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特許7856527酸化ガリウム系半導体の製造方法
発明の名称 酸化ガリウム系半導体の製造方法
出願人 トヨタ自動車株式会社 （識別番号 3207）
特許公開件数ランキング 2 位（2614件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 1 位（1902件）（共同出願を含む）
出願人 国立大学法人東京工業大学 （識別番号 304021417）
特許公開件数ランキング 582 位（61件）（共同出願を含む）
特許取得件数ランキング 382 位（52件）（共同出願を含む）
公報番号 特許-7856527
公報発行日 2026年5月11
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7856527
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