特許 7913313出願番号 特願 2022-128976
半導体装置
公報発行日 2026年9月1
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技術分野
半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
半導体装置においては、ターンオフ時におけるサージ電圧を抑制することが好ましい。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は、上面および下面を有し、第１導電型のドリフト領域が設けられた半導体基板を備えてよい。半導体装置は、前記半導体基板の前記下面と、前記ドリフト領域との間に設けられ、前記半導体基板の深さ方向において３つ以上のドーピング濃度ピークを有する、前記ドリフト領域よりも高濃度の第１導電型のバッファ領域を備えてよい。・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
本発明の一つの半導体装置１００の一例を示す上面図である。
【図2】
図１における領域Ｄの拡大図である。
【図3】
図２におけるｅ－ｅ断面の一例を示す図である。
【図4】
図３のｆ－ｆ線におけるドーピング濃度分布３００の一例を示す図である。
【図5】
ドーピング濃度ピーク２１０－２の近傍におけるドーピング濃度分布を示す図である。
【図6】
ドーピング濃度ピーク２１０－２の近傍におけるドーピング濃度分布の他の例を示す図である。
【図7】
比較例に係るドーピング濃度ピーク３１０－２のドーピング濃度分布を示す図である。
【図8】
実施例および比較例に係る、半導体装置のターンオフ時の電圧波形および電流波形を示している。
【図9】
ターンオフ時における電界強度Ｅ１の分布例を示す図である。
【図10】
ドーピング濃度ピーク２１０－２のドーピング濃度分布の他の例を示す図である。
【図11】
凹部２１８およびキンク部２１６の深さ位置を説明する図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１０・・・半導体基板、１１・・・ウェル領域、１２・・・エミッタ領域、１４・・・ベース領域、１５・・・コンタクト領域、１６・・・蓄積領域、１８・・・ドリフト領域、２０・・・バッファ領域、２１・・・上面、２２・・・コレクタ領域、２３・・・下面、２４・・・コレクタ電極、２９・・・直線部分、３０・・・ダミートレンチ部、３１・・・先端部、３２・・・ダミー絶縁膜、３４・・・ダミー導電部、３８・・・層間絶縁膜、３９・・・直線部分、４０・・・ゲートトレンチ部、４１・・・先端部、４２・・・ゲート絶縁膜、４４・・・ゲート導電部、５２・・・エミッタ電極、５４・・・コンタクトホール、６０、６１・・・メサ部、７０・・・トランジスタ部、８０・・・ダイオード部、８１・・・延長領域、８２・・・カソード領域、９０・・・エッジ終端構造部、１００・・・半導体装置、１３０・・・外周ゲート配線、１３１・・・活性側ゲート配線、１６０・・・活性部、１６２・・・端辺、１６４・・・ゲートパッド、２１０・・・ドーピング濃度ピーク、２１２・・・サブピーク、２１４・・・窪部、２１６・・・キンク部、２１８・・・凹部、２２０・・・谷部、３００・・・ドーピング濃度分布、３１０・・・ドーピング濃度ピーク、３１２・・・サージ部分、４００・・・水素化学濃度分布、５１０・・・水素化学濃度ピーク、５１２・・・水素サブピーク、５１４・・・窪部、５２０・・・谷部
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