特許7841190超接合パワー半導体デバイスおよび超接合パワー半導体デバイスの製造方法

発明の名称　超接合パワー半導体デバイスおよび超接合パワー半導体デバイスの製造方法

出願人　ヒタチ・エナジー・リミテッド　（識別番号 523380173）

　　　　特許公開件数ランキング 401 位（29件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 303 位（35件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7841190

公報発行日　2026年4月6

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7841190

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