技術分野
荷電粒子線装置、および荷電粒子線装置の制御方法
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
試料から発生する信号電子は、主に二次電子および反射電子に大別され、それぞれ性質が異なる。二次電子は、試料表面で二次的に発生した低エネルギー(50eV以下)の電子であり、試料表面の形状を反映しやすい特徴を持つ。一方、反射電子は、試料に照射された電子が試料内に侵入および散乱されて再び試料外に放出される高エネルギーの電子であり、試料の組成情報を反映した画像を得ることができる。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の荷電粒子線装置は、試料に照射される荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、荷電粒子線を集束する集束レンズと、磁場レンズまたは静電レンズである第一レンズ、および磁場レンズまたは静電レンズである第二レンズを形成し、第一レンズの第一主面が第二レンズの第二主面より試料側に配置される対物レンズと、第二レンズの第二主面より荷電粒子源側に配置される検出器と、プロセッサおよびメモリを有するコントローラと、・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、第二レンズの集束作用によって反射電子を高効率で検出することが可能となる。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施例1の走査電子顕微鏡100の概要を示す図である
【図2】
実施例1の制御部25のハードウェアブロック図である。
【図3】
実施例1の対物レンズ13の詳細を示した図である。
【図4】
実施例1の対物レンズ13の下面からの距離と後方散乱電子の到達率との関係を示した図である。
【図5】
実施例2の対物レンズ13および検出器30の詳細を示した図である。
【図6】
実施例3の対物レンズ13および一次電子ビーム28の集束点の詳細を示した図である。
【図7】
実施例3のGUIを示した図である。
【図8】
実施例4の対物レンズ13およびリターディング電源34の詳細を示した図である。
1:試料、2:磁極、3:第一のコイル、4:第二のコイル、5:偏向器、6:第一磁場レンズ、6a:第一主面、7:第二磁場レンズ、7a:第二主面、8:変換板、9:変換電子、10:検出器、11:(第二磁場レンズ7で集束させた後方散乱電子の)軌道、12:(第二磁場レンズ7を使用しない場合の後方散乱電子の)軌道、13:対物レンズ、14:検出器、15:第二集束レンズ、16:絞り、17:第一集束レンズ、18:加速電極、19:引出電極、20:電子源、21:電子銃、22:レンズ電源、23:増幅器、24:走査信号発生器、25:制御部、26:画像処理部、27:表示装置、28:一次電子ビーム、29:二次電子、30:検出器、31:信号捕集電極、32:変換板、33:後方散乱電子、34:リターディング電源、101:画像表示部、102:調整スライダ
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