ １３／００－１３／９５

Ｈ０１Ｐ ３／１２

Ｈ０１Ｑ ２３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板（１０）上に配置された高周波部品（１４）と、
結合構造（３６；３６’’）を介して前記高周波部品（１４）と結合された導波路構造（２２；２２’’）とを備え、
前記導波路構造（２２；２２’’）は、前記基板（１０）のうち前記高周波部品（１４）を支持する部分の上に成形された成形体（２０；２０’、２０’’）内に形成されており、
前記高周波部品（１４）は、前記成形体（２０）の材料でオーバモールドされている
ことを特徴とするレーダセンサ。

【請求項2】

前記基板（１０）は、プラグ接続部（１８）を除いて全体的に前記成形体（２０）によってオーバモールドされている、請求項１に記載のレーダセンサ。

【請求項3】

基板（１０）上に配置された高周波部品（１４）と、
結合構造（３６；３６’’）を介して前記高周波部品（１４）と結合された導波路構造（２２；２２’’）とを備え、
前記導波路構造（２２；２２’’）は、前記基板（１０）のうち前記高周波部品（１４）を支持する部分の上に成形された成形体（２０；２０’、２０’’）内に形成されており、
前記高周波部品（１４）は、前記高周波部品のパッケージ（５４）を構成する材料でオーバモールドされ、かつ前記パッケージ（５４）も前記成形体（２０）の材料でオーバモールドされている、レーダセンサ。

【請求項4】

前記成形体（２０’）が導電性材料から成る、請求項１から３のいずれか一項に記載のレーダセンサ。

【請求項5】

基板（１０）上に配置された高周波部品（１４）と、
結合構造（３６；３６’’）を介して前記高周波部品（１４）と結合された導波路構造（２２；２２’’）とを備え、
前記導波路構造（２２；２２’’）は、前記基板（１０）のうち前記高周波部品（１４）を支持する部分の上に成形された成形体（２０；２０’、２０’’）内に形成されており、
前記導波路構造（２２；２２’’）は、前記成形体（２０；２０’’）の外面（２４；２４’’）に向けて開口する中空空間（２６）を有し、前記中空空間（２６）の内壁は金属被膜（２８）を有し、前記中空空間は、前記外面（２４；２４’’）を被覆するカバー（３０；３０’；３０’’）によって閉じられ、前記カバー（３０；３０’；３０’’）は、少なくとも前記成形体（２０；２０’’）に面した側で金属層を有している、レーダセンサ。

【請求項6】

前記成形体（２０’’）の前記外面（２４’’）は、互いに非平行の部分面（２４ａ、２４ｂ）を有し、前記部分面（２４ａ、２４ｂ）は、アンダーカットのないレリーフを形成し、前記カバー（３０’’）は、一体的に形成された成形部材を備えており、前記成形部材が、前記外面（２４’’）に対して相補的な金属表面を有している、請求項５に記載のレーダセンサ。

【請求項7】

前記カバー（３０’）はプラスチックから成る成形体であり、前記成形体が少なくとも片側に金属被膜（６０）を有している、請求項５または６に記載のレーダセンサ。

【請求項8】

前記カバー（３０’）の前記成形体は前記レーダセンサのレーダドームである、請求項７に記載のレーダセンサ。

【請求項9】

前記カバー（３２’）の前記成形体は、金属被膜をもたない側にレリーフ（７０；７２）を有している、請求項７または８に記載のレーダセンサ。

【請求項10】

前記レリーフ（７０）は吸収体構造である、請求項９に記載のレーダセンサ。

【請求項11】

前記レリーフ（７２）は、吸収体構造をもつ全体的に湾曲した表面、または吸収体構造をもたない全体的に湾曲した表面を有している、請求項９または１０に記載のレーダセンサ。

【請求項12】

レーダドームヒータ（７４）の少なくとも一部は、前記カバー（３２’）の前記成形体に組み込まれている、請求項８から１１のいずれか一項に記載のレーダセンサ。

【請求項13】

前記導波路構造（２２；２２’’）は、少なくとも１つの導波路アンテナを形成している、請求項１から１２のいずれか一項に記載のレーダセンサ。

【請求項14】

前記導波路構造（２２）は、前記高周波部品（１４）をレーダアンテナに結合するための分配構造を形成している、請求項１から１３のいずれか一項に記載のレーダセンサ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板上に配置された高周波部品と、この高周波部品と結合構造を介して結合された導波路構造とを有するレーダセンサに関する。

【背景技術】

【0002】

ＤＥ１０２０１４２０８３８９Ａ１では、導波路構造を導波路アンテナアレイとするタイプのレーダセンサが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】ＤＥ１０２０１４２０８３８９Ａ１

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の課題は、簡単に小さな製造公差で製造でき、かつ周囲からの影響に対してロバスト性のあるレーダセンサを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

この課題は、本発明によれば、導波路構造が、基板のうち高周波部品を支持する部分の上に成形された成形体内に形成されることによって解決される。

【0006】

基板上に成形体を成形する際に、基板と、成形体を形成するために用いられるモールド（金型）との精密な位置合わせにより、導波路構造を、狭い寸法公差で高周波部品に対して位置決めして形成できることが達成され得る。同時に、成形体と基板との間の材料接合により、製品に事後的な歪みを生じさせ得る追加的な固定手段の使用を回避することができる。成形体と基板との間の腐食しやすい接合部の発生も避けられる。

【0007】

本発明の有利な変形例および形態は従属請求項に提示されている。

【0008】

一実施形態では、高周波部品、または場合によっては複数の高周波部品を有する構成体は、基板のうち導波路構造と同じ側に配置されており、その単数または複数の高周波部品も成形体の材料でオーバモールドされている。ただし、高周波部品と導波路構造が基板の互いに対向する側に存在しており、結合構造が基板を通り抜ける貫通部を含んでいる実施形態も考えられる。基板が両側で成形体の材料でオーバモールドされていることも考えられる。この場合には、導波路構造が基板の両側に存在し得る。

【0009】

導波路構造は、１つの導波路アンテナ、もしくは複数の導波路アンテナからなるアレイ、および／または、複数のアンテナを複数の高周波部品と信号接続する分配ネットワークを形成し得る。選択的に、導波路構造が複数層の導波路を有してもよい。この場合には、射出成形の際に、連続的なステップで複数の異なる層が形成され得る。

【0010】

成形体は、非導電性材料、例えば熱可塑性または熱硬化性のプラスチックによって形成することができ、この成形体の場合、導波路の壁だけが導電性コーティングを有する。別の一実施形態では、成形体は、全体的に導電性材料から、例えばある程度の含有量の導電性粒子を有するプラスチックから成ることができ、当該導電性粒子が材料を全体的に導電性にする。これに関し、導電性粒子の材料含有量および粒径は、表皮効果の考慮下でも十分な導電性が達成されるように選択される。

【0011】

一実施形態では、導波路構造は、成形体の外面に向けて開口する中空空間を有する。この場合、この中空空間は、少なくとも成形体に面した側では導電性層を有するカバーによって閉じられる。導波路アンテナの場合には、カバーは、レーダ信号の放射および受信のための、適切な寸法と形状をもつ開口部を有し得る。

【0012】

カバーは、全体的に金属板から成り得、または少なくとも片側に金属膜を形成されたプラスチックから成り得る。後者の場合には、カバーは、レーダドームが組み込まれた、および／または、不要なマイクロ波反射を抑制するためのレリーフを有するさらなる成形体であり得る。

【0013】

これらの特徴は、請求項１の特徴から独立してはいるが利点であり得る。したがって、基体内に形成されており、基体の外面に向けて開口する中空空間によって導波路が形成されている導波路アンテナと、中空空間を完全にまたは部分的に導電性層によって閉じるカバーとを備えたレーダセンサも開示されており、このカバーは、レーダドームが組み込まれたおよび／または外側の表面がレリーフを有する成形体によって形成されている。

【0014】

その代わりにまたはそれに加えて、この成形体内に、レーダドーム用ヒータが、または外部のレーダドームヒータを接続するための少なくとも１つの差込コネクタが組み込まれていてもよい。

【0015】

成形体のうち導波路構造が形成されている外面もレリーフを有することができ、これにより、例えば多面アンテナアレイまたはコンフォーマルアンテナアレイが形成される（つまりアンテナ素子の放射面が、互いに傾いた面内にあるか、または湾曲面の部分である）。外面のこのレリーフにアンダーカットがない場合、カバーは、レリーフに対して相補的な表面を有する一体的な成形体であり得る。

【0016】

以下に、図面に基づいて例示的実施形態をより詳しく解説する。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本発明によるレーダセンサの概略断面図である。

【図2】本発明の別の実施形態の様々なバリエーションの１つの断面図である。

【図3】本発明の別の実施形態の様々なバリエーションの１つの断面図である。

【図4】本発明の別の実施形態の様々なバリエーションの１つの断面図である。

【図5】本発明によるレーダセンサで使用可能な高周波部品の概略断面図である。

【図6】本発明によるレーダセンサで使用可能な高周波部品の概略断面図である。

【図7】本発明によるレーダセンサで使用可能な高周波部品の概略断面図である。

【図8】本発明のさらなる例示的実施形態によるレーダセンサの断面図である。

【図9】本発明のさらなる例示的実施形態によるレーダセンサの断面図である。

【図10】本発明のさらなる例示的実施形態によるレーダセンサの断面図である。

【図11】本発明のさらなる例示的実施形態によるレーダセンサの断面図である。

【図12】カバーで閉じられた導波路構造を有するレーダセンサの分解断面図である。

【図13】カバーの様々な実施形態の１つの断面図である。

【図14】カバーの様々な実施形態の１つの断面図である。

【図15】カバーの様々な実施形態の１つの断面図である。

【図16】カバーの様々な実施形態の１つの断面図である。

【図17】本発明のさらなる例示的実施形態によるレーダセンサの断面図である。

【図18】本発明のさらなる例示的実施形態によるレーダセンサの断面図である。

【図19】本発明のさらなる例示的実施形態によるレーダセンサの透視分解図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

図１に断面で示したレーダセンサは、高周波対応のキャリア基材１２を上面に備えた基板１０を有し、かつ高周波部品１４を備えている。高周波部品１４は、例えばＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージ（プラスチックハウジングを備えたモノリシックマイクロ波集積回路）であり得る。基板１０は下面に、さらなる電子部品１６（例えば、ＩＣ、ＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ：表面実装部品））と、接続プラグ用のコンタクトユニット１８とを既知の方法で搭載している。基板１０は、その上に配置された部品（コンタクトユニット１８の一部を除く）を含めた全体が、非導電性プラスチックにより、好ましくは熱硬化性プラスチックであるが、選択的に熱可塑性プラスチックにより成る成形体２０によって、オーバモールドされている。成形体２０の上面には導波路構造２２が形成されており、この導波路構造２２は、成形体の外面２４に向けて開口する幾つかの中空空間２６を有しており、この中空空間２６の壁が金属被膜２８で導電性にされている。外面２４には、何らかの既知の接合技術、例えば溶接または接着により、カバー３０が取り付けられており、カバー３０は、すべての中空空間２６を被覆し、かつ中空空間２６の金属被膜２８と電気的に接触しており、これにより中空空間２６が導波路として機能し得る。中空空間２６の幾つかの領域ではカバー３０が開口部３２を有しており、この開口部３２によりマイクロ波を放射および／または受信することができるので、それに関する中空空間は導波路アンテナの機能を有している。導波路構造２２の残りの導波路は分配ネットワークを形成しており、この分配ネットワークを介して、高周波部品１４内で生成されたレーダ信号が導波路アンテナに伝えられ、かつ／または導波路アンテナで受信されたレーダ信号が高周波部品１４に伝えられる。高周波部品１４を導波路構造２２と信号結合するために、キャリア基材１２上に、例えばマイクロストリップ線路などの高周波線路３４が形成され、結合構造３６を介して導波路の１つと結合している。レーダセンサが、それぞれ関連する分配ネットワークを介して導波路アンテナと結合する複数の高周波部品１４を同じ基板１０上に備え得ることは自明なことである。

【0019】

レーダセンサの製造では、最初に、基板１０に、高周波部品および残りの電子コンポーネントならびにコンタクトユニット１８が搭載され、その後、成形体２０によってオーバモールドされ、その際、図示されない位置合わせマークにより、基板に対するモールド（金型）の精密な位置合わせに注意が払われる。離型の後、中空空間２６の壁（結合構造３６の自由端を除く）に金属被膜２８が設けられ、最後に中空空間がカバー３０によって閉じられる。

【0020】

図示した例では、カバー３０は、単純に金属板で形成されている。しかしながら他の実施形態では、このカバーが、金属膜を形成されたプラスチック板または金属膜を形成されたプラスチック製の成形体であってもよい。

【0021】

図２は、１つの変形された例示的実施形態を示しており、この例示的実施形態では、高周波部品１４は、パッケージ化されていない半導体チップ（ベアチップ）の形態でのＭＭＩＣであり、このＭＭＩＣは、再配線面３８上に配置され、かつパッケージ４０によってオーバモールドされており、このパッケージ４０は同時に結合構造３６の一部を構成している。この場合には、結合構造３６との結合のための高周波線路３４が再分配面３８に形成されているので、基板１０用の高価な高周波対応の基材（図１での基材１２）をなくすことができる。これは同時に、電子（ＮＦ）部品１６を高周波部品１４と一緒に基板の上面に配置してもよいという利点を有する。パッケージ４０は半導体チップおよび再配線面と共に、いわゆる一次パッケージを構成しており、この一次パッケージは様々な方法で、例えばｅＷＬＢ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｗａｆｅｒ－Ｌｅｖｅｌ Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）によってまたはインターポーザ上のフリップチップとして実現され得る。このような一次パッケージの場合、成形体２０は高周波部品の半導体材料と接触しないので、成形体２０に使用される材料がイオンフリーである必要はない。

【0022】

図３および図４は、図２による例示的実施形態の可能な変形例を示している。図３では、再配線面３８およびマイクロ波線路３４がパッケージの上部に形成されており、かつパッケージがボンディングワイヤ４２によって接触している。図４では、再配線面３８がパッケージの下部に存在しており、接触が（例えばＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）の形態での）はんだボール４４によって行われている。高周波線路３４は、パッケージの上面に存在し、いわゆるパッドオンパッケージアンテナによって形成されている。その代わりに、パッケージは、ここではｅＷＬＢまたはインターポーザ上のフリップチップを備えたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ：チップサイズパッケージ）であってもよい。

【0023】

もう１つのさらなる実施形態では、高周波部品１４が、ＡｏＰパッケージ（Ａｎｔｅｎｎａ ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ：アンテナオンパッケージ）として構成されている。このようなパッケージの様々な例を図５～図７に示している。

【0024】

図５では、ＭＭＩＣ（ベアチップ）によって形成された高周波部品１４が、多層インターポーザ４６の下面に取り付けられており、多層インターポーザ４６はその上面で複数のアンテナ４８を支持しており、これらのアンテナ４８は、導波路構造２２との結合に役立ち、かつ、ビアという金属被膜をもつ貫通孔５０を介して半導体チップと結合している。

【0025】

図６では、アンテナ４８およびＭＭＩＣがインターポーザ４６の上面に存在している。

【0026】

図７では、インターポーザ４６上に配置されたＭＭＩＣがパッケージ５２とともに形成されており、パッケージ５２の上面にアンテナ４８が存在している。アンテナの高周波部品１４との結合は、この場合には、パッケージ５２を通り抜ける貫通孔５３、いわゆるスルーモールドビアおよびインターポーザ４６を介して行われる。

【0027】

パッケージの接触は、それぞれはんだボール４４を介して行われる。

【0028】

図８は、プラスチックによる高周波部品１４のオーバモールドが２つのステップで行われる点が、図１による例示的実施形態とは異なる例示的実施形態を示している。第１のステップで、基板１０上に実装された高周波部品１４がパッケージ５４によってオーバモールドされ、その後、第２のステップで成形体２０が射出成形される。この成形体２０は、基板１０およびパッケージ５４を収容し、かつ導波路構造２２を形成する。２段階の射出成形ステップを有するこの製造方法は、高周波部品をフリップチップＭＭＩＣまたはワイヤボンディングで接触されたＭＭＩＣとする実施形態でも同様に適用され得る。後者の場合にはその後、ボンディングワイヤがパッケージ５４に埋め込まれる。

【0029】

図９は、高周波部品１４（例えばベアチップＭＭＩＣ）が、例えば導電性でイオンフリーのエポキシ系熱硬化性樹脂などの導電性成形材料から成る成形体２０’によって、オーバモールドされる点が、図１による例示的実施形態とは異なる１つの例示的実施形態を示している。この場合、導波路構造２２の壁の金属被膜２８をなくすことができる。

【0030】

図１０は、高周波部品１４または複数の高周波部品を備えた基板１０と、カバー３０を備えた成形体２０とが、レーダセンサの高周波部のみを形成するモジュールを構成しており、その一方で残りの（ＮＦ）部品１６は主基板５６上に配置され、この場合に主基板５６に高周波モジュールが搭載されるという例示的実施形態を示している。

【0031】

図１１は、例えばＭＭＩＣなどの高周波部品１４がパッケージ内で基板１０の下面に配置されている例示的実施形態を示している。この場合には、導波路構造２２との結合は同軸インピーダンス変成器５８を介して行われ、同軸インピーダンス変成器５８は、基板を貫通して基板の上部表面に通じており、このとき、基板の上面に形成された高周波線路３４を介して間接的に、または結合構造３６を介して直接的に、導波路構造２２と結合している。

【0032】

図１２は、高周波部品１４が基板の上面にボンディングされたＭＭＩＣであり、このＭＭＩＣが図８と同様にパッケージ５４でオーバモールドされ、このときにパッケージ５４も成形体２０内に埋め込まれているレーダセンサを示す図である。これまで説明してきた実施形態での金属板で形成されたカバー３０に代わるカバー３０’が、ここでは成形体２０から離して図示されている。カバー３０’は、プラスチックから成る板状の成形体であり、この成形体は下面に金属被膜６０を有しており、金属被膜６０は、マイクロ波用の放射開口部を形成するための窓６２によって幾つかの箇所で遮断されている。ただしこのカバーのプラスチック体は、当該開口部６２で孔を開けているのではなく、比較的薄い膜６４に形成されているだけであり、膜６４は、当該カバー６２を外側から閉じるものである。こうすることでカバー３０’が同時にレーダドームになり、つまりマイクロ波放射を実質的に減衰させずに通過させるが、導波路構造内への汚れや腐食性媒体の侵入を阻止するカバーになっている。

【0033】

カバー３０’の変形例を図１３～図１６に示している。図１３では、カバーがプラスチックから成る板状のコア部６６を有しており、このコア部６６はその外面全体に金属被膜６０を有している。導波路アンテナ用の放射開口部は、カバーの互いに対向する面上の金属被膜における互いに一直線上に並んだ窓６２によって形成されている。

【0034】

図１４は、レーダドームが組み込まれたさらなる１つのバリエーションを示している。ただしここでは膜６４は、プラスチック板の上面に存在し、かつ開口部６８を被覆しており、この開口部６８は、断面で下面にのみ形成された金属被膜６０の窓６２に向けて先細りしている。

【0035】

図１５では、開口部６８は、上面（外面）で開口し、かつ膜６４に向けて先細りしており、膜６４は、ここではプラスチックブロック（プラスチック成形体）の下面に形成され、かつ金属被膜の窓６２を被覆している。この実施形態では、放射開口部を除くカバーの外側表面全体がレリーフ７０を形成しており、このレリーフ７０は、複数の円錐形突起部を格子状に配列した形態で吸収体（アブソーバ）構造７０を形成しており、これらの突起部が、レーダドームの表面での望ましくない反射を抑制することになる。

【0036】

最後に図１６は、レーダドームが組み込まれたカバー３２’の１つのバリエーションを示しており、このバリエーションは、図１５によるバリエーションとは、なかでも、カバーの外側の表面が、より広範囲で湾曲面をもつレリーフ７２を形成している点が異なる。この手段も、不要な反射を抑制したり、無害の方向に偏向・散乱させたりする役割を果たす。選択的に、湾曲面でのレリーフ７２がさらに微細な吸収体構造を形成していてもよい。

【0037】

図１６によるカバーのさらなる特殊性は、プラスチック体内部に、レーダドーム用ヒータ７４をなす電熱線が埋め込まれていることにある。このような組み込まれたヒータにより、レーダドーム上での雪または氷から成る外被の形成、ひいてはレーダセンサのブラインドネスに対処できる。

【0038】

図１７および図１８は、成形体２０内において、基板１０の互いに対向する側に導波路構造２２の構成部分が形成されている例示的実施形態を示している。こうしてより複雑な分配ネットワークのために成形体２０の両側が利用され得る。選択的に、導波路アンテナも成形体の両側に形成できるので、レーダ波が互いに対向する方向に放射され得る。

【0039】

基板１０の互いに対向する側にある導波路構造２２の構成部分間の相互接続は、様々な方法で、例えば基板１０を迂回する結合導波路７６によってまたは基板を通り抜ける貫通孔７８を使って形成され得る。

【0040】

ここで示した例では、基板１０が両面に高周波部品１４を搭載しており、これらの高周波部品１４は、同軸インピーダンス変成器５８および／または平面型高周波線路３４を介して分配ネットワークへと結合されている。

【0041】

図１７では分配ネットワークが、電子部品１６の幾つかの間をブリッジし得る分配ブリッジ８０も含んでいる。分配ブリッジ８０をなす中空空間は、成形体２０の射出成形の際に形成され、かつ導波路構造の残りの部分と同様に金属被膜２８を有し、このとき成形体２０の両側ではカバー３０によって閉じられている。

【0042】

図１８に示した例示的実施形態は導波路分配構造８０’、８２を有している。これら導波路分配構造８０’、８２は、成形体２０の射出成形の際に形成されるのではなく、別個の導波路要素として形成されており、当該導波路要素が基板１０に搭載され、その後、当該導波路要素と基板１０とは、高周波部品１４とともに成形体２０の材料でオーバモールドされる。分配構造８０’は、図１７のブリッジ分配器８０に類似したブリッジ分配器であり、その一方で分配構造８２は、基板１０に直接接する分配チャンバであり、この分配チャンバは、この例では同軸インピーダンス変成器５８を介して基板の上部の導波路の１つと結合している。

【0043】

図１７によるレーダセンサが、２つの互いに平行な面に（基板１０の互いに対向する側で）導波路アンテナを備えている一方で、導波路アンテナが、互いに非平行な複数の面に形成され、かつ多面アンテナを構成する実施形態も可能である。簡単な一例を図１９に示している。基板１０の片面にて成形体２０’’が成形するように射出成形されており、成形体２０’’は、ここでは見えない高周波部品を完全に被覆し、かつ導波路構造２２’’を形成している。この導波路構造は分配ネットワークを形成しており、この分配ネットワークは、結合構造３６’’を介して高周波部品と結合し、かつ導波路アンテナの２つの部分アレイ８４、８６に通じている。導波路アンテナおよび分配構造は、成形体２０’’の外面２４’’に向けて開放されている。この外面２４’’は、互いに非平行な２つの部分面２４ａ、２４ｂを含んでおり、部分面２４ａ、２４ｂは、互いに角度をなして隣接し、かつそれぞれ部分アレイ８４、８６の一方を含む。導波路構造２２’’は、プラスチック材料から一体的に射出成形されたカバー３０’’によって補完され、このカバー３０’’は、外面２４’’に対して相補的な形状を有し、かつ下面に金属被膜６０’’を有しており、この金属被膜６０’’は、導波路アンテナの放射開口部のところだけが開放されている。

【符号の説明】

【0044】

１０ 基板
１２ キャリア基材
１４ 高周波部品
１６ 電子部品
２６ 中空空間
３２ 開口部
４２ ボンディングワイヤ
４４ はんだボール
４６ インターポーザ
４８ アンテナ
５６ 主基板
５８ 同軸インピーダンス変成器
６６ コア部
７６ 結合導波路
７８ 貫通孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】