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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2026-01-15
(45)【発行日】2026-01-23
(54)【発明の名称】半導体用洗浄剤組成物
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20260116BHJP
C11D 3/30 20060101ALI20260116BHJP
C11D 1/722 20060101ALI20260116BHJP
C11D 1/72 20060101ALI20260116BHJP
C11D 7/32 20060101ALI20260116BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 647A
H01L21/304 647Z
H01L21/304 622Q
C11D3/30
C11D1/722
C11D1/72
C11D7/32
【請求項の数】
3
(21)【出願番号】P 2024537729
(86)(22)【出願日】2023-07-25
(86)【国際出願番号】 JP2023027090
(87)【国際公開番号】W WO2024024759
(87)【国際公開日】2024-02-01
【審査請求日】2025-01-23
(31)【優先権主張番号】P 2022117727
(32)【優先日】2022-07-25
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000004628
【氏名又は名称】株式会社日本触媒
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】張替 尊子
【審査官】平野 崇
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１８／１６８２０７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００３－２８９０６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－０４１４９４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－０４４１１８（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
Ｃ１１Ｄ ３／３０
Ｃ１１Ｄ １／７２２
Ｃ１１Ｄ １／７２
Ｃ１１Ｄ ７／３２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
カルボン酸系単量体に由来する構造単位を有する重合体とｐＨ調整剤を含む半導体用洗浄剤組成物であって、該重合体の重量平均分子量は３１００以上であり、該ｐＨ調整剤が、金属水酸化物及びアミン化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物であり、ｐＨが９以上である、半導体用洗浄剤組成物。
【請求項2】
前記アミン化合物が、下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む、請求項１に記載の半導体用洗浄剤組成物。【化1】
【化2】
【請求項3】
下記一般式（３）で表される化合物及び／又は下記一般式（４）で表される化合物を含む、請求項１又は２に記載の半導体用洗浄剤組成物。【化3】
【化4】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体用洗浄剤組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体製造プロセスにおけるウエハ表面を平坦化する工程として、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ－Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ－Ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ／Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）工程が知られている。ＣＭＰ工程後には、ウエハ表面に砥粒や研磨屑などの金属残渣等が残存するため、それらを除去するための洗浄がおこなわれる。このようなＣＭＰ工程用の洗浄剤は、これまでに種々知られている。例えば特許文献１には、ＣＭＰ工程後に洗浄する洗浄用組成物として、特定の水溶性ポリマーと塩を形成するアンモニウムを含む洗浄用組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００６－４１４９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来のＣＭＰ工程用の洗浄剤では、ＣＭＰ工程後のウエハに残存する金属残渣の除去については未だ不十分であり、改善の余地があった。特に、セリア（酸化セリウム：ＣｅＯ２）粒子を含む研磨剤を用いた場合、従来の洗浄剤ではセリア粒子の除去能力が不足しており、ウエハ上に残存するセリア粒子を十分に除去することができず、残留した成分が基板表面に固着してしまう等の問題があった。
【0005】
本発明は、上記現状に鑑みて、基板上に残存する金属残渣であるセリア粒子に対し、高い除去性を発現する、半導体用洗浄剤組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者は、上記課題を解決すべく、半導体用洗浄剤組成物について種々検討したところ、特定の重合体とｐＨ調整剤を含み、ｐＨが７以上である洗浄剤組成物とすることにより、セリア粒子を含めた金属残渣に対して高い除去性を発現することを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0007】
すなわち、本発明は、下記［１］～［３］に記載のものである。
［１］カルボン酸系単量体に由来する構造単位を有する重合体とｐＨ調整剤を含む半導体用洗浄剤組成物であって、該重合体の重量平均分子量は３１００以上であり、該ｐＨ調整剤が、金属水酸化物及びアミン化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物であり、ｐＨが７以上である、半導体用洗浄剤組成物。
［２］前記アミン化合物が、下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む、上記［１］に記載の半導体用洗浄剤組成物。
［１］カルボン酸系単量体に由来する構造単位を有する重合体とｐＨ調整剤を含む半導体用洗浄剤組成物であって、該重合体の重量平均分子量は３１００以上であり、該ｐＨ調整剤が、金属水酸化物及びアミン化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物であり、ｐＨが７以上である、半導体用洗浄剤組成物。
［２］前記アミン化合物が、下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（２）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含む、上記［１］に記載の半導体用洗浄剤組成物。
【0008】
【化1】
【0009】
【化2】
［３］下記一般式（３）で表される化合物及び／又は下記一般式（４）で表される化合物を含む、上記［１］又は［２］に記載の半導体用洗浄剤組成物。
【0010】
【化3】
【0011】
【化4】
【発明の効果】
【0012】
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、基板上に残存する金属残渣のセリア粒子に対し、高い除去性を発現することできる。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明を詳細に説明する。なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を２つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。
【0014】
［半導体用洗浄剤組成物］
＜重合体＞
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ）を有する重合体を含む。
＜重合体＞
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ）を有する重合体を含む。
【0015】
（カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ））
本開示の半導体用洗浄剤組成物には、カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ）を有する重合体を含む。本開示において、上記カルボン酸系単量体とは、カルボキシ基含有単量体及び／又はその塩を意味する。上記重合体は、カルボキシ基含有単量体及び／又はその塩に由来する構造単位を有することが好ましい。
本開示において、例えば、「カルボキシ基含有単量体に由来する構造単位（Ａ）」とは、カルボキシ基含有単量体に含まれる少なくとも１つの炭素－炭素二重結合が、炭素－炭素単結合に置き換わった構造を有する構造単位を表す。例えばカルボキシ基含有単量体がアクリル酸、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＨ、であれば、アクリル酸に由来する構造単位は、－ＣＨ２－ＣＨ（－ＣＯＯＨ）－、で表すことができる。なお、本開示において、カルボキシ基含有単量体に由来する構造単位は、実際にカルボキシ基含有単量体が重合して形成された構造単位には限定されず、カルボキシ基含有単量体に含まれる少なくとも１つの炭素－炭素二重結合が、炭素－炭素単結合に置き換わった構造を有する構造単位と同じ構造を有すれば、別の方法により形成された構造単位であっても、カルボキシ基含有単量体に由来する構造単位に含まれる。
本開示の半導体用洗浄剤組成物には、カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ）を有する重合体を含む。本開示において、上記カルボン酸系単量体とは、カルボキシ基含有単量体及び／又はその塩を意味する。上記重合体は、カルボキシ基含有単量体及び／又はその塩に由来する構造単位を有することが好ましい。
本開示において、例えば、「カルボキシ基含有単量体に由来する構造単位（Ａ）」とは、カルボキシ基含有単量体に含まれる少なくとも１つの炭素－炭素二重結合が、炭素－炭素単結合に置き換わった構造を有する構造単位を表す。例えばカルボキシ基含有単量体がアクリル酸、ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＨ、であれば、アクリル酸に由来する構造単位は、－ＣＨ２－ＣＨ（－ＣＯＯＨ）－、で表すことができる。なお、本開示において、カルボキシ基含有単量体に由来する構造単位は、実際にカルボキシ基含有単量体が重合して形成された構造単位には限定されず、カルボキシ基含有単量体に含まれる少なくとも１つの炭素－炭素二重結合が、炭素－炭素単結合に置き換わった構造を有する構造単位と同じ構造を有すれば、別の方法により形成された構造単位であっても、カルボキシ基含有単量体に由来する構造単位に含まれる。
【0016】
上記カルボキシ基含有単量体としては、重合性の不飽和結合（炭素－炭素二重結合）及びカルボキシ基を有している構造の単量体であれば特に限定はない。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、α－ヒドロキシアクリル酸、α－ヒドロキシメチルアクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、２－メチレングルタル酸等の不飽和カルボン酸系化合物の単量体が例示される。
【0017】
上記カルボキシ基含有単量体の塩としては、特に制限されないが、例えば、上記不飽和カルボン酸系化合物の金属塩、アンモニウム塩、有機アミン塩などが挙げられる。カルボン酸の塩として好ましくは、カルボン酸カリウム、カルボン酸ナトリウム、カルボン酸アンモニウム、又はカルボン酸の４級アミンである。
【0018】
これらカルボン酸系単量体は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【0019】
上記重合体において、上記カルボン酸系単量体に由来する構造単位の割合は、全構造単位１００モル％に対して、１０～１００モル％であることが好ましい。より好ましくは、２０～１００モル％であり、更に好ましくは、４０～１００モル％である。
【0020】
（その他の単量体に由来する構造単位）
本開示の重合体は、上記カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ）以外の単量体に由来する構造単位（以下、「その他の単量体に由来する構造単位」ともいう）を１種または２種以上含んでいても良い。
本開示の重合体は、上記カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ）以外の単量体に由来する構造単位（以下、「その他の単量体に由来する構造単位」ともいう）を１種または２種以上含んでいても良い。
【0021】
上記その他の単量体に由来する構造単位は、上記カルボン酸系単量体以外のエチレン性不飽和単量体の炭素－炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ）が炭素－炭素単結合（Ｃ－Ｃ）に置き換わって、隣接する構造単位と結合を形成した構造単位である。ただし、このような構造単位に該当する構造であれば、実際に単量体の炭素－炭素二重結合が炭素－炭素単結合に置き換わって形成された構造でなくてもよい。
【0022】
上記その他の単量体としては、具体的には、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、α－ヒドロキシメチルエチル（メタ）アクリレート等の水酸基含有アルキル（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ラウリル等の（メタ）アクリル酸のアルキル基のエステルであるアルキル（メタ）アクリレート類；ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート及びその４級化物等のアミノ基含有アクリレート；（メタ）アクリルアミド、ジメチルアクリルアミド、イソプロピルアクリルアミド等のアミド基含有単量体類；酢酸ビニル等のビニルエステル類；エチレン、プロピレン等のアルケン類；スチレン等の芳香族ビニル系単量体類；マレイミド、フェニルマレイミド、シクロヘキシルマレイミド等のマレイミド誘導体；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル基含有ビニル系単量体類；（メタ）アクロレイン等のアルデヒド基含有ビニル系単量体類；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル類；塩化ビニル、塩化ビニリデン、アリルアルコール、ビニルピロリドン等のその他の官能基含有単量体類；ジエチレングリコール（メタ）アクリレート、トリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート等のポリエチレングリコール（メタ）アクリレート；エトキシ－ジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシ－トリエチレングリコール（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル－ジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシ－ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシ－ジプロピレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシ－ジエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシ－ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等のアルコキシポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート；ビニルアルコール、（メタ）アリルアルコール、イソプレノール等の不飽和アルコールにアルキレンオキシドが１～３００モル付加した構造を有する単量体等のポリアルキレングリコール鎖含有単量体；３－アリルオキシ－２－ヒドロキシプロパンスルホン酸、２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸等のスルホン酸基を有する単量体及びその塩等が挙げられる。
その他の単量体についても、１種のみが単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
その他の単量体についても、１種のみが単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【0023】
上記重合体における、上記その他の単量体に由来する構造単位の割合は、全構造単位１００モル％に対して、０～９０モル％であることが好ましく、より好ましくは０～８０モル％であり、更に好ましくは０～６０モル％である。種類や量を変更することで、半導体用洗浄剤組成物における重合体の溶解性や洗浄性能を適宜調整することが可能である。
【0024】
本開示の重合体の重量平均分子量は、３１００以上である。上記重合体の重量平均分子量が３１００以上であると、金属残渣の除去性をより一層向上させることができる。上記重合体の重量平均分子量は、より好ましくは４０００以上であり、さらに好ましくは５０００以上であり、最も好ましくは９０００以上である。一方、５００００以下であることが好ましく、２４５００以下であることがより好ましく、さらに好ましくは２３０００以下であり、よりさらに好ましくは２００００以下である。すなわち、上記重合体の重量平均分子量は、好ましくは３１００～５００００であり、より好ましくは４０００～２４５００であり、さらに好ましくは５０００～２３０００であり、よりさらに好ましくは５０００～２００００であり、特に好ましくは９０００～２００００である。
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定して求めることができ、具体的には、実施例に記載の方法で求めることができる。
上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定して求めることができ、具体的には、実施例に記載の方法で求めることができる。
【0025】
本開示の半導体用洗浄剤組成物に含まれる重合体の含有量は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、０．０１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上であり、さらに好ましくは０．３質量％以上であり、よりさらに好ましくは０．８質量％以上である。一方、１０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは８質量％以下であり、さらに好ましくは５質量％以下である。すなわち、上記重合体の含有量は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、好ましくは０．０１～１０質量％であり、より好ましくは０．１～８質量％であり、さらに好ましくは０．３～５質量％であり、よりさらに好ましくは０．８～５質量％である。
【0026】
［重合体の製造方法］
上記重合体を製造する方法は、上記カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ）を有する重合体が製造されることになる限り特に制限されず、上記カルボン酸系単量体やその他の単量体を含む単量体成分を重合する方法が挙げられる。上記重合は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合のいずれの重合反応を用いるものであってもよい。また重合反応は光重合、熱重合のいずれであってもよい。
重合方法としては、特に限定されないが、例えば、重合開始剤を添加する方法、ＵＶを照射する方法、熱を加える方法、光重合開始剤存在下に光を照射する方法等が挙げられる。上記重合工程では、重合開始剤を用いることが好ましい。
上記重合体を製造する方法は、上記カルボン酸系単量体に由来する構造単位（Ａ）を有する重合体が製造されることになる限り特に制限されず、上記カルボン酸系単量体やその他の単量体を含む単量体成分を重合する方法が挙げられる。上記重合は、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合のいずれの重合反応を用いるものであってもよい。また重合反応は光重合、熱重合のいずれであってもよい。
重合方法としては、特に限定されないが、例えば、重合開始剤を添加する方法、ＵＶを照射する方法、熱を加える方法、光重合開始剤存在下に光を照射する方法等が挙げられる。上記重合工程では、重合開始剤を用いることが好ましい。
【0027】
上記重合開始剤としては、例えば、過酸化水素；過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩；ジメチル２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオネート）、２，２’－アゾビス（イソブチロニトリル）、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩（２，２’－アゾビス－２－アミジノプロパン二塩酸塩）、２，２’－アゾビス［Ｎ－（２－カルボキシエチル）－２－メチルプロピオンアミジン］水和物、２，２’－アゾビス［２－（２－イミダゾリン－２－イル）プロパン］、２，２’－アゾビス［２－（２－イミダゾリン－２－イル）プロパン］二塩酸塩、２，２’－アゾビス（１－イミノ－１－ピロリジノ－２－メチルプロパン）二塩酸塩、２，２’－アゾビス（２，４－ジメチルバレロニトリル）、２，２’－アゾジイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（４－メトキシ－２，４－ジメチルバレロニトリル）、ジメチル２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオネート）、２，２’－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）等のアゾ系化合物；過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、過酢酸、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド等の有機過酸化物；アスコルビン酸と過酸化水素、過硫酸塩と金属塩等の、酸化剤と還元剤とを組み合わせてラジカルを発生させる酸化還元型開始剤等が好適である。これらの重合開始剤のうち、残存単量体が減少する傾向にあることから、過酸化水素、過硫酸塩、アゾ系化合物が好ましく、より好ましくは過硫酸塩である。
【0028】
これらの重合開始剤は、単独で使用されてもよく、２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。上記重合開始剤の使用量としては、単量体の使用量１００ｇに対して、０．１ｇ以上、３０ｇ以下であることが好ましく、０．２ｇ以上、２０ｇ以下であることがより好ましく、０．２５ｇ以上、１５ｇ以下であることが更に好ましい。
【0029】
上記重合工程では、必要に応じて、重合体の分子量調整剤として連鎖移動剤を用いてもよい。連鎖移動剤としては、具体的には、チオグリコール酸（メルカプト酢酸）、３－メルカプトプロピオン酸、２－メルカプトプロピオン酸（チオ乳酸）、４－メルカプトブタン酸、チオリンゴ酸及びこれらの塩等のメルカプトカルボン酸やメルカプトエタノール、チオグリセロール、２－メルカプトエタンスルホン酸等；四塩化炭素、塩化メチレン、ブロモホルム、ブロモトリクロロエタン等のハロゲン化物；イソプロパノール、グリセリン等の第２級アルコール；亜リン酸、次亜リン酸、次亜リン酸塩及びこれらの水和物等；亜硫酸水素（塩）や亜硫酸水素（塩）を発生し得る化合物（重亜硫酸（塩）、ピロ亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、亜硫酸（塩）等）；等が挙げられる。中でも亜硫酸水素（塩）、亜リン酸（塩）、メルカプトカルボン酸等のメルカプト基を有する化合物が好ましく、より好ましくは亜硫酸水素（塩）、亜リン酸（塩）である。
【0030】
連鎖移動剤の使用量としては、単量体（全単量体）の使用量１００モル％に対して、０モル％以上、３０モル％以下が好ましく、より好ましくは０モル％以上、２５モル％以下であり、更に好ましくは０モル％以上、２０モル％以下であり、最も好ましくは０モル％以上、１０モル％以下である。
【0031】
上記重合工程は、溶媒中で行ってもよい。使用する重合溶媒としては、所望の重合反応が進行するのであれば、特に限定されないが、得られた重合体溶液をそのまま半導体用洗浄剤組成物の調製に使用しやすい点で、水、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶剤、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド系溶剤等、ジメチルスルホキシド等の含硫黄系溶剤、δ－バレロラクトン等のラクトン系溶剤水溶性有機溶剤等が好ましく挙げられる。
【0032】
上記重合工程において、重合温度としては、４０℃以上であることが好ましく、また、１５０℃以下であることが好ましい。より好ましくは５０℃以上であり、更に好ましくは５５℃以上である。また、より好ましくは１２０℃以下であり、更に好ましくは１１０℃以下である。すなわち、重合温度は、より好ましくは５０～１２０℃であり、更に好ましくは５５～１１０℃である。
【0033】
上記重合工程において単量体成分の反応容器への投入方法は特に限定されず、全量を反応容器に初期に一括投入する方法；全量を反応容器に分割又は連続投入する方法；一部を反応容器に初期に投入し、残りを反応容器に分割又は連続投入する方法等が挙げられる。なお、上記重合開始剤を使用する場合、反応容器に初めから仕込んでもよく、反応容器へ滴下してもよく、また目的に応じてこれらを組み合わせてもよい。
【0034】
重合時間としては、特に制限されないが、好ましくは３０～６００分であり、より好ましくは３０～５００分であり、更に好ましくは３０～４００分である。
【0035】
上記重合体の製造方法は、上述した重合工程以外の他の工程を含んでいてもよい。上記他の工程としては、例えば、熟成工程、中和工程、希釈工程、乾燥工程、濃縮工程、精製工程等が挙げられる。これらの工程は、公知の方法により行うことができる。
【0036】
＜ｐＨ調整剤＞
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、ｐＨ調整剤を含む。本開示の半導体用洗浄剤組成物に含まれるｐＨ調整剤は、所望のｐＨに調整することができる化合物であれば特に限定されず、公知の酸性化合物又は塩基性化合物が挙げられる。中でも、洗浄性能という観点から塩基性化合物であることが好ましい。
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、ｐＨ調整剤を含む。本開示の半導体用洗浄剤組成物に含まれるｐＨ調整剤は、所望のｐＨに調整することができる化合物であれば特に限定されず、公知の酸性化合物又は塩基性化合物が挙げられる。中でも、洗浄性能という観点から塩基性化合物であることが好ましい。
【0037】
本開示の塩基性化合物は特に限定されないが、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物などの金属水酸化物；アルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ土類金属炭酸水素塩などの金属炭酸水素塩；アルカリ金属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸塩などの金属炭酸塩；有機塩基性化合物が好ましく、特に好ましくは、金属水酸化物と有機塩基性化合物が挙げられる。
【0038】
本開示の金属水酸化物としては、好ましくはアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物である。具体的には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムなどが挙げられる。
【0039】
本開示の有機塩基性化合物としてはアミン化合物が特に好ましく、特に制限されないが、具体的には、下記一般式（１）で表される化合物、及び、下記一般式（２）で表される化合物からなる群より選ばれる１種以上等が好ましい。
【0040】
【化5】
【0041】
（式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一又は異なって、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１～１８の炭化水素基を表す。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３から選択される少なくとも２つは連結して環を形成していてもよい。）
【0042】
【化6】
【0043】
（式（２）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、同一又は異なって、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１～１８の炭化水素基を表す。）
【0044】
本開示のアミン化合物について、上記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３で表される炭化水素基の炭素数は、１～１２であることが好ましく、より好ましくは１～８であり、さらに好ましくは１～４である。
上記炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられるが、なかでも脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
上記炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられるが、なかでも脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
【0045】
上記一般式（１）においてＲ１、Ｒ２及びＲ３で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐状であってもよい。
【0046】
直鎖状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基等が挙げられる。
【0047】
分岐状のアルキル基としては、例えば、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、１－メチルブチル基、１－エチルプロピル基、２－メチルブチル基、イソアミル基、１，２－ジメチルプロピル基、１，１－ジメチルプロピル基、ｔｅｒｔ－アミル基、１，３－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、１－メチルペンチル基、１－メチルブチル基、１－エチルブチル基、２－エチルブチル基、２－エチル－２－メチルプロピル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソオクチル基、１－エチルヘキシル基、１－プロピルペンチル基、２－エチルヘキシル基、２－プロピルペンチル基等が挙げられる。
【0048】
環状のアルキル基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基、シクロヘキサデシル基、シクロオクタデシル基等が挙げられる。
【0049】
上記炭化水素基は、置換基を有していてもよい。上記置換基としては特に限定されないが、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、エーテル基、シアノ基、チオール基、アミノ基などが挙げられる。好ましくは、水酸基、アルコキシ基であり、より好ましくは、水酸基である。
【0050】
上記炭化水素基が有する置換基の数は、特に限定されないが、ｐＨ調整能という点で、好ましくは０～６であり、より好ましくは０～３である。
【0051】
上記Ｒ１、Ｒ２及びＲ３から選択される少なくとも２つは連結して環を形成していてもよい。形成される環は、飽和であっても不飽和であってもよく、単環であっても多環であってもよい。また、環を構成する原子には、窒素原子が含まれていてもよい。上記環は、置換基を有していてもよい。上記環が有する置換基としては、上述した置換基やアルキル基等が挙げられる。
【0052】
本開示のアミン化合物について、上記一般式（１）で表される化合物としては、具体的には、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ－ジイソプロピルエチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等のアルキルアミン；アニリン、トルイジン等の芳香族アミンや、ピロール、ピリジン、ピコリン、ルチジン、ジアザビシクロウンデセン等の含窒素複素環式化合物等の有機アミン；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、２－（２－アミノエチルアミノ）エタノール等のアルカノールアミンなどが挙げられる。なかでも、アルカノールアミンが好ましい。
【0053】
本開示のアミン化合物について、上記一般式（２）において、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７で表される炭化水素基の炭素数は、１～１８であることが好ましく、より好ましくは１～１２であり、さらに好ましくは１～８であり、よりさらに好ましくは１～４である。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７で表される炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられるが、なかでも脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７で表される炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられるが、なかでも脂肪族炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
【0054】
上記一般式（２）においてＲ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐状であってもよい。上記アルキル基としては、特に制限されないが、上述したＲ１、Ｒ２及びＲ３で表されるアルキル基と同様のものが挙げられる。
【0055】
上記炭化水素基は、置換基を有していてもよい。上記置換基としては特に限定されないが、水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子、エーテル基、シアノ基、チオール基などが挙げられる。好ましくは、水酸基、アルコキシ基であり、より好ましくは、水酸基である。
【0056】
上記一般式（２）においてＲ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７で表される炭化水素基が有する置換基の数は、１以上であればよく、２以上であってもよく、１～３が好ましい。
【0057】
本開示のアミン化合物について、上記一般式（２）で表される化合物としては、具体的には、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、水酸化トリメチル－２－ヒドロキシエチルアンモニウム（コリン）、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、メチルトリス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩が挙げられる。
【0058】
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、ｐＨ調整剤を１種のみ含んでいてもよく、２種以上含んでいてもよい。
本開示の半導体用洗浄剤組成物に含まれるｐＨ調整剤は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、０．１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．３質量％以上であり、さらに好ましくは０．５質量％以上である。一方、２０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１５質量％以下であり、さらに好ましくは１０質量％以下である。
すなわち、上記ｐＨ調整剤の含有量は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、好ましくは０．１～２０質量％であり、より好ましくは０．３～１５質量％であり、さらに好ましくは０．５～１０質量％である。
本開示の半導体用洗浄剤組成物に含まれるｐＨ調整剤は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、０．１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．３質量％以上であり、さらに好ましくは０．５質量％以上である。一方、２０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１５質量％以下であり、さらに好ましくは１０質量％以下である。
すなわち、上記ｐＨ調整剤の含有量は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、好ましくは０．１～２０質量％であり、より好ましくは０．３～１５質量％であり、さらに好ましくは０．５～１０質量％である。
【0059】
上記ｐＨ調整剤の含有量は、上記重合体１００質量部に対して、好ましくは１０～２０００質量部であり、より好ましくは２０～１８００質量部であり、更に好ましくは２５～１７００質量部である。
【0060】
＜その他成分＞
本開示の半導体用洗浄剤組成物には、上述した成分以外の、その他成分を含んでいてもよい。その他成分としては、特に限定されないが、例えば、色移り防止剤、柔軟剤、香料、可溶化剤、蛍光剤、着色剤、起泡剤、泡安定剤、つや出し剤、殺菌剤、漂白剤、漂白助剤、酵素、染料、分散剤、溶媒等が挙げられる。
本開示の半導体用洗浄剤組成物には、上述した成分以外の、その他成分を含んでいてもよい。その他成分としては、特に限定されないが、例えば、色移り防止剤、柔軟剤、香料、可溶化剤、蛍光剤、着色剤、起泡剤、泡安定剤、つや出し剤、殺菌剤、漂白剤、漂白助剤、酵素、染料、分散剤、溶媒等が挙げられる。
【0061】
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、任意であるが、分散剤を含むことが好ましい。分散剤としては特に限定されないが、金属残渣の除去性がより一層向上する点で、ノニオン性分散剤を含むことが好ましい。
【0062】
ノニオン性分散剤としては、特に限定されないが、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリジメチルアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリアルキレングリコール、ポリグリセリン、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。特に、ノニオン性分散剤として、下記一般式（３）、（４）で示される化合物及びＮ－ビニルピロリドンに代表されるＮ－ビニルラクタム系重合体を含むことが好ましく、下記一般式（３）で示される化合物、及び／又は、下記一般式（４）で示される化合物を含むことがより好ましい。
【0063】
【化7】
【0064】
（式（３）中、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、同一又は異なって、水素原子、又は、アルキル基を表す。Ｒ１１及びＲ１２は、同一又は異なって、アルキレン基を表す。ｘ及びｙは、同一又は異なって、０～５０の整数を表す。（ｘ＋ｙ）は１以上の整数である。）
【0065】
【化8】
【0066】
（式（４）中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、同一又は異なって、水素原子、又は、アルキル基を表す。Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、同一又は異なって、アルキレン基、又は、アルキニレン基を表す。ｘ及びｙは、同一又は異なって、０～５０の整数を表す。（ｘ＋ｙ）は１以上の整数である。）
【0067】
上記一般式（３）において、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０で表されるアルキル基は、直鎖状であっても良く、分岐状であっても良い。上記一般式（３）のアルキル基の炭素数は、１以上であることが好ましく、より好ましくは２以上であり、さらに好ましくは３以上である。一方、２０以下であることが好ましく、より好ましくは１８以下であり、さらに好ましくは１２以下である。すなわち、上記一般式（３）におけるＲ８、Ｒ９及びＲ１０で表されるアルキル基の炭素数は、好ましくは１～２０であり、より好ましくは２～１８であり、さらに好ましくは３～１２である。
【0068】
上記一般式（３）のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、ヘプチル基、２－メチルヘキシル基、３－メチルヘキシル基、２，２－ジメチルペンチル基、２，３－ジメチルペンチル基、２，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２，２，３－トリメチルブチル基、オクチル基、メチルヘプチル基、ジメチルヘキシル基、２－エチルヘキシル基、３－エチルヘキシル基、トリメチルペンチル基、３－エチル－２－メチルペンチル基、２－エチル－３－メチルペンチル基、２，２，３，３－テトラメチルブチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等の直鎖状又は分岐状のアルキル基等が挙げられる。
【0069】
上記一般式（３）において、Ｒ１１及びＲ１２で表されるアルキレン基は、直鎖状であっても良く、分岐状であってもよい。上記一般式（３）において、Ｒ１１及びＲ１２で表されるアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、２－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ネオペンチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、メチルメチレン基、メチルエチレン基、１－メチルペンチレン基、１，４－ジメチルブチレン基等が挙げられる。好ましくは、炭素数２～４のアルキレン基であり、さらに好ましくは、炭素数２～３のアルキレン基である。ウエハ表面への金属残渣の付着を低減する傾向にある。
【0070】
上記一般式（３）において、ｘ及びｙは、同一又は異なってもよく、０～５０の数であり、好ましくは０～４０であり、より好ましくは０～３０であり、さらに好ましくは０～２５であり、よりさらに好ましくは０～２０である。
【0071】
上記一般式（３）において、ｘは、アルキレンオキシド（Ｒ１１Ｏ）の平均付加モル数を表し、ｙは、アルキレンオキシド（Ｒ１２Ｏ）の平均付加モル数を表す。ｘ及びｙは、いずれのアルキレンオキシドにおいて同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【0072】
上記一般式（３）において、ｘは、０～３０の数であることが好ましく、より好ましくは０～２５であり、さらに好ましくは０～２０である。ｙは、０～２０の数であることが好ましく、より好ましくは０～１５であり、さらに好ましくは、０～１０である。ここで、ｘ及びｙは、１以上の整数であることが好ましい。親水性及び疎水性を制御し易い傾向にある。上記一般式（３）において、分子構造がコンパクトになり高い浸透性が発現しうる点で、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０のうち２つ以上がアルキル基であることが好ましい。
【0073】
上記一般式（４）において、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６で表されるアルキル基は、上述したＲ８、Ｒ９及びＲ１０で表されるアルキル基と同様のものが挙げられる。
【0074】
上記一般式（４）のアルキル基の炭素数は、１以上であることが好ましく、より好ましくは２以上である。一方、２０以下であることが好ましく、より好ましくは１８以下であり、さらに好ましくは１２以下である。
【0075】
上記一般式（４）において、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１で表されるアルキレン基は、上述したＲ１１及びＲ１２で表されるアルキレン基と同様のものが挙げられる。アルキレン基として好ましくは、炭素数が２～４であり、さらに好ましくは、炭素数２～３のアルキレン基である。
【0076】
上記一般式（４）において、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１で表されるアルキニレン基としては、エチニレン基（－Ｃ≡Ｃ－）、プロピニレン基（－Ｃ≡Ｃ－ＣＨ２－）、１－ブチニレン基（－Ｃ≡Ｃ－ＣＨ２－ＣＨ２－）、２－ブチニレン基（－ＣＨ２－Ｃ≡Ｃ－ＣＨ２－）等が挙げられる。なかでも、炭素数２～６のアルキニレン基が好ましく、炭素数２～４のアルキニレン基がより好ましい。
【0077】
上記一般式（４）において、ｘ及びｙは、同一又は異なってもよく、０～５０の数であり、好ましくは０～４０であり、より好ましくは０～３０であり、さらに好ましくは０～２５であり、よりさらに好ましくは０～２０である。
【0078】
上記一般式（４）において、ｘは、アルキレンオキシド（Ｒ１７Ｏ）及び（Ｒ１９Ｏ）の平均付加モル数を表し、ｙは、アルキレンオキシド（Ｒ１８Ｏ）及び（Ｒ２０Ｏ）の平均付加モル数を表す。ｘ及びｙは、いずれのアルキレンオキシドにおいて同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【0079】
上記一般式（４）において、ｘは、１～３０の数であることが好ましく、より好ましくは１～２０であり、さらに好ましくは１～１８である。ｙは、０～３０の数あることが好ましく、より好ましくは０～２０であり、さらに好ましくは、０～１０である。ここで、ｘ及びｙは、１以上の整数であることが好ましい。
【0080】
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、溶媒を含んでいてもよい。上記溶媒としては、水、低級アルコール、エーテル系溶剤、アミド系溶剤、含硫黄系溶剤、ラクトン系溶剤水溶性有機溶剤等が挙げられる。これらの溶媒は、上述した重合溶媒と同じものであってもよい。なかでも、上記溶媒は、水を含むことが好ましい。上記溶媒は、２種以上を含む混合液であってもよい。
【0081】
本開示の半導体用洗浄剤組成物に含まれる溶媒の含有量は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、好ましくは０～３０質量％であり、より好ましくは０～２０質量％であり、さらに好ましくは０～１０質量％である。
【0082】
本開示の半導体用洗浄剤組成物に含まれる溶媒以外のその他成分は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、０．００１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上であり、さらに好ましくは０．０２質量％以上である。一方、２０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは１０質量％以下であり、さらに好ましくは５質量％以下である。すなわち、上記その他成分の含有量は、半導体用洗浄剤組成物の総量に対し、好ましくは０．００１～２０質量％であり、より好ましくは０．０１～１０質量％であり、さらに好ましくは０．０２～５質量％である。
【0083】
本開示の半導体用洗浄剤組成物に含まれる重合体、ｐＨ調整剤、その他成分などの各成分の含有量とは、一又は複数の実施形態において、洗浄工程に使用される、すなわち、洗浄への使用を開始する時点（使用時又は洗浄時という場合もある）での半導体用洗浄剤組成物の各成分の含有量をいう。
【0084】
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、分離や析出等を起こして保管安定性を損なわない範囲での量を減らした濃縮物として調製してもよい。半導体用洗浄剤組成物の濃縮タイプは、輸送コストの観点から５倍以上であることが好ましく、保存安定性の観点から１００倍以下が好ましい。
【0085】
本開示の半導体用洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分が上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水で希釈して使用することができる。さらに半導体用洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分を別々に添加して使用することもできる。本開示において半導体用洗浄剤組成物の濃縮物の「使用時」又は「洗浄時」とは、半導体用洗浄剤組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。
【0086】
本開示の半導体用洗浄剤組成物のｐＨは、７以上である。半導体用洗浄剤組成物のｐＨが７以上であると、金属残渣の除去性をより一層向上させることができる。上記ｐＨは、金属残渣の除去性が向上できる点で、より好ましくは８以上であり、さらに好ましくは９以上であり、より更に好ましくは１１以上である。一方、１４以下であることが好ましく、より好ましくは、１３．８以下であり、さらに好ましくは１３．６以下である。上記ｐＨは、好ましくは７～１４であり、より好ましくは８～１３．８であり、さらに好ましくは９～１３．６であり、より更に好ましくは１１～１３．６である。
上記ｐＨは、ｐＨメーターを用いて、２３℃で測定することにより求めることができる。
上記ｐＨは、ｐＨメーターを用いて、２３℃で測定することにより求めることができる。
【0087】
［半導体用洗浄剤組成物の製造方法］
本開示の半導体用洗浄剤組成物を製造する方法は、特に限定されず、公知の方法を用いればよく、例えば、上述した各成分を、各種の混合機や分散機等を用いて混合分散する方法が挙げられる。混合分散は、特に限定されず、公知の方法により行えばよい。また、通常行われる他の工程を更に含んでいてもよい。
本開示の半導体用洗浄剤組成物を製造する方法は、特に限定されず、公知の方法を用いればよく、例えば、上述した各成分を、各種の混合機や分散機等を用いて混合分散する方法が挙げられる。混合分散は、特に限定されず、公知の方法により行えばよい。また、通常行われる他の工程を更に含んでいてもよい。
【0088】
［使用方法］
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、半導体製造プロセスにおけるＣＭＰ工程後の洗浄工程において使用されることが好ましい。ＣＭＰ工程後の半導体基板の表面には、金属配線や保護膜、絶縁膜等の研磨屑や有機残渣が残留している。また、ＣＭＰ工程で用いた化学研磨剤が残留している場合がある。ＣＭＰ工程後に、このような残渣が存在する基板表面を、本開示の半導体用洗浄剤組成物を用いて洗浄することにより、残渣を良好に除去することができる。
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、半導体製造プロセスにおけるＣＭＰ工程後の洗浄工程において使用されることが好ましい。ＣＭＰ工程後の半導体基板の表面には、金属配線や保護膜、絶縁膜等の研磨屑や有機残渣が残留している。また、ＣＭＰ工程で用いた化学研磨剤が残留している場合がある。ＣＭＰ工程後に、このような残渣が存在する基板表面を、本開示の半導体用洗浄剤組成物を用いて洗浄することにより、残渣を良好に除去することができる。
【0089】
上記金属配線、保護膜、絶縁膜としては、特に限定されず、半導体製造プロセスにおいて通常使用される公知の金属配線、保護膜、絶縁膜が挙げられる。
上記化学研磨剤としては、特に限定されず、ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＭｎＯ、ＳｉＯ２等の金属酸化物からなる砥粒のスラリー等、公知のものが挙げられる。
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、上述した残渣を良好に除去することができるが、特にＣｅＯ２（セリア）の除去に優れる。
上記化学研磨剤としては、特に限定されず、ＣｅＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＭｎＯ、ＳｉＯ２等の金属酸化物からなる砥粒のスラリー等、公知のものが挙げられる。
本開示の半導体用洗浄剤組成物は、上述した残渣を良好に除去することができるが、特にＣｅＯ２（セリア）の除去に優れる。
【0090】
本開示の半導体用洗浄剤組成物を用いてＣＭＰ工程後の基板表面を洗浄する方法としては、特に限定されず、公知の方法で行うことができ、例えば、ＣＭＰ工程後の基板を半導体用洗浄剤組成物に浸漬して洗浄する方法や、スピン式やスプレー式で洗浄する方法等が挙げられる。
上記半導体用洗浄剤組成物の使用時の温度は、特に限定されないが、例えば、洗浄効率の観点で、２０～９０℃が好ましく、２０～７０℃がより好ましく、２０～５０℃がさらに好ましい。
上記半導体用洗浄剤組成物の使用時の温度は、特に限定されないが、例えば、洗浄効率の観点で、２０～９０℃が好ましく、２０～７０℃がより好ましく、２０～５０℃がさらに好ましい。
【実施例】
【0091】
以下に、実施例を示すことにより本発明を更に詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更実施をすることは全て本発明の技術的範囲に包含される。なお、特に断りのない限り、「％」、「ｗｔ％」は「質量％」を意味するものとする。
【0092】
＜重量平均分子量（Ｍｗ）の測定条件１＞
装置：Ｗａｔｅｒｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ ｅ２６９５（ＲＩ：２４１４ ＰＤＡ：２９９８）
カラム：Ａｓａｈｉｐａｋ ＧＦ－７Ｍ ＨＱ×２、Ａｓａｈｉｐａｋ ＧＦ－１Ｇ ７Ｂ
溶離液：０．１Ｍ酢酸ナトリウム水溶液（ｐＨ ７．４）
流速：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
温度：４０℃
検量線：Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製 Ｐｏｌｙａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ ｓｔａｎｄａｒｄ
装置：Ｗａｔｅｒｓ Ａｌｌｉａｎｃｅ ｅ２６９５（ＲＩ：２４１４ ＰＤＡ：２９９８）
カラム：Ａｓａｈｉｐａｋ ＧＦ－７Ｍ ＨＱ×２、Ａｓａｈｉｐａｋ ＧＦ－１Ｇ ７Ｂ
溶離液：０．１Ｍ酢酸ナトリウム水溶液（ｐＨ ７．４）
流速：０．５ｍＬ／ｍｉｎ
温度：４０℃
検量線：Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製 Ｐｏｌｙａｃｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ ｓｔａｎｄａｒｄ
【0093】
＜重量平均分子量（Ｍｗ）の測定条件２＞
装置：東ソー製 ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ
検出器：ＲＩ
カラム：東ソー製 ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｇ３０００ＰＷＸＬ
カラム温度：３５℃
流速：０．５ｍｌ／ｍｉｎ
検量線：創和科学社製 ＰＯＬＹ ＳＯＤＩＵＭ ＡＣＲＹＬＡＴＥ ＳＴＡＮＤＡＲＤ
溶離液：リン酸二水素ナトリウム１２水和物／リン酸水素二ナトリウム２水和物（３４．５ｇ／４６．２ｇ）の混合物を純水にて５０００ｇに希釈した溶液。
装置：東ソー製 ＨＬＣ－８３２０ＧＰＣ
検出器：ＲＩ
カラム：東ソー製 ＴＳＫ－ＧＥＬ Ｇ３０００ＰＷＸＬ
カラム温度：３５℃
流速：０．５ｍｌ／ｍｉｎ
検量線：創和科学社製 ＰＯＬＹ ＳＯＤＩＵＭ ＡＣＲＹＬＡＴＥ ＳＴＡＮＤＡＲＤ
溶離液：リン酸二水素ナトリウム１２水和物／リン酸水素二ナトリウム２水和物（３４．５ｇ／４６．２ｇ）の混合物を純水にて５０００ｇに希釈した溶液。
【0094】
［重合体の合成］
＜合成例１＞
還流冷却器、攪拌機を備えた容量５ＬのＳＵＳ製反応容器に、イオン交換水１７８５ｇを仕込み、攪拌しながら沸点還流状態まで昇温した。次いで攪拌下、沸点還流状態の重合反応系中に、８０％アクリル酸（以下ＡＡ）５０４ｇ、１５％過硫酸ナトリウム（以下ＮａＰＳ）１６７ｇをそれぞれ別々のノズルより滴下した。各溶液の滴下時間は８０％ＡＡが１８０分、１５％ＮａＰＳが１８５分、イオン交換水が１７０分であった。１５％ＮａＰＳ溶液滴下終了後、更に３０分間、反応溶液を沸点還流状態に保持（熟成）し、重合を完結させた。このようにして重合体を含む重合体水溶液１を得た。得られた重合体の重量平均分子量は１４１００（測定条件１）であった。
＜合成例１＞
還流冷却器、攪拌機を備えた容量５ＬのＳＵＳ製反応容器に、イオン交換水１７８５ｇを仕込み、攪拌しながら沸点還流状態まで昇温した。次いで攪拌下、沸点還流状態の重合反応系中に、８０％アクリル酸（以下ＡＡ）５０４ｇ、１５％過硫酸ナトリウム（以下ＮａＰＳ）１６７ｇをそれぞれ別々のノズルより滴下した。各溶液の滴下時間は８０％ＡＡが１８０分、１５％ＮａＰＳが１８５分、イオン交換水が１７０分であった。１５％ＮａＰＳ溶液滴下終了後、更に３０分間、反応溶液を沸点還流状態に保持（熟成）し、重合を完結させた。このようにして重合体を含む重合体水溶液１を得た。得られた重合体の重量平均分子量は１４１００（測定条件１）であった。
【0095】
＜合成例２＞
還流冷却機、攪拌機（パドル翼）、温度計を備えた容量２．５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコに、純水３２９．０ｇを仕込み（初期仕込）、攪拌下、沸点まで昇温した。次いで攪拌下、沸点還流状態の重合反応系中に８０質量％アクリル酸水溶液（以下「８０％ＡＡ」と称する）９００．０ｇ（すなわち１０．０ｍｏｌ）を１８０分間、１５質量％過硫酸ナトリウム水溶液（以下「１５％ＮａＰＳ」と称する）５９．２ｇを１９５分間、４５質量％次亜リン酸ナトリウム水溶液（以下「４５％ＳＨＰ」と称する）２１．４ｇを１８分間と更に続いて８４．８ｇを１６２分間と２段階の供給速度で、それぞれ別々の供給経路を通じて先端ノズルより滴下した。それぞれの成分の滴下は、４５％ＳＨＰ以外は一定の滴下速度で連続的に行った。８０％ＡＡの滴下終了後、さらに３０分間に渡って反応溶液を沸点還流状態に保持（熟成）して重合を完結せしめた。重合の完結後、反応溶液に純水４１１．８ｇを投入して重合体水溶液２を得た。得られた重合体の重量平均分子量は４１００（測定条件２）であった。
還流冷却機、攪拌機（パドル翼）、温度計を備えた容量２．５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコに、純水３２９．０ｇを仕込み（初期仕込）、攪拌下、沸点まで昇温した。次いで攪拌下、沸点還流状態の重合反応系中に８０質量％アクリル酸水溶液（以下「８０％ＡＡ」と称する）９００．０ｇ（すなわち１０．０ｍｏｌ）を１８０分間、１５質量％過硫酸ナトリウム水溶液（以下「１５％ＮａＰＳ」と称する）５９．２ｇを１９５分間、４５質量％次亜リン酸ナトリウム水溶液（以下「４５％ＳＨＰ」と称する）２１．４ｇを１８分間と更に続いて８４．８ｇを１６２分間と２段階の供給速度で、それぞれ別々の供給経路を通じて先端ノズルより滴下した。それぞれの成分の滴下は、４５％ＳＨＰ以外は一定の滴下速度で連続的に行った。８０％ＡＡの滴下終了後、さらに３０分間に渡って反応溶液を沸点還流状態に保持（熟成）して重合を完結せしめた。重合の完結後、反応溶液に純水４１１．８ｇを投入して重合体水溶液２を得た。得られた重合体の重量平均分子量は４１００（測定条件２）であった。
【0096】
＜合成例３＞
還流冷却機、攪拌機（パドル翼）、温度計を備えた容量５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコに純水４０４ｇ、モール塩０．０１５９ｇを仕込み、攪拌しながら９０℃まで昇温した。
次いで攪拌下、８０％ＡＡ １０４０ｇ、４８％ＮａＯＨ水溶液 ４８．１ｇ、１５％ＮａＰＳ １４４．８ｇ、３５％亜硫酸水素ナトリウム（以下ＳＢＳ）１７１ｇをそれぞれ別々のノズルより添加した。
各溶液の滴下時間は８０％ＡＡおよび４８％ＮａＯＨ水溶液が１８０分、１５％ＮａＰＳおよび３５％ＳＢＳ水溶液が１８５分であった。１５％ＮａＰＳの滴下終了後３０分熟成し、重合を完結して重合体水溶液３を得た。得られた重合体の重量平均分子量は５７００（測定条件１）であった。
還流冷却機、攪拌機（パドル翼）、温度計を備えた容量５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコに純水４０４ｇ、モール塩０．０１５９ｇを仕込み、攪拌しながら９０℃まで昇温した。
次いで攪拌下、８０％ＡＡ １０４０ｇ、４８％ＮａＯＨ水溶液 ４８．１ｇ、１５％ＮａＰＳ １４４．８ｇ、３５％亜硫酸水素ナトリウム（以下ＳＢＳ）１７１ｇをそれぞれ別々のノズルより添加した。
各溶液の滴下時間は８０％ＡＡおよび４８％ＮａＯＨ水溶液が１８０分、１５％ＮａＰＳおよび３５％ＳＢＳ水溶液が１８５分であった。１５％ＮａＰＳの滴下終了後３０分熟成し、重合を完結して重合体水溶液３を得た。得られた重合体の重量平均分子量は５７００（測定条件１）であった。
【0097】
＜合成例４＞
還流冷却器、攪拌機および温度計を備えた容量５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコに、イオン交換水６２２ｇおよび無水マレイン酸４１４ｇを仕込み、攪拌下、さらに４８ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液（以下、４８％ＮａＯＨａｑと称する）７０３．６ｇを徐々に添加した。その後、フラスコ内の水溶液を攪拌しながら常圧下で沸点まで昇温した。次に、攪拌下に、８０ｗｔ％アクリル酸水溶液（以下、８０％ＡＡと称する）４６９ｇ、３５ｗｔ％過酸化水素水溶液（以下、３５％Ｈ２Ｏ２と称する）１０６．６ｇ、１５ｗｔ％過硫酸ナトリウム水溶液（以下、１５％ＮａＰＳと称する）１３１．１ｇおよびイオン交換水２１７ｇを、それぞれ別々のノズルより、８０％ＡＡは２６０分間、１５％ＮａＰＳおよび３５％Ｈ２Ｏ２は８０％ＡＡと同時に滴下を開始して２６０分間に渡って、イオン交換水は８０％ＡＡの滴下開始後１５０分経過してから、１４０分間に渡って滴下した。全ての滴下終了後、さらに２０分間に渡って反応溶液を沸点還流状態に保持して重合を完結させた。このようにして、アクリル酸－マレイン酸共重合体（塩）を得た。その後、このアクリル酸－マレイン酸共重合体（塩）のｐＨを４８ｗｔ％ＮａＯＨ水溶液で７．５に調整した。得られた重合体の重量平均分子量は５６００（測定条件１）であった。
還流冷却器、攪拌機および温度計を備えた容量５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコに、イオン交換水６２２ｇおよび無水マレイン酸４１４ｇを仕込み、攪拌下、さらに４８ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液（以下、４８％ＮａＯＨａｑと称する）７０３．６ｇを徐々に添加した。その後、フラスコ内の水溶液を攪拌しながら常圧下で沸点まで昇温した。次に、攪拌下に、８０ｗｔ％アクリル酸水溶液（以下、８０％ＡＡと称する）４６９ｇ、３５ｗｔ％過酸化水素水溶液（以下、３５％Ｈ２Ｏ２と称する）１０６．６ｇ、１５ｗｔ％過硫酸ナトリウム水溶液（以下、１５％ＮａＰＳと称する）１３１．１ｇおよびイオン交換水２１７ｇを、それぞれ別々のノズルより、８０％ＡＡは２６０分間、１５％ＮａＰＳおよび３５％Ｈ２Ｏ２は８０％ＡＡと同時に滴下を開始して２６０分間に渡って、イオン交換水は８０％ＡＡの滴下開始後１５０分経過してから、１４０分間に渡って滴下した。全ての滴下終了後、さらに２０分間に渡って反応溶液を沸点還流状態に保持して重合を完結させた。このようにして、アクリル酸－マレイン酸共重合体（塩）を得た。その後、このアクリル酸－マレイン酸共重合体（塩）のｐＨを４８ｗｔ％ＮａＯＨ水溶液で７．５に調整した。得られた重合体の重量平均分子量は５６００（測定条件１）であった。
【0098】
＜合成例５＞
還流冷却機、攪拌機（パドル翼）、温度計を備えた容量５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコにイオン交換水１１２０ｇを仕込み、攪拌しながら沸点還流状態まで昇温した。次いで攪拌下、沸点還流状態の重合反応系中に、３７％アクリル酸ナトリウム（以下ＳＡ）１４８０ｇ、１５％ＮａＰＳ水溶液６５ｇ、イオン交換水１５７ｇをそれぞれ別々のノズルより滴下した。各溶液の滴下時間は３７％ＳＡが１４０分、１５％ＮａＰＳ、イオン交換水が１４５分であった。得られた重合体の重量平均分子量は３０００（測定条件２）であった。
還流冷却機、攪拌機（パドル翼）、温度計を備えた容量５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコにイオン交換水１１２０ｇを仕込み、攪拌しながら沸点還流状態まで昇温した。次いで攪拌下、沸点還流状態の重合反応系中に、３７％アクリル酸ナトリウム（以下ＳＡ）１４８０ｇ、１５％ＮａＰＳ水溶液６５ｇ、イオン交換水１５７ｇをそれぞれ別々のノズルより滴下した。各溶液の滴下時間は３７％ＳＡが１４０分、１５％ＮａＰＳ、イオン交換水が１４５分であった。得られた重合体の重量平均分子量は３０００（測定条件２）であった。
【0099】
＜合成例６＞
還流冷却器、攪拌機および温度計を備えた容量５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコに、イオン交換水３８１ｇおよび無水マレイン酸２４２．６ｇを仕込み、攪拌下、さらに４８ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液（以下、４８％ＮａＯＨａｑと称する）４０８．５ｇを徐々に添加した。その後、フラスコ内の水溶液を攪拌しながら常圧下で沸点まで昇温した。次に、攪拌下に、８０ｗｔ％アクリル酸水溶液（以下、８０％ＡＡと称する）４９８ｇ、３５ｗｔ％過酸化水素水溶液（以下、３５％Ｈ２Ｏ２と称する）１２２．４ｇ、１５ｗｔ％過硫酸ナトリウム水溶液（以下、１５％ＮａＰＳと称する）１５７．３ｇおよびイオン交換水２５０ｇを、それぞれ別々のノズルより、８０％ＡＡおよび３５％Ｈ２Ｏ２は２４０分間、１５％ＮａＰＳは８０％ＡＡと同時に滴下を開始して２５０分間に渡って、イオン交換水は８０％ＡＡの滴下開始後１１０分経過してから、１６０分間にわたって滴下した。全ての滴下終了後、さらに３０分間に渡って反応溶液を沸点還流状態に保持して重合を完結させた。このようにして、アクリル酸－マレイン酸共重合体（塩）を得た。その後、このアクリル酸－マレイン酸共重合体（塩）のｐＨをＮａＯＨ水溶液で８．５に調整した。得られた重合体の重量平均分子量は１０７００（測定条件１）であった。
還流冷却器、攪拌機および温度計を備えた容量５リットルのＳＵＳ製セパラブルフラスコに、イオン交換水３８１ｇおよび無水マレイン酸２４２．６ｇを仕込み、攪拌下、さらに４８ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液（以下、４８％ＮａＯＨａｑと称する）４０８．５ｇを徐々に添加した。その後、フラスコ内の水溶液を攪拌しながら常圧下で沸点まで昇温した。次に、攪拌下に、８０ｗｔ％アクリル酸水溶液（以下、８０％ＡＡと称する）４９８ｇ、３５ｗｔ％過酸化水素水溶液（以下、３５％Ｈ２Ｏ２と称する）１２２．４ｇ、１５ｗｔ％過硫酸ナトリウム水溶液（以下、１５％ＮａＰＳと称する）１５７．３ｇおよびイオン交換水２５０ｇを、それぞれ別々のノズルより、８０％ＡＡおよび３５％Ｈ２Ｏ２は２４０分間、１５％ＮａＰＳは８０％ＡＡと同時に滴下を開始して２５０分間に渡って、イオン交換水は８０％ＡＡの滴下開始後１１０分経過してから、１６０分間にわたって滴下した。全ての滴下終了後、さらに３０分間に渡って反応溶液を沸点還流状態に保持して重合を完結させた。このようにして、アクリル酸－マレイン酸共重合体（塩）を得た。その後、このアクリル酸－マレイン酸共重合体（塩）のｐＨをＮａＯＨ水溶液で８．５に調整した。得られた重合体の重量平均分子量は１０７００（測定条件１）であった。
【0100】
［実施例１～９、比較例１～２］
表１に示すように、水、重合体、その他添加剤としてノニオン性分散剤を混合し、所定のｐＨになるようにｐＨ調整剤を添加し、洗浄剤組成物を調製した。なお、ノニオン性分散剤は、洗浄剤組成物の総量１００質量％に対して０．２５質量％となるように添加した。表１中のｐＨとなるように、水とｐＨ調整剤を適宜添加し、洗浄剤を調製した。
表１に示すように、水、重合体、その他添加剤としてノニオン性分散剤を混合し、所定のｐＨになるようにｐＨ調整剤を添加し、洗浄剤組成物を調製した。なお、ノニオン性分散剤は、洗浄剤組成物の総量１００質量％に対して０．２５質量％となるように添加した。表１中のｐＨとなるように、水とｐＨ調整剤を適宜添加し、洗浄剤を調製した。
【0101】
（汚染クーポン作成方法）
九州セミコンダクター社から購入したＴＥＯＳ膜付ウエハを１．５ｃｍ角にカットした。
昭和電工マテリアルより購入したＣｅＯ２スラリー（昭和電工マテリアル社製ＨＳ０２２０）を１００倍に希釈し、汚染溶液を作成した。カットしたウエハを汚染溶液に１分間浸漬させた。浸漬後、超純水を入れたＰＦＡポットに３０秒浸漬し、その後超純水で５分以上すすいだ。
上記ウエハを乾燥させ、汚染クーポンを作成した。
九州セミコンダクター社から購入したＴＥＯＳ膜付ウエハを１．５ｃｍ角にカットした。
昭和電工マテリアルより購入したＣｅＯ２スラリー（昭和電工マテリアル社製ＨＳ０２２０）を１００倍に希釈し、汚染溶液を作成した。カットしたウエハを汚染溶液に１分間浸漬させた。浸漬後、超純水を入れたＰＦＡポットに３０秒浸漬し、その後超純水で５分以上すすいだ。
上記ウエハを乾燥させ、汚染クーポンを作成した。
【0102】
（洗浄処理）
実施例毎に調製した洗浄剤組成物３０ｍｌをＰＦＡ容器に入れ、上述の汚染基板を洗浄剤組成物中に浸漬して、超音波装置（ＢＲＡＮＳＯＮ社製Ｓ８５００）を用いて２分間超音波照射（処理条件：出力４０ＫＨｚ）して洗浄を実施した。超音波処理後、超純水で５分間すすぎ洗いを行い、自然乾燥させて洗浄を実施した。
実施例毎に調製した洗浄剤組成物３０ｍｌをＰＦＡ容器に入れ、上述の汚染基板を洗浄剤組成物中に浸漬して、超音波装置（ＢＲＡＮＳＯＮ社製Ｓ８５００）を用いて２分間超音波照射（処理条件：出力４０ＫＨｚ）して洗浄を実施した。超音波処理後、超純水で５分間すすぎ洗いを行い、自然乾燥させて洗浄を実施した。
【0103】
（洗浄率算出方法）
洗浄前後のＴＥＯＳ膜基板の表面分析をＸ線光電分光機で以下の条件にて行った。
装置：ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製ＡＸＩＳ－ＮＯＶＡ
測定条件／励起源：Ａｌ Ｋα １２ｍＡ １２ｋＶ、Ｐａｓｓ Ｅｎｅｒｇｙ：１６０ｅＶ
Ｖｉｓｉｏｎ２ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇソフトウエア（ＫＲＡＴＯＳ ＡＮＡＬＹＴＩＣＡＬ社製）を用いてピーク面積比からＣｅ元素の表面元素比率を定量した。洗浄を実施する前後の基板表面に存在するＣｅ元素の差（％）で洗浄性能を判断した。なお、洗浄率は以下の式に従って算出した。
洗浄率（％）＝（洗浄後基板のＣｅ比率－洗浄前基板のＣｅ比率）／洗浄前基板のＣｅ比率×１００
また、洗浄率（％）は以下の判断基準に従って洗浄度を判定した。
洗浄率（％）９５％超１００％以下：◎
９０％超９５％以下：○
９０％以下：×
洗浄前後のＴＥＯＳ膜基板の表面分析をＸ線光電分光機で以下の条件にて行った。
装置：ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製ＡＸＩＳ－ＮＯＶＡ
測定条件／励起源：Ａｌ Ｋα １２ｍＡ １２ｋＶ、Ｐａｓｓ Ｅｎｅｒｇｙ：１６０ｅＶ
Ｖｉｓｉｏｎ２ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇソフトウエア（ＫＲＡＴＯＳ ＡＮＡＬＹＴＩＣＡＬ社製）を用いてピーク面積比からＣｅ元素の表面元素比率を定量した。洗浄を実施する前後の基板表面に存在するＣｅ元素の差（％）で洗浄性能を判断した。なお、洗浄率は以下の式に従って算出した。
洗浄率（％）＝（洗浄後基板のＣｅ比率－洗浄前基板のＣｅ比率）／洗浄前基板のＣｅ比率×１００
また、洗浄率（％）は以下の判断基準に従って洗浄度を判定した。
洗浄率（％）９５％超１００％以下：◎
９０％超９５％以下：○
９０％以下：×
【0104】
【表1】
【0105】
表１中の化合物は、以下の通りである。
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＡＨ２１２：ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド
ノニオン性分散剤（ｉ）：
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＡＨ２１２：ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド
ノニオン性分散剤（ｉ）：
【0106】
【化9】
【0107】
（式中、Ｒ８：Ｈ、Ｒ９及びＲ１０はいずれも炭素数１～１２の直鎖アルキル基であり、Ｒ９とＲ１０の炭素数の合計が１１～１３、Ｒ１１：－Ｃ２Ｈ４－、Ｒ１２：－ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）－、ｘ＝１２、ｙ＝３、ｘとｙは平均付加モル数を表す。）を満たす複数の化合物の混合物。
【0108】
表１の結果から、実施例の洗浄剤組成物は、高いセリア粒子の除去性を持つことが明らかとなった。