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特許7758293窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
発明の名称 窒化物半導体発光素子、及び窒化物半導体発光素子の製造方法
出願人 学校法人 名城大学 （識別番号 599002043）
特許公開件数ランキング 595 位（15件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1389 位（8件）（共同出願を含む）
出願人 スタンレー電気株式会社 （識別番号 2303）
特許公開件数ランキング 219 位（47件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 263 位（36件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7758293
公報発行日 2025年10月22
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7758293
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