技術分野
半導体モジュール
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
ところで、半導体モジュールは、既述の通り、P端子及びN端子の間には絶縁紙が設けられている。このように絶縁紙が間に挟まれたP端子及びN端子にバスバーをレーザ溶接により接合すると、絶縁紙がレーザによる熱により損傷を受ける可能性がある。絶縁紙が損傷を受けると、P端子及びN端子の絶縁状態を維持できなくなる。このため、電気的不良が生じ、半導体モジュール並びに半導体モジュールを含む半導体装置の信頼性が低下してしまうおそれがある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一観点によれば、第1端子と絶縁部材と第2端子とが順に積層された端子積層部を有し、前記絶縁部材と前記第2端子との間に、前記端子積層部の積層方向よりも、前記積層方向に直交する平面方向の熱伝導率が高い熱的異方性部材が設けられている、半導体モジュールが提供される。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
開示の技術によれば、電気的不良の発生を抑制して、信頼性の低下を防止する。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
第1の実施の形態の半導体装置である。
【図2】
第1の実施の形態の半導体モジュールである。
【図3】
第1の実施の形態の半導体モジュールの端子積層部の平面図である。
【図4】
第1の実施の形態の半導体装置の半導体モジュールの等価回路である。
【図5】
第1の実施の形態のキャパシタである。
【図6】
第1の実施の形態の半導体装置に含まれる接続機構を示す断面図である。
【図7】
第1の実施の形態の半導体装置の接続方法を説明するための断面図(その1)である。
【図8】
第1の実施の形態の半導体装置の接続方法を説明するための断面図(その2)である。
【図9】
第1の実施の形態の半導体モジュールに含まれる熱的異方性シートの厚さに応じた熱伝導率及び絶縁シートの瞬間最高温度を示すグラフである。
【図10】
第1の実施の形態の半導体モジュールに含まれる熱的異方性シートの厚さに応じた熱伝導率及び熱的異方性シートの瞬間最高温度を示すグラフである。
【図11】
第1の実施の形態の半導体装置のレーザ溶接による熱の解析を示す図である。
【図12】
第2の実施の形態の半導体モジュールの接続部の断面図である。
10,10a 半導体装置
20,20a 半導体モジュール
21,31 ケース
21a,21b,21c,21d 第1,第2,第3,第4側部
21a1,21a2,21a3 端子領域
21e,21e1,21e2,21e3 収納領域
22,22a,22b,22c 第1パワー端子(第1端子)
23,23a,23b,23c 第1絶縁シート(絶縁部材)
24 熱的異方性シート(熱的異方性部材)
25,25a,25b,25c 第2パワー端子(第2端子)
26,26a,26b,26c 端子積層部
27a,27b,27c 制御端子
28a U端子
28b V端子
28c W端子
29,29a,29b,29c テラス部
30,30a キャパシタ
31a 蓋部
31b 収納ケース
31c 第5側部
32 第1接続端子
32a 第1接続部分
32b 第2接続部分
32c 第3接続部分
33,133 第2絶縁シート
33a 第1取付部分
33b 第2取付部分
33c 第3取付部分
34,34b 第2接続端子
40,40a,40b,40c 連結部材
41 絶縁シート
44a,44b レーザ溶接痕
124 熱的異方性シート
221 第1接合領域
251 第2接合領域
321 第1導通部
322 第1配線部
341 第2導通部
342,342b 第2配線部
343 第3接合領域
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