特許7907211IP Force 特許公報全文掲載

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この発明は、半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述した半導体装置の製造方法（図１６参照）では、裏面保護テープおよび外周保護テープを順に貼り付けた（ステップＳ１０８，Ｓ１０９）状態の半導体ウエハを、その後のめっき処理（ステップＳ１１１）においてめっき液に長時間晒す。例えば、ステップＳ１１１で無電解めっき処理を行う場合、半導体ウエハは７０℃～８０℃程度の温度のめっき液に４０分間～５０分間程度晒される。半導体ウエハと保護テープとの間に気泡が生じていると、当該気泡がめっき液で温められて大きくなる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの第１主面側にめっき処理によってめっき膜を形成する半導体装置の製造方法であって、次の特徴を有する。前記半導体ウエハの第１主面に第１電極を形成する第１工程を行う。前記半導体ウエハの第２主面に第１テープを貼り付けて、前記第１テープによって前記半導体ウエハの第２主面を覆う第２工程を行う。前記第１テ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、歩留まりを向上させることができるという効果を奏する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。
【図2】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その１）。
【図3】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その２）。
【図4】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その３）。
【図5】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その４）。
【図6】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その５）。
【図7】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その６）。
【図8】 図１のステップＳ８で用いる裏面保護テープの積層構造を示す断面図である。
【図9】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す俯瞰図である。
【図10】 実施の形態にかかる半導体装置の製造途中の状態を示す平面図である。
【図11】 図１のステップＳ９で用いる金型の構造を説明する説明図である。
【図12】 図１のステップＳ９で用いる金型の構造の別例を説明する説明図である。
【図13】 図１のステップＳ９で用いる金型の構造の別例を説明する説明図である。
【図14】 テープアニール条件と外周保護テープの粘着剤層の糊残りとの関係を示す図表である。
【図15】 従来の半導体装置の製造方法の課題を説明する説明図である。
【図16】 従来の半導体装置の製造方法の概要を示すフローチャートである。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 裏面保護テープ ２ 外周保護テープ ２ａ 外周保護テープの出っ張り部 ２ｂ 外周保護テープの出っ張り部を引っ張る方向 ３ 裏面保護テープの基材層 ４ 裏面保護テープの粘着剤層 ５ 裏面保護テープの基材層の表面の凹凸 ６ 外周保護テープの基材層 ７ 外周保護テープの粘着剤層 ８ 裏面保護テープの保護フィルム ９ ステージの保持部 ９ｂ ステージの回転方向 １０ 半導体ウエハ １０ａ 半導体ウエハのおもて面 １０ｂ 半導体ウエハの裏面 １０ｃ 半導体ウエハの側面 １１ 半導体ウエハの中央部 １２ 半導体ウエハの外周部 １２ａ 半導体ウエハの外周部のおもて面 １２ｂ 半導体ウエハの外周部の裏面平坦部 １３ 半導体ウエハの裏面の段差 １３ｂ 半導体ウエハの裏面の段差のメサエッジ ２１ 金型 ２２ 金型の凹凸 ２３ 金型の中空部 ２４ 金型の凹部 ２５ ステージ ２６ ステージの凹部 ｄ１ 半導体ウエハの外周部の裏面平坦部のリング幅 ｄ２ 金型の凹凸（外周部）のリング幅

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