特許7865055IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

セラミックス回路基板の製造方法、セラミックス集合基板、及びセラミックス回路基板

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

レーザー加工のとき、粉塵が発生する。粉塵は様々な問題を生じさせる。例えば、粉塵がセラミックス回路基板に付着することで、セラミックス回路基板の外観が悪くなる。また、粉塵がレーザヘッドの保護ガラスへ付着し、保護ガラスにおけるレーザー透過率が低下する。また、スクライブラインの形状によっては、スクライブラインにおいてセラミックス集合基板を破断するときに、破断位置の精度が低下したり、バリが発生したりする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

（１）本開示の１つの局面は、セラミックス集合基板からセラミックス回路基板を製造するセラミックス回路基板の製造方法である。前記セラミックス集合基板の表面にレーザーを照射することで溝を形成する溝形成工程を含む。前記溝形成工程における前記レーザーのエネルギー密度は、７．０×１０－５ｍＪ／μｍ２以上、１×１０－３ｍＪ／μｍ２以下である。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 セラミックス回路基板の製造方法の例を表す説明図である。
【図2】 セラミックス集合基板の表面に形成されたスクライブラインを表す平面図である。
【図3】 図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ断面を表す断面図である。
【図4】 パルスレーザーの態様を表す説明図である。
【図5】 スクライブラインの長手方向に直交し、且つ、セラミックス集合基板の主面と直交する断面での、セラミックス集合基板を表す断面図である。
【図6】 端面と直交し、且つ、セラミックス回路基板の主面と直交する断面での、セラミックス回路基板を表す断面図である。
【図7】 条件Ｎ１、Ｎ４、Ｎ６の場合における、スクライブラインとその周辺との断面形状を表す光学顕微鏡写真である。
【図8】 図８Ａは、条件Ｎ１の場合の端面の形状を表す電子顕微鏡写真及び立体像である。図８Ｂは、条件Ｎ４の場合の端面の形状を表す電子顕微鏡写真及び立体像である。
【図9】 条件Ｎ１、Ｎ４、Ｎ６の場合の、スクライブラインとその周辺とを表す電子顕微鏡写真である。
【図10】 傾斜角Ｊの定義を表す説明図である。
【図11】 傾斜角Ｍの定義を表す説明図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…窒化珪素基板、３…銅板、５…セラミックス集合基板、７…レーザー照射装置、９…スクライブライン、９Ａ…側壁、１１…パルス、１３…セラミックス回路基板、１６… 端面、１７…第１部、１９…第２部

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