特許7913628IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

デバイス、半導体装置、ゲートドライバ、および、パワーモジュール

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本デバイス100を搭載したIC10の一例を示す。
【図2】 IC10の平面図の一例を示す。
【図3】 ヒューズ素子130が溶断するまでの時間と順方向電流の関係の一例を示す。
【図4】 本実施形態の第1の変形例に係るデバイス100´を搭載したIC10の一例を示す。
【図5】 本実施形態の第2の変形例に係るデバイス100´´を搭載したIC10の一例を示す。

代表図 図1本件の代表的な図

10 IC 20 第1回路 30 第2回路 100 デバイス 101 並列回路 101a 第1の並列回路 101b 第2の並列回路 101c 第3の並列回路 101d 第4の並列回路 101e 第5の並列回路 110 直列回路 110x 第1直列回路 110y 第2直列回路 110z 第3直列回路 120 整流素子 120x 第1整流素子 120y 第2整流素子 120z 第3整流素子 130 ヒューズ素子 130x 第1ヒューズ素子 130y 第2ヒューズ素子 130z 第3ヒューズ素子 400 抵抗性素子 400x 第1抵抗性素子 400y 第2抵抗性素子 400z 第3抵抗性素子 500 判定回路

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