特許7790024IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体チップが接合された絶縁回路基板は、封止部材で封止される時の加熱により、下に凸に反ってしまうことがある。このため、反りが生じた絶縁回路基板とキャビティの配置面との間に隙間が生じる。特に、絶縁回路基板の四隅の隙間が大きい。キャビティ内に充填された封止部材は、この隙間にも入り込む。充填が完了して、封止部材を固化すると、隙間に入り込んだ封止部材はバリとなってしまう。バリは熱伝導率が低いため、バリを下面に含む半導体装置は放熱性が低下してしまう。また、バリを除去する場合は、その工程により製造コストが増加してしまう。バリを適切に除去できなかった場合には、残ったバリにより半導体装置に過剰な応力が発生してしまう。したがって、バリにより半導体装置の信頼性が低下してしまう。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一観点によれば、半導体チップと、矩形状の金属板と矩形状の絶縁板と回路パターンとが順に積層され、おもて面の前記回路パターン上に前記半導体チップが配置され、裏面の前記金属板を下側にして下に凸に反った絶縁回路基板と、平面視で前記金属板の四隅にそれぞれ下側に突出して設けられ、側面視で下に凸に反った前記絶縁回路基板の前記金属板の裏面の中心部と同一平面を成し、または、前記中心部よりも下に突出する・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術によれば、バリの発生が抑制されて、放熱性の低下が防止されて半導体装置の信頼性の低下を抑制することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第1の実施の形態の半導体装置の平面図である。
【図2】 第1の実施の形態の半導体装置の側断面図である。
【図3】 第1の実施の形態の半導体装置の裏面図である。
【図4】 第1の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す平面図(その1)である。
【図5】 第1の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す側断面図(その1)である。
【図6】 第1の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す平面図(その2)である。
【図7】 第1の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す側断面図(その2)である。
【図8】 第1の実施の形態の放熱ユニットが取り付けられた半導体装置の側断面図である。
【図9】 第1の実施の形態の変形例1の半導体装置の裏面図である。
【図10】 第1の実施の形態の変形例1の半導体装置の側断面図である。
【図11】 第1の実施の形態の変形例2の半導体装置の裏面図である。
【図12】 第1の実施の形態の変形例2の半導体装置の側断面図である。
【図13】 第1の実施の形態の変形例3の半導体装置の側断面図である。
【図14】 第1の実施の形態の変形例4-1の半導体装置の側断面図である。
【図15】 第1の実施の形態の変形例4-1の半導体装置の裏面図である。
【図16】 第1の実施の形態の変形例4-1の半導体装置の製造工程を示す断面図(その1)である。
【図17】 第1の実施の形態の変形例4-1の半導体装置の製造工程を示す断面図(その2)である。
【図18】 第1の実施の形態の変形例4-1の半導体装置の製造工程を示す断面図(その3)である。
【図19】 第1の実施の形態の変形例4-2の半導体装置の裏面図(その1)である。
【図20】 第1の実施の形態の変形例4-2の半導体装置の裏面図(その2)である。
【図21】 第1の実施の形態の変形例5の半導体装置の側断面図である。
【図22】 第2の実施の形態の半導体装置の側断面図である。
【図23】 第2の実施の形態の半導体装置の製造工程を示す側断面図である。
【図24】 第2の実施の形態の放熱ユニットが取り付けられた半導体装置の側断面図である。
【図25】 第2の実施の形態の変形例の半導体装置の側断面図である。
【図26】 第2の実施の形態の変形例の半導体装置の製造工程を示す側断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

10,10a~10g 半導体装置 20 絶縁回路基板 21 絶縁板 22a,22b 回路パターン 23 金属板 24,24a~24i スペーサ部 31,32 半導体チップ 33a,33b はんだ 40,41a~41j,42~44 リードフレーム 45 ボンディングワイヤ 46 タイバー 50 封止部材 50a 封止上面 50b~50e 封止側面 50f 封止底面 55 サーマルインターフェイスマテリアル(TIM) 56 放熱ユニット 56a 位置合わせ部 60 封止金型 60a 金型上面 60b~60e 金型側面 60f 金型底面 61 上型 62 下型 62a,62b 押圧孔 63a ゲート 63b キャビティ 63c 配置面 63d,63e 凹部 64a,64b 押圧ピン

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