特許7910314IP Force 特許公報全文掲載

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この発明は、炭化珪素半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述したように、従来のＳＪ構造のＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ（図１５～１８参照）では、活性領域１１０およびエッジ終端領域１２０ともに同一のＳＪ構造（ｎ型カラム領域１３１およびｐ型カラム領域１３２）でドリフト層が構成される。このため、エッジ終端領域１２０の耐圧が活性領域１１０の耐圧よりも低くなり、エッジ終端領域１２０でアバランシェ降伏しやすい。これによって、半導体基板１４０の大半の面積（表面積）を占める面積の広い活性領域１１０でアバランシェ降伏する場合と比べて破壊耐量が小さくなるという問題がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる炭化珪素半導体装置は、次の特徴を有する。炭化珪素からなる半導体基板に、活性領域と、前記活性領域の周囲を囲む終端領域と、が設けられている。前記半導体基板の内部に、並列ｐｎ層が設けられている。前記並列ｐｎ層は、第１導電型カラム領域と第２導電型カラム領域とを前記半導体基板の第１主面に平行な第１方向に交互に繰り返し隣接して配置してなる・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置によれば、破壊耐量を向上させることができるという効果を奏する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。
【図2】 図１の切断線Ａ１－Ａ１’における断面構造を示す断面図である。
【図3】 図１の切断線Ａ２－Ａ２’における断面構造を示す断面図である。
【図4】 図１の切断線Ｂ－Ｂ’における断面構造を示す断面図である。
【図5】 図１の切断線Ｃ－Ｃ’における断面構造を示す断面図である。
【図6】 図１の切断線Ｃ－Ｃ’における活性領域（Ｃ１－Ｃ２間の部分）の断面構造の別例を示す断面図である。
【図7】 実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図8】 実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図9】 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図10】 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図11】 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の別例を示す断面図である。
【図12A】 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の別例を示す断面図である。
【図12B】 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の別例を示す断面図である。
【図13】 実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図14】 実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図15】 従来の炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。
【図16】 図１５の切断線ＡＡ－ＡＡ’における断面構造を示す断面図である。
【図17】 図１５の切断線ＢＢ－ＢＢ’における断面構造を示す断面図である。
【図18】 図１５の切断線ＣＣ－ＣＣ’における断面構造を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ ｎ+型ドレイン領域 ２ ｎ型バッファ領域 ３，６０，７０，８０ 並列ｐｎ層 ４ ｐ型ベース領域 ４ａ ｐ型ベース延在部 ５ ｎ+型ソース領域 ６ ｐ++型コンタクト領域 ７ ゲートトレンチ ８ ゲート絶縁膜 ９ ゲート電極 １０ 活性領域 １１ ゲートトレンチ直下のｐ+型領域 １１ａ ｐ+型延在部 １２ 互いに隣り合うゲートトレンチ間のｐ+型領域 １４ 層間絶縁膜 １５ ソース電極 １６ ドレイン電極 ２０ エッジ終端領域 ２１ 耐圧構造 ２２ ｐ-型領域 ２３ ｐ--型領域 ２４ ｎ+型チャネルストッパ領域 ３１，３３，６２，８２ ｎ型カラム領域 ３２ ｐ型カラム領域 ３２ａ，７１ 長ｐ型カラム領域 ３２ｂ，３２ｂ－１，３２ｂ－２，８１ 短ｐ型カラム領域 ３４ 通常のｎ型ドリフト領域 ４０ 半導体基板 ４０ａ～４０ｃ 半導体基板のおもて面 ４１ ｎ+型出発基板 ４２ ｎ型エピタキシャル層 ４３ ｐ型エピタキシャル層 ４４ 半導体基板のおもて面の段差 ５０～５４ 炭化珪素半導体装置 ６１ 幅狭ｐ型カラム領域 ６１ａ，６１ｂ 幅狭ｐ型カラム領域の一部分 ７２ ｐ型カラム領域直下のｎ+型領域 Ｄｎ１ ｎ型カラム領域の深さ方向の長さ Ｄｐ１，Ｄｐ１１ 長ｐ型カラム領域の深さ方向の長さ Ｄｐ２，Ｄｐ２－１，Ｄｐ２－２，Ｄｐ２２ 短ｐ型カラム領域の深さ方向の長さ Ｄｐ３ ゲートトレンチ直下のｐ+型領域の深さ方向Ｚの長さ Ｄｐ１２ 長ｐ型カラム領域直下のｎ+型領域の深さ方向の長さ Ｗｎ１ ｎ型カラム領域の短手方向の幅 Ｗｐ１ ｐ型カラム領域の短手方向の幅 Ｗｐ１－１ 長ｐ型カラム領域の短手方向の幅 Ｗｐ１－２ 短ｐ型カラム領域の短手方向の幅 Ｗｐ１１ 長ｐ型カラム領域の長手方向の幅 Ｗｐ１２ 短ｐ型カラム領域の長手方向の幅 Ｗｐ２１，Ｗｐ２２ 幅狭ｐ型カラム領域の短手方向の幅 Ｗｐ２３ 幅狭ｐ型カラム領域長手方向の幅 Ｘ 半導体基板のおもて面に平行な第１方向 Ｙ 半導体基板のおもて面に平行でかつ第１方向と直交する第２方向 Ｚ 深さ方向

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