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技術分野

この発明は、炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、上述した従来の炭化珪素半導体装置１１０（図２６参照）では、所定の互いに隣り合うゲートトレンチ１０７間に、ＭＯＳＦＥＴ１３１のゲート構造に代えて平面型ＳＢＤ１３２が配置される。このため、ＳＢＤを内蔵しないＭＯＳＦＥＴ（互いに隣り合うゲートトレンチ間のすべてにゲート構造が配置されたＭＯＳＦＥＴ）と比べて、半導体基板１４０の面内においてＭＯＳＦＥＴ１３１の単位面積当たりの単位セルの集積度が低下し、ＭＯＳＦＥＴ１３１のオン抵抗が高くなる。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる炭化珪素半導体装置は、次の特徴を有する。炭化珪素からなる半導体基板の内部に、第１導電型の第１半導体領域が設けられている。前記半導体基板のおもて面と前記第１半導体領域との間に、第２導電型の第２半導体領域が選択的に設けられている。前記半導体基板のおもて面と前記第２半導体領域との間に、第１導電型の第３半導体領域が選択的に設けられてい・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明にかかる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法によれば、同一の半導体基板に平面型ＳＢＤを内蔵したＭＯＳＦＥＴにおいて、ＭＯＳＦＥＴの集積度を維持することができるとともに、ＭＯＳＦＥＴのボディダイオードの順方向特性劣化を抑制することができるという効果を奏する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。
【図2】 図１の切断線Ａ－Ａ’における断面構造を示す断面図である。
【図3】 図１の切断線Ｂ－Ｂ’における断面構造を示す断面図である。
【図4】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図5】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図6】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図7】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図8】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図9】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図10】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である。
【図11】 比較例の製造途中の状態を示す断面図である。
【図12】 比較例の製造途中の状態を示す断面図である。
【図13】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の別の製造途中の状態を示す断面図である。
【図14】 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の別の製造途中の状態を示す断面図である。
【図15】 実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。
【図16】 図１５の切断線Ｃ－Ｃ’における断面構造を示す断面図である。
【図17】 図１５の切断線Ｄ－Ｄ’における断面構造を示す断面図である。
【図18】 図１５の切断線Ｄ－Ｄ’における断面構造を示す断面図である。
【図19】 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。
【図20】 実験例１のｎ型電流拡散領域の第２部分付近のドーピング濃度分布を示す分布図である。
【図21】 図２０のｎ型電流拡散領域の第２部分のｎ型ドーピング濃度分布を示す分布図である。
【図22】 実施例１のｎ型不純物（窒素）のイオン注入条件を示す図表である。
【図23】 実験例２のｐ型ベース領域付近のドーピング濃度分布を示す分布図である。
【図24】 図２３のｐ型ベース領域のｐ型ドーピング濃度分布を示す分布図である。
【図25】 実施例２のｐ型不純物（アルミニウム）のイオン注入条件を示す図表である。
【図26】 従来の炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ ｎ+型ドレイン領域 ２ ｎ-型ドリフト領域 ３ ｎ型電流拡散領域 ３ａ ｎ型電流拡散領域の第１部分 ３ｂ ｎ型電流拡散領域の第２部分 ４，６４ ｐ型ベース領域 ５，６５ ｎ+型ソース領域 ６，６６ ｐ++型コンタクト領域 ７ ゲートトレンチ ８ ゲート絶縁膜 ９ ゲート電極 １０，６０，７０ 炭化珪素半導体装置 １１，１２ 導電層 １１ａ ニッケル膜 １２ａ，１２ｂ 導電層と半導体基板とのショットキー接触部 １３ 層間絶縁膜 １３ａ コンタクトホール １４ おもて面電極 １５ 裏面電極 ２１～２３，６７ ｐ+型領域 ３１，６１ ＭＯＳＦＥＴ ３２，６２ 平面型ＳＢＤ ４０ 半導体基板 ４１ ｎ+型出発基板 ４２ ｎ-型エピタキシャル層 ４２ａ ｎ-型エピタキシャル層の厚さを増した部分 ４３ ｐ型エピタキシャル層 ４４ ｎ型エピタキシャル層 ５１ 活性領域 ５２ エッジ終端領域 ７１ ｐ型高濃度領域 ７２ ｐ型エピタキシャル層の犠牲酸化により除去される部分 ７３ ｎ型エピタキシャル層の犠牲酸化により除去される部分 ｄ１ ＭＯＳＦＥＴのボディダイオードと平面型ＳＢＤとの距離 Ｘ 半導体基板のおもて面に平行な第１方向 Ｙ 半導体基板のおもて面に平行な方向でかつ第１方向と直交する第２方向 Ｚ 深さ方向

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