特許7828626ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法

発明の名称　ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法

出願人　国立大学法人名古屋大学　（識別番号 504139662）

　　　　特許公開件数ランキング 190 位（64件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 307 位（40件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7828626

公報発行日　2026年3月12

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7828626

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