特許 7873741出願番号特願 2025-3576
トレンチキャパシタ構造の製造方法及びトレンチキャパシタ

出願人フラウンホーファー−ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デル・アンゲヴァンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン（識別番号 500341779）

2026年特許公開件数ランキング 398位 54件（※）

2026年特許取得件数ランキング 442位 39件（※）

公報発行日　2026年6月12

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7873741　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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本発明に係るトレンチキャパシタ構造の製造方法及びトレンチキャパシタ、又は誘電体層スタックの製造方法及び誘電体層スタックを有するトレンチキャパシタ

以下、添付図面を参照して、本発明に係る実施形態について更に詳しく説明する。

【図1a】トレンチキャパシタ構造を製造するための方法の本発明の実施形態のブロック図である。

【図1b】トレンチキャパシタ構造を製造するための方法の本発明の実施形態の方法ステップの概略図である。

【図2】酸窒化物層を伴う誘電体層構造を製造するための方法の本発明の実施形態の方法ステップの概略図である。

【図3】複数のＯＮ層対を伴うトレンチキャパシタ構造の本発明の実施形態の概略図である。

【図4】それぞれが酸窒化物層を更に備える複数のＯＮ層対を伴うトレンチキャパシタ構造の本発明の実施形態の概略図である。

【図5】その二酸化ケイ素層が乾式化学酸化によって堆積されたスナバデバイスの本発明の実施形態の特性曲線と、その二酸化ケイ素層がＬＰＣＶＤ堆積によって堆積されたスナバデバイスの特性曲線とを伴う図である。

【図6】その二酸化ケイ素層が乾式化学酸化によって堆積されたスナバデバイスの本発明の実施形態の特性曲線と、二酸化ケイ素層が湿式化学酸化によって堆積されたスナバデバイスの本発明の実施形態の特性曲線とを伴う図である。

【図7】その二酸化ケイ素層が乾式化学酸化によって堆積されたスナバデバイスの本発明の実施形態の特性曲線と、無応力窒化物層を有するスナバデバイスの特性曲線とを伴う図である。

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