(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2025-10-10
(45)【発行日】2025-10-21
(54)【発明の名称】電流検出用積層型抵抗器
(51)【国際特許分類】
H01C 13/00 20060101AFI20251014BHJP
H01C 7/00 20060101ALI20251014BHJP
【FI】
H01C13/00 J
H01C7/00 300
(21)【出願番号】P 2023044685
(22)【出願日】2023-03-20
(62)【分割の表示】P 2018160251の分割
【原出願日】2018-08-29
【審査請求日】2023-03-20
【審判番号】
【審判請求日】2025-01-17
(73)【特許権者】
【識別番号】000105350
【氏名又は名称】KOA株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002468
【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】松原 周平
(72)【発明者】
【氏名】仲村 圭史
【合議体】
【審判長】梶尾 誠哉
【審判官】▲吉▼澤 雅博
【審判官】涌井 智則
(56)【参考文献】
【文献】特開2000-21603(JP,A)
【文献】特開2012-1402(JP,A)
【文献】特開2007-19247(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01C7/00,H01C13/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
角板状であって厚み方向に第1平面と第2平面を有する抵抗体と、
前記第1平面に形成された第1電極と、
前記第2平面に形成された第2電極と、
前記抵抗体と前記第1電極と前記第2電極との積層構造として構成され、電流検出のために配線パターン又はパワー半導体に実装される電流検出用積層型抵抗器であって、
前記抵抗体は、前記第1平面及び前記第2平面における長さが、前記積層構造における積層方向の長さに比べて大きく、
前記抵抗体は、導電性を有する金属材料からなる金属体と、絶縁材料からなる絶縁粒子とを混合してなり、比抵抗が200μΩ・cm以上、300,000μΩ・cm以下である抵抗材料により構成され、前記電流検出用積層型抵抗器の端面には、前記抵抗体が露出しており、前記電流検出用積層型抵抗器の端面は、前記第1電極、前記第2電極および前記抵抗体が面一である形状とした、
電流検出用積層型抵抗器。
【請求項2】
請求項1に記載の電流検出用積層型抵抗器であって、
前記抵抗体に含まれる前記金属体は30vol%以上80vol%以下である電流検出用積層型抵抗器。
【請求項3】
請求項1または2に記載の電流検出用積層型抵抗器であって、
前記金属体は、前記第1電極と前記第2電極との間に三次元網目状に形成されている電流検出用積層型抵抗器。
【請求項4】
請求項1から3のいずれか1項に記載の電流検出用積層型抵抗器であって、
前記抵抗体は、前記金属体を形成するための金属粉と前記絶縁粒子とを焼結した焼結体である電流検出用積層型抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電流を検出するための電流検出用積層型抵抗器に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、絶縁体をマトリックス材料として、扁平状の金属粒子を所定の割合で添加した抵抗材料が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
上述のような抵抗材料においては、マトリックス材料が絶縁体であるため、電気抵抗は大きくなるものの、金属粒子に扁平処理を施さなければ、電流が流れる経路を確保しにくく、金属粒子同士の接触状態も使用状況に応じて変わりやすくなってしまう。
【0005】
例えば、抵抗材料の温度変化によって接触状態が変化したり、抵抗材料に高い電圧を印加した際に絶縁破壊が生じたりすることで、抵抗材料の抵抗値が変動してしまうことが懸念される。このように、マトリックス材料が絶縁体で構成される抵抗材料は抵抗特性が不安定になりやすい。
【0006】
本発明は、このような問題点に着目してなされたものであり、抵抗特性の安定化を図る積層型抵抗器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明のある態様によれば、角板状であって厚み方向に第1平面と第2平面を有する抵抗体と、前記第1平面に形成された第1電極と、前記第2平面に形成された第2電極と、前記抵抗体と前記第1電極と前記第2電極との積層構造として構成され、電流検出のために配線パターン又はパワー半導体に実装される電流検出用積層型抵抗器であって、前記抵抗体は、前記第1平面及び前記第2平面における長さが、前記積層構造における積層方向の長さに比べて大きく、前記抵抗体は、導電性を有する金属材料からなる金属体と、絶縁材料からなる絶縁粒子とを混合してなり、比抵抗が200μΩ・cm以上、300,000μΩ・cm以下である抵抗材料により構成され、前記電流検出用積層型抵抗器の端面には、前記抵抗体が露出しており、前記電流検出用積層型抵抗器の端面は、前記第1電極、前記第2電極および前記抵抗体が面一である形状とした、
電流検出用積層型抵抗器が提供される。
【発明の効果】
【0008】
この態様によれば、金属体の三次元網目構造によって、抵抗材料内に導通経路が形成されやすくなるため、抵抗特性を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【
図1A】
図1Aは、本発明の実施形態における抵抗器の構成例を示す図である。
【
図2】
図2は、抵抗器の製造方法の一例を示す図である。
【
図3】
図3は、抵抗器の製造方法の他の例を示す図である。
【
図4】
図4は、抵抗材料を作製するための金属粉の形状を説明するための図である。
【
図5】
図5は、本実施形態における抵抗材料の構造の一例を示す図である。
【
図6】
図6は、本実施形態における抵抗材料の構造の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【0011】
[抵抗器の説明]
まず、本実施形態の抵抗器1の構造について
図1A乃至1Bを参照して説明する。
【0012】
図1Aは、本実施形態における抵抗器1の構造を示す斜視図であり、
図1Bは、
図1AのII-II線に沿う抵抗器1の断面図である。
【0013】
抵抗器1は、電流を検出するための抵抗器であり、電流検出用抵抗器又はシャント抵抗器と称される。抵抗器1は、例えば、パワーモジュールに搭載され、大電流の検出用途に使用される。
【0014】
本実施形態の抵抗器1は、高周波の電流を検出する精度を高めるために、抵抗器1を薄くして自己インダクタンス値が小さくなるように形成されている。抵抗器1は、円板状に形成されており、抵抗材料から構成される抵抗体11と、抵抗体11を挟む二つの電極21及び電極22と、を備えている。
【0015】
抵抗体11の厚さt1は、抵抗器1の自己インダクタンス値が小さくなるよう、例えば数mm(ミリメートル)以下に設定される。本実施形態では抵抗体11の厚さt1が0.2mmである。また、配線パターンへの実装又はパワー半導体への実装を容易にするために、抵抗体11の直径Rは、抵抗体11の厚さt1に比べて大きくなるよう、例えば数mmに設定される。本実施形態では抵抗体11の直径Rが3mmφである。
【0016】
本実施形態では抵抗体11の厚さ方向に電流経路が形成されるので、一般的なシャント抵抗器の電流経路に比べて短くなる。そのため、抵抗体11の比抵抗(体積抵抗値)は、一般的なシャント抵抗器の抵抗材料として用いられる合金単体の比抵抗に比べて大きな値に設定される。
【0017】
例えば、抵抗器1が大電流の検出用途として用いられる場合は、抵抗体11の抵抗値を50μΩ以上1,000μΩ以下の範囲内の値に設定することが想定される。それゆえ、抵抗体11を構成する抵抗材料としては、比抵抗(体積抵抗率)が200μΩ・cm(マイクロオームセンチメートル)以上、300,000μΩ・cm以下の範囲内に設計可能な抵抗材料が好ましい。
【0018】
上述のような抵抗材料は、抵抗体11の比抵抗が、一般的なシャント抵抗器における抵抗体の比抵抗(50μΩ・cm~100μΩ・cm)に比べて大きくなるように、導電性を有する金属体の粉末と絶縁性を有する絶縁粒子とを用いて混合して形成される。
【0019】
二つの電極21及び電極22は、抵抗体11の厚さ方向に電流を流すための電極であり、導電性の高い金属材料を用いて形成される。電極21及び電極22は、抵抗体11の両面に形成され、抵抗体11のうち一方の面に形成された電極を第一の電極21と称し、他方の面に形成された電極を第二の電極22と称する。
【0020】
電極21及び電極22の各々の厚さt2は、抵抗器1を低背化するために薄くする。例えば、厚さt2は抵抗体11の厚さt1よりも薄くする。本実施形態では電極21及び電極22の厚さt2が共に0.1mmである。
【0021】
このように抵抗器1においては、電流の検出に必要となる抵抗値を確保しつつ抵抗器1の厚さhを薄く形成したことにより、自己インダクタンス値が小さくなる。したがって、抵抗器1のインダクタンスに起因する高周波電流の検出誤差を抑制することができる。
【0022】
[抵抗材料の説明]
抵抗材料11aは、抵抗体11の比抵抗が一般的なシャント抵抗器の抵抗体の比抵抗に比べて大きくなるよう、絶縁粒子とこの絶縁粒子を囲む三次元網目状の金属体とによって構成されている。抵抗材料11aは、金属体を形成するための金属粉と絶縁粒子とを焼結した焼結体である。
【0023】
焼結前の金属粉としては、アスペクト比が1.0以上2.0以下の範囲内にある粒子を用いるのが好ましい。また、金属粉としては粒径が0.5μm以上20μm以下の範囲内にある粒子を用い、絶縁粒子としては粒径が0.1μm以上10μm以下の範囲内にある粒子を用いることができる。
【0024】
ここで、抵抗材料11aを構成する金属体と絶縁粒子とについて説明する。
【0025】
<金属体>
抵抗材料11aの金属体としては、一般的なシャント抵抗器の抵抗材料を用いることができる。抵抗特性の安定性を確保する観点から、大電流の検出に適した金属材料、例えば抵抗体11の温度変化による抵抗値の変化の割合が小さな合金が好ましい。
【0026】
具体例としては、ニクロムや、マンガニン(登録商標)、ゼラニン(登録商標)、銅ニッケルなどの抵抗材料から選択される少なくとも一つの合金が挙げられる。特に、抵抗材料の抵抗値を確保する観点からニクロムを用いるのが好ましい。また、加工性の観点からはマンガニン(登録商標)を用いることが好ましい。このように、抵抗材料11aの金属体としては、ニクロム、銅マンガン、及び銅ニッケルからなる群から選択される少なくとも一つを用いて形成するのが好ましい。
【0027】
ここにいうニクロムは、Ni-Cr系合金、又はこれを主成分とする合金であり、銅マンガンは、Cu-Mn系合金、又はこれを主成分とする合金であり、銅ニッケルは、Cu-Ni系合金、又はこれを主成分とする合金である。なお、マンガニン(登録商標)は、Cu-Mn-Ni系合金、又はこれを主成分とする合金であり、ゼラニン(登録商標)は、Cu-Mn-Sn系合金、又はこれを主成分とする合金である。
【0028】
また、抵抗材料11aに含まれる金属体の割合は、30vol%以上80vol%以下である。金属体の割合が30vol%未満になると、抵抗材料11aに電流経路が確保できなくなって抵抗材料としての機能を有しなくなる。一方、金属体の割合が80vol%を超えると、抵抗材料11aの比抵抗が金属体単体の比抵抗とほぼ同じ値まで低下してしまう。
【0029】
<絶縁粒子>
一方、抵抗材料11aの絶縁粒子としては、絶縁性に加えて耐熱性に優れたセラミックス材料を用いることができる。例えば、熱応力による接合部のクラックの発生を抑制する観点から、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(Si3N4)及びジルコニア(ZrO2)からなる群から選択される少なくとも一つのセラミックス材料が挙げられる。以下では、酸化アルミニウムと窒化アルミニウムのことをそれぞれアルミナと窒化アルミと称する。
【0030】
上述のセラミックス材料の中では、放熱性とヒートサイクル耐久性の観点から、絶縁材料として広く利用されているアルミナを用いることが好ましい。また、より高い放熱性が要求される用途では、熱伝導度の大きい窒化アルミを選択することが好ましく、高いヒートサイクル耐久性が要求される用途では、窒化ケイ素を選択することが好ましい。
【0031】
次に、抵抗器1を製造するための方法について
図2及び
図3を参照して簡単に説明する。
【0032】
図2は、本実施形態における抵抗器1の製造方法の一例を説明するための図である。
【0033】
まず、円板状の抵抗材料11aと、円板状の電極材21a及び電極材22aと、を準備する。電極材21a及び電極材22aは、例えば、銅(Cu)などの高導電性の金属材料である。
【0034】
図2(a)に示すように、円板状の電極材21a、円板状の抵抗材料11a、円板状の電極材22aの順番に、これらが重ねられる。重ねられたこれらの材料を、例えば圧接又は焼結処理などを用いて接合することにより、
図2(b)に示すように積層構造1aが形成される。
【0035】
続いて、
図2(c)に示すように、積層構造1aを、パンチなどの加工法を用いて、円形状に打ち抜くことで個片化する。これにより、
図2(d)に示すように円板状の抵抗器1が形成される。
【0036】
なお、本実施形態では抵抗器1を円板状に形成したが、抵抗器1を三角形や四角形などの多角形に形成してもよい。以下に抵抗器1を角板状に形成する製造方法について説明する。
【0037】
図3は、本実施形態における抵抗器1の製造方法の他の例を説明するための図である。
図3(a)から
図3(b)まで工程は、
図2(a)から
図2(b)までの工程と同じある。
【0038】
図3(b)に示すように積層構造1aが形成されると、
図3(c)に示すように、ダイシングなどの加工法を用いて、積層構造1aを角形状に切断加工することで個片化する。これにより、
図3(d)に示すように角板状の抵抗器1が形成される。
【0039】
次に、本実施形態における抵抗材料11aの製造方法について説明する。
【0040】
抵抗材料11aの製造方法は、導電性を有する金属粉(金属の粉末)と絶縁性を有する絶縁粉(絶縁体の粉末)とを混合する混合工程と、混合により得られた混合粉末を所定の温度において一軸加圧法により混合粉体を加圧しながら焼結する焼結工程と、を有する。
【0041】
混合工程においては、金属粉として融点が絶縁粉の融点よりも低い金属の粉末が用いられ、金属粉の粒径は絶縁粉の粒径に対して同等又は小さくなるように造粒するのが好ましい。
【0042】
焼結工程においては、例えば、混合粉体の容器を真空に近い状態にすることで混合粉体をプレスする。プレス圧を高くするほど、抵抗材料11aの比抵抗は低下するものの、電流が流れる導通経路(電流経路)を確保しやすくなる傾向がある。このため、プレス圧を高めに設定するのが好ましい。また、所定の温度は、金属粉の融点よりも低い温度であり、金属粉の融点よりも15%程度低い温度に設定するのが好ましい。
【0043】
上述の製造方法により、抵抗材料11aにおいて絶縁粒子間を金属体が三次元網目状に形成される。
【0044】
次に、本実施形態における抵抗材料11aの作用効果について説明する。
【0045】
本実施形態によれば、電流を検出するための抵抗材料11aは、絶縁性を有する粒子である絶縁粒子と、この絶縁粒子を囲む三次元網目状の金属体と、を含む。そして抵抗材料11aの全体に対する金属体の割合が、30vol%以上80vol%以下の範囲内の割合で抵抗材料を形成した。
【0046】
このように、抵抗材料11aには絶縁粒子が含まれているので、抵抗材料11aの比抵抗は金属体単体の比抵抗に比べて大きくなる。そして抵抗材料11aの金属体は、絶縁粒子を囲むように電流経路が三次元網目状に形成されているので、金属粒子同士の接触面積を確保しやすく密着性が高くなるため、抵抗特性が安定しやすい。
【0047】
さらに、温度の変化や高い電圧の印加などによって電流経路が遮断されにくく、抵抗材料11a全体の比抵抗に与える影響は抑えられる。したがって、抵抗材料11aの比抵抗を金属体単体の比抵抗に比べて大きくしつつ、抵抗材料11aの抵抗特性を安定化させることができる。
【0048】
また、本実施形態によれば、抵抗材料11aのうち導電性を有する金属体をニクロム、銅マンガン、及び銅ニッケルからなる群から選択される少なくとも一つの金属粉を用いて形成した。これらの金属粉は、電流検出に用いられる合金であり、温度変化による抵抗値の変化が小さいため、これらの合金を用いることにより、電流検出に必要となる抵抗値を確保しやすく、かつ、TCRの上昇を抑えることができる。
【0049】
さらに、本実施形態によれば、絶縁粒子をアルミナ、窒化アルミ、窒化ケイ素及びジルコニアからなる群から選択される少なくとも一つの絶縁粉を用いて形成した。これらの絶縁粉はセラミックス材料であり、熱膨張係数が低く、基板材料として用いられているため、これらの絶縁粉を用いることにより、抵抗材料11aからなる抵抗体11の熱応力を基板の熱応力に近づけることができる。したがって、抵抗体11と基板との間におけるヒートサイクルによるクラックの発生を抑制することができる。
【0050】
また、本実施形態によれば、抵抗材料11aの金属体を三次元網目構造に形成することにより、TCRを許容範囲としての100ppm以下に収めることができる。これにより、抵抗器1を用いて電流を検出する際の検出精度の低下を抑制することが可能となる。
【0051】
さらに、抵抗材料11aの比抵抗を200μΩ・cm以上30,000μΩ・cm以下の範囲内に設計することが可能となる。これにより、
図1に示した縦型の抵抗器1の構造であっても、電流の検出に必要となる抵抗値を確保することができる。
【0052】
また、本実施形態によれば、導電性を有する金属を粉体で用いてこの金属粉と絶縁粒子とを焼結して抵抗材料11aを形成した。これにより、抵抗材料11aの金属体を三次元網目状に形成しやすくなる。
【0053】
そして焼結前の金属粉のアスペクト比は1.0以上2.0以下である。これにより、抵抗材料の抵抗値は等方性を有するので、抵抗器1を作製するにあたり、抵抗材料の向きを気にする必要がないので、容易に加工することができる。
【0054】
また、本実施形態によれば、導電性を有する金属体に対して絶縁粒子を含有する抵抗材料11aからなる抵抗体11と、抵抗材料11aを挟む二つの電極21及び22と、を有し、抵抗体11において金属体を電極21及び22間の方向に連続して形成した。これにより、抵抗体11には絶縁粒子を避けるように多数の電流経路が形成されているので、抵抗体11の比抵抗を大きくしつつ、抵抗体11の抵抗特性の安定化を図ることができる。
【0055】
また、本実施形態によれば、抵抗材料11aの製造方法においては、絶縁粒子と金属粉とが混合され、その混合粉体が金属粉の融点よりも低い所定の温度まで加熱され、この状態において混合粉体は加圧しながら焼結される。これにより、抵抗体11において、絶縁粒子を囲む三次元網目状の金属体を形成することができる。
【0056】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は、本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
【0057】
例えば、上記実施形態では抵抗器1の電極21及び22の面積及び厚さを同等にしたが、電極21及び22の面積及び厚さのうち少なくとも一方を互いに異なるように形成してもよい。また、電極21及び22に貫通口を形成してもよい。
【0058】
また、抵抗材料11aの両面に電極21及び22を形成する方法としては、めっき法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、気相成長法、又はコールドスプレー法などを用いてもよい。
【実施例】
【0059】
次に、本実施形態における抵抗材料11aに基づく供試体を作製し、各種測定を行って抵抗材料11aとして抵抗特性の評価を行った。以下、供試体の作製方法及びその評価について説明する。
【0060】
[供試体の作製]
抵抗材料11aを作製するための絶縁粉としてアルミナの粉末(ALM-41-01:住友化学株式会社製)を用いた。また、抵抗材料11aを作製するための金属粉として、ニクロムの粉末(エバノーム(登録商標)をマトマイズ法で生成した粒径6μmの粉末D50)を用いた。また、比較例として、アルミナ単体の供試体とニクロム単体の供試体とを用意した。
【0061】
<混合・造粒>
まず、上述した双方の粉末を第1表の混合割合で秤量し、乳鉢と乳棒を用いて、双方の粉末が概ね一様に混ざるまで混合するとともに造粒した。
【0062】
造粒した混合粉末の各粒子の平均粒径は下記のとおりである。
・アルミナ粉 : 平均粒径2.2μm
・ニクロム粉 : 平均粒径2.0μm
【0063】
<加圧・焼結>
次に、造粒した混合粉末を直径10mφのカーボン製ダイスに入れる。そして、ホットプレス機(多目的高温炉ハイマルチ5000:富士電波工業株式会社製)を用いて、カーボン製ダイス内の混合粉体をニクロムの融点よりも低い所定の温度まで加熱し、この状態において混合粉体を加圧しながら焼結した。焼結した供試体は、直径10mm、厚さ1.8mmの円板状の焼結体である。
【0064】
ホットプレス条件は下記のとおりである。
・雰囲気 : 20Pa以下
・プレス圧 : 3.0kN~3.9kN
・焼結温度 : 1000℃~1200℃
・保持時間 : 10分
【0065】
アルミナ粉とニクロム粉の割合を変更することによって複数の供試体を作製した。供試体の作製にあたり、アルミナ粉とニクロム粉の割合ごとに必要に応じてプレス圧を変更した。
【0066】
[評価方法]
上述のようにして得られた供試体について、以下の評価試験を行った。
【0067】
<焼結前の金属粉の形状>
・金属粉のアスペクト比の算出
走査電子顕微鏡(JSM-7000F:日本電子株式会社製)を用いて、1,800倍でニクロム粉の粒子(ニクロム粒子)を撮像し、撮像したニクロム粒子のアスペクト比を算出した。
【0068】
ニクロム粒子のアスペクト比は、撮像したSEM画像内のニクロム粒子の中から、任
意に20個を選択し、選択したニクロム粒子ごとに長辺の長さを短辺の長さで除して求める。
【0069】
<供試体の構造>
集束イオン電子ビーム観察装置(NB-5000:株式会社日立ハイテクノロジーズ製)を用いて、10,000倍で供試体の断面を撮像した。
【0070】
<抵抗特性>
・比抵抗の算出
供試体の温度が25℃であるときの供試体の抵抗値を測定し、この抵抗値に基づいて比抵抗を算出した。
【0071】
比抵抗(μΩ・cm)=抵抗値(Ω)×面積(cm2)/厚み(cm)
ここで、面積は0.25π(cm2)であり、厚みは0.18(cm)である。
【0072】
・抵抗温度係数の測定
抵抗温度係数(TCR:Temperature Coefficient of Resistance)とは、供試体の温度変化による抵抗値の変化の割合を表すものである。シャント抵抗器においては、抵抗温度係数が大きくなるほど、電流の検出誤差が大きくなる傾向を有する。抵抗温度係数は、下記式により表される。
【0073】
抵抗温度係数(ppm/℃)=(R-Ra)/Ra÷(T-Ta)×1,000,000
ここで、Raは基準温度における抵抗値であり、Taは基準温度であり、Rは定常状態における抵抗値であり、Tは定常状態になる温度である。
【0074】
<熱的特性>
・線膨張係数の測定
複数の供試体のうち特定の供試体の線膨張係数を測定した。線膨張係数とは、供試体の温度上昇によって長さ・体積が膨張する温度あたりの割合を表すものである。
【0075】
[評価結果]
供試体の抵抗体構造に対する評価結果について説明する。
<金属粉の形状>
図4は、造粒したニクロム粉のSEM画像の一例を示す図である。
図4に示すように、ニクロム粉の粒子は、扁平処理が施されていないため、ほぼ球状であった。具体的には、ニクロム粒子のアスペクト比は1.0以上1.7以下の範囲内の値に収まっていた。
【0076】
このように、抵抗材料11aの金属粉としてアスペクト比が1.0以上2.0以下の範囲内にあるニクロム粉を用いたことにより、アルミナ粉とニクロム粉とが一様に混ざり合うので、供試体の内部においてアルミナ粉が一様に分散されやすくなる。
【0077】
<試供体の構造>
図5は、アルミナ粉とニクロム粉の割合を50:50にした供試体の断面のSEM画像を示す図である。
図6は、アルミナ粉とニクロム粉の割合を60:40にした供試体の断面のSEM画像を示す図である。
【0078】
図5及び
図6において、黒色部分がアルミナ粒子(アルミナ粉の粒子)であり、他の部分がニクロムの粉体である。他の部分については、ニクロムの結晶配向性の違いに応じて色の濃さが変わっている。
【0079】
図5及び
図6に示すように、供試体は、絶縁粒子であるアルミナ粒子を含む島部と、金属体であるニクロムの粉体からなる海部と、によって構成される海島構造を有している。また、供試体をあらゆる方向から切ったとしても海島構造になっていると考えられる。
【0080】
このため、供試体においては、溶融していないアルミナ粒子の周りに多数のニクロム粒子が溶融して三次元状に連結することで網目状にネットワークが形成されている。すなわち、ニクロム粒子が結合した金属体は、アルミナ粒子の表面の少なくとも一部を包み込むように形成されている。
【0081】
このように、供試体は、絶縁性を有する粒子と、その粒子を囲う三次元網目状の金属体とによって構成されている。これにより、アルミナ粒子によって単位面積あたりの電流の通過量を減らしつつ、三次元網目状のニクロムによって電流が流れる経路を数多く確保することができる。
【0082】
反対に、アルミナをマトリックス材料とした従来の抵抗材料は、金属粒子に扁平処理を施さなければ、電流通路を確保しにくく、またニクロム粒子同士の接触面積が狭くなって接触状態も悪くなりやすい。一般的にニクロム粒子同士の接触が悪い箇所は、温度の変化や高電圧の印加などによって接触状態が変わりやすく、抵抗値が変動する要因になり得る。
【0083】
これに対し、本実施形態の抵抗材料11aには金属体のニクロムが三次元網目状に形成されることにより、アルミナをマトリックス材料とする抵抗材料に比べて、ニクロム粒子同士の接触面積が大きくなるので、接触状態が悪い箇所を減らすことができる。また、ニクロム粒子同士が溶融して連結するので密着性が高まり、高電圧の印加による絶縁破壊の発生を抑制することができる。
【0084】
抵抗材料11aには、絶縁材料(アルミナ粒子)が溶融することなく、粒子の状態でフィラーとして存在している。このため、高電圧や高温による絶縁破壊が生じにくい構造である。なお、絶縁材料(アルミナ)でマトリックスを構成した場合は、絶縁が不均一であることから、高電圧での絶縁破壊が生じやすい。一方、本実施形態では、絶縁材料の周りを三次元網目状に金属体が形成されているため、抵抗特性を安定化させることができる。
【0085】
また、
図6に示すように、供試体におけるニクロムの含有量を50vol%から40vol%に減らした場合でも、単位面積あたりのアルミナ粒子の占有率は上昇するものの、多数のアルミナ粒子を三次元網目状に囲むようにニクロムの粉体が形成されている。したがって、ニクロムの含有量にかかわらず、抵抗材料11aの比抵抗を高めつつ、抵抗特性を安定化させることができる。なお、ニクロムの含有量を30vol%まで減らしたとしても、同様にニクロムの三次元網目構造が形成される。
【0086】
<抵抗特性・熱的特性>
供試体の抵抗特性及び熱的特性を第1表及び第2表に示す。
【0087】
【0088】
【0089】
第1表に示す結果によれば、供試体の全体に対するニクロムの含有量が20vol%である供試体T1は、電流経路が確保できなくなって抵抗材料として求められる抵抗値を大きく超え、ほぼ絶縁体としての性質を示した。また、ニクロムの含有量が90vol%である供試体T10は、比抵抗がニクロム単体とほぼ同等に低くなった。
【0090】
したがって、ニクロムの含有量は、抵抗材料11a全体に対して30vol%以上80%以下の割合が好ましい。このような範囲の中でニクロムの含有量を変更することにより、比抵抗を200μΩ・cm以上30,000μΩ・cm以下の範囲内の値に設計可能とし、かつ、電流の検出精度を確保する観点からTCRを許容範囲としての100ppm以下に収めることができた。TCRをより低く抑えるには、ニクロムの含有量を35vol%以上80vol%以下の範囲内の値に設計するのが好ましい。
【0091】
また、第1表に示す結果によれば、ニクロムの含有量が40vol%から少なくなるにつれて、比抵抗が急峻に上昇するとともにTCRも上昇する傾向があることがわかった。この理由は、供試体における三次元網目状の電流経路が細くなったり、電流経路の数が少なくなったりすることで、温度や電流などの変化によってニクロム粒子同士の接触状態が変化した際の影響が比抵抗とTCRとの双方に現れやすくなると推測される。
【0092】
ただし、ニクロムが三次元網目状に形成されることにより、アルミナをマトリックス材料として用いた場合に比べて、電流経路を確保しやすくなることから、ニクロムの含有量の変更に伴う抵抗特性の急峻な変化は抑えられている。そのため、ニクロム含有量が少なくなっても、TCRが100ppm以下に収まっている。また、同様の理由から個体差についても抑制されるものと考えられる。
【0093】
以上の結果から、ニクロムの含有量が抵抗材料11a全体に対して30vol%以上80%以下の割合では、抵抗材料11aの比抵抗をニクロム単体の比抵抗に比べて大きくしつつ、安定した抵抗特性が得られることがわかった。
【0094】
上記実施例においては、金属体としてニクロムを用いたが、他の銅マンガン及び銅ニッケルからなる群から選択される少なくとも一つの合金であっても、同様の製造方法により三次元網目状に形成することが可能である。さらに、合金の含有量についても、抵抗体としての機能を維持しつつ合金単体よりも高い比抵抗を確保する観点から、30vol%以上80%以下の割合が好ましい。
【0095】
また、絶縁粒子としてアルミナを用いたが、窒化アルミ、窒化ケイ素及びジルコニアからなる群から選択される少なくとも一つのセラミックス粉末を用いても、同様の抵抗特性が得られると考えられる。
【0096】
また、上記実施形態においては、導電性を有するニクロム粉に対して絶縁性を有するアルミナ粉のみを添加して形成したが、アルミナ粉の他にも抵抗特性を改善するための粉末を添加してもよい。ニクロム粉に対し、アルミナ粉に加えて他の粉末を添加して抵抗材料11aを形成したとしても、粒子を囲む三次元網目状の金属体を形成することが可能である。
【0097】
第2表に示す結果によれば、供試体の線膨張係数は、アルミナ単体からなる供試体T0の線膨張係数以上、ニクロム単体からなる供試体T11の線膨張係数以下の範囲内の値であった。ニクロムの含有量が少なくなるにつれて、供試体の線膨張係数はアルミナ単体からなる供試体T0の線膨張係数に近づくことがわかった。
【0098】
このように、絶縁粒子として基板材料に用いられるセラミックス材料を混合することにより、ヒートサイクルによる抵抗器1と基板の接合部に生じるクラックを抑制することができる。
【符号の説明】
【0099】
1 抵抗器
11 抵抗体
11a 抵抗材料
21、22 電極