上述のように、ダイヤモンドは、半導体材料や電子・磁気デバイス用材料としての実用化が期待されており、大面積かつ高品質なダイヤモンド基板の供給が望まれている。例えば、特許文献１には、化学気相成長法によるヘテロエピタキシャル成長で、ダイヤモンド（１１１）結晶を形成する技術について報告されている。また、特に、ダイヤモンドの用途のうち重要度の高いＮＶＣデバイス用途では、窒素－空孔軸（ＮＶ軸）が高配向であることが必要で、そのためダイヤモンド表面はＮＶ軸が［１１１］方向に揃う（１１１）結晶面であることが望ましい（非特許文献１）。また、例えば医療用のＭＲＩ分野への適用を考えると、磁気センサー部となるダイヤモンド基板が大直径（大口径）であれば、より広い領域を効率良く測定できる装置が実現できる。また、製造コスト的にも有利である。

本発明は、目的を達成するためになされたものであり、 マイクロ波プラズマＣＶＤ法、直流プラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法及びアーク放電プラズマジェットＣＶＤ法のいずれか１つのＣＶＤ法により、炭化水素ガスと希釈用ガスである水素ガスとを含む原料ガスを用いて、下地基板上にダイヤモンド結晶を形成してダイヤモンド基板を製造する方法において、前記下地基板上に形成するダイヤモンド結晶の少なくとも一・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る