特許7774313ＳｉＣ半導体素子の製造方法及びＳｉＣＭＯＳＦＥＴ

発明の名称　ＳｉＣ半導体素子の製造方法及びＳｉＣＭＯＳＦＥＴ

出願人　国立大学法人京都大学　（識別番号 504132272）

　　　　特許公開件数ランキング 345 位（190件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 301 位（169件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7774313

公報発行日　2025年11月21

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7774313

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