特許7805465ダミーエリアを使用して基板にメモリセル、高電圧デバイス、及び論理デバイスを有する半導体デバイスを形成する方法

発明の名称　ダミーエリアを使用して基板にメモリセル、高電圧デバイス、及び論理デバイスを有する半導体デバイスを形成する方法

出願人　シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド　（識別番号 500147506）

　　　　特許公開件数ランキング 1513 位（2件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 951 位（3件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7805465

公報発行日　2026年1月23

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7805465

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