特許7763293メモリセル回路、メモリセルアレイ構造及びその製造方法

発明の名称　メモリセル回路、メモリセルアレイ構造及びその製造方法

出願人　旺宏電子股▲ふん▼有限公司　（識別番号 599129074）

　　　　特許公開件数ランキング 300 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 481 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7763293

公報発行日　2025年10月31

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7763293

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