特許7875975IP Force 特許公報全文掲載

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独国特許出願第１０ ２０２２ ２０１ ３９４．８号の内容が参照によって組み込まれる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 集束イオンビーム（ＦＩＢ）源と走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）とＸ線検出装置とを含む、半導体試料を層ごとに検査するための検査方法を実行するための検査装置の概略図である。
【図2】 ＦＩＢエッチングによって準備されることになる後続の試料層を規定するＦＩＢエッチング平面の向きと、検査される半導体試料の初期バルク試料表面平面と、Ｘ線検出方向と一致するＳＥＭプローブ方向と、を示す、試料検査ジオメトリを示す図である。
【図3】 ３Ｄ垂直ＮＡＮＤフラッシュメモリ設計の軸方向断面図であり、互いに隣接する異なる材料エリアが異なるハッチングで描かれている。
【図4】 検査される試料の対象領域体積の概略断面図であり、電子ビーム／試料相互作用およびそのような体積のそれぞれの相互作用エリアから発せられるＸ線の概略的なスケッチを含む。
【図5】 図４の描写と同様の描写の、電子ビーム／試料相互作用体積のサイズがプロービング電子のエネルギーに依存することを示す図である。
【図6】 図５の描写と同様の描写の、相互作用体積がかかる相互作用体積中に存在している試料元素の原子番号に依存することを示す図である。
【図7】 メモリセルキャパシタ、例えば垂直ＮＡＮＤ設計の一部として具現化された半導体試料の、ＦＩＢ－ＳＥＭ走査のシーケンスを示す概略図であり、検査方法の一部である左から右へのシーケンスにおいて、電子ビーム／試料相互作用体積は、メモリセルキャパシタが位置する上側層から底部基板層へと移動する。
【図8】 図４と同様の描写で、頂部から底部へと電子ビームエネルギーが増加している、検査方法の後処理ステップの一部であり得る電子ビーム／試料相互作用体積のモンテカルロシミュレーションを示す図であり、図８の最下段の描写にはＸ線経路も描かれている。
【図9】 より軽い材料とより重い材料との間の、垂直方向（図９および図１０）および水平方向（図１１および図１２）の境界線における、対象領域体積の概略図である。
【図10】 より軽い材料とより重い材料との間の、垂直方向（図９および図１０）および水平方向（図１１および図１２）の境界線における、対象領域体積の概略図である。
【図11】 より軽い材料とより重い材料との間の、垂直方向（図９および図１０）および水平方向（図１１および図１２）の境界線における、対象領域体積の概略図である。
【図12】 より軽い材料とより重い材料との間の、垂直方向（図９および図１０）および水平方向（図１１および図１２）の境界線における、対象領域体積の概略図である。
【図13】 図９～図１２と同様に表現した、同一のプローブ電子エネルギーを用いた、より軽い材料およびより重い材料の中にある、対象領域体積の比較の図である。
【図14】 垂直境界におけるより軽い材料体積部分とより重い材料体積部分の重ね合わせとして相互作用体積の領域を近似する、複合的手法の概略図である。
【図15】 ２つの隣接するタングステン領域によって限定された中央の炭素領域を描いた、半導体試料層を通るＳＥＭ走査の像である。
【図16】 図１５の左側のタングステン／炭素境界領域に関する、図１の検査装置を用いた検査方法の結果の図である。
【図17】 図１５の右側の炭素／タングステン境界領域に関する、図１の検査装置を用いた検査方法の結果の図である。

代表図 図1本件の代表的な図

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