特許 7907231出願番号 特願 2022-111146
半導体装置
公報発行日 2026年8月19
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技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
コンタクトトレンチ部を形成した場合に、ダイオードの定常損失Ｖｆが増加しないことが望ましい。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の第１の態様においては、ダイオード部を備える半導体装置であって、半導体基板に設けられた第１導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域よりも前記半導体基板のおもて面側に設けられた第２導電型のアノード領域と、前記ダイオード部において、前記半導体基板のおもて面に設けられたトレンチコンタクト部とを備え、前記半導体基板の深さ方向において、前記トレンチコンタクト部の底部と同一の深さにおける前記アノー・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
半導体装置１００の上面図の一例を示す。
【図2A】
図１におけるａ－ａ'断面の一例を示す。
【図2B】
図１におけるｂ－ｂ'断面の一例を示す。
【図2C】
図１におけるｃ－ｃ'断面の一例を示す。
【図3A】
比較例のドーピング濃度のプロファイルの一例を示す。
【図3B】
実施例の半導体装置１００におけるドーピング濃度のプロファイルの一例を示す。
【図3C】
実施例と比較例とのＶｆ変化率の一例を示す。
【図3D】
実施例の半導体装置１００におけるドーピング濃度のプロファイルの一例を示す。
【図4】
図１におけるａ－ａ'断面の変形例を示す。
【図5】
半導体装置１００の別の実施例における上面図の一例を示す。
【図6】
半導体装置１００の製造方法の一例を示す。
代表図 図1本件の代表的な図
１０・・・半導体基板、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１７・・・ウェル領域、１８・・・ドリフト領域、１９・・・アノード領域、２０・・・トレンチコンタクト部、２１・・・おもて面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・裏面、２４・・・コレクタ電極、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・延伸部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３３・・・接続部分、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・延伸部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４３・・・接続部分、４４・・・ゲート導電部、５２・・・エミッタ電極、５３・・・アノード電極、５５・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、７０・・・トランジスタ部、７１・・・メサ部、７３・・・トランジスタプラグ領域、８０・・・ダイオード部、８１・・・メサ部、８２・・・カソード領域、１８１・・・第１カソード部、１８２・・・第２カソード部、８３・・・ダイオードプラグ領域、９０・・・境界部、９１・・・メサ部、９２・・・メサ部、１００・・・半導体装置
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