１０・・・半導体基板、１２・・・エミッタ領域、１３・・・下端端部、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１７・・・ウェル領域、１８・・・ドリフト領域、１９・・・トレンチボトム領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・おもて面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・裏面、２４・・・コレクタ電極、２５・・・接続部、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・延伸部分、３２・・・ダミー絶縁膜、３３・・・接続部分、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・延伸部分、４２・・・ゲート絶縁膜、４３・・・接続部分、４４・・・ゲート導電部、５０・・・ゲート金属層、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、５５・・・コンタクトホール、５６・・・コンタクトホール、５８・・・コンタクトホール、５９・・・非接続領域、６０・・・コンタクトトレンチ部、６２・・・プラグ、６４・・・バリアメタル層、７０・・・トランジスタ部、７１・・・メサ部、８０・・・ダイオード部、８１・・・メサ部、８２・・・カソード領域、９２・・・上部領域、９４・・・下部領域、１００・・・半導体装置、１３０・・・ダミーゲートトレンチ部、１３２・・・第２ゲート絶縁膜、１３４・・・第２ゲート導電部、１５１・・・第１コンタクト部、１５２・・・第２コンタクト部、１５５・・・マスク、１５６・・・間引き領域、１６１・・・低濃度領域、１７１・・・高濃度領域、１８１・・・高濃度領域、１８２・・・低濃度領域、２５１・・・第１イオン注入領域、２５２・・・第２イオン注入領域、２５３・・・重複イオン注入領域