特許7790129IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体ウエハにおいて、半導体装置が形成される領域の欠陥が少ないことが好ましい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一つの態様においては、支持部を用いて半導体ウエハの下面における被支持部を支持した状態で半導体ウエハをアニールする工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。製造方法は、上面視において被支持部と重なり、且つ、半導体ウエハのエッジから離れた領域に第１不純物を含む不純物領域を形成する領域形成段階を備えてよい。製造方法は、支持部により半導体ウエハの下面を支持した状態で、半導体ウエハをアニール・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 半導体ウエハ１００をアニールする工程を示している。
【図2】 図１における領域Ａを拡大した図である。
【図3】 本発明の一つの実施形態を説明する図である。
【図4】 半導体装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図5】 領域形成段階Ｓ４１０、上面側構造形成段階Ｓ４２０およびアニール段階Ｓ４３０を説明する図である。
【図6】 除去段階Ｓ４４０および下面側構造形成段階Ｓ４５０を説明する図である。
【図7】 半導体ウエハ１００の深さ方向における不純物濃度分布の一例を示している。
【図8】 領域形成段階Ｓ４１０における処理の一例を示す図である。
【図9】 不純物領域１４０の他の構成例を示す図である。
【図10】 下面２３における被支持部１０２および不純物領域１４０の配置例を示す図である。
【図11】 不純物領域１４０の形状の他の例を示す図である。
【図12】 下面２３における被支持部１０２および不純物領域１４０の他の配置例を示す図である。
【図13】 不純物領域１４０の形状の他の例を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・下面、２７・・・エッジ、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート電極、５２・・・エミッタ電極、１００・・・半導体ウエハ、１０２・・・被支持部、１０４・・・基準点、１１０・・・支持部、１２０・・・スリップ、１３０・・・素子領域、１４０・・・不純物領域、２００・・・搬送ボート、３００・・・酸化膜、３０２・・・レジスト膜、３０４・・・開口

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