特許7792737２Ｄ ＦＥＴ構造において、ｈｉｇｈ－ｋベースのパッシベーション層が素子の電気的特性に及ぼす定量的影響を評価するためのＴＥＧ素子および低温における真性特性分析方法

発明の名称　２Ｄ ＦＥＴ構造において、ｈｉｇｈ－ｋベースのパッシベーション層が素子の電気的特性に及ぼす定量的影響を評価するためのＴＥＧ素子および低温における真性特性分析方法

出願人　コリア　ユニバーシティ　リサーチ　アンド　ビジネス　ファウンデーション，セジョン　キャンパス　（識別番号 517325799）

　　　　特許公開件数ランキング 14983 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 4258 位（1件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7792737

公報発行日　2025年12月26

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7792737

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