特許 7910309出願番号 特願 2022-12509
半導体装置
公報発行日 2026年8月25
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7910309 ログイン済みの方はこのURLへ
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技術分野
この発明は、半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
ここで、図１８に示すように、ツナギ領域１４１では、第１ｐ+型領域１０３上に第２ｐ+型領域１０４が設けられている。また、ｐ型ベース層１１６の表面層に、トレンチＳＢＤ１３２と接するｐ++型コンタクト領域１１８が設けられている。このため、ツナギ領域１４１において、トレンチＳＢＤ１３２は、周囲がｐ型領域（ｐ型ベース層１１６、ｐ++型コンタクト領域１１８、第１ｐ+型領域１０３および第２ｐ+型領域１０４）で囲まれている構造となっている。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。第１導電型の半導体基板のおもて面に、前記半導体基板よりも不純物濃度の低い第１導電型の第１半導体層が設けられる。前記第１半導体層の、前記半導体基板側に対して反対側に第２導電型の第２半導体層が設けられる。前記第２半導体層の内部に選択的に、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い第１導電型の第１半導体領域・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明にかかる半導体装置によれば、逆回復損失、順方向電圧の劣化やターンオン時の損失を減少できるという効果を奏する。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す上面図である。
【図2】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図１の１．部分の断面図である。
【図3】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図１の２．部分の断面図である。
【図4】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図１の３．部分の断面図である。
【図5】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図１の４．部分の断面図である。
【図6】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す図１の５．部分の断面図である。
【図7】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置のソース電極パッドを示す上面図である。
【図8】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の他の構造を示す上面図である。
【図9】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その１）。
【図10】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その２）。
【図11】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その３）。
【図12】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その４）。
【図13】
実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その５）。
【図14】
実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す上面図である。
【図15】
実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置のソース電極パッドを示す上面図である。
【図16】
従来のＳＤＢ内蔵の炭化珪素半導体装置の構造を示す上面図である。
【図17】
従来のＳＤＢ内蔵の炭化珪素半導体装置の構造を示す図１６のＣ－Ｃ’部分の断面図である。
【図18】
従来のＳＤＢ内蔵の炭化珪素半導体装置の構造を示す図１６のＢ－Ｂ’部分の断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１、１０１ ｎ-型ドリフト層
２、１０２ ｎ+型炭化珪素基板
３、１０３ 第１ｐ+型領域
４、１０４ 第２ｐ+型領域
５ ｐ+型領域
１５、１１５ ｎ型領域
１５ａ 下側ｎ型領域
１５ｂ 上側ｎ型領域
１６、１１６ ｐ型ベース層
１７、１１７ ｎ+型ソース領域
１８、１１８ ｐ++型コンタクト領域
１９、１１９ ゲート絶縁膜
２０、１２０ ゲート電極
２１、１２１ 層間絶縁膜
２２、１２２ ソース電極
２６、１２６ ショットキーメタル
３１、１３１ トレンチゲート
３２、１３２ トレンチＳＢＤ
４０、１４０ 活性領域
４１、１４１ ツナギ領域
４２、１４２ エッジ領域
４３、１４３ ゲートコンタクト
４４、１４４ ポリシリコン
４５、１４５ ゲート電極パッド
５０、１５０ ＳＢＤ内蔵の炭化珪素半導体装置
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