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特許7809128ワイドバンドギャップを有する半導体材料で作られた層のスタックを含むキャパシタ
発明の名称 ワイドバンドギャップを有する半導体材料で作られた層のスタックを含むキャパシタ
出願人 ディアムファブ （識別番号 523336217）
特許公開件数ランキング 11695 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 3043 位（1件）（共同出願を含む）
出願人 サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ スィヤンティフィック（セーエヌエルエス） （識別番号 505045610）
特許公開件数ランキング 11695 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 9559 位（1件）（共同出願を含む）
出願人 アンスティテュー ポリテクニーク ドゥ グルノーブル （識別番号 506079836）
特許公開件数ランキング 11695 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 9559 位（2件）（共同出願を含む）
出願人 ユニヴェルシテ ジョセフ フーリエ フィリエール （識別番号 511148237）
特許公開件数ランキング 11695 位（0件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 9559 位（1件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7809128
公報発行日 2026年1月30
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7809128
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