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特許 7846852出願番号 特願 2022-15713
発光素子
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 85位 219件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 124位 142件（※）
公報発行日 2026年4月16
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7846852 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
発光素子
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明は、光取り出し効率の向上と順方向電圧の低減が可能な発光素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様によれば、発光素子は、下方から上方に向かって順に、ｐ側半導体層と、活性層と、ｎ側半導体層と、を有する半導体構造体であって、上面視において、前記ｎ側半導体層は第１部分と第２部分とを有し、前記第１部分の下方に位置する前記ｐ側半導体層の下面である第１面と、前記第２部分の上面である第２面と、前記第２部分の下方に位置する前記ｐ側半導体層の下面である第３面と、を有する半導体構造体と、前記第・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明によれば、光取り出し効率の向上と順方向電圧の低減が可能な発光素子を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明の一実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図2】
図１のII-II線における模式断面図である。
【図3】
本発明の一実施形態の発光素子における半導体構造体の模式上面図である。
【図4】
サンプルＡ～Ｅについての光出力と順方向電圧の測定結果を示すグラフである。
【図5】
本発明の一実施形態の発光素子の模式上面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１…発光素子、１１…基板、１２…接合部材、２０…半導体構造体、２０ａ…第１面、２０ｂ…第２面、２０ｃ…第３面、２０ｄ…第４面、２１…ｎ側半導体層、２１－１…第１部分、２１－２…第２部分、２１ａ…第１層、２１ｂ…第２層、２２…活性層、２３…ｐ側半導体層、３１…ｐ側電極、３２…ｎ側電極、３２ａ…パッド部、３２ｂ…延伸部、３３…導電性部材、４１…絶縁性部材、４２…保護膜
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