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特許7770643窒化物半導体レーザダイオード及び窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
発明の名称 窒化物半導体レーザダイオード及び窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
出願人 旭化成株式会社 （識別番号 33）
特許公開件数ランキング 66 位（389件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 72 位（320件）（共同出願を含む）
出願人 学校法人 名城大学 （識別番号 599002043）
特許公開件数ランキング 1293 位（26件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1154 位（26件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7770643
公報発行日 2025年11月17
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7770643
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