特許7910326IP Force 特許公報全文掲載

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半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかし、の半導体装置では、封止部材と、封止部材で封止される半導体装置の構成部品（パワー半導体チップ、絶縁回路基板、リードフレーム）との密着力は高くない。このため、構成部品に対する封止部材の剥離が発生しやすい。剥離が発生し、伸展すると、半導体装置の絶縁性が低下し、また、剥離箇所から水分が浸入してしまうおそれがある。このように半導体装置の信頼性が低下してしまう。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一観点によれば、半導体チップと、前記半導体チップがおもて面に接合された導電板と、前記半導体チップと前記導電板とを封止する封止部材と、を含み、前記導電板の前記おもて面は他の領域よりも粗い圧痕領域を含み、前記封止部材の前記導電板の前記おもて面に対向する封止おもて面は前記圧痕領域に正対する窪部を含む、半導体装置が提供される。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

開示の技術によれば、封止部材の剥離の伸展を抑制して、半導体装置の信頼性の低下を防止する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１の実施の形態の半導体装置の外観図である。
【図2】 第１の実施の形態の半導体装置の横断面図である。
【図3】 第１の実施の形態の半導体装置の縦断面図である。
【図4】 第１の実施の形態の半導体装置の要部縦断面図である。
【図5】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図6】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる組み立て工程を示す図である。
【図7】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる金型セット工程（セット直後）を示す図である。
【図8】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる金型セット工程（加熱）を示す図である。
【図9】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる圧痕形成工程を示す図である。
【図10】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる圧痕形成工程で用いられる押圧ピンを示す図（その１）である。
【図11】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる圧痕形成工程で用いられる押圧ピンを示す図（その２）である。
【図12】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる圧痕形成工程後の要部縦断面図である。
【図13】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる封止工程を示す図である。
【図14】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる封止工程（押圧ピンの抜き去り中）を示す図である。
【図15】 第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる封止工程（押圧ピンの抜き去り後）を示す図である。
【図16】 第１の実施の形態の半導体装置に対する圧痕領域の形成位置を説明するための図である。
【図17】 第１の実施の形態（変形例１－１）の半導体装置の横断面図である。
【図18】 第１の実施の形態（変形例１－１）の半導体装置の要部縦断面図である。
【図19】 第２の実施の形態の半導体装置の横断面図である。
【図20】 第２の実施の形態の半導体装置の縦断面図である。
【図21】 第２の実施の形態（変形例２－１）の半導体装置の縦断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 半導体装置 ２ 半導体組立体 ３ 封止金型 ３ａ 下部金型 ３ｂ 上部金型 ３ｃ キャビティ ４ 押圧ピン ４ａ 押圧面 １０ 半導体チップ １０ａ 制御電極 １０ｂ 出力電極 １１ 制御ＩＣ ２１，２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ，２１ｇ 主電流リードフレーム ２１ａ１，２１ｂ１，２１ｃ１，２１ｄ１ 接合部 ２１ａ２，２１ｂ２，２１ｃ２，２１ｄ２ 連係部 ２１ａ３，２１ｂ３，２１ｃ３，２１ｄ３ 端子部 ２１ａ４，２１ｂ４，２１ｃ４，２１ｄ４ ダイパッド部 ２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ 制御リードフレーム ２２ｂ１，２２ｃ１ 制御ダイパッド部 ２２ｂ２，２２ｃ２ 連係部 ２２ｂ３，２２ｃ３，２２ｃ４ 端子部 ２３ａ，２３ｂ 酸化膜 ２３ａ１，２３ａ２ 圧痕領域 ２４ａ，２４ｂ ワイヤ ２５ 金属ベース基板 ２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ 配線板 ２６ｅ１，２６ｅ２，２６ｅ３，２６ｅ４ 辺 ２６ｅ５，２６ｅ６，２６ｅ７，２６ｅ８ 角部 ２７ 絶縁層 ２８ 放熱板 ３０ 封止体 ３０ａ 締結孔 ３０ｂ 窪部 ３０ｃ 封止部材 ３１ 上面 ３２ 下面 ３３，３５ 長側面 ３４，３６ 短側面

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