特許 7858978出願番号特願 2022-58290
誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法及び多層積層セラミックキャパシタ

出願人サムソン　エレクトロ−メカニックス　カンパニーリミテッド．（識別番号 594023722）

2026年特許公開件数ランキング 109位 191件（※）

2026年特許取得件数ランキング 366位 47件（※）

2026年特許公開件数ランキング 1631位 13件（※）

2026年特許取得件数ランキング 1234位 20件（※）

公報発行日　2026年5月15

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7858978　ログイン済みの方はこのURLへ

［この特許公報を共有したい場合］あなたがログインしてこの特許公報を表示すれば、他の人はログインしなくてもこのURLで見ることができるようになります。

※ 共同出願を含む

知財ポータルサイト IP Force にログインすれば、この公報の全文を閲覧できます。ログインはこちら ログイン・ユーザー登録

誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法及び多層積層セラミックキャパシタ

室温から２００℃以上の広い温度範囲で温度特性が優れ、ＤＣバイアス依存性が低い誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法及び多層積層セラミックキャパシタ提供する。

課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、Ｂａ（Ｔｉ（１－２ｘ）ＲｘＷｘ）Ｏ３で表される母材に由来する成分を含む誘電体磁器組成物を提供する。ここで、Ｒは、Ｍｎ及び／又はＭｇである。ｘは、０．０６≦ｘ≦０．１０を満たす。

【図1A】実施例Ａ１及び実施例Ａ２に係る誘電体磁器組成物におけるＸＲＤ（Ｘ－ＲａｙＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果を示すグラフである。

【図1B】実施例Ａ３及び実施例Ａ４に係る誘電体磁器組成物におけるＸＲＤ（Ｘ－ＲａｙＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果を示すグラフである。

【図1C】実施例Ｂ１及び実施例Ｂ２に係る誘電体磁器組成物におけるＸＲＤ（Ｘ－ＲａｙＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果を示すグラフである。

【図1D】比較例１及び比較例２に係る誘電体磁器組成物におけるＸＲＤ（Ｘ－ＲａｙＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果を示すグラフである。

【図1E】比較例Ａ５及び比較例Ａ６に係る誘電体磁器組成物におけるＸＲＤ（Ｘ－ＲａｙＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果を示すグラフである。

【図1F】比較例Ｂ３及び比較例Ｂ４に係る誘電体磁器組成物におけるＸＲＤ（Ｘ－ＲａｙＤｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）分析結果を示すグラフである。

【図2A】実施例及び比較例に係る誘電体磁器組成物における容量温度変化率を示すグラフである。

【図2B】実施例及び比較例に係る誘電体磁器組成物における容量温度変化率を示すグラフである。

【図3A】実施例及び比較例に係る誘電体磁器組成物におけるＤＣバイアス減衰率を示すグラフである。

【図3B】実施例及び比較例に係る誘電体磁器組成物におけるＤＣバイアス減衰率を示すグラフである。

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります