特許7779660ＳｉＣ電子装置におけるドーピング活性化及びオーミックコンタクト形成並びにＳｉＣ電子装置

発明の名称　ＳｉＣ電子装置におけるドーピング活性化及びオーミックコンタクト形成並びにＳｉＣ電子装置

出願人　エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル．　（識別番号 591002692）

　　　　特許公開件数ランキング 3825 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 3361 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7779660

公報発行日　2025年12月3

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7779660

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、特許-7779660「ＳｉＣ電子装置におけるドーピング活性化及びオーミックコンタクト形成並びにＳｉＣ電子装置」の公報全文を閲覧することができます。

ログインはこちら　ログイン・ユーザー登録