特許7779142キャリア濃度の測定方法、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法

発明の名称　キャリア濃度の測定方法、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法

出願人　住友電気工業株式会社　（識別番号 2130）

　　　　特許公開件数ランキング 79 位（684件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 50 位（746件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7779142

公報発行日　2025年12月3

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7779142

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