特許7790124IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

半導体モジュール

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ところで、半導体モジュールは、既述の通り、P端子及びN端子の間には絶縁紙が設けられている。このように絶縁紙が間に挟まれたP端子及びN端子にバスバーをレーザ溶接により接合すると、絶縁紙がレーザによる熱により損傷を受ける可能性がある。絶縁紙が損傷を受けると、P端子及びN端子の絶縁状態を維持できなくなる。このため、電気的不良が生じ、半導体モジュール並びに半導体モジュールを含む半導体装置の信頼性が低下してしまうおそれがある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一観点によれば、第1端子と絶縁部材と第2端子とが順に積層された端子積層部を有し、前記絶縁部材と前記第2端子との間に、前記端子積層部の積層方向よりも、前記積層方向に直交する平面方向の熱伝導率が高い熱的異方性部材が設けられている、半導体モジュールが提供される。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術によれば、電気的不良の発生を抑制して、信頼性の低下を防止する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第1の実施の形態の半導体装置である。
【図2】 第1の実施の形態の半導体モジュールである。
【図3】 第1の実施の形態の半導体モジュールの端子積層部の平面図である。
【図4】 第1の実施の形態の半導体装置の半導体モジュールの等価回路である。
【図5】 第1の実施の形態のキャパシタである。
【図6】 第1の実施の形態の半導体装置に含まれる接続機構を示す断面図である。
【図7】 第1の実施の形態の半導体装置の接続方法を説明するための断面図(その1)である。
【図8】 第1の実施の形態の半導体装置の接続方法を説明するための断面図(その2)である。
【図9】 第1の実施の形態の半導体モジュールに含まれる熱的異方性シートの厚さに応じた熱伝導率及び絶縁シートの瞬間最高温度を示すグラフである。
【図10】 第1の実施の形態の半導体モジュールに含まれる熱的異方性シートの厚さに応じた熱伝導率及び熱的異方性シートの瞬間最高温度を示すグラフである。
【図11】 第1の実施の形態の半導体装置のレーザ溶接による熱の解析を示す図である。
【図12】 第2の実施の形態の半導体モジュールの接続部の断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

10,10a 半導体装置 20,20a 半導体モジュール 21,31 ケース 21a,21b,21c,21d 第1,第2,第3,第4側部 21a1,21a2,21a3 端子領域 21e,21e1,21e2,21e3 収納領域 22,22a,22b,22c 第1パワー端子(第1端子) 23,23a,23b,23c 第1絶縁シート(絶縁部材) 24 熱的異方性シート(熱的異方性部材) 25,25a,25b,25c 第2パワー端子(第2端子) 26,26a,26b,26c 端子積層部 27a,27b,27c 制御端子 28a U端子 28b V端子 28c W端子 29,29a,29b,29c テラス部 30,30a キャパシタ 31a 蓋部 31b 収納ケース 31c 第5側部 32 第1接続端子 32a 第1接続部分 32b 第2接続部分 32c 第3接続部分 33,133 第2絶縁シート 33a 第1取付部分 33b 第2取付部分 33c 第3取付部分 34,34b 第2接続端子 40,40a,40b,40c 連結部材 41 絶縁シート 44a,44b レーザ溶接痕 124 熱的異方性シート 221 第1接合領域 251 第2接合領域 321 第1導通部 322 第1配線部 341 第2導通部 342,342b 第2配線部 343 第3接合領域

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