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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-10-01
(45)【発行日】2025-10-09
(54)【発明の名称】プラズマ処理システム用の可動エッジリング
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20251002BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20251002BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20251002BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
H01L21/68 N
H05H1/46 M
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2023521034
(86)(22)【出願日】2021-09-29
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-11-02
(86)【国際出願番号】 US2021052732
(87)【国際公開番号】W WO2022076227
(87)【国際公開日】2022-04-14
【審査請求日】2024-09-26
(31)【優先権主張番号】63/087,814
(32)【優先日】2020-10-05
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】592010081
【氏名又は名称】ラム リサーチ コーポレーション
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
(74)【代理人】
【識別番号】110000028
【氏名又は名称】弁理士法人明成国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】キンボール・クリストファー
(72)【発明者】
【氏名】エンリッチ・ダレル
(72)【発明者】
【氏名】大倉 有麻
【審査官】長谷川 直也
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－１１５５４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１６０６６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－０７００８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－２０８０２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－２３２８８４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－２３０２３９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－０９８１８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０３５８２１１（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１２－１４６７４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００５－５３９３９７（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５
Ｈ０１Ｌ ２１／６８３
Ｈ０５Ｈ １／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理システム用の可動エッジリングシステムであって、基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、前記頂部可動リングは、導電性材料を含み、基板処理中にプラズマに曝露され、前記頂部可動リングは、前記第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に第１の環状凹部を含む、頂部可動リングと、
前記頂部可動リングの下方で前記基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動支持リングと、
前記可動支持リングの半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記頂部可動リングの半径方向外縁部の上方に配置されている第４の環状体を含むカバーリングであって、前記第４の環状体の半径方向内側の下側表面上の第２の環状凹部を含み、前記第２の環状凹部は、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングを上昇させたときに、前記頂部可動リングの前記第１の環状凹部と位置合わせされるように構成されている、カバーリングと、
前記シールドリングおよび前記カバーリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を備える、可動エッジリングシステム。
【請求項2】
請求項１に記載の可動エッジリングシステムであって、前記シールドリングは、前記第３の環状体の半径方向外側の上側表面から上向きに延在する突出部を含み、
前記カバーリングは、
前記突出部を受けるように構成されている第３の環状凹部を含む、可動エッジリングシステム。
【請求項3】
請求項１に記載の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
【請求項4】
基板処理システム用の可動エッジリングシステムであって、基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
前記頂部可動リングの下方で前記基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動支持リングと、
前記可動支持リングの半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記頂部可動リングの半径方向外縁部の上方に配置されている第４の環状体を含むカバーリングと、
前記シールドリングおよび前記カバーリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を備え、
前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の５０％以上を、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられた状態に維持し、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
【請求項5】
基板処理システム用の可動エッジリングシステムであって、基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
前記頂部可動リングの下方で前記基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動支持リングと、
前記可動支持リングの半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記頂部可動リングの半径方向外縁部の上方に配置されている第４の環状体を含むカバーリングと、
前記シールドリングおよび前記カバーリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を備え、
前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の９０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の６０％以上を、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられた状態に維持し、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
【請求項6】
請求項１に記載の可動エッジリングシステムであって、「Ｌ」形状の断面を有する第５の環状体を含むエッジリングを更に備え、前記基板支持体はベースプレート上に配置された加熱層を含み、前記エッジリングは、前記基板支持体の前記加熱層と、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの半径方向内側の面と、の間に配置されている、可動エッジリングシステム。
【請求項7】
請求項６に記載の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングおよび前記エッジリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
【請求項8】
請求項１に記載の可動エッジリングシステムであって、第５の環状体を含みかつ前記シールドリングおよび前記カバーリングの半径方向外側に配置されているエッジリングを更に含み、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングおよび前記エッジリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
【請求項9】
請求項８に記載の可動エッジリングシステムであって、前記エッジリングはその半径方向内側の上側表面上に前記カバーリングを受けるための環状凹部を含む、可動エッジリングシステム。
【請求項10】
請求項１に記載の可動エッジリングシステムであって、前記可動支持リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記リフトピンが前記リングセンタリング部を付勢すると前記可動支持リングがセンタリングされる、可動エッジリングシステム。
【請求項11】
請求項１に記載の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記可動支持リングが前記頂部可動リングの前記リングセンタリング部を付勢すると前記頂部可動リングがセンタリングされる、可動エッジリングシステム。
【請求項12】
請求項１に記載の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングのうちの少なくとも１つは水平リングスペーサを含む、可動エッジリングシステム。
【請求項13】
請求項１２に記載の可動エッジリングシステムであって、前記水平リングスペーサはシム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む、可動エッジリングシステム。
【請求項14】
システムであって、請求項１に記載の可動エッジリングシステムと、
基板を支持するように構成されている前記基板支持体と、
前記基板支持体に対する前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの高さを調整するべく前記リフトピンを移動させるよう、前記アクチュエータを制御するように構成されている、コントローラと、
を備える、システム。
【請求項15】
請求項１４に記載のシステムであって、前記コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの前記高さを調整するように構成されている、システム。
【請求項16】
基板処理システム用の可動エッジリングシステムであって、基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、前記頂部可動リングの上側表面は、導電性材料を含み、基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
前記頂部可動リングの下方で前記基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動支持リングと、
前記可動支持リングの下方で半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記シールドリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、を備え、
前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性材料で製作されており、
前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に、および
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の５０％以上を、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、
可動エッジリングシステム。
【請求項17】
請求項１６に記載の可動エッジリングシステムであって、前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく１０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本願は２０２０年１０月５日に出願された米国仮出願第６３／０８７，８１４号の利益を主張する。上記した出願の開示全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本願は２０２０年１０月５日に出願された米国仮出願第６３／０８７，８１４号の利益を主張する。上記した出願の開示全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本開示は一般にプラズマ処理システムに関し、より詳細には、可動エッジリングを有するエッジリングシステムに関する。
【背景技術】
【0003】
ここに提供する背景の説明は本開示の置かれた状況を一般的に提示することを目的としている。この背景の項目に記載されている範囲において、本明細書に挙げられた発明者らの研究は、出願時点で先行技術とは認められない可能性のある本説明のそれ以外の諸態様と同様に、明示的にも黙示的にも、本開示に対する先行技術とは認められない。
【0004】
基板処理システムは半導体ウエハなどの基板に対して処理を行うものである。基板処理の例としては、成膜、アッシング、エッチング、洗浄、および／または他の処理が挙げられる。処理チャンバには基板を処理するためのプロセスガス混合物を供給することができる。化学反応を促進するために、プラズマを使用してガスに点火してもよい。
【0005】
処理中の基板は基板支持体上に配置される。エッジリングは、基板の半径方向外縁部の周囲に隣り合って配置される環状体を有する。エッジリングはプラズマを基板上に形成または集束するために使用され得る。動作中、基板とエッジリングの露出面がプラズマによってエッチングされる。その結果エッジリングが損耗し、プラズマに対するエッジリングの効果が変化するが、このことは均一性に悪影響を及ぼす可能性がある。
【発明の概要】
【0006】
基板処理システム用の可動エッジリングシステムは、基板支持体の周囲に配置された第１の環状体を含む頂部可動リングを含む。頂部可動リングは基板処理中にプラズマに曝露される。可動支持リングは、頂部可動リングの下方で基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置され、第２の環状体を含む。可動支持リングの半径方向外側にはシールドリングが配置され、これは第３の環状体を含む。カバーリングは、頂部可動リングの半径方向外縁部の上方に配置された第４の環状体を含む。アクチュエータおよびリフトピンは、シールドリングおよびカバーリングに対する頂部可動リングおよび可動支持リングの位置を調整するように構成される。
【0007】
他の特徴として、頂部可動リングは、第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に、第１の環状凹部を含む。シールドリングは、第３の環状体の半径方向外側の上側表面から上向きに延在する突出部を含む。カバーリングは突出部を受けるように構成された第２の環状凹部を含む。第３の環状凹部は、頂部可動リングおよび可動支持リングを上昇させたときに、頂部可動リングの第１の環状凹部と位置合わせされるように構成される。
【0008】
他の特徴として、頂部可動リング、可動支持リング、およびシールドリングは導電性であり、一方でカバーリングは非導電性である。頂部可動リングおよび可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、可動支持リングは、可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の約７０％以上を、シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の約５０％以上は、ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられる。いくつかの実施形態では、あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく、約２０ミル以下である。
【0009】
他の特徴として、頂部可動リングおよび可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、可動支持リングは、可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の約９０％以上をシールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の約６０％以上は、ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられる。いくつかの実施形態では、あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく、約２０ミル以下である。
【0010】
他の特徴として、エッジリングは「Ｌ」形状の断面を有する第５の環状体を含む。基板支持体はベースプレート上に配置された加熱層を含む。エッジリングは、基板支持体の加熱層と、頂部可動リングおよび可動支持リングの半径方向内側の面との間に配置される。
【0011】
他の特徴として、頂部可動リング、可動支持リング、およびシールドリングは導電性であり、カバーリングおよびエッジリングは非導電性である。エッジリングは第５の環状体を含み、かつシールドリングおよびカバーリングの半径方向外側に配置される。頂部可動リング、可動支持リング、およびシールドリングは導電性であり、カバーリングおよびエッジリングは非導電性である。
【0012】
他の特徴として、エッジリングは、その半径方向内側の上側表面上に、カバーリングを受けるための環状凹部を含む。可動支持リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、リフトピンがリングセンタリング部を付勢すると可動支持リングがセンタリングされる。頂部可動リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、可動支持リングが頂部可動リングのリングセンタリング部を付勢すると頂部可動リングがセンタリングされる。
【0013】
他の特徴として、頂部可動リング、可動支持リング、およびシールドリングのうちの少なくとも１つは、水平リングスペーサを含む。水平リングスペーサは、シム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む。
【0014】
システムは、可動エッジリングシステムと、基板を支持するように構成された基板支持体とを含む。コントローラは、基板支持体に対する可動支持リングおよび頂部可動リングの高さを調整するべくリフトピンを移動させるよう、アクチュエータを制御するように構成される。
【0015】
他の特徴として、コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、可動支持リングおよび頂部可動リングの高さを調整するように構成される。
【0016】
基板処理システム用のエッジリングシステムは、基板処理中にプラズマに直接曝露される第１の環状体を含む、頂部固定リングを含む。頂部固定リングの下方の基板支持体のベースプレートの半径方向外側には可動リングが配置されており、これは第２の環状体を含む。可動リングの下方の半径方向外側にはシールドリングが配置されており、これは第３の環状体を含む。アクチュエータおよびリフトピンは、頂部固定リングおよびシールドリングに対する可動リングの位置を調整するように構成される。
【0017】
他の特徴として、カバーリングは非導電性であり、頂部固定リングの半径方向外縁部の上方に配置される。頂部固定リングは、第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に、第１の環状凹部を含む。
【0018】
他の特徴として、シールドリングは、第３の環状体の半径方向外側の上側表面から上向きに延在する突出部を含む。カバーリングは、突出部を受けるように構成された第２の環状凹部と、頂部固定リングの第１の環状凹部と噛み合うように構成された第３の環状凹部と、を含む。
【0019】
他の特徴として、頂部固定リング、可動リング、およびシールドリングは、導電性材料で製作される。可動リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、可動リングは、可動リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の約７０％以上を、シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に、および、可動リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の約５０％以上を、ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持する。あらかじめ定められた結合ギャップは約３０ミル以下である。
【0020】
他の特徴として、可動リングは「Ｔ」形状の断面を有し、シールドリングは逆「Ｔ」形状の断面を有する。カバーリングは第４の環状体を含む。基板支持体はベースプレート上に配置された加熱層を含み、カバーリングは、頂部固定リングが下降位置にあるとき、基板支持体の加熱層と頂部固定リングの半径方向内側表面との間に配置される。
【0021】
他の特徴として、頂部固定リング、可動リング、およびシールドリングは導電性であり、カバーリングは非導電性である。
【0022】
他の特徴として、エッジリングは環状体を含み、シールドリングの半径方向外側に配置される。
【0023】
他の特徴として、エッジリングは、その半径方向内側の上側表面上に、カバーリングを受けるための環状凹部を含む。頂部固定リング、可動リング、およびシールドリングは導電性であり、カバーリングおよびエッジリングは非導電性である。
【0024】
他の特徴として、頂部固定リングは、半径方向内側部分と、半径方向内側部分から延在する上向き傾斜部分と、上向き傾斜部分から延在する平面部分と、を含む。可動リングは半径方向内向き突出部分と半径方向外向き突出部分とを含む。半径方向内向き突出部分の半径方向内側の上側表面は、傾斜部分を含む。
【0025】
他の特徴として、傾斜部分の上側表面は上向き傾斜部分の下側表面と平行に延在する。可動リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、リフトピンが可動リングのリングセンタリング部を付勢すると可動リングがセンタリングされる。頂部固定リング、可動リング、およびシールドリングのうちの少なくとも１つは、水平リングスペーサを含む。
【0026】
他の特徴として、水平リングスペーサは、シム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む。
【0027】
システムは、エッジリングシステムと、基板を支持するように構成されている基板支持体と、頂部固定リングに対する可動リングの高さを調整するべくリフトピンを移動させるよう、アクチュエータの高さを調整するように構成されている、コントローラと、を備える。
【0028】
他の特徴として、コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、可動リングの高さを調整するように構成される。
【0029】
基板処理システムは、円筒体と、円筒体の下部から延在する環状突出部分と、環状突出部分の半径方向外縁部から上向きに延在するシールド部と、を含む基板支持体であって、円筒体とシールド部との間には空洞が画定されている、基板支持体、を含む。頂部可動リングは、基板支持体の周囲に配置された第１の環状体を含む。頂部可動リングは基板処理中にプラズマに曝露される。可動支持リングは第２の環状体を含む。可動支持リングは、頂部可動リングの下方でシールド部と円筒体との間の空洞内に配置される。
【0030】
他の特徴として、カバーリングは、頂部固定リングの半径方向外縁部の上方に配置される。アクチュエータおよびリフトピンは、シールド部およびカバーリングに対する頂部可動リングおよび可動支持リングの位置を調整するように構成される。頂部可動リングは、第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に、第１の環状凹部を含む。
【0031】
他の特徴として、頂部可動リング、円筒体、可動支持リング、およびシールド部は導電性であり、カバーリングは非導電性である。頂部可動リングおよび可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、可動支持リングは、可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の約７０％以上を、円筒体のあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の約５０％以上は、シールド部のあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられる。あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく約２０ミル以下である。
【0032】
他の特徴として、可動支持リングの下側表面は、リフトピンが可動支持リングのリングセンタリング部を付勢するときに可動支持リングを円筒体に対してセンタリングするための、リングセンタリング部を含む。頂部可動リング、可動支持リング、およびシールドリングのうちの少なくとも１つは、水平リングスペーサを含む。いくつかの実施形態において、水平リングスペーサは、シム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む。
【0033】
他の特徴として、システムは、アクチュエータと、リフトピンと、アクチュエータにリフトピンを移動させて基板支持体に対する可動支持リングおよび頂部可動リングの高さを調整させるように構成された、コントローラと、を含む。
【0034】
他の特徴として、コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、可動支持リングおよび頂部可動リングの高さを調整するように構成される。
【0035】
基板処理システム用の可動エッジリングシステムは、基板支持体の周囲に配置された第１の環状体を含む頂部可動リングを含む。頂部可動リングの上側表面は、基板処理中にプラズマに曝露される。頂部可動リングの下方の基板支持体のベースプレートの半径方向外側には可動支持リングが配置され、これは第２の環状体を含む。可動支持リングの下方の半径方向外側にはシールドリングが配置され、これは第３の環状体を含む。アクチュエータおよびリフトピンは、シールドリングに対する頂部可動リングおよび可動支持リングの位置を調整するように構成される。頂部可動リング、可動支持リング、およびシールドリングは、導電性材料で製作される。頂部可動リングおよび可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、可動支持リングは、可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の約７０％以上を、シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に、および、可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の約５０％以上を、ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持する。あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく約２０ミル以下である。
【0036】
他の特徴として、あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく、約１０ミル以下である。
【0037】
本開示の更なる適用可能領域が、詳細な説明、特許請求の範囲、および図面から明らかになるであろう。詳細な説明および具体的な例は単なる例示の目的で意図されており、本開示の範囲を限定することは意図していない。
【0038】
本開示は詳細な説明および下記の添付の図面からより完全に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0039】
【図1】本開示に係る基板用のプラズマ処理システムの一例の機能ブロック図である。
【0040】
【0041】
【0042】
【図4A】本開示の特定の実施形態に係る、頂部固定リングの下方に位置付けられ下降位置に配置された、可動リングの別の例の側面断面図である。
【図4B】本開示の特定の実施形態に係る、頂部固定リングの下方に位置付けられ上昇位置に配置された、可動リングの別の例の側面断面図である。
【0043】
【0044】
【0045】
【図7】本開示の特定の実施形態に係る、複数のシムを含むリングスペーサを有するリングを含むエッジリングシステムの側面断面図である。
【0046】
【図8】本開示の特定の実施形態に係る、複数のピンを含むリングスペーサを有するリングの側面断面図である。
【0047】
【図9A】本開示の特定の実施形態に係る、複数の突出部を含むリングスペーサを有するリングの側面断面図である。
【0048】
【図9B】本開示の特定の実施形態に係る、隆起した平坦部分を有する突出部を含むリングスペーサを有するリングの拡大側面断面図である。
【0049】
【0050】
【図11】本開示の特定の実施形態に係る、エッジリングの高さを調整するための方法の一例のフローチャートである。
【0051】
【図12】本開示の特定の実施形態に係る、１つまたは複数のエッジリングを加熱してそのエッジリングを位置直しまたはセンタリングするための方法の一例のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0052】
図面において、類似および／または同一の要素を識別するために参照番号が再利用される場合がある。
【0053】
基板処理中、静電チャック（ＥＳＣ）などのペデスタル上に基板が配置され、プロセスガスが供給され、処理チャンバ内でプラズマが打ち込まれる。プラズマへの曝露によって、処理チャンバ内の構成要素の露出した表面が損耗する。
【0054】
例えば、基板の半径方向外縁部に、プラズマを形成するためのエッジリングが配置される。基板の加工後、エッジリングの露出面が損耗する場合があり、基板に対する高さが変わってしまう。その結果、エッジリングがプラズマに与える効果が変化し、このことによりプロセスが基板に与える効果が変化する。そのため、一部の基板処理システムでは、損耗したエッジリングを交換するために処理チャンバを開く必要が生じることになる。
【0055】
真空を解除することなくエッジリングの損耗に起因する処理の変化を低減するために、一部の処理チャンバには、調整可能なエッジリングが配備されている。このような処理チャンバでは、損耗を補償するため、またはレシピの様々な処理条件の微調整を可能にするために、調整可能なエッジリングの高さを高くすることができる。この手法ではエッジリングの交換間隔が長くなり、その結果交換コストが削減され、全体的なダウンタイムが短くなる。
【0056】
エッジリングの高さが変わると、プラズマ、シース、および／またはキャパシタンス給送構造（エッジリングを含む）の間の容量性結合も変化する。このような容量性結合の変化は、時間の経過に伴う基板処理の不均一を引き起こす可能性がある。容量性結合の変動はまた、エッジリングの熱膨張、隣り合うリング間のギャップの侵食、部品間のばらつきなどの、他の要因に応じても生じ得る。
【0057】
場合によっては、キャパシタンスのばらつきを最小限にするために、コーティング、スペーサ、および／または最小のギャップが使用される。しかしながら、これらの機構によって全体的な結合キャパシタンスが低減する場合があり、このことはエッジリングに対するＲＦ電圧を低下させる。その結果、所望の垂直方向の傾斜を達成するためには、より高い幾何学上の高さが必要になると考えられる。
【0058】
本開示に係る様々なエッジリング構成は、頂部可動リングの損耗に伴う容量性結合の変動を低減する、頂部可動リングを含む。図２Ａおよび２Ｂ、図３Ａおよび図３Ｂ、図５Ａおよび図５Ｂ、ならびに図６Ａおよび図６Ｂは、微調整可能な頂部可動リングを示す。以下で更に説明するように、頂部可動リングの幾何学的高さを、可動支持リングおよびリフトピンを使用して頂部可動リングの高さを変えることによって、変化させることができる。
【0059】
図４Ａおよび図４Ｂは、本開示の特定の実施形態に係る、別のタイプの微調整可能なエッジリングを示す。更に後述するように、図４Ａおよび図４Ｂの頂部リングは固定されており、頂部リングの下に配置された可動リングおよびリフトピンを調整することで、頂部リングのＲＦ電圧が微調整され、プラズマシースが制御される。
【0060】
ここで図１を参照すると、本開示の特定の実施形態に係る可動エッジリングシステムを含む、プラズマ処理を行う基板処理システム１１０の一例が示されている。特定のタイプのプラズマ処理チャンバが示されているが、他のプラズマ処理チャンバを使用することができる。基板処理システム１１０は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）を用いたエッチングを行うために使用され得る。基板処理システム１１０は、基板処理システム１１０の他の構成要素を内包し、ＲＦプラズマ（使用される場合）が封入される、処理チャンバ１２２を含む。基板処理システム１１０は、上側電極１２４と、静電チャック（ＥＳＣ）などの基板支持部１２６と、を含む。動作中、基板支持体１２６上に基板１２８が配置される。
【0061】
単なる例として、上側電極１２４は、シャワーヘッドなどの、プロセスガスを導入し分配するガス分配デバイス１２９を含み得る。ガス分配デバイス１２９は、処理チャンバの頂面に接続された一端を含む軸部を含み得る。環状体は概ね円筒形であり、処理チャンバの頂面から間隔を置いた位置で、軸部の反対側の端部から半径方向外向きに延在する。シャワーヘッドの環状体の基板対向面またはフェースプレートは、前駆体、反応物質、エッチングガス、不活性ガス、キャリアガス、他のプロセスガス、またはパージガスが中を流れる、複数の穴を含む。別法として、上側電極１２４は導電プレートを含んでもよく、プロセスガスは別の様式で導入されてもよい。
【0062】
基板支持体１２６は、下側電極として機能するベースプレート１３０を含む。ベースプレート１３０は、セラミック製のマルチゾーン加熱プレートに相当し得る、加熱プレート１３２を支持する。加熱プレート１３２とベースプレート１３０との間に、接合層および／または熱抵抗層１３４が配置されてもよい。ベースプレート１３０は、ベースプレート１３０を通して冷却剤を流すための、１つまたは複数のチャネル１３６を含み得る。
【0063】
ＲＦ生成システム１４０はＲＦ電圧を生成し、上側電極１２４および下側電極（例えば、基板支持体１２６のベースプレート１３０）の一方に出力する。上側電極１２４およびベースプレート１３０の他方は、ＤＣ接地されていても、ＡＣ接地されていても、またはフロートしていてもよい。単なる例として、ＲＦ生成システム１４０は、整合分配ネットワーク１４４によって上側電極１２４またはベースプレート１３０に供給されるＲＦプラズマ電力を生成する、ＲＦ生成器１４２を含み得る。他の例では、プラズマは誘導によってまたは遠隔で生成することができる。
【0064】
ガス給送システム１５０は１つまたは複数のガス源１５２－１、１５２－２、．．．、１５２－Ｎ（まとめてガス源１５２）を含み、ここでＮは０より大きい整数である。ガス源１５２は、バルブ１５４－１、１５４－２、．．．、１５４－Ｎ（まとめてバルブ１５４）、およびＭＦＣ１５６－１、１５６－２、．．．、１５６－Ｎ（まとめてＭＦＣ１５６）によって、マニホールド１６０に接続されている。ＭＦＣ１５６とマニホールド１６０との間に二次バルブを使用してもよい。単一のガス給送システム１５０が示されているが、２つ以上のガス給送システムを使用することができる。
【0065】
加熱プレート１３２に配置された複数の熱制御素子（ＴＣＥ）１６４には、温度コントローラ１６３が接続され得る。温度コントローラ１６３は、基板支持体１２６および基板１２８の温度を制御するべく複数のＴＣＥ１６４を制御するために使用され得る。温度コントローラ１６３は、チャネル１３６を通る冷却剤の流れを制御するために、冷却剤アセンブリ１６６と通信し得る。例えば、冷却剤アセンブリ１６６は、冷却剤ポンプ、リザーバ、および／または１つもしくは複数の温度センサを含み得る。温度コントローラ１６３は、チャネル１３６を通して冷却剤を選択的に流し、基板支持体１２６を冷却するように、冷却剤アセンブリ１６６を操作する。
【0066】
処理チャンバ１２２から反応物質を排出するために、バルブ１７０およびポンプ１７２が使用され得る。システムコントローラ１８０は、基板処理システム１１０の構成要素を制御するために使用される、１つまたは複数のコントローラを含み得る。いくつかの例では、基板１２８の半径方向外側にはプラズマ処理中に可動エッジリング１８２が配置され、これはプラズマに曝露される。他の例では、可動エッジリングは、プラズマに曝露される固定エッジリングの下方に位置付けられる。エッジリング高さ調整システム１８４は、以下で更に説明するように、基板１２８に対する可動エッジリング１８２の頂面の高さを調整するために（または固定エッジリングのＲＦ電圧を変更するために）使用され得る。いくつかの例ではまた、可動エッジリング１８２は、真空を解除することなく、上昇させる、ロボットのエンドエフェクタによって取り外す、および別のエッジリングと交換することができる。
【0067】
特定の実施形態では、システムコントローラ１８０は、以下で更に説明するように、基板および／またはエッジリングを処理チャンバに送達するように、ロボット１９０を制御する。システムコントローラ１８０はまた、以下で更に説明するように、リフトピンを移動させる１つまたは複数のアクチュエータ１９２を、エッジリングの高さまたは傾きを調整するべく制御する。システムコントローラ１８０は、エッジリングの高さを感知するために使用される１つまたは複数のセンサ１９６から出力を受信することもできる。センサの非限定的な例としては、光学センサ、物理センサ、圧電センサ、超音波センサ、等が挙げられる。
【0068】
ここで図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、本開示の特定の実施形態に係るエッジリングシステム２００が、下降位置（図２Ａ）および上昇位置（図２Ｂ）にある可動エッジリングと共に示されている。エッジリングシステム２００は、基板２２２の上側表面に対する頂部可動リング２４０の上側表面の幾何学的高さを調整するように構成される。基板支持体は、円筒体２１２と、円筒体２１２の下部から半径方向外向きに延在する環状突出部分２１４と、を含む、ベースプレート２１０を含む。ベースプレート２１０の環状突出部分２１４は、リフトピン２９２がその中を往復移動できるような、垂直方向に延在する空洞２１５を含む。
【0069】
ベースプレート２１０の上方には加熱層２１６が配置される。加熱層２１６は、円筒体２１８と、円筒体２１８の下部から半径方向外向きに延在する環状突出部分２２０と、を含む。加熱層２１６とベースプレート２１０との間に接合層（図示せず）が配置されてもよい。
【0070】
図２Ａに示すように、エッジリングシステム２００は、固定されたリング２３０、シールドリング２６０、カバーリング２７０、リング２８０、およびリング２９０と、頂部可動リング２４０と、可動支持リング２５０と、を含む。この文脈では、固定という用語は、エッジリングが一般に設置後に真空を解除することなく移動することはないことを意味し、可動という用語は、設置後にリングの位置を、更に後述するアクチュエータによって真空を解除することなく調整可能であることを意味する。
【0071】
リング２３０は、基板２２２の半径方向外縁部の下方、加熱層２１６の環状突出部分２２０の上方で、加熱層２１６と、頂部可動リング２４０および可動支持リング２５０の半径方向内縁部との間に配置される。リング２３０は、特定の実施形態によれば、「Ｌ」形状の断面を有し、環状体２３２と、垂直部分２３４と、水平部分２３６と、を含む。
【0072】
頂部可動リング２４０は、プラズマに直接曝露される上側表面を含む。いくつかの実施形態では、頂部可動リング２４０は、基板２２２から半径方向外方において、部分的に頂部カバーリング２７０の下方で、リング２３０および２６０の上方でこれらと隣り合って、可動支持リング２５０と接触してその直上に、配置される。いくつかの実施形態によれば、頂部可動リング２４０は、概ね矩形の断面を有する環状体２４２と、環状体２４２の半径方向外側の上部に位置付けられた環状凹部２４４と、を含む。
【0073】
可動支持リング２５０は、頂部可動リング２４０の下方で、シールドリング２６０の半径方向内側表面と、ベースプレート２１０の半径方向外側の表面との間に位置付けられた、環状体２５２を含む。いくつかの実施形態では、可動支持リング２５０は「Ｔ」形状の断面を有するが、他の断面が使用されてもよい。可動支持リング２５０の上部は、半径方向内向き突出部分２５４と、半径方向外向き突出部分２５６と、を含む。半径方向内向き突出部分２５４および半径方向外向き突出部分２５６の上側表面は、頂部可動リング２４０の下側表面と直接隣り合いこれと接触して配置される。
【0074】
いくつかの実施形態では、可動支持リング２５０は、ベースプレート２１０との結合を向上させるための、環状体２５２の半径方向内側の下側部分に沿って位置付けられた、突出部分２５８を更に含む。特定の実施形態では、突出部分２５８は、可動支持リング２５０の全ての垂直位置に対して、結合ギャップ内で、可動支持リング２５０のベースプレートの半径方向外側表面に隣り合って延びる場所まで垂直方向に延在して、均一な容量性結合を維持する。
【0075】
プラズマ曝露に起因して、頂部可動リング２４０の上側表面が侵食される場合がある。いくつかの実施形態では、上側表面の侵食を補償するために、頂部可動リング２４０の上側表面が基板２２２に対して実質的に固定された位置を維持するように、頂部可動リング２４０および可動支持リング２５０を上昇させる。
【0076】
シールドリング２６０は、可動支持リング２５０とリング２８０との間、かつベースプレート２１０の環状突出部分２１４の上方に位置付けられる。いくつかの例では、シールドリング２６０は導電性材料で製作され、可動支持リング２５０の半径方向外側に配置される。シールドリング２６０のこの位置付けは、可動支持リング２５０の電圧を制御するのに、および（高電圧の維持を助けるために）リング２９０との結合を阻止するのに役立つ。いくつかの例では、シールドリング２６０は、以下で更に説明するように、ベースプレート２１２と一体化されてもよい。
【0077】
いくつかの実施形態によれば、シールドリング２６０は、逆「Ｔ」形状の断面と、環状体２６２と、半径方向内向き突出部分２６４と、半径方向外向き突出部分２６６と、を有する。半径方向内向き突出部分２６４および半径方向外向き突出部分２６６の下側表面は、ベースプレート２１０の環状突出部分２１４の上部に直接隣り合って配置される。シールドリング２６０は、環状体２６２の上側表面の半径方向外縁部から垂直方向に延在する上向き突出部分２６７を更に含む。空洞２６８は、その中でアクチュエータ１９２がリフトピン２９２を往復移動させることができるように、空洞２１５と位置合わせされる。
【0078】
図２Ａ～図２Ｂに示すように、頂部カバーリング２７０は、頂部可動リング２４０、シールドリング２６０、およびリング２８０の上方に位置付けられ、プラズマに直接曝露される上側表面を有する。いくつかの例では、頂部カバーリング２７０は、環状体２７２と、第１の段差部分２７４と、第２の段差部分２７６と、を含む。第１の段差部分２７４は、シールドリング２６０の上向き突出部分２６７の上方に配置される。第２の段差部分２７６は、頂部可動リング２４０の環状凹部２４４によって受けられる。第２の段差部分２７６は、頂部可動リング２４０および可動支持リング２５０の半径方向外縁部を覆う。他の例では、頂部カバーリング２７０は、追加の段を含んでも、含まれる段がより少なくても、または段を含まなくてもよい。いくつかの例では、頂部カバーリング２７０は矩形の断面を有する。
【0079】
リング２８０は、シールドリング２６０、ベースプレート２１０の環状突出部分２１４、および支持プレート２８５の、半径方向外側に位置付けられる。リング２８０は、環状体２８２と、環状体２８２の半径方向内側表面の一部から半径方向内向きに延在する突出部２８４と、を含む。環状体２８２は、環状体２８２の半径方向内側の上縁部上に配置される環状凹部２８８を含む。環状体２８２は、環状体２８２の上縁部から半径方向外向きに延在する突出部分２８６を含む。リング２９０は、突出部分２８６の下方で、リング２８０の半径方向外側に位置付けられる。いくつかの実施形態では、頂部カバーリング２７０は石英で製作されてもよく、リング２８０は石英またはセラミックで製作されてもよい。
【0080】
図２Ａおよび図２Ｂに見ることのできるように、アクチュエータ１９２がリフトピン２９２を付勢して、リフトピン２９２の高さを調整する。リフトピン２９２は可動支持リング２５０を付勢して、基板２２２の上側表面に対して頂部可動リング２４０を上昇させる。頂部可動リング２４０の幾何学的高さを調整することによって、プラズマへの曝露に起因する損耗が補償される。いくつかの例では、頂部可動リング２４０、可動支持リング２５０、シールドリング２６０、およびリング２９０は、導電性材料で製作される。リング２３０、カバーリング２７０、およびリング２８０は、非導電性材料で製作される。
【0081】
図２Ａおよび図２Ｂに示す配置によって、頂部可動リング２４０および可動支持リング２５０が最低位置から様々な上昇位置まで移動される際に、ベースプレート２１０および／またはエッジリング２６０との比較的均一な容量性結合が維持される。いくつかの例では、可動支持リング２５０の半径方向外側の表面の垂直方向に向けられた側方部分の７０％以上、８０％以上、または９０％以上が、頂部可動リング２４０および可動支持リング２５０の様々な高さ位置において、シールドリング２６０のあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられる。図２Ａおよび図２Ｂの例では、可動支持リング２５０の半径方向外側の表面の垂直方向に向けられた側方部分の１００％が、頂部可動リング２４０および可動支持リング２５０の様々な高さ位置において、シールドリング２６０のあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられる。
【0082】
いくつかの例では、あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく、３０ミル以下、２０ミル以下、または１０ミル以下である。あらかじめ定められた結合ギャップは、プラズマ処理中の加熱に起因するリングおよび／または隣り合う表面の膨張にとって十分な余裕をもった可動リングの相対移動を可能にするのに、十分な大きさである。また、あらかじめ定められた結合ギャップは、頂部エッジリング上の損耗に起因してリングの位置が上昇したときに、頂部エッジリングのＲＦ電圧を維持するのに十分な、隣り合うリングまたはベースプレートとの容量性結合を提供できる程度に、十分に小さくあるべきである。
【0083】
いくつかの例では、可動支持リング２５０の半径方向内側の表面の垂直方向に向けられた部分の５０％以上、６０％以上、または７０％以上が、頂部可動リング２４０および可動支持リング２５０の様々な高さ位置において、ベースプレート２１０のあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられる。いくつかの例では、ベースプレート２１０、可動支持リング２５０、およびシールドリング２６０の垂直側方部分の容量性結合は、可動支持リング２５０の全ての垂直位置に対して一定のままである。
【0084】
ここで図３Ａおよび図３Ｂを参照すると、リング２３０、可動支持リング２５０、およびカバーリング２７０は、他の断面形状を有し得る。図３Ａにおいて、可動支持リング２５０’は環状体２５２を含む。いくつかの例では、可動支持リング２５０’は「Ｌ」形状の断面を有する。リング２３０’の水平部分２３６は、可動支持リング２５０’の半径方向内側表面まで延在する。頂部カバーリング２７０’は、環状体２７２から半径方向内向きに延在し、シールドリング２６０の突出部分２６７および頂部可動リング２４０の半径方向外側表面を受ける環状凹部を画定する、段差部分２７５を含む。図３Ｂにおいて、リフトピン２９２は、可動支持リング２５０を付勢して、頂部可動リング２４０の高さを調整する。
【0085】
ここで図４Ａおよび図４Ｂを参照すると、本開示のいくつかの実施形態に係るエッジリングシステム４００が示されている。プラズマに直接曝露される頂部固定リング４４０のＲＦ電圧は、頂部固定リング４４０の下方に位置付けられた可動リング４５０の高さを調整することによって変化させることができる。
【0086】
図４Ａにおいて、いくつかの実施形態に係るエッジリングシステム４００は、リング４３０と、シールドリング２６０と、カバーリング４７０と、リング２８０と、リング２９０と、を更に含む。リング４３０は環状体を有し、基板２２２の半径方向外縁部の下方において、頂部固定リング４４０の半径方向内縁部の直下、加熱層２１６の環状突出部分２２０の直上で、加熱層２１６と可動リング４５０の半径方向内縁部との間に、配置される。いくつかの例では、リング４３０は矩形の断面を有する。
【0087】
頂部固定リング４４０は、プラズマに直接曝露される上側表面を含む。頂部固定リング４４０は、基板２２２の半径方向外縁部の下方に一部が配置され、基板の半径方向外縁部を越えて半径方向外向きに延在し、基板２２２の上方に立ち上がる。頂部固定リング４４０は部分的に、カバーリング４７０の下方、かつ可動リング４５０およびシールドリング２６０の上方に位置付けられる。頂部固定リング４４０は環状体４４２を含み、これは、半径方向内側部分４４４と、上向き傾斜部分４４５と、平面部分４４７と、その半径方向外側の上側表面に位置付けられた環状凹部４４８と、を有する。頂部固定リング４４０の上側表面はプラズマに直接曝露される。傾斜部分４４５の傾斜により、表面にわたって侵食を均等／均一にすることが可能となり、（直角の設計と比較して）リング全体の厚みを一定に維持するのに役立つ。
【0088】
可動リング４５０は、頂部固定リング４４０の下方で、シールドリング２６０の半径方向内側表面と、ベースプレート２１０の半径方向外側の表面との間に位置付けられる。可動リング４５０は環状体４５２を有する。いくつかの例では、可動リング４５０は、「Ｔ」形状の断面と、半径方向内向き突出部分４５４と、半径方向外向き突出部分４５６と、を有する。いくつかの例では、半径方向内向き突出部分４５４の半径方向内側の上側表面４５５を、頂部固定リング４４０の傾斜部分４４５と概ね平行な様式で傾斜させてもよい。
【0089】
カバーリング４７０は、頂部固定リング４４０、シールドリング２６０、およびリング２８０の上方に位置付けられ、プラズマに直接曝露される上側表面を有する。カバーリング４７０は、環状体４７２と、第１の段差部分４７４と、第２の段差部分４７６と、を含む。第１の段差部分４７４は、シールドリング２６０の上向き突出部分４６７の上方に配置される。第２の段差部分４７６は、頂部固定リング４４０の環状陥入部分４４８によって受けられる。
【0090】
図４Ａおよび図４Ｂに見ることができるように、アクチュエータ１９２はリフトピン２９２を付勢してリフトピン２９２および可動リング４５０の高さを調整し、この結果、頂部固定リング４４０のＲＦ電圧を変化させる容量性結合を変化させる。ＲＦ電圧を変化させることによって、頂部固定リング４４０の幾何学的高さを変化させることなくプラズマ曝露に起因する頂部固定リング４４０の損耗が補償され、このことによりばらつきが低減される。いくつかの例では、頂部固定リング４４０、シールドリング２６０、リング２９０、および可動リング４５０は、導電性材料で製作される。リング４３０、カバーリング４７０、およびリング２８０は、非導電性材料で製作される。
【0091】
ここで図５Ａおよび図５Ｂを参照すると、エッジリングシステム５００の別の例が、頂部可動リング５４０と、可動支持リング５５０と、シールドリング５６０とを含んで示されている。頂部可動リング５４０は処理中にプラズマに直接曝露される。頂部可動リング５４０は可動支持リング５５０上に載置される。アクチュエータ１９２は、リフトピン２９２を可動支持リング５５０の下側表面を押すように付勢して、基板４２２に対する頂部可動リング５４０の位置を調整する。
【0092】
頂部可動リング５４０は環状体５４１を含む。いくつかの例では、頂部可動リング５４０は、頂部可動リング５４０を可動支持リング５５０上でセンタリングするためのリングセンタリング部５４２を含む。いくつかの例では、リングセンタリング部５４２は、その下側表面上に形成された空洞を含み得る。いくつかの例では、空洞は、可動支持リング２５０の上部を受けるのに十分な幅を有する。諒解できるであろうが、本明細書に記載するエッジリングシステムは、リングセンタリング部５４２を含み得る。空洞の両側の環状体５４１の半径方向内側および外側の場所に、頂部可動リング５４０の、下に向けられた突出部５４４、５４６が配置される。環状凹部５４８は環状体５４１の半径方向外側の上部に配置されてもよい。
【0093】
いくつかの例では、頂部可動リング５４０の下部は、ベースプレート２１０に対して可動支持リング５５０をセンタリングするための、リングセンタリング部５５１を含む。諒解できるであろうが、本明細書に記載するエッジリングシステムは全て、リングセンタリング部５５１を含み得る。いくつかの例では、リングセンタリング部５５１は、リフトピン２９２上に可動支持リング５５０が据えられるときにこれを付勢するための、直線的に傾斜した、または非直線的に傾斜した（例えば湾曲した）部分を含む内側表面を有する、空洞５５３を含む。いくつかの例では、空洞の表面は、センタリング効果をもたらす対向する表面を含む。いくつかの例では、空洞の表面は、「Ｖ」形状、円錐形状、直線形状と湾曲形状の組合せ、またはセンタリング効果をもたらす他のタイプの表面を有する。
【0094】
シールドリング５６０は、可動支持リング５５０を部分的に取り囲む環状体５６２を含む。環状体５６２の下部は、半径方向外向きに突出する脚部５６４と、半径方向内向きに突出する脚部５６６と、を含む。
【0095】
頂部可動リング５４０、可動支持リング５５０、およびシールドリング５６０の半径方向外側には、リング５８０が配置される。リング５８０は、環状体５８２と、リング５８０の半径方向内側表面の中央部分から半径方向内向きに延在する第１の突出部５８４と、を含む。突出部５８５は、リング５８０の半径方向内側表面の上部から半径方向内向きに延在する。突出部５８５は、下向きに突出した脚部５４６の下方に位置付けられる。突出部５８５の上方の半径方向内側表面上には、環状凹部５８７が配置される。突出部５８６はリングの上側表面から半径方向外向きに突出している。リング５８０の上側表面上には環状凹部５８８が配置される。いくつかの例では、カバーリング４７０は環状凹部５８８上に載置される。リング５８０の半径方向外側にリング５９０が配置され、これは導電性材料で製作され得る。
【0096】
図５Ｂでは、頂部可動リング５４０と可動支持リング５５０は上昇位置で示されている。アクチュエータ１９２は、リフトピン２９２を可動支持リング５５０の下側表面上のリングセンタリング部５５１を押すように付勢して可動支持リング５５０を持ち上げてセンタリングし、可動支持リング５５０は頂部可動リング５４０を持ち上げる。
【0097】
ここで図６Ａおよび図６Ｂを参照すると、エッジリングシステム６００の別の例が示されており、これはベースプレート２１０と一体化されたシールドリングを含む。頂部可動リング６４０はプラズマに直接曝露される上側表面を含む。頂部可動リング６４０は環状体６４２を含む。頂部可動リング６４０の半径方向外側の上側表面は、環状凹部６４４を含む。いくつかの例では、環状体６４２は矩形の断面を有する。
【0098】
頂部可動リング６４０の下方には可動支持リング６５０が配置される。可動支持リング６５０は、環状体６５２と、半径方向外側表面６５４と、半径方向内側表面６５６と、を含む。いくつかの例では、可動支持リング６５０は「Ｌ」形状の断面を有し、半径方向内側表面６５６の上部から半径方向内向きに延在する突出部分６５５を含む。
【0099】
カバーリング６７０は固定されており、環状体６７２と、環状体６７２の上側表面から半径方向内向きに延在する突出部６７６と、を含む。頂部可動リング６４０が上昇すると（図６Ｂに示す）、カバーリング６７０の突出部６７６が環状凹部６４４の中へと延びる。いくつかの実施形態によれば、ベースプレート２１０、頂部可動リング６４０、可動支持リング６５０、およびリング６９０は導電性であり、カバーリング６７０およびリング６８０は非導電性である。
【0100】
先の実施形態では、エッジリングのうちのいくつかは、導電性材料、または導電性コーティングを有する導電性もしくは非導電性材料で製作される。本明細書で使用する場合、導電性であるとは、１０4Ωｃｍ以下の抵抗率を持つ材料またはコーティングを指す。例えば、ドープシリコンは０．０５Ωｃｍの抵抗率を有し、炭化シリコンは１～３００Ωｃｍの抵抗率を有し、アルミニウムおよび銅などの金属は約１０-7Ωｃｍの抵抗率を有する。いくつかの例では、本開示のエッジリングは、非導電性材料、または非導電性コーティングを有する導電性もしくは非導電性材料で製作される。本明細書で使用する場合、非導電性であるとは、１０4Ωｃｍよりも大きい抵抗率を持つ材料／コーティングを指す。
【0101】
導電性リングは、１つもしくは複数の基材、１つもしくは複数のめっき層、および／または１つもしくは複数のコーティングから製作され得る。基材の非限定的な例としては、シリコン、炭化シリコン、チタン、グラファイト、石英、および／またはセラミックが挙げられる。めっき層の非限定的な例としては、アルミニウムめっきが挙げられる。コーティングの非限定的な例としては、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、原子層成長法（ＡＬＤ）酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、ＡＬＤ酸化イットリウムまたはイットリア（Ｙ2Ｏ3）、および／または陽極酸化コーティングが挙げられる。例えば、導電性材料としては、陽極酸化チタン、ＰＦＡコーティングを有するシリコン、ドープシリコン、アルミニウムめっきおよび陽極酸化コーティングを有するシリコン、ＡＬＤ酸化アルミニウムを有するシリコン、ＡＬＤイットリアコーティングを有するシリコン、炭化シリコン、ＰＦＡコーティングを有するグラファイト、アルミニウムめっきおよび陽極酸化コーティングを有するグラファイト、ＡＬＤ酸化アルミニウムコーティングを有するグラファイト、ＡＬＤイットリアコーティングを有するグラファイト、または他の好適な材料を挙げることができる。非導電性材料の非限定的な例としては、石英およびセラミックが挙げられる。先の実施形態において、リングのうちの１つまたは複数は、半径方向、軸方向、またはその他の方向に沿った１つまたは複数の構造によって形成され得る。
【0102】
ここで図７～図９Ｂを参照すると、あるリングを、本明細書に記載するエッジリングシステムのリングまたはベースプレートなどの他の構造体に対して、移動を制限する、間隔を制御する、および／または水平方向にセンタリングする、様々な方法が示されている。図７では、処理チャンバ内のリング、ベースプレート、または他の構造体などの構造体７１０が、リング７２０の表面に隣り合って位置付けられている。図７～図９Ｂには、リング７２０に対する構造体７１０の移動を制限するための様々な方法が示されている。
【0103】
図７において、リング７２０は、その半径方向外側表面に位置付けられたスロット７３８を含む。スロット７３８は、リング７２０の半径方向外側表面内へと半径方向内向きに延在する。スロット７３８内にはシム７３４が配置される。いくつかの例では、シム７３４をスロット７３８内に保持するために、接着剤７３０が使用される。いくつかの例では、シム７３４の平面視した、半径方向の、および側面視した断面は矩形であるが、他の形状を使用することができる。いくつかの例では、シム７３４は半径方向において、スロット７３８の深さ以上の厚さを有する。いくつかの例では、シム７３４は、リング７２０から半径方向外向きに、（使用されるシムの数を考慮した）移動を制限するのに十分な距離まで延在する。
【0104】
図８において、リング７２０は、その半径方向外側表面に位置付けられたスロット７４８を含む。スロット７４８は半径方向内向きに延在する。スロット７４８内にはピン７５０が配置される。いくつかの例では、ピン７５０をスロット７４８内に保持するために、接着剤７３０が使用される。いくつかの例では、ピン７５０は円筒形状を有するが、他の形状を使用することができる。いくつかの例では、ピン７５０は半径方向において、スロット７４８の深さ以上の高さを有する。いくつかの例では、ピン７５０は、リング７２０から半径方向に、（使用されるピンの数を考慮した）移動を制限するのに十分な距離まで延在する。いくつかの例では、ピン７５０は、リング７２０から半径方向外向きに、（使用されるシムの数を考慮した）移動を制限するのに十分な距離まで延在する。
【0105】
図９Ａおよび図９Ｂにおいて、リング７２０は、その半径方向外側表面上に形成された突出部７６０を含む。いくつかの例では、突出部７６０の一部または全部が、半径方向外側表面の垂直方向厚さに沿って垂直方向に延在する。図９Ｂにおいて、突出部７６０はリング７２０の半径方向外側表面７６２から延在する平坦な表面７６６を含むが、これは円弧状のプロファイルと比較して、機械加工および寸法検査が容易である。いくつかの例では、エッジリングは最初に突出部７６０なしでわずかに広く形成され、その後、半径方向外側表面を隣り合う突出部の間の領域において機械加工または除去して、突出部７６０が形成される。他の例では、突出部７６０は平面視して円弧状または凸状のプロファイルを含み、これにより頂部エッジリングの半径方向内側の対向表面と接触する表面積を小さくし、真空を解除することなく高さ調整または頂部エッジリングの交換を行う際の摩擦を低減する。
【0106】
いくつかの例では、突出部７６０はコーティング材７６４でコーティングされる。いくつかの例では、コーティング材７６４は相対的にコンフォーマルであり、絶縁材料で製作される。いくつかの例では、コーティングは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシポリマー（ＰＦＡ）、または原子層成長法を用いて堆積させた酸化アルミニウム、酸化イットリウム、もしくはフッ化イットリウムから成る群から選択される。コーティング材７６４は、短絡を防止する絶縁機能を有し、侵食を低減する。またコーティング材７６４は、リング７２０と構造体７１０との間に最小限の隙間を確保して、短絡を防止する。いくつかの例では、突出部７６０は、リング７２０の半径方向外側表面から半径方向外向きに、（使用される突出部の数を考慮した）移動を制限するのに十分な距離まで延在する。
【0107】
いくつかの例では、リング７２０は、リング７２０の外周の周囲に均一な間隔（例えば、３個の場合は１２０°間隔、５個の場合は７２°間隔、８個の場合４５°間隔（すなわち３６０°／Ｎ））で配置された、３～８個のスペーサ（シムまたは突出部）を含む。諒解できるであろうが、スペーサは一般に、上側リングと下側リングの相対移動を完全に制限するようには構成されていない。この隙間は、高さ調整および／または交換中の、結着の軽減に役立つ。したがって、ある程度の相対移動が依然として望ましく、３枚のシムの場合は望ましくない移動（これにより有効結合キャパシタンスが変化する可能性がある）が発生する可能性がある。いくつかの例では、リング７２０は、移動を更に制限するための、リング７２０の外周の周囲に配置された５個のスペーサを含む。この特定の構成によれば、６個、７個、８個など、スペーサを追加すると、有効キャパシタンスの制御面での利益が低減し、コストが増加する。
【0108】
スペーサ（例えば、シム、突出部、または突出部）はリング７２０の外側表面上に配置されて示されているが、スペーサは、リング７２０の内側表面、および／または構造体７１０の内側表面の一方もしくは両方上に配置されてもよい。更に、スペーサおよび／または絶縁コーティングは、（例えば図１～図６Ｂの）既出の例のうちのいずれかにおいて、エッジリングおよび隣り合う構造体の半径方向に面した表面の、一方または両方上に配置され得る。
【0109】
いくつかの例では、スペーサは、エッジリングの半径方向外側表面から５０μｍから２５０μｍまでの範囲内で、半径方向外向き方向に延在する。いくつかの例では、スペーサは、エッジリングの半径方向外側表面から５０μｍから２５０μｍまでの範囲内で、半径方向外向き方向に延在する。
【0110】
ここで図１０Ａおよび図１０Ｂを参照すると、水平リングの離間フィーチャの追加的な例が示されている。図１０Ａにおいて、リング部分１１１０は、その下側表面上に位置付けられたリング離間フィーチャ１１１２を含む。リング離間フィーチャ１１１２は、中心線に関して鏡像となっている、対向する側壁を含む。側壁の一部は、対向する方向から内向きに、リフトピン１１１６が往復移動する方向を横切る平面に対して内側に鋭角を成して傾斜している。いくつかの例では、リング離間フィーチャ１１１２は、図示されているような１つの平面、２つの直交する平面、または中央の点線を中心に回転させた複数の平面において、「Ｖ」形状を有する部分を含む。他の例では、リング離間フィーチャ１１１２は円錐形状を有する部分を含む。
【0111】
平面状の側壁が示されているが、側壁は、平面状であっても、一部が平面状で一部が湾曲していても、および／または、様々なプロファイルを有して全体が湾曲していてもよい。図１１Ｂに示すように、リング部分１１１０は、その下側表面上に位置付けられたリング離間フィーチャ１１２０を含む。リング離間フィーチャ１１２０は、湾曲しており中心線に関して鏡像となっている、対向する側壁を含む。
【0112】
ここで図１１を参照すると、頂部可動リングの高さを調整するための方法１１００が示されている。いくつかの実施形態では、頂部可動リングを、真空を解除することなく、処理チャンバにあるポートを介して、処理チャンバに送達することおよびそこから取り出すことができる。言い換えれば、頂部可動エッジリングはポートの幅よりも小さい直径を有する。送達後は、プラズマへの曝露によって生じる損耗を、真空を解除することなく補償するために、頂部可動エッジリングの高さを時間の経過に伴って高くすることができる。その結果処理チャンバを、処理チャンバを開くことなくより長い期間運転することが可能となり、このことによりスループットが向上し、コストが削減される。
【0113】
方法１１００は、１１０２において、頂部可動エッジリングが処理チャンバ内にあるかどうかを判定することを含む。１１０２が偽の場合、方法は、１１０４において、頂部可動リングを処理チャンバに送達する。例えば、システムコントローラ１８０は、ロボット１９０に、頂部可動リングを処理チャンバに送達させる。１１０２が真の場合、方法は、頂部可動リングの位置を調整する必要があるかどうかを判定する。例えば、１つまたは複数のセンサを使用して、頂部可動リングの位置、高さ、または傾きを検出することができる。アクチュエータ１９２のうちの１つまたは複数は、基板の上側表面に対する頂部可動リングの位置、高さ、または傾きを調整するために使用され得る。１１０６が真の場合、１１０８において頂部可動リングの位置が調整される。
【0114】
１１１０において、処理チャンバは１つまたは複数の基板を処理する。１１１２において、方法は、頂部可動リングが損耗しているかどうかを判定する。１１１２が偽の場合、方法は１１１０に戻る。１１１２が真であり頂部可動リングが損耗している場合、方法は、１１２０において、頂部可動リングがあらかじめ定められた位置、例えば基板のプラズマ処理に適した最高位置にあるかどうかを判定する。１１２０が偽の場合、１１２４において頂部可動リングを上昇させ、方法は１１１０で継続される。１１２０が偽の場合、システムコントローラは、ロボットに頂部可動リングを交換させる。いくつかの例では、ステップ１１０６および１１０８は省略される。
【0115】
頂部可動エッジリングが損耗しているかどうかの判定は、１つまたは複数の方法を用いて行うことができる。特定の実施形態では、あらかじめ定められたプラズマへの曝露期間後に、あらかじめ定められた数の基板が処理された後で、および／またはその他の基準で、頂部可動エッジリングを上昇させる。他の例では、センサ１９６は、頂部可動リングの上側表面の高さを感知するために使用される。
【0116】
ここで図１２を参照すると、１つまたは複数のエッジリングを加熱してそのエッジリングを位置直しまたはセンタリングするための方法１２００を使用できる。リング、ベースプレート、または他の構成要素が周期的に、ある事象ごとに、または他の基準を用いて加熱されると、リング、ベースプレート、または他の構成要素は、半径方向外向きに膨張する。半径方向外向きの移動を用いて、直接的または間接的に、頂部可動リングまたは他のリングのセンタリングまたはその他の水平方向の位置決めを行うことができる。
【0117】
１２１０において、処理チャンバ内で基板が処理される。１２１２において、方法は、リングまたは他の構成要素の位置を調整する時期であるかどうかを決定する。１２１２が真である場合、方法は１２１４において任意選択的に、基板が処理チャンバ内にあるかどうかを決定し得る。１２１４が真である場合、方法は基板を任意選択的に取り出すことができる。例えば、所望の加熱温度が基板のサーマルバジェットを上回る場合に、基板を取り出してもよい。
【0118】
１２１８において、加熱層（または基板支持体もしくは他の構成要素の他の加熱器）はあらかじめ定められた温度まで加熱されて、リング、ベースプレート、または他の構成要素を膨張させ、１つまたは複数のリングをセンタリングする。リング、ベースプレート、または他の構成要素は、半径方向外向きに膨張する。半径方向外向きの移動を用いて、頂部可動リングまたはエッジリングシステム中の他のリングのセンタリング、またはその他の位置決めを行うことができる。あらかじめ定められた期間の後で、１２２２において加熱器がオフにされ、１２２６において基板の処理を再開することができる。
【0119】
前述の説明は本質的に単なる例示であり、いかなる点でも本開示、その適用、または使用を限定することは意図していない。本開示の広範な教示は様々な形態で実施され得る。したがって、本開示は具体的な例を含むが、図面、明細書、および以下の特許請求の範囲を検討すれば他の変更形態が明らかであるため、本開示の真の範囲はそのように限定されるものではない。本開示の原理を変更することなく、方法における１つまたは複数のステップを異なる順序で（または同時に）実行できることを理解されたい。更に、これらの実施形態の各々は特定の特徴を有するものとして上記されているが、本開示の任意の実施形態に関して記載されたそれらの特徴のうちの任意の１つまたは複数を、それ以外の任意の実施形態において実施することおよび／またはその特徴と組み合わせることができ、このことは、その組合せが明示的に記載されていない場合にも該当する。言い換えれば、記載されている実施形態は相互に排他的ではなく、１つまたは複数の実施形態の互いの様々な組合せは、依然として本開示の範囲内にある。
【0120】
要素間（例えば、モジュール間、回路素子間、半導体層間、等）の空間的および機能的関係は、「接続」、「係合」、「結合」、「隣り合った」、「～の隣の」、「～の上の」、「～の上方」「～の下方」、および「配設」を含む、様々な用語を用いて記述される。「直接」であると明示的に記載されていない限りは、上記の開示において第１の要素と第２の要素との間の関係が記載される場合、その関係は、第１の要素と第２の要素との間に他の介在要素が存在しない直接的な関係であり得るが、また、第１の要素と第２の要素との間に（空間的または機能的に）１つまたは複数の介在要素が存在する、間接的な関係でもあり得る。本明細書で使用する場合、Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つという句は、非排他的論理ＯＲを用いた論理（Ａ ＯＲ Ｂ ＯＲ Ｃ）を意味するものと解釈すべきであり、「Ａのうちの少なくとも１つ、Ｂのうちの少なくとも１つ、およびＣのうちの少なくとも１つ」を意味するものと解釈してはならない。本明細書で使用する場合、用語「約」は、所与の値の±１０％、および／または、所与のパーセンテージの±５％を意味する。
【0121】
いくつかの実装形態では、コントローラは、上記した例の一部であり得るシステムの一部である。このようなシステムは、１つもしくは複数の処理ツール、１つもしくは複数のチャンバ、１つもしくは複数の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理構成要素（ウエハペデスタル、ガスフローシステム、等）を含む、半導体処理装置を備え得る。これらのシステムは、その半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後の動作を制御するための電子機器と統合されている場合がある。電子機器は「コントローラ」と呼ばれる場合があり、１つまたは複数のシステムの様々な構成要素または下位部分を制御することができる。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、本明細書に開示する処理のうちのいずれかを制御するようにプログラムすることができ、それらの処理には、処理ガスの給送、温度設定（例えば加熱ならびに／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、無線周波（ＲＦ）生成器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体給送設定、位置ならびに動作設定、あるツールに対する、ならびに特定のシステムに接続または連結（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）された他の搬送ツールおよび／またはロードロックに対する、ウエハの搬入ならびに搬出が含まれる。
【0122】
大まかに言えば、コントローラは、命令を受ける、命令を発する、動作を制御する、洗浄動作を実行させる、エンドポイント測定を実行させる、などを行う様々な集積回路、論理回路、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義することができる。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えばソフトウェア）を実行する１つもしくは複数のマイクロプロセッサもしくはマイクロコントローラを含み得る。プログラム命令は、半導体ウエハに対してもしくは半導体ウエハのために特定の処理を実行するための、またはシステムに対する、動作パラメータを定義する、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態の、コントローラに伝達される命令であり得る。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、ウエハの１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／またはダイの製作中に、１つまたは複数の処理ステップを実現するための、プロセスエンジニアが定義するレシピの一部であり得る。
【0123】
コントローラは、いくつかの実装形態では、システムと統合された、システムに結合された、それ以外でシステムにネットワーク接続された、またはこれらの組合せであるコンピュータの一部であり得るか、またはそのようなコンピュータに結合され得る。例えばコントローラは、「クラウド」中に存在しても、ファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよく、このことによりウエハ処理のリモートアクセスを実現することができる。コンピュータは、製作工程の現在の進捗を監視する、過去の製作工程の履歴を調査する、複数の製作工程から傾向もしくは処理能力指標を調査するための、現在の処理のパラメータを変更するための、現在の処理に続く処理ステップを設定するための、または新しい処理を開始するための、システムへのリモートアクセスを可能にし得る。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えばサーバ）は、ローカルネットワークまたはインターネットを含み得るネットワークを介して、システムにプロセスレシピを提供することができる。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含むことができ、これらのパラメータおよび／または設定はその後、リモートコンピュータからシステムに伝達される。いくつかの例では、コントローラは、１つまたは複数の動作中に実行される処理ステップの各々のパラメータを指定する、データの形態の命令を受信する。パラメータは、実行される処理のタイプ、および、その連結（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）または制御を行うようにコントローラが構成されているツールのタイプに、固有のものであり得ることを理解されたい。したがって上記したように、例えば１つにネットワーク接続され本明細書に記載する処理および制御といった共通の目的に向かって動作する、１つまたは複数の離散的なコントローラから構成することによって、コントローラを分散させることができる。このような目的の分散型コントローラの例としては、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路と、これと通信するリモートに位置する（例えばプラットフォームレベルにあるまたはリモートコンピュータの一部としての）１つまたは複数の集積回路とを組み合わせて、チャンバ上の処理を制御するようにしたものが考えられる。
【0124】
限定するものではないが、例示的なシステムとしては、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、クリーンチャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相成長（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学気相成長（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層成長（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体ウエハの製作および／または製造に関連し得るかまたはそこで使用され得る、任意の他の半導体処理システムを挙げることができる。
【0125】
上で指摘したように、ツールによって実行される１つまたは複数の工程ステップに応じて、コントローラは、他のツール回路もしくはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣り合うツール、近隣のツール、工場の全体に置かれたツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または、半導体製造工場内のツール所在地および／もしくは積載ポートに対するウエハの容器の搬入および搬出を行う、材料輸送に使用されるツールのうちの、１つまたは複数と通信し得る。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
基板処理システム用の可動エッジリングシステムであって、
基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
前記頂部可動リングの下方で前記基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動支持リングと、
前記可動支持リングの半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記頂部可動リングの半径方向外縁部の上方に配置されている第４の環状体を含むカバーリングと、
前記シールドリングおよび前記カバーリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を備える、可動エッジリングシステム。
適用例２：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングは前記第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に第１の環状凹部を含む、可動エッジリングシステム。
適用例３：
適用例２の可動エッジリングシステムであって、
前記シールドリングは、前記第３の環状体の半径方向外側の上側表面から上向きに延在する突出部を含み、
前記カバーリングは、
前記突出部を受けるように構成されている第２の環状凹部と、
前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングを上昇させたときに、前記頂部可動リングの前記第１の環状凹部と位置合わせされるように構成されている第３の環状凹部と、を含む、可動エッジリングシステム。
適用例４：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
適用例５：
適用例４の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の５０％以上は、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられ、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
適用例６：
適用例４の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の９０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の６０％以上は、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられ、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
適用例７：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、「Ｌ」形状の断面を有する第５の環状体を含むエッジリングを更に備え、前記基板支持体はベースプレート上に配置された加熱層を含み、前記エッジリングは、前記基板支持体の前記加熱層と、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの半径方向内側の面と、の間に配置されている、可動エッジリングシステム。
適用例８：
適用例７の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングおよび前記エッジリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
適用例９：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、第５の環状体を含みかつ前記シールドリングおよび前記カバーリングの半径方向外側に配置されているエッジリングを更に含み、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングおよび前記エッジリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
適用例１０：
適用例９の可動エッジリングシステムであって、前記エッジリングはその半径方向内側の上側表面上に前記カバーリングを受けるための環状凹部を含む、可動エッジリングシステム。
適用例１１：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記可動支持リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記リフトピンが前記リングセンタリング部を付勢すると前記可動支持リングがセンタリングされる、可動エッジリングシステム。
適用例１２：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記可動支持リングが前記頂部可動リングの前記リング
センタリング部を付勢すると前記頂部可動リングがセンタリングされる、可動エッジリングシステム。
適用例１３：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングのうちの少なくとも１つは水平リングスペーサを含む、可動エッジリングシステム。
適用例１４：
適用例１３の可動エッジリングシステムであって、前記水平リングスペーサはシム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む、可動エッジリングシステム。
適用例１５：
システムであって、
適用例１の可動エッジリングシステムと、
基板を支持するように構成されている前記基板支持体と、
前記基板支持体に対する前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの高さを調整するべく前記リフトピンを移動させるよう、前記アクチュエータを制御するように構成されている、コントローラと、
を備える、システム。
適用例１６：
適用例１５のシステムであって、前記コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの前記高さを調整するように構成されている、システム。
適用例１７：
基板処理システム用のエッジリングシステムであって、
基板処理中にプラズマに直接曝露される第１の環状体を含む、頂部固定リングと、
前記頂部固定リングの下方で基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動リングと、
前記可動リングの下方で半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記頂部固定リングおよび前記シールドリングに対する前記可動リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を備える、エッジリングシステム。
適用例１８：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リングの半径方向外縁部の上方に配置されている非導電性のカバーリングを更に備える、エッジリングシステム。
適用例１９：
適用例１８のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リングは前記第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に第１の環状凹部を含む、エッジリングシステム。
適用例２０：
適用例１９のエッジリングシステムであって、
前記シールドリングは、前記第３の環状体の半径方向外側の上側表面から上向きに延在する突出部を含み、
前記カバーリングは、
前記突出部を受けるように構成されている第２の環状凹部と、
前記頂部固定リングの前記第１の環状凹部と噛み合うように構成されている第３の環状凹部と、を含む、エッジリングシステム。
適用例２１：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リング、前記可動リング、および前記シールドリングは導電性材料で製作されている、エッジリングシステム。
適用例２２：
適用例２１のエッジリングシステムであって、前記可動リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動リングは、
前記可動リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に、および
前記可動リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の５０％以上を、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは３０ミル以下である、エッジリングシステム。
適用例２３：
適用例２１のエッジリングシステムであって、前記可動リングは「Ｔ」形状の断面を有し、前記シールドリングは逆「Ｔ」形状の断面を有する、エッジリングシステム。
適用例２４：
適用例１７のエッジリングシステムであって、第４の環状体を含むカバーリングを更に備え、基板支持体はベースプレート上に配置されている加熱層を含み、前記カバーリングは、前記頂部固定リングが下降位置にあるとき、前記基板支持体の前記加熱層と前記頂部固定リングの半径方向内側表面との間に配置される、エッジリングシステム。
適用例２５：
適用例２４のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リング、前記可動リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングは非導電性である、エッジリングシステム。
適用例２６：
適用例２０のエッジリングシステムであって、環状体を含みかつ前記シールドリングの半径方向外側に配置されている、エッジリングを更に備える、エッジリングシステム。
適用例２７：
適用例２６のエッジリングシステムであって、前記エッジリングはその半径方向内側の上側表面上に前記カバーリングを受け入れるための環状凹部を含み、前記頂部固定リング、前記可動リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングおよび前記エッジリングは非導電性である、エッジリングシステム。
適用例２８：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リングは、半径方向内側部分と、前記半径方向内側部分から延在する上向き傾斜部分と、前記上向き傾斜部分から延在する平面部分と、を含む、エッジリングシステム。
適用例２９：
適用例２８のエッジリングシステムであって、前記可動リングは半径方向内向き突出部分と半径方向外向き突出部分とを含み、前記半径方向内向き突出部分の半径方向内側の上側表面は傾斜部分を含む、エッジリングシステム。
適用例３０：
適用例２９のエッジリングシステムであって、前記傾斜部分の上側表面は前記上向き傾斜部分の下側表面と平行に延在する、エッジリングシステム。
適用例３１：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記可動リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記リフトピンが前記可動リングの前記リングセンタリング部を付勢すると前記可動リングがセンタリングされる、エッジリングシステム。
適用例３２：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リング、前記可動リング、および前記シールドリングのうちの少なくとも１つは水平リングスペーサを含む、エッジリングシステム。
適用例３３：
適用例３２のエッジリングシステムであって、前記水平リングスペーサはシム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む、エッジリングシステム。
適用例３４：
システムであって、
適用例１７のエッジリングシステムと、
基板を支持するように構成されている前記基板支持体と、
前記頂部固定リングに対する前記可動リングの高さを調整するべく前記リフトピンが移動されるよう、前記アクチュエータの高さを調整するように構成されている、コントローラと、
を備える、システム。
適用例３５：
適用例３４のシステムであって、前記コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、前記可動リングの前記高さを調整するように構成されている、システム。
適用例３６：
基板処理システムであって、
円筒体と、前記円筒体の下部から延在する環状突出部分と、前記環状突出部分の半径方向外縁部から上向きに延在するシールド部と、を含む基板支持体であって、前記円筒体と前記シールド部との間には空洞が画定されている、基板支持体と、
基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
第２の環状体を含む可動支持リングであって、前記頂部可動リングの下方で前記シールド部と前記円筒体との間の前記空洞内に配置されている、可動支持リングと、
を備える、基板処理システム。
適用例３７：
適用例３６の基板処理システムであって、
前記頂部可動リングの半径方向外縁部の上方に配置されているカバーリングと、
前記シールド部および前記カバーリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を更に備える、基板処理システム。
適用例３８：
適用例３７の基板処理システムであって、前記頂部可動リングは前記第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に第１の環状凹部を含む、基板処理システム。
適用例３９：
適用例３７の基板処理システムであって、前記頂部可動リング、前記円筒体、前記可動支持リング、および前記シールド部は導電性であり、前記カバーリングは非導電性である、基板処理システム。
適用例４０：
適用例３９の基板処理システムであって、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記円筒体のあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の５０％以上は、前記シールド部のあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられ、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、基板処理システム。
適用例４１：
適用例３７の基板処理システムであって、前記可動支持リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記リフトピンが前記可動支持リングの前記リングセンタリング部を付勢すると前記円筒体に対して前記可動支持リングがセンタリングされる、基板処理システム。
適用例４２：
適用例３６の基板処理システムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングのうちの少なくとも１つは水平リングスペーサを含む、基板処理システム。
適用例４３：
適用例４２の基板処理システムであって、前記水平リングスペーサはシム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む、基板処理システム。
適用例４４：
適用例４２の基板処理システムであって、
アクチュエータと、
リフトピンと、
前記アクチュエータに、前記リフトピンを移動させて前記基板支持体に対する前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの高さを調整させるように構成されている、コントローラと、を更に備える、基板処理システム。
適用例４５：
適用例４４の基板処理システムであって、前記コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの前記高さを調整するように構成されている、基板処理システム。
適用例４６：
基板処理システム用の可動エッジリングシステムであって、
基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、その上側表面は基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
前記頂部可動リングの下方で前記基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動支持リングと、
前記可動支持リングの下方で半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記シールドリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、を備え、
前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性材料で製作されており、
前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に、および
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の５０％以上を、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、
可動エッジリングシステム。
適用例４７：
適用例４６の可動エッジリングシステムであって、前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく１０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
基板処理システム用の可動エッジリングシステムであって、
基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
前記頂部可動リングの下方で前記基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動支持リングと、
前記可動支持リングの半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記頂部可動リングの半径方向外縁部の上方に配置されている第４の環状体を含むカバーリングと、
前記シールドリングおよび前記カバーリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を備える、可動エッジリングシステム。
適用例２：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングは前記第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に第１の環状凹部を含む、可動エッジリングシステム。
適用例３：
適用例２の可動エッジリングシステムであって、
前記シールドリングは、前記第３の環状体の半径方向外側の上側表面から上向きに延在する突出部を含み、
前記カバーリングは、
前記突出部を受けるように構成されている第２の環状凹部と、
前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングを上昇させたときに、前記頂部可動リングの前記第１の環状凹部と位置合わせされるように構成されている第３の環状凹部と、を含む、可動エッジリングシステム。
適用例４：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
適用例５：
適用例４の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の５０％以上は、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられ、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
適用例６：
適用例４の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の９０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の６０％以上は、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられ、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
適用例７：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、「Ｌ」形状の断面を有する第５の環状体を含むエッジリングを更に備え、前記基板支持体はベースプレート上に配置された加熱層を含み、前記エッジリングは、前記基板支持体の前記加熱層と、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの半径方向内側の面と、の間に配置されている、可動エッジリングシステム。
適用例８：
適用例７の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングおよび前記エッジリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
適用例９：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、第５の環状体を含みかつ前記シールドリングおよび前記カバーリングの半径方向外側に配置されているエッジリングを更に含み、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングおよび前記エッジリングは非導電性である、可動エッジリングシステム。
適用例１０：
適用例９の可動エッジリングシステムであって、前記エッジリングはその半径方向内側の上側表面上に前記カバーリングを受けるための環状凹部を含む、可動エッジリングシステム。
適用例１１：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記可動支持リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記リフトピンが前記リングセンタリング部を付勢すると前記可動支持リングがセンタリングされる、可動エッジリングシステム。
適用例１２：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記可動支持リングが前記頂部可動リングの前記リング
センタリング部を付勢すると前記頂部可動リングがセンタリングされる、可動エッジリングシステム。
適用例１３：
適用例１の可動エッジリングシステムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングのうちの少なくとも１つは水平リングスペーサを含む、可動エッジリングシステム。
適用例１４：
適用例１３の可動エッジリングシステムであって、前記水平リングスペーサはシム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む、可動エッジリングシステム。
適用例１５：
システムであって、
適用例１の可動エッジリングシステムと、
基板を支持するように構成されている前記基板支持体と、
前記基板支持体に対する前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの高さを調整するべく前記リフトピンを移動させるよう、前記アクチュエータを制御するように構成されている、コントローラと、
を備える、システム。
適用例１６：
適用例１５のシステムであって、前記コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの前記高さを調整するように構成されている、システム。
適用例１７：
基板処理システム用のエッジリングシステムであって、
基板処理中にプラズマに直接曝露される第１の環状体を含む、頂部固定リングと、
前記頂部固定リングの下方で基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動リングと、
前記可動リングの下方で半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記頂部固定リングおよび前記シールドリングに対する前記可動リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を備える、エッジリングシステム。
適用例１８：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リングの半径方向外縁部の上方に配置されている非導電性のカバーリングを更に備える、エッジリングシステム。
適用例１９：
適用例１８のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リングは前記第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に第１の環状凹部を含む、エッジリングシステム。
適用例２０：
適用例１９のエッジリングシステムであって、
前記シールドリングは、前記第３の環状体の半径方向外側の上側表面から上向きに延在する突出部を含み、
前記カバーリングは、
前記突出部を受けるように構成されている第２の環状凹部と、
前記頂部固定リングの前記第１の環状凹部と噛み合うように構成されている第３の環状凹部と、を含む、エッジリングシステム。
適用例２１：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リング、前記可動リング、および前記シールドリングは導電性材料で製作されている、エッジリングシステム。
適用例２２：
適用例２１のエッジリングシステムであって、前記可動リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動リングは、
前記可動リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に、および
前記可動リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の５０％以上を、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは３０ミル以下である、エッジリングシステム。
適用例２３：
適用例２１のエッジリングシステムであって、前記可動リングは「Ｔ」形状の断面を有し、前記シールドリングは逆「Ｔ」形状の断面を有する、エッジリングシステム。
適用例２４：
適用例１７のエッジリングシステムであって、第４の環状体を含むカバーリングを更に備え、基板支持体はベースプレート上に配置されている加熱層を含み、前記カバーリングは、前記頂部固定リングが下降位置にあるとき、前記基板支持体の前記加熱層と前記頂部固定リングの半径方向内側表面との間に配置される、エッジリングシステム。
適用例２５：
適用例２４のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リング、前記可動リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングは非導電性である、エッジリングシステム。
適用例２６：
適用例２０のエッジリングシステムであって、環状体を含みかつ前記シールドリングの半径方向外側に配置されている、エッジリングを更に備える、エッジリングシステム。
適用例２７：
適用例２６のエッジリングシステムであって、前記エッジリングはその半径方向内側の上側表面上に前記カバーリングを受け入れるための環状凹部を含み、前記頂部固定リング、前記可動リング、および前記シールドリングは導電性であり、前記カバーリングおよび前記エッジリングは非導電性である、エッジリングシステム。
適用例２８：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リングは、半径方向内側部分と、前記半径方向内側部分から延在する上向き傾斜部分と、前記上向き傾斜部分から延在する平面部分と、を含む、エッジリングシステム。
適用例２９：
適用例２８のエッジリングシステムであって、前記可動リングは半径方向内向き突出部分と半径方向外向き突出部分とを含み、前記半径方向内向き突出部分の半径方向内側の上側表面は傾斜部分を含む、エッジリングシステム。
適用例３０：
適用例２９のエッジリングシステムであって、前記傾斜部分の上側表面は前記上向き傾斜部分の下側表面と平行に延在する、エッジリングシステム。
適用例３１：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記可動リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記リフトピンが前記可動リングの前記リングセンタリング部を付勢すると前記可動リングがセンタリングされる、エッジリングシステム。
適用例３２：
適用例１７のエッジリングシステムであって、前記頂部固定リング、前記可動リング、および前記シールドリングのうちの少なくとも１つは水平リングスペーサを含む、エッジリングシステム。
適用例３３：
適用例３２のエッジリングシステムであって、前記水平リングスペーサはシム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む、エッジリングシステム。
適用例３４：
システムであって、
適用例１７のエッジリングシステムと、
基板を支持するように構成されている前記基板支持体と、
前記頂部固定リングに対する前記可動リングの高さを調整するべく前記リフトピンが移動されるよう、前記アクチュエータの高さを調整するように構成されている、コントローラと、
を備える、システム。
適用例３５：
適用例３４のシステムであって、前記コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、前記可動リングの前記高さを調整するように構成されている、システム。
適用例３６：
基板処理システムであって、
円筒体と、前記円筒体の下部から延在する環状突出部分と、前記環状突出部分の半径方向外縁部から上向きに延在するシールド部と、を含む基板支持体であって、前記円筒体と前記シールド部との間には空洞が画定されている、基板支持体と、
基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
第２の環状体を含む可動支持リングであって、前記頂部可動リングの下方で前記シールド部と前記円筒体との間の前記空洞内に配置されている、可動支持リングと、
を備える、基板処理システム。
適用例３７：
適用例３６の基板処理システムであって、
前記頂部可動リングの半径方向外縁部の上方に配置されているカバーリングと、
前記シールド部および前記カバーリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、
を更に備える、基板処理システム。
適用例３８：
適用例３７の基板処理システムであって、前記頂部可動リングは前記第１の環状体の半径方向外側の上側表面上に第１の環状凹部を含む、基板処理システム。
適用例３９：
適用例３７の基板処理システムであって、前記頂部可動リング、前記円筒体、前記可動支持リング、および前記シールド部は導電性であり、前記カバーリングは非導電性である、基板処理システム。
適用例４０：
適用例３９の基板処理システムであって、前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記円筒体のあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の５０％以上は、前記シールド部のあらかじめ定められた結合ギャップ内に位置付けられ、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、基板処理システム。
適用例４１：
適用例３７の基板処理システムであって、前記可動支持リングの下側表面はリングセンタリング部を含み、前記リフトピンが前記可動支持リングの前記リングセンタリング部を付勢すると前記円筒体に対して前記可動支持リングがセンタリングされる、基板処理システム。
適用例４２：
適用例３６の基板処理システムであって、前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングのうちの少なくとも１つは水平リングスペーサを含む、基板処理システム。
適用例４３：
適用例４２の基板処理システムであって、前記水平リングスペーサはシム、突出部、およびピンのうちの少なくとも１つを含む、基板処理システム。
適用例４４：
適用例４２の基板処理システムであって、
アクチュエータと、
リフトピンと、
前記アクチュエータに、前記リフトピンを移動させて前記基板支持体に対する前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの高さを調整させるように構成されている、コントローラと、を更に備える、基板処理システム。
適用例４５：
適用例４４の基板処理システムであって、前記コントローラは、ＲＦプラズマサイクルの数、処理される基板の数、およびＲＦ曝露の期間のうちの少なくとも１つに応じて、前記可動支持リングおよび前記頂部可動リングの前記高さを調整するように構成されている、基板処理システム。
適用例４６：
基板処理システム用の可動エッジリングシステムであって、
基板支持体の周囲に配置されている第１の環状体を含む頂部可動リングであって、その上側表面は基板処理中にプラズマに曝露される、頂部可動リングと、
前記頂部可動リングの下方で前記基板支持体のベースプレートの半径方向外側に配置されており、第２の環状体を含む、可動支持リングと、
前記可動支持リングの下方で半径方向外側に配置されており、第３の環状体を含む、シールドリングと、
前記シールドリングに対する前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングの位置を調整するように構成されている、アクチュエータおよびリフトピンと、を備え、
前記頂部可動リング、前記可動支持リング、および前記シールドリングは導電性材料で製作されており、
前記頂部可動リングおよび前記可動支持リングが最低位置から中間位置へとそして最上位置へと移動される際に、前記可動支持リングは、
前記可動支持リングの半径方向外側表面の垂直側方部分の７０％以上を、前記シールドリングのあらかじめ定められた結合ギャップ内に、および
前記可動支持リングの半径方向内側表面の垂直側方部分の５０％以上を、前記ベースプレートのあらかじめ定められた結合ギャップ内に維持し、
前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく２０ミル以下である、
可動エッジリングシステム。
適用例４７：
適用例４６の可動エッジリングシステムであって、前記あらかじめ定められた結合ギャップは０より大きく１０ミル以下である、可動エッジリングシステム。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10A】
【図10B】
【図11】
【図12】