7804466 チップバリスタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2026-01-14

(45)【発行日】2026-01-22

(54)【発明の名称】チップバリスタ

(51)【国際特許分類】

   H01C 7/10 20060101AFI20260115BHJP

【ＦＩ】

H01C7/10

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2022004128

(22)【出願日】2022-01-14

(65)【公開番号】P2023103548

(43)【公開日】2023-07-27

【審査請求日】2024-08-27

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100129296

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 博昭

(72)【発明者】

【氏名】篠沢 恒樹

(72)【発明者】

【氏名】内田 雅幸

(72)【発明者】

【氏名】吉田 尚義

(72)【発明者】

【氏名】簗田 壮司

【審査官】相澤 祐介

(56)【参考文献】

【文献】特開平０４－１２５９０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０７－２３５４０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２３－０９５６０２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｃ ７／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層構造を有し、積層方向に対して平行に延在するとともに互いに対向する第一面および第二面と、積層方向に対して平行に延在して前記第一面と前記第二面とを結ぶとともに互いに対向する第三面および第四面とを有する素体と、
前記素体の所定の層内において、前記第一面と前記第二面との対向方向に沿って前記第一面から延びる第一導体と、
前記素体の所定の層内において前記第一面と前記第二面との対向方向に沿って前記第二面から延びる第二導体と、
前記第三面から前記第四面に亘って延び、かつ、前記第三面と前記第四面との対向方向に対して交差する方向に延びて前記第一導体および前記第二導体のそれぞれと前記素体の積層方向において重なる重畳部を形成する交差部を有する第三導体と、
前記素体の前記第一面に設けられ、前記第一導体に接続された第一電極と、
前記素体の前記第二面に設けられ、前記第二導体に接続された第二電極と、
前記素体の前記第三面および前記第四面にそれぞれ設けられ、前記第三導体の端部に接続された一対の第三電極と
を備え、
前記第一導体と前記第一電極との接続箇所から前記第一導体と前記第三導体とが重なる前記重畳部までの距離をＬ１とし、前記第一面と前記第二面との対向方向に関する前記交差部の長さをＷ２としたときに、２Ｌ１＞Ｗ２の関係を満たし、
前記第一導体と前記第一電極との接続箇所から前記第一導体と前記第三導体とが重なる前記重畳部までの距離をＬ１とし、前記第三導体と前記第三電極との接続箇所から、前記第三導体の形状に沿って、前記第一導体と前記第三導体とが重なる前記重畳部に至るまでの距離Ｌ２としたときに、Ｌ１／２≦Ｌ２≦２Ｌ１の関係を満たす、チップバリスタ。

【請求項2】

前記素体の積層方向から見て、前記第三導体の外形に沿って、前記第三導体と前記第三電極との接続箇所から前記第一導体と前記第三導体とが重なる前記重畳部に至るまでの部分がＬ字状である、請求項１に記載のチップバリスタ。

【請求項3】

前記素体の積層方向から見て、前記第三導体が、前記端部から前記交差部に向かって漸次幅が拡がる拡幅部を有する、請求項１に記載のチップバリスタ。

【請求項4】

前記第一導体と前記第二導体とが前記素体の同一の層内に延在している、請求項１～３のいずれか一項に記載のチップバリスタ。

【請求項5】

前記第一導体および前記第二導体の幅が、前記第三導体の前記交差部の幅と同じである、請求項１～４のいずれか一項に記載のチップバリスタ。

【請求項6】

前記第一導体および前記第二導体の幅が、前記第三導体の前記交差部の幅と異なる、請求項１～４のいずれか一項に記載のチップバリスタ。

【請求項7】

前記第三導体が、前記第三面と前記第四面との対向方向において前記交差部を挟むとともに、前記第三面および前記第四面からそれぞれ露出する一対の前記端部を含み、
前記第一面と前記第二面との対向方向に関し、前記第一導体は、前記第一面側に位置する前記第三導体の前記交差部と前記端部との境の位置より前記第一面側に設けられ、前記第二導体は、前記第二面側に位置する前記第三導体の前記交差部と前記端部との境の位置より前記第二面側に設けられている、請求項１～６のいずれか一項に記載のチップバリスタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チップバリスタに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、素体の内部にバリスタ構造が設けられたチップバリスタが知られている。下記の特許文献１および特許文献２には、積層構造を有する素体の内部に設けられた複数の導体と、複数の導体のそれぞれに接続されるように素体の表面に設けられた複数の電極とを備えた積層型チップバリスタが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】国際公開２０１８／１４４９８７号

【文献】国際公開２０２１／０９５３６８号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述したチップバリスタにおいては、積層方向において導体に挟まれた素体領域（機能領域）の寸法を調整することにより、バリスタ特性を調整することができる。発明者らは、バリスタ特性の調整について研究を重ね、バリスタ特性を容易に調整することができる技術を新たに見出した。

【0005】

本発明は、バリスタ特性を容易に調整することができるチップバリスタを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態に係るチップバリスタは、積層構造を有し、積層方向に対して平行に延在するとともに互いに対向する第一面および第二面と、積層方向に対して平行に延在して第一面と第二面とを結ぶとともに互いに対向する第三面および第四面とを有する素体と、素体の所定の層内おいて、第一面と第二面との対向方向に沿って第一面から延びる第一導体と、素体の所定の層内において第一面と第二面との対向方向に沿って第二面から延びる第二導体と、第三面から第四面に亘って延び、かつ、第三面と第四面との対向方向に対して交差する方向に延びて第一導体および第二導体のそれぞれと素体の積層方向において重なる重畳部を形成する交差部を有する第三導体と、素体の第一面に設けられ、第一導体に接続された第一電極と、素体の第二面に設けられ、第二導体に接続された第二電極と、素体の第三面および第四面にそれぞれ設けられ、第三導体の端部に接続された一対の第三電極とを備える。

【0007】

上記チップバリスタにおいては、第三導体が交差部を有し、第三導体は交差部において第一導体および第二導体とそれぞれ重なる重畳部を形成している。そのため、第三導体の交差部の形状や寸法を調整することで、機能領域の寸法を容易に調整することができ、それにより、バリスタ特性を容易に調整することができる。

【0008】

他の形態に係るチップバリスタは、第一導体と第一電極との接続箇所から第一導体と第三導体とが重なる重畳部までの距離をＬ１とし、第三導体と第三電極との接続箇所から、第三導体の形状に沿って、第一導体と第三導体とが重なる重畳部に至るまでの距離Ｌ２としたときに、Ｌ１／２≦Ｌ２≦２Ｌ１の関係を満たす。

【0009】

他の形態に係るチップバリスタは、素体の積層方向から見て、第三導体が、端部から交差部に向かって漸次幅が拡がる拡幅部を有する。

【0010】

他の形態に係るチップバリスタは、第一導体と第二導体とが素体の同一の層内に延在している。

【0011】

他の形態に係るチップバリスタは、第一導体および第二導体の幅が、第三導体の交差部の幅と同じである。

【0012】

他の形態に係るチップバリスタは、第一導体および第二導体の幅が、第三導体の交差部の幅と異なる。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、バリスタ特性を容易に調整することができるチップバリスタを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】一実施形態に係るチップバリスタを示す概略斜視図である。

【図2】図１に示した素体の内部の各導体を示した斜視図である。

【図3】図１に示した素体の内部の各導体を示した断面図である。

【図4】各導体の位置関係を示した断面図である。

【図5】各導体の位置関係を示した断面図である。

【図6】異なる態様のチップバリスタを示した断面図である。

【図7】異なる態様のチップバリスタを示した断面図である。

【図8】異なる態様のチップバリスタを示した断面図である。

【図9】異なる態様のチップバリスタを示した断面図である。

【図10】異なる態様のチップバリスタを示した断面図である。

【図11】異なる態様のチップバリスタを示した断面図である。

【図12】異なる態様のチップバリスタを示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0016】

まず、図１～図３を参照して、実施形態に係るチップバリスタ１の構成について説明する。

【0017】

チップバリスタ１は、多端子型の積層チップバリスタであり、素体１０と４つの端子電極２０Ａ～２０Ｄとを備えて構成されている。チップバリスタ１は、略直方体形状の外形を有し、いわゆる１６０８サイズ（長手方向長さが１．６ｍｍ、短手方向長さが０．８ｍｍ、高さが０．８ｍｍ）である。

【0018】

素体１０は、略直方体形状の外形を有する積層構造体である。素体１０は、長手方向において互いに対向する長方形状の端面１０ａ、１０ｂと、端面１０ａ、１０ｂに直交する長方形状の４つの側面１０ｃ～１０ｆとを有する。４つの側面１０ｃ～１０ｆは、端面１０ａ，１０ｂ間を連結するように延びている。端面１０ａ、１０ｂは、素体１０の積層方向に対して平行に延在している。４つの側面１０ｃ～１０ｆのうちの側面１０ｃ、１０ｄは、素体１０の積層方向に対して平行に延在しており、互いに対向している。４つの側面１０ｃ～１０ｆのうちの側面１０ｅ、１０ｆは、素体１０の積層方向に対して直交するように延在しており、素体１０の積層方向において互いに対向している。

【0019】

素体１０は、バリスタ特性を発現する焼結体（半導体セラミック）からなる。素体１０は、バリスタ特性を発現する焼結体からなる複数の層からなる積層構造体である。実際の素体１０では、構成する各層は、その間の境界が視認できない程度に一体化されている。素体１０は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分としてＣｏ、希土類金属元素、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）などの金属単体やこれらの酸化物を含む。本実施形態において、素体１０は、副成分としてＣｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｋ、及びＡｌを含んでいる。素体１０におけるＺｎＯの含有量は、特に限定されないが、素体１０を構成する全体の材料を１００質量％とした場合に、通常、９９．８～６９．０質量％である。希土類金属元素（たとえば、Ｐｒ）は、バリスタ特性を発現させる物質として作用する。素体１０における希土類金属元素の含有量は、たとえば０．０１～１０原子％程度に設定される。

【0020】

チップバリスタ１は、一対の第一導体３０Ａ、一対の第二導体３０Ｂおよび第三導体３０Ｃを素体１０内に備える。第一導体３０Ａ、第二導体３０Ｂおよび第三導体３０Ｃは、導電材を含んでいる。各導体３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃに含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ－Ｐｄ合金からなることが好ましい。各導体３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃの厚み（積層方向長さ）は、たとえば０．１～１０μｍ程度である。

【0021】

一対の第一導体３０Ａはいずれも、均一幅を有する帯状の形状を有し、素体１０を構成する層内おいて、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に沿って延在している。一対の第一導体３０Ａは、素体１０の異なる層内に位置している。各第一導体３０Ａは、一方の端部３０ａが端面１０ａ（第一面）に露出するとともに他方の端部３０ｂが素体１０内に位置している。一対の第一導体３０Ａは、素体１０の積層方向から見て、寸法および形状が同じであり、完全に一致している。第一導体３０Ａの幅ｗ１（側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に関する長さ）は、たとえば０．４ｍｍである。

【0022】

一対の第二導体３０Ｂはいずれも、均一幅を有する帯状の形状を有し、第一導体３０Ａが形成された層と同じ層内おいて、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に沿って延在している。第二導体３０Ｂは、一方の端部３０ａが端面１０ｂ（第二面）に露出するとともに他方の端部３０ｂが素体１０内に位置している。一対の第二導体３０Ｂは、素体１０の積層方向から見て、寸法および形状が同じであり、完全に一致している。第二導体３０Ｂの幅は、第一導体３０Ａの幅ｗ１と同じになるように設計されており、たとえば０．４ｍｍである。

【0023】

第一導体３０Ａと第二導体３０Ｂとは、素体１０の積層方向から見て互いに位置合わせされており、端面１０ａ、１０ｂの対向方向に沿って互いに近づく向きに延びている。ただし、素体１０内に位置する第一導体３０Ａの端部３０ｂと第二導体３０Ｂの端部３０ｂとは、端面１０ａ、１０ｂの対向方向において離間しており、素体１０の積層方向において重なっていない。

【0024】

第三導体３０Ｃは、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に沿って延びる形状を有し、側面１０ｃ（第三面）から側面１０ｄ（第四面）に亘って延びている。図３に示すように、第三導体３０Ｃは、一対の端部３１および交差部３２を有する。

【0025】

第三導体３０Ｃの各端部３１は、側面１０ｃ、１０ｄの近傍に位置しており、側面１０ｃ、１０ｄから露出している。各端部３１は、均一な幅Ｗ１（端面１０ａ、１０ｂの対向方向に関する長さ）を有し、幅Ｗ１は一例として０．２ｍｍである。

【0026】

第三導体３０Ｃの交差部３２は、両端部３１の間であって第三導体３０Ｃの中央に位置しており、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に対して交差する方向に延びている。本実施形態では、第三導体３０Ｃの交差部３２は、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に対して直交する方向に延びており、交差部３２の幅Ｗ２（端面１０ａ、１０ｂの対向方向に関する長さ）は端部３１の幅Ｗ１より広くなるように設計されている（Ｗ２＞Ｗ１）。交差部３２の幅Ｗ２は一例として０．６ｍｍである。第三導体３０Ｃは全体として、素体１０の積層方向から見て十字状（クロス状）を呈する。本実施形態において、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に関する交差部３２の長さ（幅）ｗ２は、第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂの幅ｗ１と同じになるように設計されている。

【0027】

第三導体３０Ｃの交差部３２は、端面１０ａ側に延びた先端部において第一導体３０Ａの端部３０ｂと重なり、重畳部４０Ａを形成している。同様に、第三導体３０Ｃの交差部３２は、端面１０ｂ側に延びた先端部において第二導体３０Ｂの端部３０ｂと重なり、重畳部４０Ｂを形成している。第三導体３０Ｃは、一対の第一導体３０Ａとは重畳部４０Ａにおいてのみ重なり、一対の第二導体３０Ｂとも重畳部４０Ｂにおいてのみ重なる。

【0028】

図４および図５に示すように、第三導体３０Ｃは、一対の第一導体３０Ａの中間に位置する層内に延在している。そのため、素体１０の積層方向に関し、第三導体３０Ｃと一方の第一導体３０Ａとの離間距離は、第三導体３０Ｃと他方の第一導体３０Ａとの離間距離と実質的に同一である。交差部３２は、一対の第一導体３０Ａの端部３０ｂそれぞれとの間に第一機能層４２を形成する。第一機能層４２は、交差部３２の先端部３２ａと第一導体３０Ａの端部３０ｂとで挟まれた素体部分である。第一機能層４２は、たとえば２０～５０ｐＦ程度の静電容量を有する。同様に、素体１０の積層方向に関し、第三導体３０Ｃと一方の第二導体３０Ｂとの離間距離は、第三導体３０Ｃと他方の第二導体３０Ｂとの離間距離と実質的に同一である。交差部３２は、一対の第二導体３０Ｂの端部３０ｂそれぞれとの間に第二機能層４４を形成する。第二機能層４４は、交差部３２の先端部３２ｂと第二導体３０Ｂの端部３０ｂとで挟まれた素体部分である。第二機能層４４は、たとえば２０～５０ｐＦ程度の静電容量を有する。本実施形態では、重畳部４０Ａと重畳部４０Ｂは同じ重畳面積を有し、そのため、第一機能層４２と第二機能層４４とは実質的に同じ静電容量を有する。

【0029】

４つの端子電極２０Ａ～２０Ｄの一つである第一電極２０Ａは、素体１０の端面１０ａ側に配置されている。第一電極２０Ａは、端面１０ａと、４つの側面１０ｃ～１０ｆの端面１０ａ寄りの部分と、を覆うように形成されている。第一電極２０Ａは、素体１０の端面１０ａに露出した一対の第一導体３０Ａのそれぞれの一方の端部３０ａを覆うようにも形成されており、第一電極２０Ａは、一対の第一導体３０Ａのそれぞれと直接接続されている。

【0030】

第一導体３０Ａと第一電極２０Ａとの接続箇所から重畳部４０Ａまでの距離をＬ１とし、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの接続箇所から、第三導体３０Ｃの形状（より具体的には、素体１０の積層方向から見たときの外形）に沿って重畳部４０Ａに至るまでの距離Ｌ２としたときに、Ｌ１／２≦Ｌ２≦２Ｌ１の関係が満たされるように設計されている。本実施形態において、第二導体３０Ｂと第二電極２０Ｂとの接続箇所から重畳部４０Ｂまでの距離は、第一導体３０Ａと第一電極２０Ａとの接続箇所から重畳部４０Ａまでの距離Ｌ１と同じである。また、本実施形態において、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの接続箇所から、第三導体３０Ｃの形状に沿って重畳部４０Ｂに至るまでの距離は、第三導体３０Ｃの形状に沿って重畳部４０Ｂに至るまでの距離Ｌ２と同じである。本実施形態において、距離Ｌ２は、第三導体３０Ｃの外形に沿ったＬ字状部分の長さであり、２つの直線の長さの合計として求められる。

【0031】

４つの端子電極２０Ａ～２０Ｄの一つである第二電極２０Ｂは、素体１０の端面１０ｂ側に配置されている。第二電極２０Ｂは、端面１０ｂと、４つの側面１０ｃ～１０ｆの端面１０ｂ寄りの部分と、を覆うように形成されている。第二電極２０Ｂは、素体１０の端面１０ｂに露出した一対の第二導体３０Ｂのそれぞれの一方の端部３０ａを覆うようにも形成されており、第二電極２０Ｂは、一対の第二導体３０Ｂのそれぞれと直接接続されている。

【0032】

４つの端子電極２０Ａ～２０Ｄのうちの第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、対をなしており、素体１０の側面１０ｃ側および側面１０ｄ側にそれぞれ配置されている。具体的には、第三電極２０Ｃは、長方形状を有する側面１０ｃの長辺の中間位置において積層方向に延びて側面１０ｅと側面１０ｆに回り込んでおり、第三電極２０Ｄは、長方形状を有する側面１０ｄの長辺の中間位置において積層方向に延びて、側面１０ｅと側面１０ｆに回り込んでいる。第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、素体１０の側面１０ｃ、１０ｄに露出した第三導体３０Ｃの両端部３１をそれぞれ覆うようにも形成されており、第三電極２０Ｃ、２０Ｄは、第三導体３０Ｃと直接接続されている。一対の第三電極２０Ｃ、２０Ｄと第三導体３０Ｃとは対称的に配置されているため、均一な放電を実現することができる。

【0033】

各端子電極２０Ａ～２０Ｄは、単層構造であっても複数層構造であってもよい。各端子電極２０Ａ～２０Ｄは、たとえば焼付電極であり、導電性ペーストを素体１０の表面に付与して焼き付けることにより形成される。導電性ペーストには、金属（たとえば、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、又はＡｇ－Ｐｄ合金など）からなる粉末に、ガラス成分、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したものが用いられている。このような焼付電極上に、めっき層を形成することもできる。めっき層は、Ｎｉめっき層と、当該Ｎｉめっき層上に形成されたＳｎめっき層とを含んでいてもよい。

【0034】

上述したチップバリスタ１においては、第三導体３０Ｃが交差部３２を有し、第三導体３０Ｃは交差部３２において第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂとそれぞれ重なる重畳部４０Ａ、４０Ｂを形成している。そのため、第三導体３０Ｃの交差部３２の形状や寸法を調整することで、第一機能層４２および第二機能層４４の機能領域の寸法を容易に調整することができ、それにより、バリスタ特性を容易に調整することができる。

【0035】

また、チップバリスタ１は、第一導体３０Ａと第一電極２０Ａとの接続箇所から重畳部４０Ａまでの距離Ｌ１と、第三導体３０Ｃと第三電極２０Ｃ、２０Ｄとの接続箇所から、第三導体３０Ｃの形状に沿って重畳部４０Ａに至るまでの距離Ｌ２とが、Ｌ１／２≦Ｌ２≦２Ｌ１の関係を満たすため、バリスタ特性の対称性を高めることができる。さらに、距離Ｌ２が、第三導体３０Ｃの外形に沿ったＬ字状部分の長さであり、２つの直線の長さの合計として求められるため、チップサイズを変えることなく導体設計をおこなうことができる。

【0036】

チップバリスタ１の各導体３０Ａ～３０Ｃは様々な形状に変更可能であり、たとえば図６～９に示した形状にすることができる。

【0037】

図６に示した態様は、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に関する交差部３２の長さｗ２が、第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂの幅ｗ１と異なっており、長さｗ２が幅ｗ１より狭くなっている点でのみ、上述したチップバリスタ１と異なる。図６に示した態様では、第三導体３０Ｃの交差部３２と、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向における第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂとの間に、たとえば導体形成時に相対位置ズレが生じた場合であっても重畳部４０Ａ、４０Ｂの重畳面積が変わらない。そのため、チップバリスタの製品ごとの特性ズレを抑制することができる。

【0038】

図７に示した態様は、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に関する交差部３２の長さｗ２が、第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂの幅ｗ１と異なっており、長さｗ２が幅ｗ１より広くなっている点でのみ、上述したチップバリスタ１と異なる。図７に示した態様では、図６に示した態様同様、第三導体３０Ｃの交差部３２と、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向における第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂとの間に、たとえば導体形成時に相対位置ズレが生じた場合であっても重畳部４０Ａ、４０Ｂの重畳面積が変わらない。そのため、チップバリスタの製品ごとの特性ズレを抑制することができる。

【0039】

図８に示した態様は、側面１０ｃ、１０ｄの対向方向に関する交差部３２の長さｗ２が、交差部３２の一方端３２ａと他方端３２ｂにおいて互いに異なる点でのみ、上述したチップバリスタ１と異なる。図８に示した態様では、第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂの寸法および形状を変えることなく、重畳部４０Ａ、４０Ｂの重畳面積を変えることができ、それにより、第一導体３０Ａを経由する経路（チャンネル）と第二導体３０Ｂを経由する経路とでバリスタ特性を異ならせることができる。

【0040】

図９に示した態様は、第三導体３０Ｃの両端部３１と交差部３２との間に、端部３１から交差部３２に向かって漸次幅が拡がる部分である拡幅部３３がそれぞれ介在している点でのみ、上述したチップバリスタ１と異なる。図９に示した態様では、第三導体３０Ｃが拡幅部３３を有するため、端部３１と交差部３２との幅が異なる場合であっても、端部３１と交差部３２との境界における応力集中が抑制され、クラック等の欠陥が生じる事態が抑制される。

【0041】

チップバリスタ１の各導体３０Ａ～３０Ｃの積層構造についても変更可能であり、たとえば図１０～１２に示した積層構造にすることができる。

【0042】

図１０に示した態様は、第一導体３０Ａが一層であり、第二導体３０Ｂも一層であり、かつ、第一導体３０Ａと第二導体３０Ｂとが同一の層内に延在している。図１１に示した態様は、第一導体３０Ａが一層であり、第二導体３０Ｂも一層であり、かつ、第一導体３０Ａと第二導体３０Ｂとが異なる層内に延在しており、第三導体３０Ｃは第一導体３０Ａと第二導体３０Ｂの中間に位置する層内に延在している。図１２に示した態様では、第一導体３０Ａが一層であり、第二導体３０Ｂも一層であり、かつ、第三導体３０Ｃが二層である。二層の第三導体３０Ｃは、素体１０の積層方向から見て、寸法および形状が同じであり、完全に一致している。また、第一導体３０Ａと第二導体３０Ｂとは、二層の第三導体３０Ｃの中間に位置する同一の層内に延在している。

【0043】

図６～図１２に示した態様のチップバリスタ１においても、第三導体３０Ｃが交差部３２を有し、第三導体３０Ｃは交差部３２において第一導体３０Ａおよび第二導体３０Ｂとそれぞれ重なる重畳部４０Ａ、４０Ｂを形成している。そのため、第三導体３０Ｃの交差部３２の形状や寸法を調整することで、第一機能層４２および第二機能層４４の機能領域の寸法を容易に調整することができ、それにより、バリスタ特性を容易に調整することができる。

【0044】

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

【0045】

たとえば、距離Ｌ２は、第三導体３０Ｃの形状に沿っていれば、３つ以上の直線の長さの合計であってもよい。第三導体の拡幅部は、斜辺を構成するように幅が漸次拡がっている態様であってもよく、曲線を構成するように幅が漸次拡がっている態様であってもよく、段を構成するように幅が段階的に拡がっている態様であってもよい。チップバリスタの外形寸法、素体の外形寸法等については適宜増減することができる。また、各導体および各端子電極の寸法についても、適宜増減することができる。さらに、素体、各導体および各端子電極を構成する材料は、チップバリスタに適用可能な公知の材料に、適宜変更することができる。

【符号の説明】

【0046】

１…チップバリスタ、１０…素体、２０Ａ…第一電極、２０Ｂ…第二電極、２０Ｃ、２０Ｄ…第三電極、３０Ａ…第一導体、３０Ｂ…第二導体、３０Ｃ…第三導体、３１…端部、３２…交差部、３３…拡幅部、４０Ａ、４０Ｂ…重畳部、４２…第一機能層、４４…第二機能層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】