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特許 7828773出願番号 特願 2022-18909
バイポーラ半導体装置
出願人 一般財団法人電力中央研究所（識別番号 173809）
2026年 特許公開件数ランキング 1081位 21件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 791位 23件（※）
公報発行日 2026年3月12
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7828773 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
炭化珪素を用いたＰｉＮダイオードなどのバイポーラ半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、事情に鑑み、オン抵抗の増大を抑制し、かつ逆回復電流を低減することができるバイポーラ半導体装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
目的を達成するための本発明の一態様は、ｎ型のＳｉＣからなるカソード領域と、前記カソード領域の一方面側に形成された耐圧維持層と、前記耐圧維持層の前記カソード領域とは反対側に形成されたｐ型のＳｉＣからなるアノード領域とを備えたバイポーラ半導体装置であって、前記アノード領域には、キャリアをトラップするトラップ層が設けられていることを特徴とするバイポーラ半導体装置にある。
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、オン抵抗の増大を抑制し、かつ逆回復電流を低減することができるバイポーラ半導体装置が提供される。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明のＰｉＮダイオードの概略図である。
【図2】
本発明のＰｉＮダイオードに順バイアス、逆バイアスを掛けたときのキャリアの状態を説明するためのバンド図である。
【図3】
従来型のＰｉＮダイオードの構成である。
【図4】
シミュレーションで用いたＰｉＮダイオードを含む回路図である。
【図5】
オン抵抗と逆回復電流に関するシミュレーション結果を示す図である。
【図6】
オン抵抗と逆回復電流に関するシミュレーション結果を示す図である。
【図7】
オン抵抗と逆回復電流に関するシミュレーション結果を示す図である。
【図8】
本発明のＰｉＮダイオードに関するオン抵抗と逆回復特性のトラップ密度依存性について説明する図である。
【図9】
トラップ密度に対する蓄積電荷、及び逆回復電流のピーク値の関係を示す図である。
【図10】
本発明のＰｉＮダイオードと従来型のＰｉＮダイオードの蓄積電荷及び逆回復特性について説明する図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１…ＰｉＮダイオード（バイポーラ半導体装置）、２…カソード電極、３…アノード電極、１０…カソード領域、２０…耐圧維持層、３０、３０Ａ…アノード領域、３１、３１Ａ…接合層、３２…トラップ層、３３…コンタクト層
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