特許7899781IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

モノマー、ポリマー、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、前記事情に鑑みなされたもので、パターン形成時の解像性を向上し、かつ、LER、パターン忠実性及びドーズマージンが改善されたレジストパターンを得ることができる化学増幅ネガ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者は、前記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、所定の脱水官能基を有するモノマーに由来する繰り返し単位を含むポリマーを化学増幅ネガ型レジスト組成物に導入した場合、良好な解像性やパターン形状を示し、LER、パターン忠実性及びドーズマージンが改善され、かつエッチング耐性にも優れるパターンが得られることを知見し、本発明をなすに至った。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明のモノマーから得られるポリマーをベースポリマーとして含む化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてパターン形成を行った場合、良好な感度にて脱水反応を伴う極性変化が進行し、高い解像性及びパターン忠実性を有しつつ、LER及びドーズマージンが改善され、かつエッチング耐性にも優れるパターンを形成できるため、微細加工技術、特にEUVリソグラフィーやEBリソグラフィーに好適に用いることができる。

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