特許 7889653出願番号特願 2025-5698
結晶化ガラス、高周波用基板および結晶化ガラスの製造方法

出願人旭硝子株式会社（識別番号 44）

2026年特許公開件数ランキング 89位 220件（※）

2026年特許取得件数ランキング 54位 281件（※）

公報発行日　2026年7月14

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7889653　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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結晶化ガラス、結晶化ガラスを用いた高周波用基板およびその製造方法

しかしながら、非特許文献１に示す結晶化ガラスは、１２００℃を超える高温で結晶化処理を行う必要があった。以上の背景を踏まえ、本発明では低温焼成可能な結晶化ガラスを提供することを目的とする。

本発明では、Ｂａ－Ｓｉ－Ｏのみからなる結晶相を有する結晶化ガラスを提供する。

本発明によると、低温焼成可能な結晶化ガラス、及びそれを用いた高周波用基板を得ることができる。

【図1】図１は、実験例におけるＢａＳｉ２Ｏ５およびＢａ２Ｓｉ４Ｏ１０の結晶化度合計と誘電正接ｔａｎδの関係を示した図である。

【図2】図２は、実験例における組成ＨにおけるＬｉ２Ｓｉ２Ｏ５の結晶化度と、誘電正接ｔａｎδの関係を示した図である。

【図3】図３は、実験例におけるＢａＳｉ２Ｏ５およびＢａ２Ｓｉ４Ｏ１０の格子定数の差分の二乗総和と誘電正接ｔａｎδの関係を示した図である。

【図4】図４は、指標２のＢａＳｉ２Ｏ５およびＢａ２Ｓｉ４Ｏ１０の｛４００｝面、｛０２０｝面、｛００２｝面での歪みの合計値と結晶化度の合計値の積と、結晶化ガラスの誘電正接ｔａｎδの関係を示した図である。

【図5】図５は、ＸＬｉ２Ｏ－（３０－Ｘ）ＢａＯ－７０ＳｉＯ２組成においてＸ＝０．２、０．５、１．０、２．０、３．０、５．０と変化させた際の結晶化開始温度を示したＤＳＣの測定結果である。

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