特許7759126強誘電性薄膜の形成方法、それを備える半導体装置

発明の名称　強誘電性薄膜の形成方法、それを備える半導体装置

出願人　国立大学法人東京工業大学　（識別番号 304021417）

　　　　特許公開件数ランキング 340 位（165件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 364 位（153件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7759126

公報発行日　2025年10月23

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7759126

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