特許7910310IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 富士電機株式会社 > 特許7910310

技術分野

電力変換装置、過熱判定装置及び過熱判定方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述の従来技術は、半導体素子の寿命を判定するものの、半導体素子の温度を推定しないので、半導体素子の過熱を精度良く判定することが難しい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一態様では、 第１主電極及び第２主電極を有する半導体素子と、前記第１主電極に電気的に接続された第１端子と、前記第２主電極に電気的に接続された第２端子とを有する半導体装置と、 前記第１端子及び前記第２端子の両端子間の電圧を検出する電圧検出部と、 前記両端子間に流れる電流を検出する電流検出部と、 前記半導体装置のスイッチングを制御する制御部と、を備え、 前記制御部は、・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示によれば、半導体素子の過熱を精度良く判定できる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１電力変換装置の構成例を示す図である。
【図2】 第１過熱判定装置の構成例を示す図である。
【図3】 半導体装置の両端子間の通電状態での電圧Vce1の検出動作に伴う各部の波形を例示するタイミングチャートである。
【図4】 過熱判定方法の第１例を示す機能ブロック図である。
【図5】 第２半導体装置の断面構造例を示す図である。
【図6】 第２過熱判定装置の構成例を示す図である。
【図7】 過熱判定方法の第２例を示す機能ブロック図である。
【図8】 第３過熱判定装置の構成例を示す図である。
【図9】 過熱判定方法の第３例を示す機能ブロック図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ ヒートシンク ２ サーマルグリース ３ ベース基板 ４，６ 接合材 ５ 絶縁基板 ７ ケース ８ 表面 ９ 裏面 １０ 主回路部 １１ａ アノード電極 １１ｃ コレクタ電極 １１ｅ エミッタ電極 １１ｇ ゲート電極 １１ｋ カソード電極 １２ 表面 １３ 裏面 １４ 負荷 １５～１８ ワイヤ ２０，２１，２２，２３ 制御部 ３０ 電流検出部 ３３ 電源 ４０ ゲート駆動部 ５１，５２，５３ 電圧検出部 ６１，６３，６４ 推定部 ６２ 判定部 １０１，１０２ 半導体装置 １１１～１１６ パワー半導体モジュール ２００ 電力変換装置 ３０１，３０２，３０３ 過熱判定装置 Ｃ コレクタ端子 Ｅ エミッタ端子 Ｅｓ 補助エミッタ端子 Ｇ ゲート端子

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.